CN108511320B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种用于高精度地测定在基板的处理中使用的处理液的压力的基板处理装置及基板处理方法。一种基板处理装置具有：第一槽(14)，贮存用于处理基板(12)的处理液(30)；第一路径(20)，使从第一槽的上部溢出的处理液回流到第一槽的下部。此外，设置有：第二路径(22)，从第一路径分支；测定槽(24)，贮存从第二路径流入的处理液；压力测定部(26)，在从测定槽的上部溢出处理液的状态下，测定在测定槽内的规定深度处的处理液的压力。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及利用处理液处理半导体基板、液晶显示用玻璃基板或光掩膜用玻璃基板等基板的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
以往，已知在半导体基板、液晶显示用玻璃基板或光掩膜用玻璃基板等基板的制造工序中，通过将基板浸渍于纯水或药液等处理液中来处理基板的浸渍型基板处理装置。
浸渍型基板处理装置具有用于贮存在基板的处理中使用的处理液的处理槽。并且，在处理槽中进行基板的清洗处理等。
在处理槽中，为了对基板进行均匀的处理，控制处理槽内的处理液的浓度。此时，作为测定处理槽内的处理液的浓度的方法，存在着眼于处理液的浓度与处理液的比重之间具有的相关关系来测定处理液的比重的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2006-237228号公报
当测定处理液的比重时，着眼于处理液的比重与规定深度处的处理液的压力之间具有相关关系，由此测定规定深度处的处理液的压力。此时，若需要测定压力的处理液的液面不稳定，则难以高精度地测定处理液的压力。
处理基板的处理槽内的液面位置随着用于处理基板的处理液的流入及流出而变化。因此，难以高精度地测定处理液的压力。
此外，在为了除去处理槽内贮存的处理液中的颗粒而向处理槽内供给气泡的情况下，液面的变化较大，难以高精度地测定处理液的压力。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种用于高精度地测定在基板的处理中使用的处理液的压力的技术。
本申请说明书中公开的技术的第一方式具有：第一槽，贮存用于处理基板的处理液；第一路径，使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液回流到所述第一槽的下部；第二路径，从所述第一路径分支；测定槽，贮存从所述第二路径流入的所述处理液；以及压力测定部，在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力。
本申请说明书中公开的技术的第二方式在第一方式的基础上，所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
本申请说明书中公开的技术的第三方式在第一方式或第二方式的基础上，所述测定槽具有：第一区域，所述处理液从所述第二路径流入所述第一区域；第二区域，从所述第一区域的上部溢出的所述处理液流入所述第二区域。在从所述第二区域的上部溢出所述处理液的状态下，所述压力测定部在所述第二区域测定所述处理液的压力。
本申请说明书中公开的技术的第四方式在第一方式至第三方式中的任意一个的基础上，所述基板处理装置还具有第二槽，从所述第一槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。所述第一路径使流入所述第二槽的所述处理液回流到所述第一槽的下部。所述测定槽配置在所述第二槽内，从所述测定槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。
本申请说明书中公开的技术的第五方式在第一方式至第四方式中的任意一个的基础上，所述基板处理装置还具有气泡供给部，所述气泡供给部向所述第一槽内供给气泡。
本申请说明书中公开的技术的第六方式在第一方式至第五方式中的任意一个的基础上，所述基板处理装置还具有第一加热部，所述第一加热部配置在所述第一路径，并且对从所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液进行加热。
本申请说明书中公开的技术的第七方式在第一方式至第六方式中的任意一个的基础上，所述基板处理装置还具有第二加热部，所述第二加热部配置在所述第二路径，并且对所述第二路径内的所述处理液进行加热。
本申请说明书中公开的技术的第八方式在第一方式至第七方式中的任意一个的基础上，在所述测定槽的底部形成至少一个孔。
本申请说明书中公开的技术的第九方式具有：使用于处理基板的处理液贮存在第一槽内的工序；将从所述第一槽的上部溢出的所述处理液经由第一路径回流到所述第一槽的下部的工序；将从第二路径流入的所述处理液贮存在测定槽内的工序，所述第二路径从所述第一路径分支；以及在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力的工序。
本申请说明书中公开的技术的第十方式在第九方式的基础上，所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
本申请说明书中公开的技术的第十一方式在第九方式或第十方式的基础上，所述测定槽具有：第一区域，所述处理液从所述第二路径流入所述第一区域；第二区域，从所述第一区域的上部溢出的所述处理液流入所述第二区域。在从所述第二区域的上部溢出所述处理液的状态下，测定所述第二区域内所述处理液的压力。
本申请说明书中公开的技术的第十二方式在第九方式至第十一方式中的任意一个的基础上，所述第一路径使流入第二槽的所述处理液回流到所述第一槽的下部，从所述第一槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。所述测定槽配置在所述第二槽内，从所述测定槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。
本申请说明书中公开的技术的第十三方式在第九方式至第十二方式中的任意一个的基础上，所述基板处理方法还具有向所述第一槽内供给气泡的工序。
本申请说明书中公开的技术的第十四方式在第九方式至第十三方式中的任意一个的基础上，所述基板处理方法还具有由配置在所述第一路径的第一加热部，对从所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液进行加热的工序。
本申请说明书中公开的技术的第十五方式在第九方式至第十四方式中的任意一个的基础上，所述基板处理方法还具有由配置在所述第二路径的第二加热部，对所述第二路径内的所述处理液进行加热的工序。
本申请说明书中公开的技术的第十六方式在第九方式至第十五方式中的任意一个的基础上，在所述测定槽的底部形成至少一个孔。
根据本申请说明书中公开的技术的第一方式，在测定槽中，通过使从第二路径流入的处理液从测定槽的上部溢出，能够抑制该处理液的液面变化。因此，由于由压力测定部测定在测定槽中液面处于稳定状态的处理液的压力，因此能够高精度地测定处理液的压力。
尤其，根据第二方式，通过利用第二路径内的处理液进行压力测定，能够提高由压力测定部进行的处理液的压力测定的精度，该第二路径内的处理液的流量小于通过第一路径回流到所述第一槽的处理液的流量。即，在测定槽中，通过使从第二路径流出的处理液从测定槽的上部溢出，由此抑制了该处理液的液面变化，但由于在从第二路径流入的处理液的流量少的情况下，从测定槽的上部溢出的处理液的流量也减少，因此进一步减小液面变化。因此，能够提高由压力测定部进行的处理液的压力测定的精度。
尤其，根据第三方式，在与处理液从第二路径流入的第一区域不同的第二区域中，进行由压力测定部进行的处理液的压力测定，该第二区域贮存从第一区域溢出的处理液。此处，由于第二区域内的处理液的液面不会因从第二路径流入的处理液在测定槽的底部溅回而发生变化，因此与第一区域内的处理液的液面相比其变化小。因此，能够由压力测定部高精度地测定处理液的压力。
尤其，根据第四方式，由于测定槽配置在第二槽内，因此从测定槽的上部溢出的处理液流入第二槽，进而流入第一路径。因此，能够使为了进行压力测定而流入了第二路径的处理液重新返回第一路径，并且能够将处理液有效地利用于基板的处理。此外，由于测定槽配置在第二槽内，因此无需另外准备用于使流入了第二路径的处理液返回第一路径的配管等。
尤其，根据第五方式，能够除去第一槽内的颗粒。
尤其，根据第六方式，能够使从第一路径回流到所述第一槽的处理液的温度接近第一槽内的处理液的温度。因此，能够抑制测定槽内的处理液的温度变化。
尤其，根据第七方式，能够使处理液在流入测定槽内时的温度接近第一槽内的处理液的温度。
尤其，根据第八方式，在从第二槽中取出测定槽时，能够抑制处理液残存在测定槽内。
根据本申请说明书中公开的技术的第九方式，在测定槽中，通过使从第二路径流入的处理液从测定槽的上部溢出，能够抑制该处理液的液面变化。因此，由于测定在测定槽内液面处于稳定状态的处理液的压力，因此能够高精度地测定处理液的压力。
尤其，根据第十方式，通过利用第二路径内的处理液进行压力测定，能够提高处理液的压力测定的精度，该第二路径内的处理液的流量小于通过第一路径回流到所述第一槽的处理液的流量。即，在测定槽中，通过使从第二路径流入的处理液从测定槽的上部溢出，抑制了该处理液的液面变化，但由于在从第二路径流入的处理液的流量少的情况下，从测定槽的上部溢出的处理液的流量也减少，因此进一步减小液面变化。因此，能够提高处理液的压力测定的精度。
尤其，根据第十一方式，在与处理液从第二路径流入的第一区域不同的第二区域中，进行处理液的压力测定，该第二区域贮存从第一区域溢出的处理液。此处，由于第二区域内的处理液的液面不会因从第二路径流入的处理液在测定槽的底部溅回而发生变化，因此与第一区域内的处理液的液面相比其变化小。因此，能够高精度地测定处理液的压力。
尤其，根据第十二方式，由于测定槽配置在第二槽内，因此从测定槽的上部溢出的处理液流入第二槽，进而流入第一路径。因此，能够使为了进行压力测定而流入了第二路径的处理液重新返回第一路径，并且能够将处理液有效地利用于基板的处理。此外，由于测定槽配置在第二槽内，因此无需另外准备用于使流入了第二路径的处理液返回第一路径的配管等。
尤其，根据第十三方式，能够除去第一槽内的颗粒。
尤其，根据第十四方式，能够使从第一路径回流到所述第一槽的处理液的温度接近第一槽内的处理液的温度。因此，能够抑制测定槽内的处理液的温度变化。
尤其，根据第十五方式，能够使处理液在流入测定槽内时的温度接近第一槽内的处理液的温度。
尤其，根据第十六方式，在从第二槽中取出测定槽时，能够抑制处理液残存在测定槽内。
本申请说明书中公开的技术的目的、特征、方式、优点将通过以下所示的详细说明和附图而变得更加清楚。
附图说明
图1是概略地例示出实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是例示出实施方式的测定槽及其周边的结构的图。
图3是例示出实施方式的基板处理装置的动作的流程图。
其中，附图标记说明如下：
12 基板
14 处理槽
14A 处理液喷出口
16 外槽
18 气泡供给部
18A 气泡
20 循环路径
22 分支路径
22A 分支点
24 测定槽
24A、24B 区域
24C、24D 孔
26 压力测定部
26A 供给管
26B 调节器
28 控制部
30 处理液
30A、30B、30C 箭头
32 磷酸供给源
34、38、52 阀
36 升降机
36A 升降头
36B 保持板
36C 保持棒
40 气体供给源
42 泵
44、48 加热器
46 过滤器
50 纯水供给源
具体实施方式
下面，参照附图说明实施方式。
需要说明的是，附图概略地进行表示，为了方便说明，适当地省略或简化结构。此外，不同的附图中分别示出的结构等的大小及位置的相互关系并不一定被正确地描述，而是可以进行适当变更。
此外，在以下所示的说明中，对相同的结构要素标注相同的附图标记来进行图示，对其名称和功能也是相同的。因此，为避免重复，有时省略其详细说明。
此外，在以下所述的说明中，即使有时使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或“里”等表示特定的位置和方向的用语，这些用语也仅是为了便于理解实施方式的内容而使用的，与实际实施时的方向无关。
此外，在以下所述的说明中，即使有时使用“第一”或“第二”等序数，这些用语也仅是为了便于理解实施方式的内容而使用的，并不限于这些序数可能产生的顺序等。
＜实施方式＞
下面，说明本实施方式的基板处理装置。
＜关于基板处理装置的结构＞
图1是概略地例示出本实施方式的基板处理装置的结构的图。图1中，基板12垂直于纸面配置，并且同样配置的多个基板12在图1的x轴方向上排列。
如图1所例示，基板处理装置具有处理槽14、外槽16、气泡供给部18、循环路径20、分支路径22、测定槽24、压力测定部26和控制部28。
基板12是半导体基板、液晶显示用玻璃基板或光掩膜用玻璃基板等基板。基板12被升降机36保持。升降机36具有升降头36A、保持板36B和配置在升降头36A与保持板36B之间的保持棒36C。在保持棒36C形成有多个保持槽(此处未图示)，多个基板12以立起姿势被保持在该保持槽中。
升降机36连接到具有伺服电机或同步带等的升降机驱动部(此处未图示)。通过使升降机驱动部动作，升降机36进行升降移动，即，升降机36在图1的z轴方向上移动。由此，能够使基板12在处理槽14内的处理位置与处理槽14的上方的提升位置之间移动。当在处理槽14内处理基板12时，通过使升降机36下降，使基板12位于处理槽14内的处理位置。在某次基板处理与下一次基板处理之间的时间内，通过使升降机36上升，使基板12位于处理槽14的上方的提升位置。
处理槽14是贮存用于处理基板12的处理液30的容器。通过将基板12浸渍于在处理槽14内贮存的处理液30中，进行基板12的清洗处理等。处理液30例如是纯水或作为蚀刻液的磷酸等。通过开闭阀52来从纯水供给源50供给纯水。通过开闭阀34来从磷酸供给源32供给磷酸。
在处理槽14的底部设置有处理液喷出口14A。处理液喷出口14A向处理槽14内喷出在循环路径20内流动的处理液30。
外槽16被设置为包围处理槽14。如图1所例示，外槽16具有在处理槽14的上部设置的边以及在包括从处理槽14的上部至下部的范围内设置的边。
向处理槽14供给的处理液30从处理槽14的上部溢出，即，溢出(overflow)。于是，该处理液30流入包围处理槽14的外槽16。
气泡供给部18产生用于除去处理槽14内的颗粒的气泡18A，例如，作为直径50μm以下的微小气泡的微泡的装置。通过开闭阀38从气体供给源40供给气泡供给部18的气泡。需要说明的是，也可以不具有气泡供给部18。
循环路径20是使从处理槽14的上部溢出并流入外槽16的处理液30重新回流到处理槽14的下部的处理液喷出口14A的路径。循环路径20是一端连接到外槽16的例如底部，另一端连接到处理槽14的处理液喷出口14A，并且由使处理液30流动的配管形成的路径。
如图1所例示，在循环路径20上配置有：泵42，用于使处理液30流动；加热器44，用于加热从循环路径20回流到处理槽14的处理液30；过滤器46，用于除去在循环路径20内流动的处理液30中的颗粒。需要说明的是，循环路径20上的泵42、加热器44及过滤器46的配置位置并不限于图1所例示的情况。
分支路径22是在分支点22A从循环路径20进行分支，并且使处理液30流入外槽16中的测定槽24的路径。分支路径22是一端连接到循环路径20的分支点22A，另一端导入测定槽24的内部，并且由使处理液30流动的配管形成的路径。优选分支路径22内的处理液30的流量小于通过循环路径20回流到处理槽14的处理液30的流量。例如，当循环路径20内的处理液30的流量为30L时，优选分支路径22内的处理液30的流量为1L。
需要说明的是，分支点22A的位置并不限于图1所例示的位置。即，分支点22A的位置并不限于循环路径20上的泵42的下游且加热器44的上游。
如图1所例示，在分支路径22上可以设置有用于加热分支路径22内的处理液30的加热器48。
测定槽24贮存从分支路径22流入的处理液30。测定槽24配置在外槽16内。测定槽24的上端位于比外槽16内的处理液30的液面更靠上方的位置，即，图1中的在z轴方向的正方向上的位置。测定槽24使该处理液30从测定槽24的上部溢出，并流入外槽16。在图1所例示的情况下，测定槽24配置在外槽16内，但测定槽24的配置位置并不限定于该位置。即，只要测定槽24的配置位置位于从分支路径22流入处理液30的位置即可。
压力测定部26配置在测定槽24内，测定在测定槽24内贮存的处理液30的规定深度处的压力。后文将进行详细叙述。
控制部28通过与升降机驱动部、阀34、阀52、阀38、泵42、加热器44及加热器48等进行电连接来控制它们的动作。此外，控制部28接收压力测定部26的测定结果。
控制部28例如是执行在内部或外部的存储介质中存储的程序的中央运算处理装置(CPU)、微型处理器、微型计算机、数字信号处理器(DSP)。需要说明的是，控制部28的功能例如可以通过多个处理电路的协作来实现。
＜关于测定槽的结构＞
图2是例示出本实施方式的测定槽及其周边的结构的图。
如图2所例示，测定槽24具有：区域24A，贮存从分支路径22流入的处理液30；区域24B，贮存从区域24A的上部溢出的处理液30。然后，压力测定部26在区域24B的规定深度处测定在区域24B内贮存的处理液30的压力。
从分支路径22流入测定槽24的处理液30首先贮存于区域24A。然后，如箭头30A所例示，在区域24A中贮存的处理液30从区域24A的上部溢出。
于是，从区域24A的上部溢出的处理液30贮存于区域24B。然后，如箭头30B所例示，在区域24B贮存的处理液30从区域24B的上部溢出，流入外槽16。另外，如箭头30C所例示，来自处理槽14的处理液30也流入外槽16。
可以在测定槽24的底部形成有孔24C及孔24D。通过在测定槽24的底部形成孔，当从外槽16中取出测定槽24时，能够抑制处理液30残存在测定槽24内。但是，在形成有孔24C及孔24D的情况下，由于测定槽24内的处理液30从这些孔向外槽16流出，因此需要调节从分支路径22流入测定槽24的处理液30的流量，使处理液30从测定槽24的上部继续溢出。该调节动作例如由控制部28进行。需要说明的是，可以不形成测定槽24的底部的孔，此外，即使在形成孔的情况下，孔的形状及数量也不限于图2的例示。
压力测定部26测定在区域24B内贮存的处理液30的规定深度处的压力。此处，例如当处理液是磷酸溶液时，磷酸的浓度与磷酸的比重之间具有相关关系。此外，磷酸的比重与磷酸的规定深度处的压力之间也具有相关关系。因此，基于这些相关关系，能够利用压力测定部26测定距在区域24B贮存的处理液30的液面规定深度处的压力，从而测定例如磷酸溶液的浓度。
压力测定部26连接到供给管26A。供给管26A浸入在区域24B内贮存的处理液30中，并且供给管26A的下端到达距区域24B内的处理液30的液面规定深度的位置。此外，由调节器26B向供给管26A供给恒定量的气体，例如氮气。
在稳定状态下，可以认为从供给管26A的下端放出的氮气的放出压力与距区域24B内的处理液30的液面规定深度处的压力大致相等。压力测定部26测定供给管26A内的上述氮气的压力。然后，压力测定部26根据测定的氮气的压力，输出0V以上且2.5V以下的电压值。
当基于距处理液30的液面规定深度处的压力测定处理液30的浓度时，参照从压力测定部26输出的电压、表示预先存储在存储介质等的压力与比重的相关关系的数据以及表示比重与浓度的相关关系的数据，计算处理液30的浓度。
＜关于基板处理装置的动作＞
接着，参照图1至图3，说明本实施方式的基板处理装置的动作。尤其，说明根据来自测定槽24的压力测定部26的测定结果，控制部28进行处理槽14内的处理液30的浓度控制的情况。此处，图3是例示出本实施方式的基板处理装置的动作的流程图。
首先，如图1所例示，通过使升降机36下降，使基板12位于处理槽14内的处理位置。然后，通过将基板12浸入在处理槽14内贮存的处理液30中，进行基板12的清洗处理等。此外，为了除去处理槽14内的颗粒，由气泡供给部18向处理槽14内供给气泡18A。另一方面，通过向处理槽14供给纯水及磷酸，处理液30从处理槽14溢出。然后，从处理槽14溢出的处理液30流入外槽16。
接着，在外槽16内贮存的处理液30流入循环路径20。然后，流入循环路径20的处理液30的一部分从分支点22A流入分支路径22(图3中例示的步骤ST101)。
在分支点22A的下游在循环路径20内流动的处理液30被加热器44进行温度调节，并且由过滤器46除去处理液30内的颗粒。此处，加热器44的温度控制由控制部28进行。
在分支点22A的下游在循环路径20内流动的处理液30的温度被加热器44进行温度调节，由此接近处理槽14内的处理液30的温度。此外，由于在分支点22A的下游在循环路径20内流动的处理液30内的颗粒被过滤器46除去，因此能够抑制该颗粒混入处理槽14内。
然后，在分支点22A的下游在循环路径20内流动的处理液30从处理液喷出口14A向处理槽14内喷出。
另一方面，在分支点22A的下游在分支路径22内流动的处理液30被加热器48进行了温度调节后，流入测定槽24(图3中例示的步骤ST102)。此处，加热器48的温度控制由控制部28进行。
在分支点22A的下游在分支路径22内流动的处理液30被加热器48进行温度调节，由此能够使处理液30在流入测定槽24内时的温度接近处理槽14内的处理液30的温度。由此，能够对测定槽24内的处理液30进行与处理槽14内的处理液30同等条件下的压力测定、比重测定以及浓度测定。
如图2所例示，在测定槽24中，首先，处理液30流入区域24A。然后，处理液30从区域24A的上部溢出，流入区域24B。然后，处理液30从区域24B的上部溢出，流入外槽16(图3中例示的步骤ST103)。在外槽16内贮存的处理液30流入循环路径20。
此处，连接到压力测定部26的供给管26A的下端位于区域24B内的规定深度的位置。此时，由调节器26B向供给管26A供给一定量的气体而成为稳定状态，由此可以认为从供给管26A的下端放出的氮气的放出压力与距区域24B内的处理液30的液面规定深度处的压力大致相等。压力测定部26测定浸入处理液30中的供给管26A内的气体压力，并根据该压力输出电压值，该处理液30从区域24B的上部溢出而使其液面处于稳定状态(图3中例示的步骤ST104)。
如图1所例示，控制部28接收从压力测定部26输出的电压值。控制部28基于该电压值计算处理液30的浓度(图3中例示的步骤ST105)。然后，控制部28基于该浓度值，例如调整阀34及阀52的开闭时间(图3中例示的步骤ST106)。由此，控制部28进行处理槽14内的处理液30的浓度控制。
＜关于以上所述的实施方式产生的效果＞
接下来，例示出根据以上所述的实施方式产生的效果。需要说明的是，下面的说明中，基于以上所述的实施方式中例示的具体结构来说明该效果，但在产生同样效果的范围内，可以与本申请说明书中例示的其他具体结构进行替换。
根据以上所述的实施方式，基板处理装置具有第一槽、第一路径、第二路径、测定槽24和压力测定部26。第一槽贮存用于处理基板12的处理液30。第一路径使从第一槽的上部溢出的处理液30回流到第一槽的下部。第二路径从第一路径进行分支。测定槽24贮存从第二路径流入的处理液30。在从测定槽24的上部溢出处理液30的状态下，压力测定部26测定槽24内的规定深度处的处理液30的压力。此处，第一槽例如是与处理槽14对应的槽。此外，第一路径例如是与循环路径20对应的路径。此外，第二路径例如是与分支路径22对应的路径。
根据这样的结构，在测定槽24中，通过使从分支路径22流入的处理液30从测定槽24的上部溢出，能够抑制该处理液30的液面变化。因此，由于由压力测定部26测定在测定槽24中液面处于稳定状态的处理液30的压力，因此能够高精度地测定处理液30的压力。
需要说明的是，可以适当省略这些结构以外的本申请说明书中例示的其他结构。即，只要至少具有这些结构，就能产生以上所述的效果。
但是，即使在将本申请说明书中例示的其他结构中的至少一个适当追加到以上所述的结构中的情况下，即，在将没有作为以上所述的结构而记载的本申请说明书中例示的其他结构追加到以上所述的结构中的情况下，也同样能够产生以上所述的效果。
此外，根据以上所述的实施方式，分支路径22内的处理液30的流量小于通过循环路径20回流到处理槽14的处理液30的流量。根据这样的结构，通过利用分支路径22内的处理液30进行压力测定，能够提高由压力测定部26进行的处理液30的压力测定的精度，该分支路径22内的处理液30的流量小于循环路径20内的处理液30的流量。即，在测定槽24中，通过使从分支路径22流入的处理液30从测定槽24的上部溢出，抑制了该处理液30的液面的变化，但由于在从分支路径22流入的处理液30的流量少的情况下，从测定槽24的上部溢出的处理液30的流量也减少，因此进一步减小液面的变化。因此，能够提高由压力测定部26进行的处理液30的压力测定的精度。
此外，根据以上所述的实施方式，测定槽24具有第一区域和第二区域。处理液30从分支路径22流入第一区域。从第一区域溢出的处理液30流入第二区域。然后，在从第二区域的上部溢出处理液30的状态下，压力测定部26测定第二区域内处理液30的压力。此处，第一区域例如是与区域24A对应的区域。此外，第二区域例如是与区域24B对应的区域。根据这样的结构，在与处理液30从分支路径22流入的区域24A不同的区域24B中，进行由压力测定部26进行的处理液30的压力测定，该区域24B贮存从区域24A溢出的处理液30。此处，由于区域24B内的处理液30的液面不会因从分支路径22流入的处理液30在测定槽24的底部溅回而发生变化，因此与区域24A内的处理液30的液面相比其变化小。因此，能够由压力测定部26高精度地测定处理液30的压力。
此外，根据以上所述的实施方式，基板处理装置具有第二槽，从处理槽14的上部溢出的处理液30流入该第二槽。循环路径20使流入第二槽的处理液30回流到处理槽14的下部。测定槽24配置在第二槽内。然后，从测定槽24的上部溢出的处理液30流入第二槽。此处，第二槽例如是与外槽16对应的槽。根据这样的结构，由于测定槽24配置在外槽16内，因此从测定槽24的上部溢出的处理液30流入外槽16，进而流入循环路径20。因此，能够使为了进行压力测定而流入了分支路径22的处理液30重新返回循环路径20，并且能够将处理液30有效地利用于基板12的处理。此外，由于测定槽24配置在外槽16内，因此无需另外准备用于使流入了分支路径22的处理液30返回循环路径20的配管等。此外，当测定槽24配置在外槽16内的具有足够深度的位置时，能够充分确保用于提高压力测定的精度所需的深度方向的长度。即，能够使供给管26A的下端浸入距处理液30的液面足够的深度处来进行压力测定。另外，由于测定槽24的上端位于比外槽16内的处理液30的液面更靠上方的位置，因此能够抑制外槽16内的处理液30的液面的变化对测定槽24内的处理液30的液面产生的影响。
此外，根据以上所述的实施方式，基板处理装置具有向处理槽14内供给气泡的气泡供给部18。根据这样的结构，能够除去处理槽14内的颗粒。需要说明的是，当由气泡供给部18向处理槽14内供给气泡18A时，处理槽14内的处理液30的液面变化更显著。在这样的情况下，例如，若测定处理槽14内处理液30的压力，则因受到处理液30的液面变化的影响会而导致测定精度降低。另一方面，如上述的实施方式中的情况那样，若由压力测定部26测定测定槽24内的处理液30的压力，则即使在处理槽14内的处理液30的液面或外槽16内的处理液30的液面剧烈变化的情况下，也能高精度地测定处理液30的压力。
此外，根据以上所述的实施方式，基板处理装置具有第一加热部，该第一加热部配置于循环路径20，并且对从循环路径20回流到处理槽14的处理液30进行加热。此处，第一加热部例如是与加热器44对应的加热部。根据这样的结构，能够使在循环路径20内流动的处理液30的温度接近处理槽14内的处理液30的温度。因此，能够抑制测定槽24内的处理液30的温度变化。
此外，根据以上所述的实施方式，基板处理装置具有第二加热部，该第二加热部配置于分支路径22，并且对分支路径22内的处理液30进行加热。此处，第二加热部例如是与加热器48对应的加热部。根据这样的结构，能够使处理液30在流入测定槽24内时的温度接近处理槽14内的处理液30的温度。因此，能够对测定槽24内的处理液30进行与处理槽14内的处理液30同等条件下的压力测定、比重测定和浓度测定。
此外，根据以上所述的实施方式，在测定槽24的底部形成孔24C及孔24D。根据这样的结构，当从外槽16中取出测定槽24时，能够抑制处理液30残存在测定槽24内。
＜关于以上所述的实施方式的变形例＞
以上所述的实施方式中，有时记载了各结构要素的材质、材料、大小、形状、相对的配置关系或实施条件等，但这些记载在所有方面均为例示，并不限于本申请说明书所记载的内容。
因此，在本申请说明书公开的技术范围内能够想到未例示出的无数的变形例及等同物。例如，包括将至少一个结构要素进行变形、追加或省略的情况。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其中，具有：
第一槽，贮存用于处理基板的处理液；
第一路径，使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液回流到所述第一槽的下部；
第二路径，从所述第一路径分支；
测定槽，贮存从所述第二路径流入的所述处理液；以及
压力测定部，在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力，
所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
2.一种基板处理装置，其中，具有：
第一槽，贮存用于处理基板的处理液；
第一路径，使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液回流到所述第一槽的下部；
第二路径，从所述第一路径分支；
测定槽，贮存从所述第二路径流入的所述处理液；以及
压力测定部，在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力，
所述测定槽具有：
第一区域，所述处理液从所述第二路径流入所述第一区域；以及
第二区域，从所述第一区域的上部溢出的所述处理液流入所述第二区域，
在从所述第二区域的上部溢出所述处理液的状态下，所述压力测定部在所述第二区域测定所述处理液的压力。
3.一种基板处理装置，其中，具有：
第一槽，贮存用于处理基板的处理液；
第一路径，使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液回流到所述第一槽的下部；
第二路径，从所述第一路径分支；
测定槽，贮存从所述第二路径流入的所述处理液；以及
压力测定部，在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力，
所述基板处理装置还具有第二槽，从所述第一槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽，
所述第一路径使流入所述第二槽的所述处理液回流到所述第一槽的下部，
所述测定槽配置在所述第二槽内，
从所述测定槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有气泡供给部，所述气泡供给部向所述第一槽内供给气泡。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有第一加热部，所述第一加热部配置在所述第一路径，并且对从所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液进行加热。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有第二加热部，所述第二加热部配置在所述第二路径，并且对所述第二路径内的所述处理液进行加热。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述测定槽的底部形成至少一个孔。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述压力测定部基于由调节器向供给管供给的一定量的气体在浸入所述处理液中的所述供给管的下端的压力，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述规定的深度是能够确保压力测定的精度的深度。
11.一种基板处理方法，其中，具有：
将用于处理基板的处理液贮存在第一槽内的工序；
使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液经由第一路径回流到所述第一槽的下部的工序；
将从第二路径流入的所述处理液贮存在测定槽内的工序，所述第二路径从所述第一路径分支；以及
在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力的工序，
所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
12.一种基板处理方法，其中，具有：
将用于处理基板的处理液贮存在第一槽内的工序；
使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液经由第一路径回流到所述第一槽的下部的工序；
将从第二路径流入的所述处理液贮存在测定槽内的工序，所述第二路径从所述第一路径分支；以及
在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力的工序，
所述测定槽具有：
第一区域，所述处理液从所述第二路径流入所述第一区域；以及
第二区域，从所述第一区域的上部溢出的所述处理液流入所述第二区域，
在从所述第二区域的上部溢出所述处理液的状态下，测定所述第二区域内所述处理液的压力。
13.一种基板处理方法，其中，具有：
将用于处理基板的处理液贮存在第一槽内的工序；
使从所述第一槽的上部溢出的所述处理液经由第一路径回流到所述第一槽的下部的工序；
将从第二路径流入的所述处理液贮存在测定槽内的工序，所述第二路径从所述第一路径分支；以及
在从所述测定槽的上部溢出所述处理液的状态下，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力的工序，
所述第一路径使流入第二槽的所述处理液回流到所述第一槽的下部，从所述第一槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽，
所述测定槽配置在所述第二槽内，
从所述测定槽的上部溢出的所述处理液流入所述第二槽。
14.根据权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，
所述第二路径内的所述处理液的流量小于通过所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液的流量。
15.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还具有向所述第一槽内供给气泡的工序。
16.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还具有由配置在所述第一路径的第一加热部，对从所述第一路径回流到所述第一槽的所述处理液进行加热的工序。
17.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还具有由配置在所述第二路径的第二加热部，对所述第二路径内的所述处理液进行加热的工序。
18.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述测定槽的底部形成至少一个孔。
19.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
测定所述处理液的压力的工序是，基于由调节器向供给管供给的一定量的气体在浸入所述处理液中的所述供给管的下端的压力，测定在所述测定槽内的规定深度处的所述处理液的压力的工序。
20.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述规定的深度是能够确保压力测定的精度的深度。
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