JP2006100493A - パーティクル除去方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】浸漬型の基板処理装置において、オペレータの作業負担が軽く、装置稼動率を低下させることもないパーティクル除去技術を提供する。
【解決手段】処理槽１０内の処理液にバブラー３０からの気泡を供給する。そして、処理液の循環系４０の経路途中に設けられた気泡除去部６１，６２において気泡を除去する。処理槽１０内のパーティクルは、気泡とともに処理液の流れに乗って循環され、気泡除去部６１，６２において気泡とともに除去される。気泡除去部６１，６２では、処理液を旋回することによって、その旋回中心に気泡を集合させて除去するので、フィルタを用いることなくパーティクルを除去することができる。このため、フィルタの交換作業等による作業負担を軽減することができ、装置稼動率が低下することもない。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板を液体に浸漬して処理を行う基板処理装置において、液体を貯留する処理槽からパーティクルを除去する技術に関する。

従来より、基板の製造工程においては、純水や薬液に基板を浸漬して処理する浸漬型の基板処理装置が知られている。浸漬型の基板処理装置は、純水や薬液を貯留するための処理槽を備え、その処理槽の中で基板に洗浄処理等を行う。

このような基板処理装置では、処理槽内に発生したパーティクルを、基板の処理中または処理間（一組の基板を処理した後、次の一組の基板を処理するまでの間）に除去する。通常、処理槽の上部から溢れ出る液体をフィルタを通して濾過し、処理槽の底部から再度供給することによって、処理槽内のパーティクルを低減させている。

このような従来のパーティクル除去技術については、例えば、特許文献１に開示されている。

特開平０７−３２６５７０号公報

上記のように、従来のパーティクル除去方法では、フィルタを用いて液体中のパーティクルを除去していた。しかしながら、フィルタは、過度にパーティクルが蓄積すると目詰まりを起こすため、定期的な交換が必要であった。このフィルタの交換作業は、オペレータの作業負担を増加させ、また、装置稼動率を低下させる要因ともなっていた。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、浸漬型の基板処理装置において、オペレータの作業負担が軽く、装置稼動率を低下させることもないパーティクル除去技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板を液体により処理する基板処理装置であって、液体を貯留する処理槽と、前記処理槽内の液体へ気泡を供給する気泡供給手段と、前記処理槽の上部からオーバーフローする液体を前記処理槽の底部へ帰還させる循環手段と、前記循環手段の経路途中において、液体を旋回させることにより液体中の気泡を旋回中心に集めて気泡を除去する気泡除去手段と、を備えることを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記循環手段は、第１の経路と第２の経路とを有し、前記第１の経路途中に前記気泡除去手段を備えるとともに、前記第２の経路途中にフィルタを備え、前記第１の経路と前記第２の経路のいずれかを選択する選択手段をさらに備えることを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記選択手段は、前記処理槽に貯留された液体による基板の処理中には前記第２の経路を選択し、基板の処理を行う前または基板の処理間には前記第１の経路を選択することを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記選択手段は、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を親水化する処理液である場合には、前記第１の経路を選択し、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を疎水化する処理液である場合には、前記第２の経路を選択することを特徴とする。

請求項５に係る発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記気泡除去手段において気泡とともに除去される液体の量を調節する調節手段をさらに備えることを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記気泡除去手段において気泡とともに除去される液体の量を計測する計測手段と、前記処理槽へ液体を補充する補充手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記補充手段を動作させる制御手段と、をさらに備えることを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項２から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記循環手段の経路途中において、複数の前記第１の経路が並列に設けられていることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、処理槽に貯留された液体に基板を浸漬して処理する基板処理装置において、前記処理槽内のパーティクルを除去するパーティクル除去方法であって、前記処理槽内の液体へ気泡を供給する第１の工程と、前記処理槽の上部からオーバーフローした液体を、前記処理槽の底部へ帰還させる第２の工程と、を備え、前記第２の工程においては、帰還途中の液体を旋回させることにより、液体に含まれる気泡を旋回中心に集めて除去することを特徴とする。

請求項９に係る発明は、請求項８に記載のパーティクル除去方法であって、前記処理槽の上部からオーバーフローした液体を、フィルタを通して前記処理槽の底部へ帰還させる第３の工程をさらに備えることを特徴とする。

請求項１０に係る発明は、請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、前記処理槽に貯留された液体による基板の処理中には前記第１および第２の工程を実行し、基板の処理を行う前または基板の処理間には前記第３の工程を実行することを特徴とする。

請求項１１に係る発明は、請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を親水化する処理液である場合には、前記第１および第２の工程を実行し、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を疎水化する処理液である場合には、前記第３の工程を実行することを特徴とする。

請求項１２に係る発明は、請求項８から１１のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、気泡とともに除去される液体の量を調節する第４の工程をさらに備えることを特徴とする。

請求項１３に係る発明は、請求項８から１２のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、気泡とともに除去される液体の量を計測する第５の工程と、第５の工程における計測結果に基づいて前記処理槽へ液体を補充する第６の工程と、をさらに備えることを特徴とする。

請求項１〜１３に記載の発明によれば、処理槽内の液体に気泡を供給し、その気泡を、液体の循環経路途中において除去することができる。このため、処理槽内のパーティクルを気泡に吸着させ、気泡とともに除去することができる。したがって、フィルタを用いることなくパーティクルを除去することができ、フィルタの交換作業等による作業負担を軽減することができる。また、装置稼動率が低下することもない。

特に、請求項２または９に記載の発明によれば、気泡とともにパーティクルを除去する場合と、フィルタによりパーティクルを除去する場合とを、必要に応じて使い分けることができる。

特に、請求項３または１０に記載の発明によれば、処理中には気泡を発生させないため、処理中の基板が気泡によって悪影響を受けることがない。また、基板の処理を行う前または基板の処理間にはフィルタを利用しないため、従来と比べてフィルタの交換頻度を低減することができる。

特に、請求項４または１１に記載の発明によれば、基板の表面を疎水化する処理液を使用している場合には、気泡を発生させない。このため、気泡によって基板が悪影響を受ける恐れは少ない。また、基板の表面を親水化する処理液を使用している場合には、フィルタを利用しない。このため、従来と比べてフィルタの交換頻度を低減することができる。

特に、請求項５または１２に記載の発明によれば、気泡とともに除去される液体の量を必要最小限に抑えることができる。

特に、請求項６または１３に記載の発明によれば、気泡とともに除去された分だけ液体を補充することができる。したがって、循環に必要な液体の量を維持することができる。

特に、請求項７に記載の発明によれば、複数の第１の経路により並行して気泡を除去することができる。このため、各気泡除去手段における負担が軽減し、より効率よく気泡およびパーティクルを除去することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の基板処理装置１を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。図１には、併せて配管や制御系の構成も示している。図２は、基板処理装置１を基板Ｗと垂直な平面で切断した縦断面図である。

図１〜図２に示したように、基板処理装置１は、主として処理槽１０と、リフタ２０と、バブラー３０と、循環系４０と、フィルタ５０と、気泡除去部６１，６２と、処理液供給系７０と、制御部８０とを備える。

処理槽１０は、純水等の処理液を貯留するための容器である。処理槽１０に貯留された処理液に基板Ｗを浸漬することにより、洗浄処理等の処理を行う。処理槽１０の底部には処理液吐出部１１が設けられており、処理液は処理液吐出部１１から処理槽１０内へ供給される。また、処理槽１０の上面は開放されており、その外側面の上端には外槽１２が設けられている。処理液吐出部１１から供給された純水は、処理槽１０の上方へ向かって流れ、やがて上部の開口から外槽１２へオーバーフローする。

リフタ２０は、リフタヘッド２１と保持板２２との間に、３本の保持棒２３を備えている。保持棒２３には図示しない複数の保持溝が刻設されており、複数の基板Ｗはその保持溝に起立姿勢で保持される。

リフタ２０には、サーボモータやタイミングベルト等を有するリフタ駆動部２４が接続されている。リフタ駆動部２４を動作させると、リフタ２０は昇降移動し、処理槽１０内の浸漬位置と、処理槽１０上方の引き上げ位置との間で基板Ｗを移動する。処理槽１０内において処理液による基板Ｗの処理中には、リフタ２０を降下させて基板Ｗを処理槽１０内の処理液に浸漬し、ある基板Ｗの処理と次の基板Ｗの処理との間には、リフタ２０を上昇させておく。

バブラー３０は、処理槽１０の底部に配置され、処理槽１０内の処理液へ気泡を吐出する。バブラー３０は、気体を通すパイプ３１の先に、気泡を吐出する多孔質の吐出部３２が複数個連結された構成となっている。パイプ３１の他端は、配管３３とバルブ３４とを介して窒素供給源３５に連結されている。したがって、バルブ３４を開くと、窒素供給源３５から窒素ガスが供給され、吐出部３２から窒素ガスの気泡が処理液へ吐出される。

循環系４０は、ポンプ４１と配管４２とを有し、処理槽１０の上部からオーバーフローした処理液を、処理液吐出部１１へ帰還させる。配管４２は、複数の配管４２ａ〜４２ｉを備えており、処理液を複数通りの経路で処理液吐出部１１へ帰還させる。配管４２ａは、一端が外槽１２に連結されており、ポンプ４１が介挿され、他端は２本の配管４２ｂ，４２ｃへ分岐する。配管４２ｂにはバルブ４３とフィルタ５０とが介挿されている。一方、配管４２ｃにはバルブ４４が介挿されており、その先はさらに２つの配管４２ｄ，４２ｅに分岐する。配管４２ｄ，４２ｅは、それぞれ気泡除去部６１，６２の導入口６１ｉ，６２ｉに連結する。気泡除去部６１，６２の処理液排出口６１ｏ，６２ｏには、それぞれ配管４２ｆ，４２ｇが連結されている。配管４２ｆ，４２ｇには、それぞれバルブ４５，４６が介挿されており、その先は一本の配管４２ｈへ合流する。さらに、配管４２ｂと配管４２ｈは、一本の配管４２ｉへ合流し、ヒータ７０を介して処理液吐出部１１へ連結されている。

このような循環系４０において、バルブ４４を閉じてバルブ４３を開け、ポンプ４１を動作させると、フィルタ５０経由で処理液は循環される。また、バルブ４３を閉じてバルブ４４，４５，４６を開け、ポンプ４１を動作させると、気泡除去部６１，６２経由で処理液は循環される。

気泡除去部６１，６２は、処理液を旋回させることにより処理液中に含まれる気泡を旋回中心に集めて除去する装置である。気泡除去部６１，６２の構成は同等であり、その一方の気泡除去部６１の構成を図３に示す。図３に示すように、気泡除去部６１は、略円筒形のケース６１０の中に、予備旋回流室６１１と、旋回流室６１２と、ろ液室６１３と、気泡除去管６１４とを備えている。予備旋回流室６１１は、ケース６１０の上部を取り巻くように形成されている。また、旋回流室６１２は、予備旋回流室６１１の内側で下方に向かって収束するような円錐形に形成されている。

導入口６１ｉから導入された処理液は、予備旋回流室６１１内を一周し、ケース６１０の接線方向へ進む旋回流となって旋回流室６１２へ流入する。そして、旋回流室６１２内では、処理液は、旋回流室６１２の側面に沿って旋回しながら下方へ流れる。このとき、遠心力により、密度の大きい液体は旋回流室６１２の外周部に、密度の小さい気泡は中心部に集合する（サイクロンの原理）。

旋回流室６１２とろ液室６１３との間には、複数の小孔６１２ａが形成されている。このため、旋回流室６１２の外周部に集合した処理液は、小孔６１２ａからろ液室６１３へ導入され、処理液排出口６１ｏから配管４２ｆへ排出される。

一方、旋回流室６１２と気泡除去管６１４との間にも、複数の小孔６１４ａが形成されている。このため、旋回流室６１２の中心部に集合した気泡は、少量の処理液とともに小孔６１４ａから気泡除去管６１４へ導入され、気泡排出口６１ａから排出される。

この基板処理装置１では、このような構成を有する気泡除去部６１と、同等の構成を有する気泡除去部６２とを、並列に設けている。このため、各気泡除去部における負担が軽減し、より効率よく気泡を除去できる。

図１に戻り、気泡除去部６１，６２の気泡排出口６１ａ，６２ａには、それぞれ配管６１ｂ，６２ｂが連結されている。そして、配管６１ｂ，６２ｂは、一本の配管６０ｂへ合流し、その先は排液ラインへつながっている。気泡排出口６１ａ，６２ａから排出された気泡は、少量の処理液とともに、配管６１ｂ，６２ｂ，６０ｂを通って排液ラインへ排出される。

配管６１ｂ，６２ｂには、それぞれ可変流量バルブ６１ｃ，６２ｃが介挿されており、気泡とともに排液される処理液の量を調節する。また、配管６０ｂには、流量計６０ｃが介挿されており、気泡とともに排液される処理液の量を計測する。

処理液供給系７０は、処理液供給源７１と、処理槽１０と処理液供給源７１とを結ぶ配管７２と、配管７２に介挿されたバルブ７３とを備えている。このため、バルブ７３を開けることにより、処理液供給源７１から処理槽１０へ、処理液は供給される。

制御部８０は、リフタ駆動部２４、ポンプ４１、ヒータ７０、バルブ３４，４３〜４６，６１ｃ，６２ｃ，７３と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。また、制御部８０は、流量計６０ｃの計測結果を受信する。

＜２．基板処理装置の動作＞
続いて、基板処理装置１の動作について説明する。図４は、基板処理装置１の動作の流れを示したフローチャートである。なお、以下に説明する動作は、制御部８０が、リフタ２０、ポンプ４１、ヒータ７０、バルブ４３〜４６，７３、可変流量バルブ６１ｃ，６２ｃ等を制御することにより進行する。

まず、基板Ｗの浸漬処理を行う前に、処理槽１０内のパーティクルを除去する（ステップＳ１）。このとき、あらかじめ処理槽１０内には、循環系４０の循環に十分な量の処理液が貯留されている。

図５は、ステップＳ１のパーティクル除去工程の動作を示したフローチャートである。パーティクル除去工程では、まず、バルブ４３を閉じ、バルブ４４〜４６を開く。これにより、循環系４０の経路を、気泡除去部６１，６２経由に設定する（ステップＳ１１）。次に、ポンプ４１を動作させ、気泡除去部６１，６２経由で処理液を循環させる（ステップＳ１２）。そして、バルブ３４を開き、バブラー３０から気泡を供給する（ステップＳ１３）。

処理槽１０内では、処理槽の上方へ向かう処理液の流れが形成され、その中でバブラー３０からの気泡が処理槽の上方へ向かって浮上する。このため、処理槽１０内に残存するパーティクルは、気泡に吸着し、気泡とともに処理槽１０の上方へ運搬される。気泡およびパーティクルを含んだ処理液は、処理槽１０の上部から外槽１２へオーバーフローし、循環系４０へ流れ込む。

その後、処理液は、配管４２ａ，４２ｃ，４２ｄまたは４２ｅを通って、導入口６１ｉ，６２ｉから気泡除去部６１，６２へ導入される。気泡除去部６１，６２内では、上記したように処理液が旋回され、その旋回中心へ処理液中の気泡を集めて除去する。このとき、気泡に吸着しているパーティクルも、気泡とともに除去される。各気泡除去部６１，６２において除去された気泡およびパーティクルは、少量の処理液とともに気泡排出口６１ａ，６２ａから排出され、配管６１ｂ，６２ｂ、配管６０ｂを通って、排液ラインへ排出される。

一方、気泡が除去された後の処理液は、処理液排出口６１ｏ，６２ｏから配管４２ｆ，４２ｇへ排出される。そして、処理液は配管４２ｈと合流した後、配管４２ｉを経由して、再び処理液吐出部１１から処理槽１０内へ供給される。

なお、気泡除去部６１，６２では、気泡とともに少量の処理液が排出されるので、循環する処理液の量は、少しずつ低下する。このため、気泡除去部６１，６２の気泡排出側に設けた可変流量バルブ６１ｃ，６２ｃを、気泡除去に必要な最小限のレベルに絞っている。また、排出される処理液の量を流量計６０ｃで計測し、その計測結果に基づいてバルブ７３を開けることにより、不足した処理液を処理槽１０へ補充するようにしている。

図４に戻り、ステップＳ１では、このような気泡除去部６１，６２経由の循環を所定時間継続し、気泡とともにパーティクルを十分に除去する。そして、パーティクルの除去が完了すると、バブラー３０とポンプ４１を停止させ、続いて、基板Ｗの浸漬処理を行う（ステップＳ２）。

図６は、ステップＳ２の浸漬処理の動作を示したフローチャートである。基板Ｗの浸漬処理においては、まず、バルブ４４を閉じてバルブ４３を開く。これにより、循環系４０の経路を、フィルタ５０経由に設定する（ステップＳ２１）。次に、リフタ駆動部２４を動作させ、基板Ｗを処理槽１０内へ浸漬する（ステップＳ２２）。そして、ポンプ４１を動作させ、フィルタ５０経由で処理液を循環させる（ステップＳ２３）。

処理槽１０内では、基板Ｗに対して処理液による処理（エッチング処理や洗浄処理など）が行われる。また、このとき処理槽１０内に発生したパーティクルは、処理液の流れに乗って処理槽１０の上部へ運搬され、処理液とともに外槽１２へオーバーフローする。処理液は、配管４２ａ，４２ｂ，４２ｉを通って、再び処理液吐出部１１から処理槽１０内へ供給され、その経路途中のフィルタ５０でパーティクルが除去される。ステップＳ２では、このようなフィルタ５０経由の循環を行い、処理中に発生したパーティクルを随時に除去する。

図４に戻り、基板Ｗの浸漬処理が終了すると、リフタ２０を上昇させて、基板Ｗを引き上げる（ステップＳ３）。その後、基板Ｗは他の装置へ搬送され、基板処理装置１における一組の基板Ｗの処理は終了する。なお、基板処理装置１内で基板Ｗを引き上げた状態で、または他の装置に基板Ｗを搬送した後に、基板Ｗの乾燥処理が行われる。

一組の基板Ｗの処理が終了すると、オペレータまたは制御部８０は、次の一組の基板Ｗを処理するか否かを判断する（ステップＳ４）。そして、次の処理を行う場合には、ステップＳ１に戻り、処理槽１０内に残存するパーティクルの除去処理を行う。

以上のように、この基板処理装置１では、基板Ｗの浸漬処理中にはフィルタ５０を用いてパーティクルを除去し、基板Ｗの処理を行う前またはある基板Ｗの処理と次の基板Ｗの処理との間にはバブラー３０と気泡除去部６１，６２とを用いてパーティクルを除去するようにしている。このため、処理中にバブラー３０を動作させることはなく、気泡によって基板Ｗに悪影響を与えることはない。また、処理間にはフィルタを使用しないので、フィルタの交換頻度を従来よりも低減することができる。

＜３．その他＞
上記のように、この基板処理装置１では、処理槽１０内に気泡を供給し、その気泡を気泡除去部６１，６２で除去することができる。このため、処理槽１０内のパーティクルを気泡に吸着させ、気泡とともに除去することができる。したがって、フィルタを用いることなくパーティクルを除去することができ、フィルタの交換作業等による作業負担を軽減することができる。また、装置稼動率の低下も防止することができる。

また、循環系４０は、気泡除去部６１，６２経由の経路と、フィルタ５０経由の経路とを有し、バルブ４３〜４６の開閉によって、両経路を選択できるようになっている。このため、気泡除去部６１，６２を用いてパーティクルを除去する場合と、フィルタ５０を用いてパーティクルを除去する場合とを、必要に応じて使い分けることができる。

上記の例では、基板Ｗの浸漬処理中にはフィルタ５０経由の経路を使用し、ある基板Ｗの処理を行う前またはある基板Ｗの処理と次の基板Ｗの処理との間には気泡除去部６１，６２経由の経路を使用するようにした。これにより、処理中の基板Ｗに、気泡による悪影響を与えないようにした。しかしながら、気泡によって基板Ｗが悪影響を受けるのは、主として、基板Ｗの表面を疎水化する処理液（フッ酸など）を用いて基板Ｗを処理している場合である。したがって、基板Ｗの表面を親水化する処理液（ＳＣ１など）を用いて基板Ｗを処理している場合には、バブラー３０を動作させ、気泡除去部６１，６２経由の経路を使用してもよい。すなわち、処理中と処理間とに関わらず、基板Ｗの表面を疎水化する処理液を用いている場合には、フィルタ５０経由の経路を使用し、基板Ｗの表面を親水化する処理液を用いている場合には、バブラー３０を動作させるとともに気泡除去部６１，６２経由の経路を使用するようにしてもよい。

基板Ｗの浸漬処理においては、パーティクルの除去以外の目的で、処理槽内の液体へ気泡を供給する場合もある。そのような場合には、気泡除去部６１，６２経由の経路を使用すれば、パーティクルを除去する効果を得ることができる。このため、何らかの目的で処理槽内へ気泡を供給している場合には気泡除去部６１，６２経由の経路を使用し、その他の場合には、フィルタ５０経由の経路を使用するようにしてもよい。

上記の例では、気泡除去部６１，６２経由の経路には、フィルタが一切設けられていなかった。しかしながら、気泡除去部６１，６２の下流側に、直列にフィルタをさらに設けてもよい。このようにすれば、気泡除去部６１，６２において除去しきれなかったパーティクルを、下流側のフィルタで除去することができ、パーティクルの除去効率が向上する。また、この場合には、大部分のパーティクルは気泡除去部６１，６２で除去されているので、フィルタの交換頻度は、従来と比較して極めて低いものとなる。

基板処理装置を基板と平行な平面で切断した縦断面図である。 基板処理装置を基板と垂直な平面で切断した縦断面図である。 気泡除去部の構成を示した縦断面図である。 基板処理装置の動作の流れを示したフローチャートである。 パーティクル除去工程の動作を示したフローチャートである。 浸漬処理の動作を示したフローチャートである。

符号の説明

１ 基板処理装置
１０ 処理槽
１１ 処理液吐出部
１２ 外槽
２０ リフタ
３０ バブラー
４０ 循環系
５０ フィルタ
６０ｃ 流量計
６１，６２ 気泡除去部
６１ｃ，６２ｃ 可変流量バルブ
７０ 処理液供給系
８０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (13)

1. 基板を液体により処理する基板処理装置であって、
   液体を貯留する処理槽と、
   前記処理槽内の液体へ気泡を供給する気泡供給手段と、
   前記処理槽の上部からオーバーフローする液体を前記処理槽の底部へ帰還させる循環手段と、
   前記循環手段の経路途中において、液体を旋回させることにより液体中の気泡を旋回中心に集めて気泡を除去する気泡除去手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記循環手段は、第１の経路と第２の経路とを有し、
   前記第１の経路途中に前記気泡除去手段を備えるとともに、前記第２の経路途中にフィルタを備え、
   前記第１の経路と前記第２の経路のいずれかを選択する選択手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記選択手段は、前記処理槽に貯留された液体による基板の処理中には前記第２の経路を選択し、基板の処理を行う前または基板の処理間には前記第１の経路を選択することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記選択手段は、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を親水化する処理液である場合には、前記第１の経路を選択し、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を疎水化する処理液である場合には、前記第２の経路を選択することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記気泡除去手段において気泡とともに除去される液体の量を調節する調節手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記気泡除去手段において気泡とともに除去される液体の量を計測する計測手段と、
   前記処理槽へ液体を補充する補充手段と、
   前記計測手段の計測結果に基づいて前記補充手段を動作させる制御手段と、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項２から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記循環手段の経路途中において、複数の前記第１の経路が並列に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
8. 処理槽に貯留された液体に基板を浸漬して処理する基板処理装置において、前記処理槽内のパーティクルを除去するパーティクル除去方法であって、
   前記処理槽内の液体へ気泡を供給する第１の工程と、
   前記処理槽の上部からオーバーフローした液体を、前記処理槽の底部へ帰還させる第２の工程と、
   を備え、
   前記第２の工程においては、帰還途中の液体を旋回させることにより、液体に含まれる気泡を旋回中心に集めて除去することを特徴とするパーティクル除去方法。
9. 請求項８に記載のパーティクル除去方法であって、
   前記処理槽の上部からオーバーフローした液体を、フィルタを通して前記処理槽の底部へ帰還させる第３の工程をさらに備えることを特徴とするパーティクル除去方法。
10. 請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、
    前記処理槽に貯留された液体による基板の処理中には前記第１および第２の工程を実行し、基板の処理を行う前または基板の処理間には前記第３の工程を実行することを特徴とするパーティクル除去方法。
11. 請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、
    前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を親水化する処理液である場合には、前記第１および第２の工程を実行し、前記処理槽に貯留された液体が基板の表面を疎水化する処理液である場合には、前記第３の工程を実行することを特徴とするパーティクル除去方法。
12. 請求項８から１１のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
    気泡とともに除去される液体の量を調節する第４の工程をさらに備えることを特徴とするパーティクル除去方法。
13. 請求項８から１２のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
    気泡とともに除去される液体の量を計測する第５の工程と、
    第５の工程における計測結果に基づいて前記処理槽へ液体を補充する第６の工程と、
    をさらに備えることを特徴とするパーティクル除去方法。

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