JPH11142332A - 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 - Google Patents

濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置

Info

Publication number
JPH11142332A
JPH11142332A JP30859997A JP30859997A JPH11142332A JP H11142332 A JPH11142332 A JP H11142332A JP 30859997 A JP30859997 A JP 30859997A JP 30859997 A JP30859997 A JP 30859997A JP H11142332 A JPH11142332 A JP H11142332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
transmitted light
light intensity
solvent
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30859997A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Nakajima
和男 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP30859997A priority Critical patent/JPH11142332A/ja
Publication of JPH11142332A publication Critical patent/JPH11142332A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱された処理流体の濃度を精度よく測定す
ることができる濃度測定方法およびこれを用いた基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 所定濃度および所定温度に調整された処
理液によって基板の処理を行う基板処理装置において、
循環配管7に流通する純水をヒータ9で処理液と同じ温
度にまで加熱し、フローセル12を流通する純水の透過
光強度を測定する。同様に、処理液を循環配管7に流通
させて処理液の透過光強度を測定する。濃度制御部20
は、処理液の透過光強度と、加熱された純水の透過光強
度との比に基づいて、流量調節弁V1、V2を操作して
薬液または純水の流量を調整する。加熱された純水の透
過光強度を基準とした処理液の透過光強度に基づいて処
理液の濃度を制御するので、純水の加熱による吸光量の
変動に起因した影響を回避することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
工程などで用いられる洗浄液やエッチング液などの処理
流体の濃度を測定する方法およびこれを用いた基板処理
装置に係り、特に、加熱された処理流体をフローセルに
流通させて、その透過光強度を測定することに基づいて
処理流体の濃度を求める技術に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の濃度測定方法を半導体製造工程
における基板処理を例に採って説明する。半導体ウエハ
などの基板に洗浄処理やエッチング処理を施すのに使用
される処理液は、処理の目的に応じた薬液と、純水(溶
媒)とを所定比率で混合して生成される。この所定濃度
の処理液中に基板を浸漬して所要の処理が行われる。処
理液の濃度に変動があると基板処理の品質に悪影響を及
ぼすので、処理液の濃度を精度良く測定し、これをコン
トロールする必要がある。処理液の濃度測定にあたって
は、基板処理装置内を流通している処理液の濃度を測定
するのに適した、フローセルを用いた濃度測定法が用い
られることが多い。
【0003】以下に、フローセルを用いた従来の濃度測
定方法を簡単に説明する。基板処理装置内に配設された
処理液の流路にフローセルを配備し、このフローセルを
流通している処理液の透過光強度(試料透過光強度)を
測定する。そして、同じフローセルに処理液の溶媒であ
る純水を流通させて、その純水の透過光強度(参照透過
光強度)を測定する。このようにして測定された試料透
過光強度と参照透過光強度とを演算処理部に与えて、試
料透過光強度と参照透過光強度との比(試料透過率)を
算出する。試料透過率と処理液の濃度との間には相関関
係があるので、試料透過率の変動を監視することによ
り、処理液の濃度の変動を知ることができる。具体的に
は、目標濃度に正しく調整された処理液(基準処理液)
の透過率(基準透過率)を同様に測定して予め記憶して
おき、この基準透過率と試料透過率との差分を算出す
る。この透過率の差分は、目標濃度に対する処理液の濃
度の隔たりに相当する。そこで、この差分を打ち消すよ
うに、薬液あるいは純水の流量を調整することにより、
処理液の濃度を目標濃度に一致させることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来方法には次のような問題がある。半導体製造工程
などで使用される処理液は必ずしも常温ではなく、例え
ば、70℃程度に加熱されて用いられることも多い。加
熱された処理液の濃度を測定する場合、従来例では、加
熱された処理液をフローセルに流通させて試料透過光強
度を測定する一方、常温(一定温度)の純水を前記フロ
ーセルに流通させて参照透過光強度を測定することによ
って、試料透過率を得ている。その結果、以下のような
測定誤差が生じている。
【0005】純水の吸光特性には温度依存性があり、温
度が高くなるに従って、純水が吸収する光量は多くなる
という性質がある。その結果、常温の純水の透過光強度
は高くなり、加熱された純水の透過光強度は低くなる。
ところで、加熱された処理液の試料透過光強度は、薬液
による光の吸収と、加熱された純水による光の吸収の結
果として得られるものであるから、加熱された処理液の
試料透過率は、加熱された純水の参照透過光強度を基準
として得る必要がある。このような事情があるにもかか
わらず、従来例では、常温の純水の参照透過光強度を基
準として、加熱された処理液の試料透過率を求めている
ので、得られた試料透過率に誤差を含み、その結果とし
て、処理液の濃度を精度良く測定することができないと
いう問題がある。
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、所定温度の処理流体の濃度を精度よく
測定することができる濃度測定方法およびこれを用いた
基板処理装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、第1の流体と希釈用の第
2の流体とを含み、所定温度の処理流体の濃度を測定す
る方法であって、前記処理流体と同じ温度に調整された
第2の流体を、フローセルに流通させて、前記第2の流
体の透過光強度(参照透過光強度)を測定する過程と、
前記処理流体を前記フローセルに流通させて、前記処理
流体の透過光強度(試料透過光強度)を測定する過程
と、前記参照透過光強度を基準とした前記試料透過光強
度に基づいて、処理流体の濃度を求める過程とを備えた
ものである。
【0008】請求項2に記載の発明は、薬液と溶媒とを
混合して生成された処理液によって基板の処理を行う基
板処理装置であって、基板に処理液を作用させて基板の
処理を行う基板処理部と、溶媒供給源からの溶媒を流通
させて溶媒を前記基板処理部へ導くとともに、薬液供給
源からの薬液と前記溶媒供給源からの溶媒とを混合して
生成された処理液を流通させて処理液を前記基板処理部
へ導く配管と、前記配管の途中に配設され、溶媒の温度
を調整する温度調整手段と、前記温度調整手段が配設さ
れた位置よりも下流の前記配管の途中に配設され、溶媒
および処理液を流通させるフローセルと、前記フローセ
ルに光を照射する光源と、前記フローセルを透過した光
を検出する検出器と、前記温度調整手段によって処理液
と略同じ温度に調整された溶媒が前記フローセルを流通
しているときの前記検出器の検出信号を取り込んで参照
透過光強度として溶媒の透過光強度を測定するととも
に、処理液が前記フローセルを流通しているときの前記
検出器の検出信号を取り込んで試料透過光強度として処
理液の透過光強度を測定し、前記溶媒の透過光強度を基
準とした前記処理液の透過光強度に基づいて、処理液の
濃度を求める濃度測定手段と、を備えたものである。
【0009】請求項3に記載の発明は、薬液と溶媒とを
混合して生成された処理液によって基板の処理を行う基
板処理装置であって、基板に処理液を作用させて基板の
処理を行う基板処理部と、溶媒供給源からの溶媒を流通
させて溶媒を前記基板処理部へ導くとともに、薬液供給
源からの薬液と前記溶媒供給源からの溶媒とを混合して
生成された処理液を流通させて処理液を前記基板処理部
へ導く配管と、前記配管の途中に配設され、処理液の温
度を調整する温度調整手段と、前記温度調整手段が配設
された位置よりも下流の前記配管の途中に配設され、溶
媒および処理液を流通させるフローセルと、前記フロー
セルに光を照射する光源と、前記フローセルを透過した
光を検出する検出器と、溶媒が前記フローセルを流通し
ているときの前記検出器の検出信号を取り込んで参照透
過光強度として溶媒の透過光強度を測定するとともに、
前記温度調整手段によって溶媒と略同じ温度に調整され
た処理液が前記フローセルを流通しているときの前記検
出器の検出信号を取り込んで試料透過光強度として処理
液の透過光強度を測定し、前記溶媒の透過光強度を基準
とした前記処理液の透過光強度に基づいて、処理液の濃
度を求める濃度測定手段と、を備えたものである。
【0010】請求項4に記載の発明は、請求項2または
請求項3に記載の基板処理装置において、前記濃度測定
手段で求められた処理液の濃度が所定の濃度になるよう
に、前記溶媒供給源からの溶媒の供給量および前記薬液
供給源からの薬液の供給量の少なくとも一方の流量を制
御する制御手段をさらに備えたものである。
【0011】
【作用】請求項1に記載の発明によれば、第2の流体の
透過光強度(参照透過光強度)の測定にあたり、第2の
流体を処理流体と同じ温度にまで調整しているので、こ
のときの参照透過光強度を基準として試料透過光強度を
決定すれば、所定温度の処理流体に含まれる第2の流体
の温度の調整による吸光量の変動を除去することができ
る。つまり、上記の参照透過光強度を基準とした試料透
過光強度は、処理流体に含まれる第1の流体にのみ関連
するので、処理流体の濃度が精度良く測定される。
【0012】請求項2に記載の発明の作用は次のとおり
である。溶媒供給源からの溶媒を配管内に流通させて基
板処理部へ導くときに、温度調整手段によって溶媒の温
度を処理液と略同じ温度に調整する。処理液と略同じ温
度に調整された溶媒がフローセルを流通しているときの
検出器の検出信号を濃度測定手段が取り込んで参照透過
光強度として溶媒の透過光強度を測定する。次に、薬液
供給源からの薬液と溶媒供給源からの溶媒とを混合して
生成された処理液を配管内に流通させて基板処理部へ導
き、処理液がフローセルを流通しているときの検出器の
検出信号を濃度測定手段が取り込んで試料透過光強度と
して処理液の透過光強度を測定する。そして、濃度測定
手段は溶媒の透過光強度を基準とした処理液の透過光強
度に基づいて、処理液の濃度を求める。
【0013】請求項3に記載の発明の作用は次のとおり
である。溶媒供給源からの溶媒を配管内に流通させて基
板処理部へ導き、溶媒がフローセルを流通しているとき
の検出器の検出信号を濃度測定手段が取り込んで参照透
過光強度として溶媒の透過光強度を測定する。次に、薬
液供給源からの薬液と溶媒供給源からの溶媒とを混合し
て生成された処理液を配管内に流通させて基板処理部へ
導くときに、温度調整手段によって処理液の温度を溶媒
と略同じ温度に調整する。溶媒と略同じ温度に調整され
た処理液がフローセルを流通しているときの検出器の検
出信号を濃度測定手段が取り込んで試料透過光強度とし
て処理液の透過光強度を測定する。そして、濃度測定手
段は溶媒の透過光強度を基準とした処理液の透過光強度
に基づいて、処理液の濃度を求める。
【0014】請求項4に記載の発明によれば、濃度測定
手段で求められた処理液の濃度が所定の濃度になるよう
に、制御手段が溶媒供給源からの溶媒の供給量および薬
液供給源からの薬液の供給量の少なくとも一方の流量を
制御する。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1は、本発明に係る濃度測定方法を
用いた基板処理装置の一実施例の概略構成を示すブロッ
ク図である。
【0016】図中、符号1はオーバーフロー式の処理槽
である。この処理槽1は、半導体ウエハを複数枚収納し
た図示しないウエハキャリアが浸漬される処理槽本体2
と、その周囲に配設されて処理槽本体2から溢れた処理
液を滞留させるためのオーバーフロー部3とから構成さ
れている。オーバーフロー部3には、純水供給配管4に
よって純水が供給され、この純水の供給量が流量調節弁
V1によって調節される。また、オーバーフロー部3に
は、薬液タンク5から薬液供給配管6を介して薬液が供
給され、この薬液の供給量が流量調節弁V2によって調
節される。なお、本実施例における薬液は本発明方法に
おける第1の流体に、純水は本発明における希釈用の第
2の流体および溶媒に、それぞれ相当する。また、処理
槽1は本発明装置における基板処理部に相当する。
【0017】オーバーフロー部3と処理槽本体2の底部
との間には、オーバーフロー部3に滞留している処理液
や純水を循環させるための循環配管7が配設されてい
る。この循環配管7には、オーバーフロー部3側から順
に、処理液などを循環させるポンプ8と、循環している
処理液や純水を所定温度に加熱するためのヒータ9と、
処理液や純水の温度を測定するための温度センサ10
と、処理液や純水中のパーティクルなどを除去するため
のフィルタ11と、処理液や純水の透過光強度を測定す
るためのフローセル12が配設されている。なお、上記
の循環配管7は本発明装置における配管に、ヒータ9は
本発明装置における温度調整手段に、それぞれ相当す
る。
【0018】フローセル12は、透過光強度が測定され
る処理液や純水が流通する偏平な透過性の流路を備え
る。このフローセル12の一方面側に、ハロゲンランプ
などの光源13からの光が照射される。フローセル12
の他方面側には、透過光を検出する光検出器14が配備
されている。光検出器14で検出された信号は濃度制御
部20に与えられる。
【0019】濃度制御部20は、コンピュータ機器など
で構成されており、機能的に大別すると、温調部21、
透過光強度測定部22、透過率算出部23、フィードバ
ック制御部24、および弁操作部25に分けられる。温
調部21は、温度センサ10からの検出信号に基づい
て、ヒータ9を操作することにより、循環配管7内を流
通する処理液や純水の温度を制御する。透過光強度測定
部22は、光検出器14からの検出信号に基づいて、フ
ローセル12を流通する処理液や純水の透過光強度を測
定する。透過率算出部23は、透過光強度測定部22か
ら与えられた処理液の透過光強度と純水の透過光強度と
から両者の比(試料透過率)を算出する。フィードバッ
ク制御部24は、予め記憶している目標濃度の基準処理
液の透過率(基準透過率)と、透過率算出部23から与
えられた試料透過率との差分を算出し、この差分を打ち
消すように、純水流量または薬液流量を調整するための
操作量を出力する。弁操作部25は、フィードバック制
御部24から与えられた操作量に基づき、流量調整弁V
1またはV2を操作する。なお、上記の透過光強度測定
部22および透過率算出部23は本発明装置における濃
度測定手段に、フィードバック制御部24は本発明装置
における制御手段に、それぞれ相当する。
【0020】次に、上述した構成を備えた実施例装置の
動作を図2、図3のフローチャートを参照して説明す
る。まず、図2を参照して、処理液の濃度制御の前段階
として行われる基準設定処理を説明する。
【0021】ステップS1では、純水供給配管4から純
水を処理槽1の処理槽本体2およびオーバーフロー部3
に滞留する程度にまで供給するとともに、ポンプ8によ
って純水を循環配管7内に循環させる。循環配管7を流
通している純水をヒータ9で加熱するとともに、その温
度を温度センサ10で検出する。濃度制御部20の温調
部21は、純水の温度tが、予め定められた基板の処理
温度t0 に一致するように、温度センサ10の検出信号
に基づいてヒータ9を操作する(ステップS2、S
3)。純水の温度tがt0 に一致すると、温調部21か
ら透過光強度測定部22へ透過光強度の測定指示が与え
られる。透過光強度測定部22は、フローセル12を流
通している純水の透過光強度(参照透過光強度)の検出
信号を光検出器14から取り込む。この参照透過光強度
は透過率算出部23に与えられる(ステップS4)。
【0022】参照透過光強度の測定が終わると処理槽1
内の純水を排出し、続いて、処理槽1に基準処理液を供
給する(ステップS5)。基準処理液は、図示しない基
準処理液調整装置によって、基板処理の条件に応じた所
定濃度に正確に一致するように生成された処理液であ
る。基準処理液を処理槽1の処理槽本体2およびオーバ
ーフロー部3に滞留する程度にまで供給すると、上述し
た参照透過光強度の測定の場合と同様に、循環配管7を
介して基準処理液を循環させながら温度制御を行う(ス
テップS6、S7)。そして、基準処理液の温度tが処
理温度t0 に一致すると、透過光強度測定部22が光検
出器14の検出信号を取り込み、基準処理液の透過光強
度(基準透過光強度)を測定する。この基準透過光強度
は透過率算出部23に与えられる(ステップS8)。
【0023】参照透過光強度と基準透過光強度との測定
が終わると、透過率算出部23は基準処理液の透過率
(=基準透過光強度/参照透過光強度)TR を算出する
(ステップS9)。この基準処理液の透過率(基準透過
率)TR はフィードバック制御部24に与えられて、こ
こで記憶される。
【0024】以上の基準設定処理が終わると、実際の基
板処理の過程で行われる処理液の濃度のフィードバック
制御処理に移る。以下、図3を参照して説明する。ステ
ップT1〜T4では、図2のステップS1〜S4と同様
にして、処理槽1の純水を循環させながら温度制御を行
い、純水の温度が基板の処理温度t0 に一致した時点
で、純水の透過光強度(参照透過光強度)を測定する。
この参照透過光強度は透過率算出部23に与えられる。
フローセル12が処理液で侵されて、その透過性が変化
することもあるので、本実施例のように、参照透過光強
度を処理液の濃度制御の都度、あるいは定期的に測定す
るのが好ましい。ただし、フローセル12の透過性の変
化が無視できるような場合には、図2のステップS1〜
S4で測定した参照透過光強度を用いるようにして、ス
テップT1〜T4を省略することも可能である。
【0025】参照透過光強度の測定が終わると、濃度制
御部20の弁操作部25が純水の流量調節弁V1と薬液
の流量調節弁V2とを操作して、基板処理の条件に応じ
た所定濃度に近い濃度になるように各々の流量を調節し
て、純水と薬液とを処理槽1に供給し、処理槽1内の純
水を処理液で置換する(ステップT5)。処理槽1の処
理液を循環配管7を介して循環させながら温度制御を行
い、処理液の温度が基板の処理温度t0 に一致した時点
で、光検出器14の検出信号を透過光強度測定部22に
取り込み、処理液の透過光強度(試料透過光強度)を測
定する(ステップT6〜T8)。この試料透過光強度は
透過率算出部23に与えられる。
【0026】参照透過光強度と試料透過光強度の測定が
終わると、透過率算出部23は処理液の透過率(=試料
透過光強度/参照透過光強度)TS を算出する(ステッ
プT9)。この処理液の透過率(試料透過率)TS はフ
ィードバック制御部24に与えられる。フィードバック
制御部24は、この試料透過率TS と、予め記憶されて
いる基準透過率TR との差分を求め、この差分を打ち消
すように純水の流量操作量、あるいは薬液の流量操作量
を前記差分に応じて算出し、弁操作部25に与える(ス
テップT10、T11)。弁操作部25は、フィードバ
ック制御部24から与えられた流量操作量に基づいて、
純水の流量調節弁V1、あるいは薬液の流量調節弁V2
を操作して純水または薬液の流量を調整する。以上のス
テップT6〜T11のステップが繰り返し実行すること
により、処理槽1の処理液を基板処理の条件に応じた温
度および濃度に調整した後、基板の洗浄処理やエッチン
グ処理に移る。
【0027】以上のように、上述した実施例装置によれ
ば、処理液の濃度測定(本実施例では、純水および処理
液の各透過光強度の測定から試料透過率を算出するまで
過程)において、処理液と同じ温度に調整された純水の
透過光強度(参照透過光強度)を基準として試料透過率
を求めているので、常温の純水の透過光強度を基準とし
た場合と比べて、試料透過率に含まれる誤差が少なく、
その結果、処理液の濃度を精度良く制御することができ
る。
【0028】<第2実施例>図4は本発明に係る基板処
理装置の第2実施例の要部構成を示す図である。この基
板処理装置は、複数種類の処理液を処理槽1へ選択的に
供給可能に構成したものである。濃度制御部20の構成
は第1実施例と同様であるので、図示を省略してある。
この基板処理装置では、純水が流通する純水供給配管3
1に、個別の薬液タンク51 〜53 から導出された薬液
供給配管321 〜323 が連通接続されている。純水供
給配管31には流量調節弁V1が、薬液供給配管321
〜323 には流量調節弁V21 〜V23 がそれぞれ設け
られている。薬液供給配管321 〜323 が連通接続さ
れた位置よりも下流側の純水供給配管31には、ヒータ
9、温度センサ10、フローセル12がその順に配設さ
れ、純水供給配管31の末端は処理槽本体2に連通接続
されている。なお、本実施例における純水供給配管31
は本発明装置における配管に相当する。
【0029】このような基板処理装置の場合、次のよう
に各処理液の濃度が制御される。純水供給配管31に純
水だけを流通させて、この純水をヒータ9で基板の処理
温度にまで加熱して、純水の透過光強度(参照透過光強
度)を測定する。次に、複数種類の基準処理液を生成し
て、各基準処理液を純水供給配管31に順に流通させ
て、基板の処理温度にまで加熱し、各基準処理液の透過
光強度(基準透過光強度)を測定する。続いて、各基準
処理液の透過率(基準透過率)を各々算出して、濃度制
御部20のフィードバック制御部24に格納しておく。
【0030】以上の基準設定処理を行った後に、処理槽
1へ供給される処理液ごとに濃度制御を行う。例えば、
薬液タンク51 の薬液を使って処理を行う場合には次の
ように濃度制御を行う。まず純水供給配管31に純水を
流通させて加熱し、参照透過光強度を測定する。続い
て、流量調節弁V1、V21 を適宜に操作して純水と薬
液を流通させ、所要濃度に近い濃度に混合生成された処
理液を純水供給配管31に流通させる。この処理液をヒ
ータ9で加熱して、処理液の透過光強度(試料透過光強
度)を測定する。濃度制御部20において、参照透過光
強度と試料透過光強度とから試料透過率を求める。この
試料透過率と、先に記憶しておいた複数種類の基準透過
率の中の対応する基準透過率との差分を求め、この差分
を打ち消すように流量調節弁V1、V21 を操作して純
水流量または薬液流量を調整する。
【0031】図4に示した変形例も、上述した実施例と
同様に、処理液と同じ温度にまで加熱された純水の透過
光強度を基準として試料透過率を求めているので、処理
液の濃度を精度よく制御することができる。
【0032】なお、本発明は上述した各実施例に限らず
次のように変形実施することも可能である。 (1)上述した各実施例では、参照透過光強度を基準と
した試料透過光強度に基づいて、処理液の濃度を求める
手法の一例として、試料透過率(=試料透過光強度/参
照透過光強度)を算出する例を示した。しかし、本発明
はこれに限らず、試料透過光強度から参照透過光強度を
差し引いた透過光強度に基づいて、処理液の濃度を求め
るようにしてもよい。この場合の参照透過光強度は、も
ちろん、処理液と同じ温度にまで加熱された溶媒(実施
例では純水)の透過光強度である。
【0033】(2)上述した各実施例では、処理槽1に
複数枚の基板を浸漬して処理する、いわゆるバッチ式の
基板処理装置を例に採ったが、本発明は基板単位で処理
を行う、いわゆる枚葉式の基板処理装置にも適用するこ
とができる。
【0034】(3)上述した各実施例では、処理流体と
して基板処理に使用される処理液を例に採ったが、本発
明は処理液の濃度測定に限らず、基板などの処理に使用
される各種のガス(処理ガス)の濃度測定にも適用する
ことができる。
【0035】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。請求項1に記載の濃度測定
方法によれば、処理流体と同じ温度にまで温度調整され
た第2の流体の参照透過光強度を基準とした、処理流体
の試料透過光強度に基づいて、処理流体の濃度を求めて
いるので、処理流体に含まれる第2の流体の加熱による
吸光量の変動を除去することができ、処理流体の濃度を
精度良く測定することができる。
【0036】また、請求項2に記載の基板処理装置によ
れば、処理液と同じ温度にまで調整された溶媒の参照透
過光強度を基準とした、処理液の試料透過光強度に基づ
いて、処理液の濃度を求めているので、処理液の濃度を
精度良く測定することができる。
【0037】また、請求項3に記載の基板処理装置によ
れば、参照透過光強度の基準となる溶媒と同じ温度に調
整された処理液の試料透過光強度に基づいて、処理液の
濃度を求めているので、処理液の濃度を精度良く測定す
ることができる。
【0038】また、請求項4に記載の基板処理装置によ
れば、溶媒の温度と処理液の温度とを略同じにして処理
液の濃度を求め、この処理液の濃度が所定濃度になるよ
うに、制御しているので、処理液の濃度を精度良く制御
することができ、その結果、基板処理の品質を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の第1実施例の概略
構成を示したブロック図である。
【図2】基準設定処理の手順を示したフローチャートで
ある。
【図3】処理液の濃度のフィードバック制御処理の手順
を示したフローチャートである。
【図4】本発明に係る基板処理装置の第2実施例の要部
構成を示した図である。
【符号の説明】
1…処理槽 4…純水供給配管 5…薬液タンク 6…薬液供給配管 7…循環配管 9…ヒータ 10…温度センサ 12…フローセル 13…光源 14…光検出器 20…濃度制御部 21…温調部 22…透過光強度測定部 23…透過率算出部 24…フィードバック制御部 25…弁操作部 V1…純水の流量調節弁 V2…薬液の流量調節弁

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の流体と希釈用の第2の流体とを含
    み、所定温度の処理流体の濃度を測定する方法であっ
    て、 前記処理流体と同じ温度に調整された第2の流体を、フ
    ローセルに流通させて、前記第2の流体の透過光強度
    (参照透過光強度)を測定する過程と、 前記処理流体を前記フローセルに流通させて、前記処理
    流体の透過光強度(試料透過光強度)を測定する過程
    と、 前記参照透過光強度を基準とした前記試料透過光強度に
    基づいて、処理流体の濃度を求める過程とを備えたこと
    を特徴とする濃度測定方法。
  2. 【請求項2】 薬液と溶媒とを混合して生成された処理
    液によって基板の処理を行う基板処理装置であって、 基板に処理液を作用させて基板の処理を行う基板処理部
    と、 溶媒供給源からの溶媒を流通させて溶媒を前記基板処理
    部へ導くとともに、薬液供給源からの薬液と前記溶媒供
    給源からの溶媒とを混合して生成された処理液を流通さ
    せて処理液を前記基板処理部へ導く配管と、 前記配管の途中に配設され、溶媒の温度を調整する温度
    調整手段と、 前記温度調整手段が配設された位置よりも下流の前記配
    管の途中に配設され、溶媒および処理液を流通させるフ
    ローセルと、 前記フローセルに光を照射する光源と、 前記フローセルを透過した光を検出する検出器と、 前記温度調整手段によって処理液と略同じ温度に調整さ
    れた溶媒が前記フローセルを流通しているときの前記検
    出器の検出信号を取り込んで参照透過光強度として溶媒
    の透過光強度を測定するとともに、処理液が前記フロー
    セルを流通しているときの前記検出器の検出信号を取り
    込んで試料透過光強度として処理液の透過光強度を測定
    し、前記溶媒の透過光強度を基準とした前記処理液の透
    過光強度に基づいて、処理液の濃度を求める濃度測定手
    段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 薬液と溶媒とを混合して生成された処理
    液によって基板の処理を行う基板処理装置であって、 基板に処理液を作用させて基板の処理を行う基板処理部
    と、 溶媒供給源からの溶媒を流通させて溶媒を前記基板処理
    部へ導くとともに、薬液供給源からの薬液と前記溶媒供
    給源からの溶媒とを混合して生成された処理液を流通さ
    せて処理液を前記基板処理部へ導く配管と、 前記配管の途中に配設され、処理液の温度を調整する温
    度調整手段と、 前記温度調整手段が配設された位置よりも下流の前記配
    管の途中に配設され、溶媒および処理液を流通させるフ
    ローセルと、 前記フローセルに光を照射する光源と、 前記フローセルを透過した光を検出する検出器と、 溶媒が前記フローセルを流通しているときの前記検出器
    の検出信号を取り込んで参照透過光強度として溶媒の透
    過光強度を測定するとともに、前記温度調整手段によっ
    て溶媒と略同じ温度に調整された処理液が前記フローセ
    ルを流通しているときの前記検出器の検出信号を取り込
    んで試料透過光強度として処理液の透過光強度を測定
    し、前記溶媒の透過光強度を基準とした前記処理液の透
    過光強度に基づいて、処理液の濃度を求める濃度測定手
    段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項2または請求項3に記載の基板処
    理装置において、 前記濃度測定手段で求められた処理液の濃度が所定の濃
    度になるように、前記溶媒供給源からの溶媒の供給量お
    よび前記薬液供給源からの薬液の供給量の少なくとも一
    方の流量を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴
    とする基板処理装置。
JP30859997A 1997-11-11 1997-11-11 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 Pending JPH11142332A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30859997A JPH11142332A (ja) 1997-11-11 1997-11-11 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30859997A JPH11142332A (ja) 1997-11-11 1997-11-11 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11142332A true JPH11142332A (ja) 1999-05-28

Family

ID=17982985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30859997A Pending JPH11142332A (ja) 1997-11-11 1997-11-11 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11142332A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007085829A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Daicel Chem Ind Ltd 近赤外分光分析装置を校正するための装置及び方法
JP2009266893A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Hirama Rika Kenkyusho:Kk エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置
CN103364478A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN103528997A (zh) * 2013-09-22 2014-01-22 张风 等渗性灌肠液快速测定及配制方法及用于该方法的设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007085829A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Daicel Chem Ind Ltd 近赤外分光分析装置を校正するための装置及び方法
JP2009266893A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Hirama Rika Kenkyusho:Kk エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置
CN103364478A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
US10520416B2 (en) 2012-03-27 2019-12-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method for a substrate treating apparatus that carries out etching treatment of substrates
CN103528997A (zh) * 2013-09-22 2014-01-22 张风 等渗性灌肠液快速测定及配制方法及用于该方法的设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5715173A (en) Concentration controlling method and a substate treating apparatus utilizing same
US20080066863A1 (en) Substrate processing apparatus for performing etching process with phosphoric acid solution
JP5180263B2 (ja) 基板処理装置
US6762832B2 (en) Methods and systems for controlling the concentration of a component in a composition with absorption spectroscopy
US10186427B2 (en) Substrate treating apparatus
JPH0528490B2 (ja)
JPH11142332A (ja) 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置
CN110660708A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JPS628040A (ja) 洗浄装置
JP3078199B2 (ja) 濃度制御方法及びこれを利用した基板処理装置
JPH11142320A (ja) 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置
JPH0339491A (ja) 薄膜エッチング装置
JPH10325797A (ja) 流体濃度測定装置
JP3234112B2 (ja) 処理液濃度制御方法及びこれを利用した処理液濃度制御装置
JP2658919B2 (ja) 薬液組成モニタ方法およびその装置
JP3813716B2 (ja) 基板の表面処理方法
JPH0815146A (ja) 流体濃度制御装置
JPH11173983A (ja) 濃度測定装置およびこれを用いた基板処理装置
JPH10223599A (ja) 浸漬式基板処理装置
JP3163058B2 (ja) 浸漬式基板処理装置
JPS6243133B2 (ja)
JP3630543B2 (ja) 基板処理装置
JPS6316901B2 (ja)
JP2798346B2 (ja) 濃度測定装置
JP3032410B2 (ja) 濃度測定方法