JP2013206946A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、リン酸水溶液を貯留する処理槽11と、リン酸水溶液を送る循環ポンプ13と、リン酸水溶液を加熱する循環用ヒータ15と、リン酸水溶液を濾過するフィルタ17と、を含み、処理槽11から排出されるリン酸水溶液を、循環ポンプ13、循環用ヒータ15、フィルタ17の順に流すとともに、フィルタ17から前記処理槽11にリン酸水溶液を戻す循環ライン3と、循環用ヒータ15とフィルタ17との間で循環ライン3から分岐し、循環ライン3からリン酸水溶液を抽出する分岐管31と、分岐管31に連通接続され、リン酸水溶液中のシリコン濃度を電位差測定法によって測定する濃度測定部51と、を備えている基板処理装置1である。
【選択図】図1
Description
すなわち、従来の装置は、リン酸水溶液の吸光度に基づいてシリコン濃度を推定するので、シリコン濃度の測定結果の精度があまり高くないという不都合がある。また、吸光度はリン酸水溶液の温度の影響を受け易いので、リン酸水溶液の温度変化が大きいほど測定結果の精度が不安定になるという不都合がある。
すなわち、本発明は、リン酸水溶液を貯留する処理槽と、リン酸水溶液を送る循環ポンプと、リン酸水溶液を加熱する循環用ヒータと、リン酸水溶液を濾過するフィルタと、を含み、前記処理槽から排出されるリン酸水溶液を、前記循環ポンプ、前記循環用ヒータ、前記フィルタの順に流すとともに、前記フィルタから前記処理槽にリン酸水溶液を戻す循環ラインと、前記循環用ヒータと前記フィルタとの間で前記循環ラインから分岐し、前記循環ラインからリン酸水溶液を抽出する分岐管と、前記分岐管に連通接続され、リン酸水溶液中のシリコン濃度を電位差測定法によって測定する濃度測定部と、を備えている基板処理装置である。
実施例1では、リン酸と純水を混合して得られるリン酸水溶液中に、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板(例えば半導体ウエハ)を浸漬して、シリコン窒化膜を選択的にエッチング処理する装置を例にとって説明する。
制御部61は、開閉弁19を開放させ、開閉弁32、34、36を閉止させた状態で、循環ポンプ13を駆動する。リン酸水溶液は循環ポンプ13によって圧送され、循環ライン3を流れる。すなわち、リン酸水溶液は、処理槽11(外槽23)から排出された後、循環ポンプ13、循環用ヒータ15、フィルタ17の順に流れ、フィルタ17から処理槽11(内槽21)に再び戻る。リン酸水溶液中に含まれる異物やパーティクルは、フィルタ17によって除去される。内槽21内では、内槽21の底部から上部へ向かうリン酸水溶液のアップフローが形成されている。内槽21から溢れたリン酸水溶液は、外槽23に流れる。
続いて、循環ポンプ13の駆動を継続した状態で、開閉弁32を開放する。循環ライン3を流れるリン酸水溶液の一部は分岐管31に流入する。分岐管31に流入したリン酸水溶液は秤量容器43に供給される。秤量容器43に貯留されるリン酸水溶液が所定量を超えると、オーバーフロー管45によって秤量容器43の外部に排出される。この結果、秤量容器43には秤量された所定量のリン酸水溶液が残る。
3 …循環ライン
11 …処理槽
13 …循環ポンプ
15 …循環用ヒータ
17 …フィルタ
17f …フィルタエレメント
17a …入口部
17b …出口部
18 …管路
18a …第1配管
18b …第2配管
19 …開閉弁
21 …内槽
23 …外槽
31,91、98 …分岐管
33 …供給管
35 …排液管
41、71 …秤量部
43 …秤量容器
45 …オーバーフロー管
51 …濃度測定部
53 …測定容器
54 …試薬供給部
55 …測定電極
56 …参照電極
57 …電位差測定部
61 …制御部
73 …シリンジ
75 …プランジャ
77 …駆動部
Claims (10)
- リン酸水溶液を貯留する処理槽と、リン酸水溶液を送る循環ポンプと、リン酸水溶液を加熱する循環用ヒータと、リン酸水溶液を濾過するフィルタと、を含み、前記処理槽から排出されるリン酸水溶液を、前記循環ポンプ、前記循環用ヒータ、前記フィルタの順に流すとともに、前記フィルタから前記処理槽にリン酸水溶液を戻す循環ラインと、
前記循環用ヒータと前記フィルタとの間で前記循環ラインから分岐し、前記循環ラインからリン酸水溶液を抽出する分岐管と、
前記分岐管に連通接続され、リン酸水溶液中のシリコン濃度を電位差測定法によって測定する濃度測定部と、
を備えている基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記循環ラインから抽出されたリン酸水溶液を加熱するサンプリング用ヒータを備えている基板処理装置。 - リン酸水溶液を貯留する処理槽と、リン酸水溶液を送る循環ポンプと、リン酸水溶液を加熱する循環用ヒータと、リン酸水溶液を濾過するフィルタと、を含み、前記処理槽から排出されるリン酸水溶液を、前記循環ポンプ、前記循環用ヒータ、前記フィルタの順に流すとともに、前記フィルタから前記処理槽にリン酸水溶液を戻す循環ラインと、
前記循環ラインから分岐し、前記循環ラインからリン酸水溶液を抽出する分岐管と、
前記分岐管に連通接続され、抽出されたリン酸水溶液中のシリコン濃度を電位差測定法によって測定する濃度測定部と、
前記循環ラインから抜き出されたリン酸水溶液を加熱するサンプリング用ヒータと、
を備えている基板処理装置。 - 請求項2または請求項3に記載の基板処理装置において、
前記サンプリング用ヒータは、前記分岐管に設けられ、前記分岐管内のリン酸水溶液を加熱する基板処理装置。 - 請求項2から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記サンプリング用ヒータは、前記濃度測定部に設けられ、前記濃度測定部内のリン酸水溶液またはこれを含む溶液を加熱する基板処理装置。 - 請求項2または5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記分岐管に設けられ、所定量のリン酸水溶液を秤量する秤量部を備え、
前記濃度測定部は、前記秤量部によって秤量されたリン酸水溶液中のシリコン濃度を測定し、
前記サンプリング用ヒータは、前記秤量部に設けられ、前記秤量部内のリン酸水溶液を加熱する基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記分岐管に設けられ、所定量のリン酸水溶液を秤量する秤量部を備え、
前記濃度測定部は、前記秤量部によって秤量されたリン酸水溶液についてシリコン濃度を測定する基板処理装置。 - 請求項6または7に記載の基板処理装置において、
前記秤量部は、所定量のリン酸水溶液を貯留する秤量容器を備えている基板処理装置。 - 請求項6または7に記載の基板処理装置において、
前記秤量部は、
筒形状を有するシリンジと、
前記シリンジ内を気密にスライド移動するプランジャと、
前記プランジャを駆動して、所定量のリン酸水溶液を前記シリンジ内に吸引させ、かつ、前シリンジから排出させる駆動部と、
を備えている基板処理装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、
リン酸水溶液を貯留し、基板を浸漬するための内槽と、
前記内槽から溢れ出るリン酸水溶液を回収する外槽と、
を備え、
前記フィルタは、その入口部と出口部の間に設けられるフィルタエレメントを備え、
前記循環ラインは、
前記フィルタの出口部と前記内槽とを連通接続する第1配管と、
前記フィルタの入口部と前記外槽とを連通接続する第2配管と、
を備え、
前記分岐管は前記第2配管から分岐されている基板処理装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160112951A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
JP2018148245A (ja) * | 2018-07-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2018152622A (ja) * | 2018-07-09 | 2018-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
KR20180111649A (ko) * | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 칭량 장치, 기판 액 처리 장치, 칭량 방법, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2018174301A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 秤量装置、基板液処理装置、秤量方法、基板液処理方法及び記憶媒体 |
US10312115B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US10580668B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-03-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI578396B (zh) * | 2013-12-11 | 2017-04-11 | 斯克林集團公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
US11322361B2 (en) * | 2014-06-10 | 2022-05-03 | International Business Machines Corporation | Selective etching of silicon wafer |
JP6370233B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
KR20170009539A (ko) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치 |
KR102511986B1 (ko) | 2015-09-02 | 2023-03-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN105742213B (zh) * | 2016-03-07 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法 |
JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6751326B2 (ja) | 2016-09-16 | 2020-09-02 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP6858036B2 (ja) | 2017-02-28 | 2021-04-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2018193942A1 (ja) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 吉野石膏株式会社 | サンプリング装置、板部材の製造装置、石膏系建材製造装置 |
JP6909620B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2021-07-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6900274B2 (ja) | 2017-08-16 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法 |
JP6994899B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
KR20190099814A (ko) * | 2018-02-20 | 2019-08-28 | 삼성전자주식회사 | 약액 리사이클 시스템, 약액 공급 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
CN117105189A (zh) * | 2018-10-12 | 2023-11-24 | 四川大学 | 利用电浆流分解磷矿的方法及其实施装置 |
JP2020150126A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合装置、混合方法および基板処理システム |
JP7181156B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2022-11-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法 |
CN110323164B (zh) * | 2019-07-05 | 2022-03-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片清洗装置及硅片清洗方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0883792A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Motorola Ltd | エッチング剤及びエッチング方法 |
JPH09129588A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Fujitsu Ltd | エッチング液の濃度管理方法及びエッチング装置 |
JPH11145107A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の表面処理方法 |
JP2003297798A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006352097A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | M Fsi Kk | 燐酸溶液中の珪素濃度測定装置及び測定方法 |
JP2012028580A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Kurabo Ind Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3924175A (en) * | 1974-02-28 | 1975-12-02 | Petrolite Corp | D.C. system for conductivity measurements |
GB2198810A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-22 | Philips Electronic Associated | Apparatus suitable for processing semiconductor slices |
JP3122857B2 (ja) * | 1992-01-20 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体基体のエッチング装置およびエッチング方法 |
JP3178112B2 (ja) * | 1992-09-22 | 2001-06-18 | 日産自動車株式会社 | エッチング装置 |
US5376214A (en) | 1992-09-22 | 1994-12-27 | Nissan Motor Co., Ltd. | Etching device |
JPH11142332A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 |
US6399517B2 (en) | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
TW460942B (en) | 1999-08-31 | 2001-10-21 | Mitsubishi Material Silicon | CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device |
JP2001250804A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 過酸化水素による亜硝酸イオンの制御方法 |
TWI298423B (en) | 2001-02-06 | 2008-07-01 | Nagase & Co Ltd | Developer producing equipment and method |
JP2006013158A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nagase & Co Ltd | 酸性エッチング液再生方法及び酸性エッチング液再生装置 |
US20060263257A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-11-23 | Beauchamp Jesse L | Optical gas sensor based on dyed high surface area substrates |
TWI331775B (en) * | 2005-05-17 | 2010-10-11 | Apprecia Technology Inc | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
JP2008103678A (ja) | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
CN100511602C (zh) * | 2006-09-20 | 2009-07-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
US8409997B2 (en) * | 2007-01-25 | 2013-04-02 | Taiwan Semiconductor Maufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for controlling silicon nitride etching tank |
JP4358259B2 (ja) | 2007-06-05 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
US8211810B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
US8008087B1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-08-30 | Eci Technology, Inc. | Analysis of silicon concentration in phosphoric acid etchant solutions |
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012071556A patent/JP5795983B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-18 US US13/744,879 patent/US20130255882A1/en not_active Abandoned
- 2013-01-29 TW TW102103277A patent/TWI538081B/zh active
- 2013-02-21 CN CN201310055320.2A patent/CN103364478B/zh active Active
- 2013-03-18 KR KR1020130028610A patent/KR101396669B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-02-21 US US15/438,341 patent/US10520416B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0883792A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Motorola Ltd | エッチング剤及びエッチング方法 |
JPH09129588A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Fujitsu Ltd | エッチング液の濃度管理方法及びエッチング装置 |
JPH11145107A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の表面処理方法 |
JP2003297798A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Seiko Epson Corp | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006352097A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | M Fsi Kk | 燐酸溶液中の珪素濃度測定装置及び測定方法 |
JP2012028580A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Kurabo Ind Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10580668B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-03-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus |
US10312115B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US10661315B2 (en) | 2015-03-19 | 2020-05-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon |
TWI667701B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 |
JP2016178151A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
KR20160112951A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US11185896B2 (en) | 2015-03-19 | 2021-11-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon |
KR102480692B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2022-12-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
KR20180111649A (ko) * | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 칭량 장치, 기판 액 처리 장치, 칭량 방법, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2018174301A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 秤量装置、基板液処理装置、秤量方法、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP7007928B2 (ja) | 2017-03-30 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 秤量装置、基板液処理装置、秤量方法、基板液処理方法及び記憶媒体 |
KR102455455B1 (ko) * | 2017-03-30 | 2022-10-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 칭량 장치, 기판 액 처리 장치, 칭량 방법, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2018148245A (ja) * | 2018-07-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2018152622A (ja) * | 2018-07-09 | 2018-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Also Published As
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---|---|
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