JPH0528490B2 - - Google Patents
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- JPH0528490B2 JPH0528490B2 JP12244385A JP12244385A JPH0528490B2 JP H0528490 B2 JPH0528490 B2 JP H0528490B2 JP 12244385 A JP12244385 A JP 12244385A JP 12244385 A JP12244385 A JP 12244385A JP H0528490 B2 JPH0528490 B2 JP H0528490B2
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- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 82
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 43
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、例えばSiウエハなどの洗浄に使用さ
れる洗浄液の成分濃度の調整方法及びその装置に
関する。
れる洗浄液の成分濃度の調整方法及びその装置に
関する。
一般に、過酸化水素とアンモニアと水を用いた
Siウエハなどの洗浄液は、しばしば80℃程度にま
で加熱して使用されるため、熱分解により数十分
で過酸化水素の分解とアンモニアの蒸発による洗
浄液の劣化が起こる。
Siウエハなどの洗浄液は、しばしば80℃程度にま
で加熱して使用されるため、熱分解により数十分
で過酸化水素の分解とアンモニアの蒸発による洗
浄液の劣化が起こる。
従来、使用中の洗浄液の成分の確認は、次のよ
うにして行なわれていた。即ち、滴定などのオフ
ラインで、しかも時間のかかる成分の分析法でや
るか、或は、アンモニア濃度の測定にイオン電極
を用いる方法と過酸化水素濃度の測定に紫外線吸
収を用いる方法とを併用して確認するようにして
いた。(特開昭59−46032号公報) しかしながら、滴定などのオフラインでやる方
法は時間がかかつて実用的ではなく、又アンモニ
ア濃度を測定するイオン電極では、隔膜を透過す
るアンモニアガスと電極の内部液との化学反応を
利用するために、電極の寿命が短くて保守性に問
題がある上、応答性も悪いので洗浄液中の薬液管
理が精度よく制御できないという問題があつた。
うにして行なわれていた。即ち、滴定などのオフ
ラインで、しかも時間のかかる成分の分析法でや
るか、或は、アンモニア濃度の測定にイオン電極
を用いる方法と過酸化水素濃度の測定に紫外線吸
収を用いる方法とを併用して確認するようにして
いた。(特開昭59−46032号公報) しかしながら、滴定などのオフラインでやる方
法は時間がかかつて実用的ではなく、又アンモニ
ア濃度を測定するイオン電極では、隔膜を透過す
るアンモニアガスと電極の内部液との化学反応を
利用するために、電極の寿命が短くて保守性に問
題がある上、応答性も悪いので洗浄液中の薬液管
理が精度よく制御できないという問題があつた。
以上の問題を解決するために、発明者らは、次
の点に着目し問題を解決するに至つた。
の点に着目し問題を解決するに至つた。
以下その基本的原理について説明する。
水溶液中に酸素が溶けている場合は、紫外部領
域にきわめて特徴的な吸収帯が現われる。第1図
は過酸化水素による酸素とアンモニアの紫外線波
長に対する吸光度の変化を示す図である。
域にきわめて特徴的な吸収帯が現われる。第1図
は過酸化水素による酸素とアンモニアの紫外線波
長に対する吸光度の変化を示す図である。
第1図において、曲線aが過酸化水素のみによ
る酸素の吸光度を示す曲線、曲線bがアンモニア
のみの吸光度を示す曲線である。第1図のグラフ
からわかるように、過酸化水素による酸素とアン
モニアは、共に、波長194nm付近り紫外線領域に
吸収のピークをもつており、ピーク付近では両者
の区別がつかない。しかし、過酸化水素による酸
素の吸収スペクトルは、ブロードで、アンモニア
の吸収が殆んどゼロになる300nm付近でも、まだ
かなりの吸収を示す。従つて、300nm付近の吸光
度測定を行なえば、アンモニアと過酸化水素と水
が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化水素によ
る酸素のみを独立に測定できる。
る酸素の吸光度を示す曲線、曲線bがアンモニア
のみの吸光度を示す曲線である。第1図のグラフ
からわかるように、過酸化水素による酸素とアン
モニアは、共に、波長194nm付近り紫外線領域に
吸収のピークをもつており、ピーク付近では両者
の区別がつかない。しかし、過酸化水素による酸
素の吸収スペクトルは、ブロードで、アンモニア
の吸収が殆んどゼロになる300nm付近でも、まだ
かなりの吸収を示す。従つて、300nm付近の吸光
度測定を行なえば、アンモニアと過酸化水素と水
が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化水素によ
る酸素のみを独立に測定できる。
しかし、上記の水溶液の酸素濃度は溶液の水素
イオン濃度に影響を受ける。
イオン濃度に影響を受ける。
第2図は水溶液のアンモニア濃度を変えて溶液
の水素イオン濃度を変化させたときの紫外線の吸
光度の変化を表わした図である。本図によると、
過酸化水素濃度を一定値に保ち、アンモニア濃度
を増加させると曲線cのように紫外線領域の吸収
も増加する。ところがこの水溶液に過剰の酸を添
加し、常に水溶液の水素イオン濃度を4以下にし
ておくと、曲線dのようにアンモニア濃度に関係
なく一定の紫外線領域の吸光度を示す。すなわ
ち、水素イオン濃度が4以上の場合、アンモニア
と過酸化水素が共存すると、水溶液中で緩衝作用
が働き、アンモニア濃度に比例して過酸化水素の
酸素が解離し、水溶液中の酸素量が増加するため
に酸素による紫外線領域の吸収も増加するのであ
る。
の水素イオン濃度を変化させたときの紫外線の吸
光度の変化を表わした図である。本図によると、
過酸化水素濃度を一定値に保ち、アンモニア濃度
を増加させると曲線cのように紫外線領域の吸収
も増加する。ところがこの水溶液に過剰の酸を添
加し、常に水溶液の水素イオン濃度を4以下にし
ておくと、曲線dのようにアンモニア濃度に関係
なく一定の紫外線領域の吸光度を示す。すなわ
ち、水素イオン濃度が4以上の場合、アンモニア
と過酸化水素が共存すると、水溶液中で緩衝作用
が働き、アンモニア濃度に比例して過酸化水素の
酸素が解離し、水溶液中の酸素量が増加するため
に酸素による紫外線領域の吸収も増加するのであ
る。
第3,4図はそれぞれ実際の洗浄液の採取試料
中の過酸化水素とアンモニア濃度測定原理を表わ
した図である。
中の過酸化水素とアンモニア濃度測定原理を表わ
した図である。
第3図は洗浄液の採取試料に酸を添加し、水素
イオン濃度を4以下にしたときの紫外線領域の吸
光度と過酸化水素濃度の関係を表わしたグラフで
ある。第3図のグラフからわかるように、酸を添
加して水素イオン濃度を4以下にした洗浄液の採
取試料中の過酸化水素濃度は、紫外線領域の吸光
度を測定することにより求めることができる。
イオン濃度を4以下にしたときの紫外線領域の吸
光度と過酸化水素濃度の関係を表わしたグラフで
ある。第3図のグラフからわかるように、酸を添
加して水素イオン濃度を4以下にした洗浄液の採
取試料中の過酸化水素濃度は、紫外線領域の吸光
度を測定することにより求めることができる。
第4図は洗浄液の採取試料に酸を添加しないと
きと酸を添加したときの紫外線領域の吸光度の比
とアンモニア濃度の関係を表わしたグラフであ
る。第4図のグラフからわかるように洗浄液の採
取試料中のアンモニア濃度は酸を添加しないとき
(水素イオン濃度4以上)と、酸を添加したとき
(水素イオン濃度4以下)の紫外線領域の吸光度
の比を測定することにより求めることができる。
きと酸を添加したときの紫外線領域の吸光度の比
とアンモニア濃度の関係を表わしたグラフであ
る。第4図のグラフからわかるように洗浄液の採
取試料中のアンモニア濃度は酸を添加しないとき
(水素イオン濃度4以上)と、酸を添加したとき
(水素イオン濃度4以下)の紫外線領域の吸光度
の比を測定することにより求めることができる。
上記原理に基づいて、洗浄液中の過酸化水素濃
度は、洗浄液中の水素イオン濃度を4以下にした
ときの紫外線の吸光度を測定することにより、又
アンモニアの濃度は、洗浄液中の水素イオン濃度
が4以上と4以下のときの紫外線の吸光度比を求
めることにより知ることができ、これを測定する
実際の測定装置及び自動濃度調整装置を開発する
に至つた。
度は、洗浄液中の水素イオン濃度を4以下にした
ときの紫外線の吸光度を測定することにより、又
アンモニアの濃度は、洗浄液中の水素イオン濃度
が4以上と4以下のときの紫外線の吸光度比を求
めることにより知ることができ、これを測定する
実際の測定装置及び自動濃度調整装置を開発する
に至つた。
本発明は上述の原理に基づいてなされたもので
あり、短時間でかつ高精度に洗浄液の成分濃度を
検出して自動的に洗浄液の濃度調整を可能にした
洗浄液の濃度調整方法とその装置を提供せんとす
るものである。
あり、短時間でかつ高精度に洗浄液の成分濃度を
検出して自動的に洗浄液の濃度調整を可能にした
洗浄液の濃度調整方法とその装置を提供せんとす
るものである。
即ち本発明に係る方法は、採取した洗浄液と水
素イオン濃度を4以下にした洗浄液の紫外線吸光
度を検出して、濃度調整を行なうようにしたもの
であつて、採取した洗浄液を透過光測定用フロー
セルに導き、紫外線光源によりこれを照射して紫
外線の吸光度を紫外線検出器で検出する。一方別
のフローセルに洗浄液の水素イオン濃度を4以下
にした洗浄液を導き、紫外線光源によりこれを照
射して紫外線の吸光度を紫外線検出器で検出す
る。このようにして検出された二つの検出値をイ
ンターフエイスに入力して、採取された洗浄液中
の過酸化水素濃度とアンモニア濃度とをマイクロ
コンピユータで演算すると共に記憶されている所
定濃度と比較し、その差分だけ過酸化水素及びア
ンモニアの供給源より自動的に供給するようにし
たものである。
素イオン濃度を4以下にした洗浄液の紫外線吸光
度を検出して、濃度調整を行なうようにしたもの
であつて、採取した洗浄液を透過光測定用フロー
セルに導き、紫外線光源によりこれを照射して紫
外線の吸光度を紫外線検出器で検出する。一方別
のフローセルに洗浄液の水素イオン濃度を4以下
にした洗浄液を導き、紫外線光源によりこれを照
射して紫外線の吸光度を紫外線検出器で検出す
る。このようにして検出された二つの検出値をイ
ンターフエイスに入力して、採取された洗浄液中
の過酸化水素濃度とアンモニア濃度とをマイクロ
コンピユータで演算すると共に記憶されている所
定濃度と比較し、その差分だけ過酸化水素及びア
ンモニアの供給源より自動的に供給するようにし
たものである。
又上記方法を実施するための装置として、洗浄
液を透過光フローセルに導くためのポンプを設
け、このポンプによつて採取された洗浄液の紫外
線吸光度を検出するため紫外線光源、フローセル
及び紫外線検出器を内蔵する酸素濃度測定部が設
けられる。一方これとは別に、採取された洗浄液
の水素イオン濃度を4以下にするための塩酸供給
系を設け、これにより水素イオン濃度が4以下に
された洗浄液の紫外線吸光度を検出するため紫外
線光源、フローセル及び紫外線検出器を内蔵する
酸素濃度検出部を設ける。
液を透過光フローセルに導くためのポンプを設
け、このポンプによつて採取された洗浄液の紫外
線吸光度を検出するため紫外線光源、フローセル
及び紫外線検出器を内蔵する酸素濃度測定部が設
けられる。一方これとは別に、採取された洗浄液
の水素イオン濃度を4以下にするための塩酸供給
系を設け、これにより水素イオン濃度が4以下に
された洗浄液の紫外線吸光度を検出するため紫外
線光源、フローセル及び紫外線検出器を内蔵する
酸素濃度検出部を設ける。
上記二つの酸素濃度検出部によつて検出された
二つの紫外線吸光度の検出値によつて、洗浄液中
の過酸化水素濃度とアンモニア濃度とを演算する
と共に、これら濃度と記憶された所定濃度とを比
較し過酸化水素とアンモニアを所定量供給するた
めの電磁弁の制御を行なう機能を有するマイクロ
コンピユータを設け、これにより制御される電磁
弁を過酸化水素及びアンモニアの供給系にそれぞ
れ設けたことを特徴とするものである。
二つの紫外線吸光度の検出値によつて、洗浄液中
の過酸化水素濃度とアンモニア濃度とを演算する
と共に、これら濃度と記憶された所定濃度とを比
較し過酸化水素とアンモニアを所定量供給するた
めの電磁弁の制御を行なう機能を有するマイクロ
コンピユータを設け、これにより制御される電磁
弁を過酸化水素及びアンモニアの供給系にそれぞ
れ設けたことを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例について詳細に説明す
る。
る。
第5図において、2は洗浄槽1に溜められた洗
浄液である。3は洗浄液2を昇温するためのモー
タである。4は洗浄されるSiウエハである。5は
洗浄液を採取するためのポンプである。6は酸素
濃度測定部であり、透過光測定用フローセル7、
紫外線光源8及び紫外線検出器9を内蔵する。1
0は洗浄液を採取するためのポンプであり、本実
施例では透過光測定用フローセル7に直接接続さ
れている。もちろん、ポンプ10は直接洗浄槽1
に接続してもよい。11は別に設けられた酸素濃
度測定部であり、6と同じように、透過光測定用
フローセル12、紫外線発光源13及び紫外線検
出器14が内蔵されている。15は洗浄液中の水
素イオン濃度が4以下になるように、塩酸16を
ポンプ10の吐出側に供給するためのポンプであ
る。17は紫外線検出器9及び14によつて検出
された紫外線の吸光度を、マイクロコンピユータ
22に入力するためのインターフエイスである。
浄液である。3は洗浄液2を昇温するためのモー
タである。4は洗浄されるSiウエハである。5は
洗浄液を採取するためのポンプである。6は酸素
濃度測定部であり、透過光測定用フローセル7、
紫外線光源8及び紫外線検出器9を内蔵する。1
0は洗浄液を採取するためのポンプであり、本実
施例では透過光測定用フローセル7に直接接続さ
れている。もちろん、ポンプ10は直接洗浄槽1
に接続してもよい。11は別に設けられた酸素濃
度測定部であり、6と同じように、透過光測定用
フローセル12、紫外線発光源13及び紫外線検
出器14が内蔵されている。15は洗浄液中の水
素イオン濃度が4以下になるように、塩酸16を
ポンプ10の吐出側に供給するためのポンプであ
る。17は紫外線検出器9及び14によつて検出
された紫外線の吸光度を、マイクロコンピユータ
22に入力するためのインターフエイスである。
マイクロコンピユータ22は、上記インターフ
エイス17より入力された二つの検出値に基づい
て、過酸化水素の濃度、アンモニアの濃度を演算
する機能、この演算されたそれぞれの濃度と記憶
されている所定の濃度(洗浄液として適性な過酸
化水素とアンモニアの濃度)とを比較する機能及
び、この比較によつて得られた所定量の過酸化水
素とアンモニアを供給するための電磁弁制御機能
を有する。18は電磁弁制御部である。19,1
9′はマイクロコンピユータ22からの操作指令
により、電磁弁制御部18を介して制御される電
磁弁である。20は過酸化水素タンク、21はア
ンモニア水タンクである。23,24は採取液の
排出口、25は純水26を洗浄槽1内に供給する
ためのポンプである。27は液面センサ、30は
温度計、28は循環ポンプ、29はフイルタであ
る。
エイス17より入力された二つの検出値に基づい
て、過酸化水素の濃度、アンモニアの濃度を演算
する機能、この演算されたそれぞれの濃度と記憶
されている所定の濃度(洗浄液として適性な過酸
化水素とアンモニアの濃度)とを比較する機能及
び、この比較によつて得られた所定量の過酸化水
素とアンモニアを供給するための電磁弁制御機能
を有する。18は電磁弁制御部である。19,1
9′はマイクロコンピユータ22からの操作指令
により、電磁弁制御部18を介して制御される電
磁弁である。20は過酸化水素タンク、21はア
ンモニア水タンクである。23,24は採取液の
排出口、25は純水26を洗浄槽1内に供給する
ためのポンプである。27は液面センサ、30は
温度計、28は循環ポンプ、29はフイルタであ
る。
以上のように構成した本実施例の作用について
次に説明する。洗浄槽1には過酸化水素とアンモ
ニアと水から成る洗浄液2が満たされヒータ3で
加熱されており、Siウエハ4を洗浄している。洗
浄液2の一部を試料採取ポンプ5によりサンプリ
ングし、酸素濃度測定部6のフローセル7に送り
込み、このフローセル内の酸素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源8
と、その透過光の検出器9により吸光測定する。
フローセル7で紫外線吸収測定された洗浄液の採
取試料は、ポンプ10により、さらに酸素濃度測
定部11のフローセル12に送り込まれた後排出
口24から排出される。この排出の途中でポンプ
15により塩酸16を投入して水素イオン濃度が
4以下にされた洗浄液は、フローセル12に送り
込まれて、紫外線吸収測定をされ酸素濃度測定部
11から出力された値によつて過酸化水素濃度の
測定が行なわれる。一方この値と酸素濃度測定部
6の値は、共にインターフエイス17に送られ
る。送られた上記2測定値よりアンモニア濃度が
マイクロコンピユータ22で演算される。上記に
より、ほぼ同時刻の洗浄槽1内の過酸化水素およ
びアンモニアの濃度測定が行なわれる。勿論この
場合、過酸化水素濃度測定用の採取試料は、洗浄
槽から、アンモニア濃度測定用の採取試料と別途
並行に直接採取することも差し支えない。測定さ
れた過酸化水素濃度とアンモニテの濃度データ
は、あらかじめマイクロコンピユータ22に記憶
された洗浄液の濃度データと比較、参照される。
記憶データと実際の濃度の差から、あらかじめマ
イクロコンピユータ22に与えられたプログラム
に基づき、電磁弁制御部18に命令が下され、電
磁弁19,19′が開閉し、タンク20,21か
ら必要量だけの過酸化水素とアンモニアが洗浄槽
1に供給され、これにより洗浄液2の過酸化水素
およびアンモニアの濃度は常に一定範囲内の濃度
を保ち、安定したSiウエハの洗浄が行なわれる。
次に説明する。洗浄槽1には過酸化水素とアンモ
ニアと水から成る洗浄液2が満たされヒータ3で
加熱されており、Siウエハ4を洗浄している。洗
浄液2の一部を試料採取ポンプ5によりサンプリ
ングし、酸素濃度測定部6のフローセル7に送り
込み、このフローセル内の酸素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源8
と、その透過光の検出器9により吸光測定する。
フローセル7で紫外線吸収測定された洗浄液の採
取試料は、ポンプ10により、さらに酸素濃度測
定部11のフローセル12に送り込まれた後排出
口24から排出される。この排出の途中でポンプ
15により塩酸16を投入して水素イオン濃度が
4以下にされた洗浄液は、フローセル12に送り
込まれて、紫外線吸収測定をされ酸素濃度測定部
11から出力された値によつて過酸化水素濃度の
測定が行なわれる。一方この値と酸素濃度測定部
6の値は、共にインターフエイス17に送られ
る。送られた上記2測定値よりアンモニア濃度が
マイクロコンピユータ22で演算される。上記に
より、ほぼ同時刻の洗浄槽1内の過酸化水素およ
びアンモニアの濃度測定が行なわれる。勿論この
場合、過酸化水素濃度測定用の採取試料は、洗浄
槽から、アンモニア濃度測定用の採取試料と別途
並行に直接採取することも差し支えない。測定さ
れた過酸化水素濃度とアンモニテの濃度データ
は、あらかじめマイクロコンピユータ22に記憶
された洗浄液の濃度データと比較、参照される。
記憶データと実際の濃度の差から、あらかじめマ
イクロコンピユータ22に与えられたプログラム
に基づき、電磁弁制御部18に命令が下され、電
磁弁19,19′が開閉し、タンク20,21か
ら必要量だけの過酸化水素とアンモニアが洗浄槽
1に供給され、これにより洗浄液2の過酸化水素
およびアンモニアの濃度は常に一定範囲内の濃度
を保ち、安定したSiウエハの洗浄が行なわれる。
次に、上記実施例を使用して濃度調整を行なう
方法について第5図を参照しながら第6図を用い
て説明する。
方法について第5図を参照しながら第6図を用い
て説明する。
ステツプAでスタートすると、純水補給用ポン
プ25がONされる(ステツプB)。
プ25がONされる(ステツプB)。
洗浄槽1内の水位は液面センサ27で測定され
(ステツプC)、洗浄槽1内の水位が所定値である
かを判定(ステツプD)される。
(ステツプC)、洗浄槽1内の水位が所定値である
かを判定(ステツプD)される。
所定水位になると純水補給用のポンプ25が停
止されれ(ステツプE)、ヒータ3がON(ステツ
プF)され、洗浄液循環用のポンプ28がONさ
れ(ステツプG)、次いで過酸化水素とアンモニ
ア補給用電磁弁19,19′がt,t′時間開かれ
る(ステツプH)。次いで送液サンプリング用の
ポンプ5,10と塩酸送液用のポンプ15がON
される(ステツプI)。酸素濃度測定部6,11
で試料液の紫外線吸収量を測定し(ステツプJ)、
測定値に基づいて過酸化水素とアンモニア濃度が
算出される(ステツプK)。上記の算定濃度が目
標濃度範囲内であるか否かが判定される(ステツ
プL)。
止されれ(ステツプE)、ヒータ3がON(ステツ
プF)され、洗浄液循環用のポンプ28がONさ
れ(ステツプG)、次いで過酸化水素とアンモニ
ア補給用電磁弁19,19′がt,t′時間開かれ
る(ステツプH)。次いで送液サンプリング用の
ポンプ5,10と塩酸送液用のポンプ15がON
される(ステツプI)。酸素濃度測定部6,11
で試料液の紫外線吸収量を測定し(ステツプJ)、
測定値に基づいて過酸化水素とアンモニア濃度が
算出される(ステツプK)。上記の算定濃度が目
標濃度範囲内であるか否かが判定される(ステツ
プL)。
算出した過酸化水素とアンモニア濃度が目標値
から外れている場合、濃度が低すぎれば電磁弁1
9,19′を開いて過酸化水素とアンモニアを注
加すべき時間t,t′が算出され、濃度が高すぎれ
ばポンプ25を作動させて純水を注加すべき時間
t″が算定され(ステツプM,N)、実行される
(ステツプQ)。このようにして、洗浄液中の過酸
化水素とアンモニア濃度が制御され、洗浄液の液
温が設定範囲内かを判定し(ステツプR)、温度
計30による液温測定値が設定範囲内ならSiウエ
ハを一定時間洗浄する(ステツプS)。続けてSi
ウエハを洗浄する場合、洗浄液の組成と液温とを
もう一度測定した後、Siウエハを洗浄する(ステ
ツプJ〜ステツプS)。続けてSiウエハを洗浄し
ない場合、排液してIサイクルを終了する(ステ
ツプU,V)。
から外れている場合、濃度が低すぎれば電磁弁1
9,19′を開いて過酸化水素とアンモニアを注
加すべき時間t,t′が算出され、濃度が高すぎれ
ばポンプ25を作動させて純水を注加すべき時間
t″が算定され(ステツプM,N)、実行される
(ステツプQ)。このようにして、洗浄液中の過酸
化水素とアンモニア濃度が制御され、洗浄液の液
温が設定範囲内かを判定し(ステツプR)、温度
計30による液温測定値が設定範囲内ならSiウエ
ハを一定時間洗浄する(ステツプS)。続けてSi
ウエハを洗浄する場合、洗浄液の組成と液温とを
もう一度測定した後、Siウエハを洗浄する(ステ
ツプJ〜ステツプS)。続けてSiウエハを洗浄し
ない場合、排液してIサイクルを終了する(ステ
ツプU,V)。
以上詳述した通り本発明によれば、採取した洗
浄液と、水素イオン濃度を4以下にした洗浄水の
紫外線吸光度を測定し、水素イオン濃度4以下の
洗浄水の紫外線吸光度によつて過酸化水素の濃度
を測定すると共に、採取した洗浄液の紫外線吸光
度と水素イオン濃度が4以下の洗浄水の紫外線吸
光度との比によつてアンモニア濃度を測定し、マ
イクロコンピユータを用いて連続的にかつ自動的
に洗浄水の成分濃度を調整するようにしたので、
半導体工業で極めて広く使われている過酸化水素
とアンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素
成分とアンモニア成分の高精度で応答性に優れた
インラインモニタリングが可能となり、過酸化水
素の減少によるSiウエハの急激なエツチング防止
や過酸化水素とアンモニアの適量供給による洗浄
液の再生と寿命延長、洗浄の安定化を達成するこ
とができるなど優れた効果を有する。
浄液と、水素イオン濃度を4以下にした洗浄水の
紫外線吸光度を測定し、水素イオン濃度4以下の
洗浄水の紫外線吸光度によつて過酸化水素の濃度
を測定すると共に、採取した洗浄液の紫外線吸光
度と水素イオン濃度が4以下の洗浄水の紫外線吸
光度との比によつてアンモニア濃度を測定し、マ
イクロコンピユータを用いて連続的にかつ自動的
に洗浄水の成分濃度を調整するようにしたので、
半導体工業で極めて広く使われている過酸化水素
とアンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素
成分とアンモニア成分の高精度で応答性に優れた
インラインモニタリングが可能となり、過酸化水
素の減少によるSiウエハの急激なエツチング防止
や過酸化水素とアンモニアの適量供給による洗浄
液の再生と寿命延長、洗浄の安定化を達成するこ
とができるなど優れた効果を有する。
第1図は水溶液中の酸素濃度の測定原理を説明
するための過酸化水素による酸素とアンモニアの
紫外線波長に対する吸光度の変化を示すグラフ、
第2図は過酸化水素濃度の測定原理を説明するた
めの洗浄液におけるアンモニア濃度に対する水素
イオン濃度変化による紫外線吸光度の変化を示す
グラフ、第3図は洗浄液の採取試料に酸を添加
し、水素イオン濃度を4以下にしたときの紫外線
領域の吸光度と過酸化水素濃度の関係を示すグラ
フである。第4図は洗浄液の採取試料に酸を添加
しないときと酸を添加したときの紫外線領域の吸
光度の比とアンモニア濃度の関係を示すグラフ、
第5図及び第6図は本発明の一実施例であり、第
5図は洗浄液の濃度調整装置の構成図、第6図は
洗浄液の濃度調整方法を示すブロツク図である。 1…洗浄槽、2…洗浄液、5,10…採取用ポ
ンプ、6,11…酸素濃度測定部、8,13…紫
外線光源、7,12…透過光測定用フローセル
(フローセル)、9,14…紫外線検出器、17…
インターフエイス、22…マイクロコンピユー
タ、18…電磁弁制御部、19,19′…電磁弁、
20…過酸化水素タンク、21…アンモニア水タ
ンク。
するための過酸化水素による酸素とアンモニアの
紫外線波長に対する吸光度の変化を示すグラフ、
第2図は過酸化水素濃度の測定原理を説明するた
めの洗浄液におけるアンモニア濃度に対する水素
イオン濃度変化による紫外線吸光度の変化を示す
グラフ、第3図は洗浄液の採取試料に酸を添加
し、水素イオン濃度を4以下にしたときの紫外線
領域の吸光度と過酸化水素濃度の関係を示すグラ
フである。第4図は洗浄液の採取試料に酸を添加
しないときと酸を添加したときの紫外線領域の吸
光度の比とアンモニア濃度の関係を示すグラフ、
第5図及び第6図は本発明の一実施例であり、第
5図は洗浄液の濃度調整装置の構成図、第6図は
洗浄液の濃度調整方法を示すブロツク図である。 1…洗浄槽、2…洗浄液、5,10…採取用ポ
ンプ、6,11…酸素濃度測定部、8,13…紫
外線光源、7,12…透過光測定用フローセル
(フローセル)、9,14…紫外線検出器、17…
インターフエイス、22…マイクロコンピユー
タ、18…電磁弁制御部、19,19′…電磁弁、
20…過酸化水素タンク、21…アンモニア水タ
ンク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 過酸化水素、アンモニア及び水とから成る洗
浄液の過酸化水素とアンモニアの濃度調整方法に
おいて、採取した洗浄液を透過光測定用フローセ
ルに導き、紫外線光源によりこれを照射して紫外
線の吸光度を紫外線検出器で検出し、一方別のフ
ローセルに洗浄液の水素イオン濃度を4以下にし
た洗浄液を導き、紫外線光源によりこれを照射し
て紫外線の吸光度を紫外線検出器で検出し、上記
採取した洗浄液の紫外線吸光度と水素イオン濃度
を4以下にした洗浄液の紫外線吸光度の二つの検
出値をインターフエイスに入力し、このインター
フエイスに入力された二つの検出値にて採取され
た洗浄液中の過酸化水素濃度とアンモニア濃度と
をマイクロコンピユータで演算すると共に所定濃
度と比較し、過酸化水素及びアンモニアの供給源
より自動的に供給するようにした半導体洗浄液の
濃度調整方法。 2 過酸化水素、アンモニア及び水とから成る洗
浄液の過酸化水素とアンモニアの濃度を調整する
ための装置において、洗浄液を透過光フローセル
に導くための採取ポンプと、採取された洗浄液の
紫外線吸光度を検出するための紫外線光源、フロ
ーセル及び紫外線検出器を備えた酸素濃度測定部
と、採取された洗浄液の水素イオン濃度を4以下
にするための塩酸供給系と、水素イオン濃度を4
以下にした洗浄液の紫外線吸光度を検出するため
の紫外線光源、フローセル及び紫外線検出器を備
えた酸素濃度測定部と、採取された洗浄液及び水
素イオン濃度を4以下にした洗浄液の二つの紫外
線吸光度検出値によつて過酸化水素の濃度とアン
モニア濃度を演算すると共に記憶された所定濃度
と比較し過酸化水素とアンモニアを所定量供給す
るための電磁弁制御を行なう機能を有するマイク
ロコンピユータと、過酸化水素及びアンモニアの
供給系にそれぞれ設けられた電磁弁とから成る半
導体洗浄液の濃度調整装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12244385A JPS61281532A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12244385A JPS61281532A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61281532A JPS61281532A (ja) | 1986-12-11 |
JPH0528490B2 true JPH0528490B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=14835972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12244385A Granted JPS61281532A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61281532A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02722U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-05 | ||
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
JP3473063B2 (ja) | 1993-11-15 | 2003-12-02 | 松下電器産業株式会社 | シリコン基板の洗浄方法 |
JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
US5715173A (en) * | 1994-06-27 | 1998-02-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Concentration controlling method and a substate treating apparatus utilizing same |
JP2701760B2 (ja) * | 1994-11-14 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 薬液組成モニタ装置 |
JP3093975B2 (ja) * | 1996-07-02 | 2000-10-03 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離液管理装置 |
US6158447A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
DE19815039A1 (de) * | 1998-03-02 | 1999-09-16 | Mostafa Sabet | Verfahren zum Wechseln eines in einem Behandlungsbecken enthaltenen Behandlungsmediums und Anlage zur Ausführung des Verfahrens |
KR20000050397A (ko) * | 1999-01-08 | 2000-08-05 | 윤종용 | 반도체 세정액 농도 제어장치 및 방법 |
US6415803B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-07-09 | Z Cap, L.L.C. | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning with reuse of chemicals |
WO2003038386A2 (en) | 2001-10-08 | 2003-05-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Real-time component monitoring and replenishment system for multicomponent fluids |
JP2005230798A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-09-02 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 洗浄装置 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12244385A patent/JPS61281532A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61281532A (ja) | 1986-12-11 |
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