JP4487626B2 - 基板処理装置及びこの基板処理装置を用いた基板処理方法 - Google Patents
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Description
例えば、半導体基板をHF溶液の入った処理槽(HF槽)から取り出して純水の入った別の処理槽(水洗槽)に移す間や、水洗槽から取り出してスピンドライヤ等に移す間は、半導体基板が完全に乾燥されていない、いわゆる生乾きの状態になっている。そのため、半導体基板表面は酸化されやすく、特にトレンチには水分が溜まりやすいため酸化物が生成されやすい。トレンチ内にこのような酸化物が除去されないまま残ると、デバイスの耐圧低下等が引き起こされる場合もある。
このような基板処理方法によれば、処理槽が、支持台に支持される支持部のうち、一の支持部で支持台に軸支され、この一の支持部を軸にして他の支持部が支持台と離接する方向に回動し、連結部から基板を内部にセットした基板の形成面が重力方向に対して横向きの状態で処理槽内に薬液が供給され、処理槽が回動し、基板を形成面を重力方向に向けた状態で、基板のエッチング処理が行われ、純水を供給して基板の洗浄処理が行われ、またはガスを供給して基板の乾燥処理が行われるようになっている。
図1は基板処理装置の要部側面図、図2は基板処理装置の要部平面図、図3は図1のE部拡大図である。
基板処理装置10は、半導体基板1がセットされた処理槽11に、例えば、エッチングの薬液としてHF溶液を、洗浄液として純水を、基板乾燥のための処理ガスとしてN2ガスを、それぞれ用いることとした場合、フッ酸供給制御部20、純水供給制御部30およびN2ガス供給制御部40を有する。
図6は処理槽を垂直にしたときの基板処理装置の要部側面図、図7は処理槽を垂直にしたときの基板処理装置の要部正面図である。
図8は半導体基板保持方法の説明図、図9は半導体基板セット方法の説明図である。
半導体基板1を処理槽11内にセットする際には、まず、垂直に起こした処理槽11本体から中の基板保持具2を引き抜き、図8に示すように、半導体基板1を基板保持具2に固定する。この基板保持具2には、半導体基板1の固定位置に図示しない所定の溝加工が施されており、基板保持具2に半導体基板1をその溝に沿って挿入することにより、ネジなどの器具を使用しなくても半導体基板1が基板保持具2に挟持されるようになっている。
このように、半導体基板1をそのトレンチ1a形成面を重力方向に向けた状態でHF溶液に浸漬させることで、トレンチ1a内に浸入したHF溶液は、その流れと重力の作用によって、トレンチ1a形成面が重力方向に対して横向きや逆向きになっている場合に比べてトレンチ1aの外に流れ出やすくなる。そのため、トレンチ1a内の生成物を溶解した後のHF溶液は、トレンチ1a内のHF溶液が入れ替わる際にトレンチ1a外に排出される。さらに、たとえトレンチ1a内に溶解しきれなかった遊離の生成物が存在していても、同じくHF溶液の流れと重力の作用によって、その生成物は、トレンチ1a内のHF溶液が入れ替わる際にHF溶液と共にトレンチ1a外に排出される。
1a トレンチ
2 基板保持具
10 基板処理装置
11 処理槽
12 供給口
13 排出口
14 支持台
14a,14b 支持部
15 ベース板
16 回転方向可動軸
17 整流板
17a 貫通孔
18 処理槽排出口側ユニット
19 連結部
20 フッ酸供給制御部
21 フッ酸タンク・ポンプ
22,33,45 フィルタ
23,34,43 流量計
24,32,36,42 バルブ
30 純水供給制御部
31 純水供給口
35,46 逆止弁
40 N2ガス供給制御部
41 N2ガス供給口
44 ヒータ
50 プログラマブルコントローラ
Claims (6)
- 基板に処理液または処理ガスを供給して基板処理を行う基板処理装置において、
支持台に支持される支持部のうち一の支持部で前記支持台に軸支され前記一の支持部を軸にして、内部に通じる連結部に着脱可能に連結した他の支持部が前記支持台と離接する方向に回動可能に構成された処理槽を有し、
前記処理槽は、前記他の支持部を抜脱し、前記連結部から前記基板を内部にセットする時に前記基板のトレンチの形成面が重力方向に対して横向きになるように、前記他の支持部を前記支持台から離反した状態で保持可能であり、
前記他の支持部の前記支持台との接触時に、内部にセットされた前記基板を前記形成面を重力方向に向けた状態で保持可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記一の支持部及び前記他の支持部を結ぶ線方向であって、前記処理槽の一方に供給口を、他方に排出口をそれぞれ備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記他の支持部の前記支持台との接触時に、
前記処理槽の両側であって、前記供給口及び前記排出口の間に、前記処理槽を回転可能に軸支する可動軸を備えることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記処理槽は、透明性を有する材料を用いて構成されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板処理として、前記連結部から内部にセットした前記基板の前記形成面が重力方向に対して横向きの状態で前記処理槽内に薬液を供給して、
前記処理槽を回動し、前記基板を前記形成面を重力方向に向けた状態にして、前記基板のエッチング処理を、純水を供給して前記基板の洗浄処理を、ガスを供給して前記基板の乾燥処理を順に行うことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置を用いた基板処理方法。
- 前記エッチング処理と前記洗浄処理と前記乾燥処理とを、前記基板を大気から遮断した状態で連続して行うことを特徴とする請求項5記載の基板処理方法。
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