JPH03175341A - 半導体プロセス用薬剤の定量法および定量装置 - Google Patents

半導体プロセス用薬剤の定量法および定量装置

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JPH03175341A
JPH03175341A JP90232190A JP23219090A JPH03175341A JP H03175341 A JPH03175341 A JP H03175341A JP 90232190 A JP90232190 A JP 90232190A JP 23219090 A JP23219090 A JP 23219090A JP H03175341 A JPH03175341 A JP H03175341A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体プロセス用薬剤の定量法、より詳細
には、８００〜１４００ｎｍにおける近赤外吸収スペク
トルによる半導体プロセス用薬剤の定量法に関する。
従来の技術 半導体プロセス用薬剤水溶液の濃度を正確かつ簡単迅速
に測定することは半導体の分野において要請されている
課題である。
即ち、半導体の分野におけるシリコンウェハ洗浄工程や
フォトエツチング工程等で使用されている酸（硫酸、塩
酸、硝酸、フッ酸等）、アルカリ液（アンモニア水等）
および酸化還元物質（過酸化水素水等）等の処理液に関
しては、製品の歩留の向上、安全性や作業効率等の観点
から、該処理液の濃度分析と供給の自動化が要請されて
いる。
この場合、従来カシ滴定法、定電位電解法および酸化還
元電極やイオン選択性電極等の電極を利用した分析法が
使用されている。しかしながら、滴定法には短時間で測
定かできないという欠点かあり、定電位電解法には電極
表面の汚れや被検試料の温度変化等によって長時間にわ
たって安定した測定かできないという難点があり、さら
に電極分析法には測定濃度やｐＨを適正な範囲に調整し
なければならないたけてなく、標準添加を必要とすると
いう問題かある。
発明が解決しようとする課題 この発明は、従来法の上記諸問題を有さず、半導体プロ
セス用薬剤水溶液の濃度を正確かつ簡易迅速に測定でき
る方法を提供するためになされたものである。
課題を解決するための手段 即ちこの発明は、濃度が既知の半導体プロセス用薬剤水
溶液の８００〜１４００ｎｍにおける近赤外吸収スペク
トルを測定し、純水の８００〜１４００ｎｍにおける近
赤外吸収スペクトルとの間に有意差のある吸収帯を与え
る波長における吸光度を求め、該濃度と吸光度との関係
を回帰分析することによって得られる検量式（Ｉ）： Ｃ＝ΣαｉＡｉ　　　　　　（１） （式中、Ｃは半導体プロセス用薬剤の濃度を示し、Ａｉ
は該吸収帯を与える波長λｉにおける吸光度を示し、α
ｉは半導体プロセス用薬剤の種類、該吸収帯を与える波
長λｉおよび検量式（Ｉ）を誘導する際に使用する該波
長λｉの選択数によって定まる定数を示す） を使用することを特徴とする半導体プロセス用薬剤の定
量法に関する。
上記の定量法は、従来から一般的に利用されている、い
わゆる赤外特性吸収から試料濃度を定量する方法とは本
質的に相違する。
無機電解質（酸、アルカリ、塩類等）は水溶液中では正
負のイオンに解離し、正イオンの周囲には水の双極性の
負側か配向し、負イオンの周囲には水の双極子の正側が
配向する（イオン水和）。イオン水和によって生ずるイ
オン近傍の水分子とバルクの水分子との間の水素結合の
切断や歪、イオンの電場による水分子の分極の変化等に
よって、水分子自身の結合状態や水素結合した水分子同
志の結合状態か影響を受けるので、その近赤外吸収スペ
クトルは純水の場合とは異なったものとなる。
換言すれば、水の近赤外吸収スペクトルがイオン水和に
よって変化し、この変化の度合を追跡することによって
間接的にイオン種の濃度の定量が可能となる。従って、
イオン種自体かいわゆる赤外特性吸収を示す必要はない
。
このため、各イオン種は固有の近赤外吸収スペクトルを
与えるので、混合イオン種を含有する試料の定量も可能
である。
上記の検量式（１）を誘導するためには、半導体プロセ
ス用薬剤含有水溶液の８００〜１４００ｎｍにおける近
赤外吸収スペクトルと純水の８００〜１４００ｎｆｆｌ
における近赤外吸収スペクトルとを比較し、両者間に顕
著な有意差のある吸収帯を与える波長を選定しなければ
ならない。このためには、比較的高濃度の試料水溶液の
近赤外吸収スペクトルから、該水溶液に含まれる純水の
含有量に相当する純水の近赤外吸収スペクトルを差し引
いたスペクトル（以下、このようなスペクトルを差スぺ
クトルという）を求めるのか便利である。差スペクトル
は溶質のスペクトルおよび溶質と水との相互作用に起因
するスペクトルとの和と考えることかできるので、差ス
ペクトルを検討することによって、特徴的な差スペクト
ルを与える波長の選定が容易になる。
このような波長は、水の特性吸収帯が顕著にあられれる
近赤外域において、特定成分の濃度変化に対してスペク
トルの変動が大きく、他成分の妨害や干渉の影響が少な
い波長の中から選定される。
波長の選定数は被検液成分の種類、有意差のある吸収波
長の数、試料や測定機器の変動因子、測定精度等を考慮
して決定する。水の吸収帯の内で少な（とも３波長を選
定することが望ましい。通常サンプル中の変動する主要
成分数＋数個選定する。この場合、実際上人手可能な干
渉フィルターの半値幅内に入る互いに近接した波長の選
択は避けるべきである。
水の特性吸収帯としては０．９６μｍ帯、１．１５μｍ
帯、１．４３μｍ帯、１．９３μｍ帯があり、そのスペ
クトルはそれぞれの帯域で３つのピークをもつ波形の合
成したスペクトルを形成している。
夫々の吸収帯域の範囲は明確でないが、本発明では８０
０〜１４００ｎｍの間で選定すればよい。
混合系サンプル中の複数成分の同時定量においては、理
想的には、個々の成分に専用の最適な波長の組を使用す
るのがよいが、その場合は、分光器の干渉フィルターの
枚数が多くなり過ぎて実用性が失われる。このために、
実用的には、各成分に対して、同じ波長の組を使用する
。
次いで、濃度が既知の標準試料の８００〜１４００ｎｍ
における近赤外吸収スペクトルを測定し、上記のように
して選定された波長における吸光度を求め、該濃度と吸
光度との関係を回帰分析する。
即ち、定量精度を評価関数として、標準試料による検量
線の作成および濃度既知の検証試料による該検量線の実
用精度の検証を繰返し、最良精度の得られる検量線と選
定波長の組を探索し、決定する。
以上のようにして検量式（Ｉ）が得られる。
Ｃ−ΣαｉＡｉ　　　　　　（１） 式中、Ｃは半導体プロセス用薬剤の濃度を示し、Ａｉは
前記の有意差のある吸収帯を与える波長λｉにおける吸
光度を示し、αｉは半導体プロセス用薬剤の種類、該波
長λｉおよび検量式（１）を誘導する際に使用する該波
長λｉの選択数によって定まる定数を示す。なお試料に
よっては、検量式（■）に補正項を導入してもよい（実
施例４参照）。
従って、濃度が未知の試料水溶液の８００〜１４００ｎ
ｍにおける近赤外吸収スペクトルを測定し、波長λｉに
おける吸収帯の吸光度を求め、これを検量式（Ｉ）に代
入することによって、試料溶液の濃度を簡易迅速に精度
よ（算出することができる。
それぞれの半導体プロセス用薬剤についての検量式を求
めておくことにより、複数の半導体プロセス用薬剤の測
定ができる。例えば半導体分野で用いられる硫酸↓過酸
化水素、塩酸＋過酸化水素、アンモニア＋過酸化水素、
硝酸＋塩酸、フッ酸、フッ酸↓フッ化アンモニウム、次
亜塩素酸ナトリウム等の濃度測定ができる。
次に、上記の定量法を実施するのに好適な分析装置につ
いて説明する。
第１図はこのような装置の一態様を示す模式的な構成図
である。
第１図に示す定量装置は、光源（１）、光源（１）から
の放射光を反射させる凹面反射鏡（２）、凹面反射鏡（
２）からの反射光を集光させるスリット（３）、スリｙ
ｈ（３）からの放射光を反射させる平面反射鏡（４）、
平面反射鏡（４）からの反射光をセル（６）へ集光させ
る凹面反射鏡（５）、セル（６）からの放射光を反射さ
せる凹面反射鏡（７）、凹面反射鏡（７）からの反射光
を反射させる平面反射鏡（８）、所定波長の光のみを通
過させる干渉フィルター（９）を備えた回転ディスク（
１０）、干渉フィルター（９）で集光される平面反射鏡
（８）からの反射光を反射させる凹面反射鏡（１１）お
よび凹面反射鏡（１１）からの反射光を集光する検出器
（１２）を具備する。
光＃（１）、例えばタングステン・ハロゲンランプ光源
からの放射光は凹面反射鏡（２）によってスリ７ト（３
）上に結像させ、スリ、トの位置を点光源とする。スリ
ット（３）を通過した光ビームは、平面反射鏡（４）と
凹面反射鏡（５）を経て、光源部側窓（１３）を通して
セル（６）の位置に集光させ、セル（６）を通過した光
ビームは、検出部側窓（１４）を通し、凹面反射鏡（７
）と平面反射鏡（８）を経て、回転ディスク（１０）に
設置した干渉フィルター（９）に収束させる。
光源部側窓（１３）および検出部側窓（１４）はセル雰
囲気と隔離するために、通常は溶融石英製にする。セル
（６）は通常、溶融石英ガラス製のフローセルを使用し
、該セルはサンプリングライン（図示せず）に接続され
、試料は一定の流速でセル内へ流入させ、測定後はセル
から流出させる。セル（６）の厚さは、水の吸収（吸光
度）を基準にとると、近赤外域での最適セル厚として１
ｍｍ〜１０ｍｍオータとなる。このことは、セルの汚れ
や詰りおよびそのクリーニングの観点からは好都合であ
る。羊渉フィルター（９）は特定波長のみを通過させる
狭帯域のバンドパスフィルターであり、回転ディスク（
１０）には予め選定された数、例えば６枚の干渉フィル
ターが配設され、回転ディスクの回転に伴って、特定の
波長のみを通過させる干渉フィルターに順次切り替えら
れる。
干渉フィルター（９）を通過した特定波長λｌの光ビー
ムは凹面反射鏡（１１）を経て、検出器（１２）に集光
される。検出器（１２）としては、Ｇｅ検出器を使用す
るのが便利である。特定波長λｉに対応する検出器（１
２）からの信号は、暗電流補正とブランク補正をおこな
った後、透過率に換算され、次いで、検量式（１、）に
おける吸光度Ａｉに変換される。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１ アンモニア・過酸化水素の定量 アンモニア・過酸化水素混合水溶液は、ンリコン表面を
エツチングして除去する代表的なアルカリ系洗浄液であ
る。過酸化水素は溶解作用を抑制する酸化剤として用い
られる。その洗浄効果は、混合比率、　Ｎ　Ｈ４０Ｈ＋
　Ｈ２０ｖ　＋　Ｈｔ　Ｏ＝　１　：　２°１３の場合
、８０’Ｃ１０分の浸漬処理で１μｍ径の粒子の除去率
９５〜９８％が得られる。この洗浄液は高温に加熱して
使用していると、アンモニアの揮散、過酸化水素の分解
が激しく、２０分足らずで濃度が５０％まで減少し洗浄
効果も低下する。
従って、−度調製した液を何回も繰返して使用すること
はてきない。通常、３０〜４０分経過したら液を更新す
るが、消耗した量だけ補充して使用時間をのばすことも
行われている。このような理由で、洗浄液の混合比率や
経時変化をモニターし一定水準の薬液効果を保持、管理
することが要望されている。
試料の調製 定量のため検量式を作成し、その実用性を検証するため
に、標準サンプルと検証サンプルを実際の半導体洗浄工
程で使用される濃度範囲に調製した。希硫酸によるｐＨ
滴定で濃度を確認したアンモニア水溶液（濃度２１．６
５％）をチオ硫酸ナトリウム滴定法で濃度を確認した過
酸化水素水母液（濃ｖｓ４９ｓ％）を重量％て希釈し、
それぞれのＪＶ範囲を０〜３％、０〜１０％にわたって
分布するように、かつ成分比率のことなる１８種類の標
準サンプル、および検量式の検証に１８種類調製した。
検量式の誘導 前述の検量式誘導の手順に従って、下記の検量式を得た
： ・ＮＨ，ＯＨに対して Ｃ−−１７，７５Ａ、＋３．５０Ａ、＋０．６１Ａ３１
１．９１Ａ、−１９，５０Ａ５−４５．０６Ａ。
・Ｈ２Ｏ，に対して Ｃ＝４０．２４Ａ、−４−８２，３３Ａ、−１９，６１
Ａ３−８０．１８Ａ、＋１０．２ＯＡ、−３２，９８８ 上記の検量式において、Ａ、〜Ａ６は純水の近赤外吸収
スペクトルに対して有意差のある吸収帯に対応する波長
λｉ〜λ６における吸光度を示す。
この場合、これらの波長は前述の差スペクトルを検討す
ることによって選定した。
即ち、第８図（ＨＸ○、のａ度を１．５％とし、ＮＨ，
ＯＨのａｉを２〜４％に変化させた近赤外吸収スペクト
ル）または第９図（ＮＨ，ＯＨの濃度を７，５％とし、
Ｈ，Ｏ，の濃度を０〜２４．２％に変化させた近赤外吸
収スペクトル）に基づいてＮｌ（、ＯＨまたはＨ，０２
の差スペクトルを求め、特徴的な差スペクトルを与える
次の波長を選定した。
・ＮＨ，ＯＨに対して λｉ１−９８０ｎ、λ−−１０８０％ｍ、λ３＝１１５
０　ｎｍ、λ４４−１２００ｎ、λｓ＝　１２５０％ｍ
、λ８−１００ｎｍ ・Ｈ２Ｏ，に対して λ、−１０５０％ｍ、λ−＝　１０６６％ｍ、λ３＝１
０７０ｎｍ、λ−＝１１４６％ｍ、λ−−１１９１ｎｍ
、λ８−２１４ｎｍ 検量式の精度および検証サンプルによる評価における標
準エラーＳｅ（％）および回帰決定係数Ｒ”は次の通り
である （検量式の精度） ・Ｎ　Ｈ４０Ｈに対して ５ｅ＝０．０１８％、Ｒ’＝０．９９９９・Ｈｘ　Ｏ２
に対して ５ｅ＝０．０１２％、Ｒ’＝０．９９９９（検証サンプ
ルによる評価） ・ＮＨ，ＯＨに対して ５ｅ＝０．０１８％、Ｒ’＝０．９９９９・Ｈ，Ｏ，に
対して ５ｅ−０，０１７％、Ｒ’＝０．９９９９試料の参照濃
度値を検量式による推定値を表１並びに第２図（ＮＨ，
ＯＨ）および第３図（Ｈ、Ｏ、）に示す。
表 実施例２ 塩酸・過酸化水素の定量 塩酸・過酸化水素溶液（ＨＣＱ、＋　Ｈ２０、＋　Ｈ２
０＝１：１：５）は、シリコンウエノ１の重金属の洗浄
の代表的な洗浄液である。
試料の調製 定量のため検量式を作成し、その実用精度を検証するた
めに、標準サンプルと検証サンプルを実際の半導体洗浄
工程で使用される濃度範囲に調製した。
水酸化ナトリウム滴定法で濃度を確認した塩酸母液（濃
度３５．４％）とチオ硫酸ナトリウム滴定法でａ度を確
認した過酸化水素水母液濃度（３４９５％）を重量％で
希釈し、それぞれの濃度範囲を１０〜Ｏ％、１０〜０％
にわたって分布するように、かつ成分比率の異なる２４
種類の標準サンプル、および検証サンプル２２種類調製
した。
検量式の誘導 セル厚１０ｍｍの最適波長域８００〜１４００ｎｍから
６波長の組を選択する。その理由は、サンプルは塩酸、
過酸化水素水および水の３成分の混合系であり、温度変
動および機器の変動要因を考慮して６７１長組の検量式
を選択した。なお、塩酸、過酸化水素水濃度の同時定量
のために、同じ６波長の組を使用する。
前述の検量式誘導の手順に従って、下記の検量式を得た
。
・ＨＣＣに対して Ｃ＝２３．０９Ａ、＋６２．２５Ａ２−９６．４１Ａ３
＋０８．９ＯＡ４１２９．０Ａ５＋８５．７Ａ−・Ｒ２
０，に対して Ｃ−−３，２１Ａ、＋３３．６４Ａ、＋９７．２２Ａ３
−１１２Ａ、＋８８．０２Ａ、−１１２，７Ａ。
上記の検量式において、Ａｉ〜八〇は純水の近赤外吸収
スペクトルに対して有意差のある吸収帯に対応する波長
λｉ〜λ。における吸光度を示す。この場合、これらの
波長としては、実施例１の場合に準拠して、差スペクト
ル法によって次の値を選定した。
λｉ＝９８０ｎｍ、λ−−１０４０ｎｍ、λ３＝１１４
５　ｎｍ、λ４−１１９０ｎｍ、λ５＝　１２３０ｎｍ
、λ８＝１３００　ｎｍ ５ｅ（％）およびＲ２は次の通りである（検量式の精度
） ・ＨＣＣに対して ５ｅ＝０．０６％、Ｒ２＝０．９９９８・Ｒ２０，に対
して ５ｅ＝０．１０％、Ｒ’＝０．９９９６（検証サンプル
による評価） ・ＨＣＱに対して ５ｅ＝０．０７％、Ｒ’＝０．９９９８・Ｈ２Ｏ，に対
して ５ｅ＝Ｏ，’１３％、Ｒ”＝０．９９９４試料の参照濃
度値と検量式による推定値を表２並びに第４図（ＨＣｆ
ｆ）および第５図（Ｈ、Ｏりに示す。
表−２ 実施例３ 硫酸・過酸化水素の定量 塩酸・過酸化水素溶液と同様にシリコンウェハの重金属
の洗浄液である。汚染金属原子を酸化してイオンにかえ
液中へ溶解する。
試料の調製 定量のための検量式を作成し、その実用性を検証するた
めに、標準サンプルと検証サンプルを実際の半導体洗浄
工程で使用される濃度範囲に調製した。
水酸化ナトリウム中和滴定法で濃度を確認した硫酸母液
（濃度９７％）とチオ硫酸ナトリウム滴定法で濃度を確
認した過酸化水素水母液（ａ度３４９５％）を重量％で
希釈し、それぞれの濃度範囲を０〜９７％、Ｏ〜３４．
９５％にわたって分布するように、かつ成分比率の異な
る３０種類の標準サンプルおよび検証サンプル３０種類
を調製した。
検量式の誘導 ３成分混合系であり、実施例１と同様に８００〜１４０
０ｎｍから６波長を選択した。
前述の検量式誘導の手順に従って、下記の検量式を得た
： ・Ｈ，ＳＯ４に対して Ｃ＝　１８．１４Ａ、＋５０．３１Ａ、−４８，２１Ａ
３＋１０２．３Ａ、−１５０，ＯＡ、＋５３．２Ａ。
・Ｈ２Ｏ，に対して Ｃ−−１０，１０Ａ、＋４０．２１Ａ、＋３８．２６Ａ
、−１３０，ＯＡ、＋７０．２６Ａ５−１３０．２八〇 上記の検量式において、Ａ、〜Ａｌｌは純水の近赤外吸
収スペクトルに対して有意差のある吸収帯に対応する波
長λｉ〜λ８における吸光度を示す。
この場合、これらの波長は前述の差スペクトルを検討す
ることによって選定した。
即チ、第１０図（ＨｌＯｆの濃度を７．７％とし、Ｈ，
ＳＯ，の濃度をＯ〜７２．８％に変化させた近赤外吸収
スペクトル）または第１１図（Ｈ，Ｓｏ、の濃度を６５
％とし１．、Ｕ　、、Ｏ、の濃度を０−１０．２％に変
化させた近赤外吸収スペクトル）に基づいてＨ，Ｓｏ、
またはＲ２０，の差スペクトルを求め、特徴的な差スペ
クトルを与える次の波長を選定した： λｌ＝９８０ｎｍ、λ−−１０４０ｎｍ、λ３＝１１４
５　ｎｍ、λ−＝　１１９０％ｍ、λ５＝　１２３０％
ｍ、λ６−１００ｎｍ Ｓｅ（％）およびＲ２は次の通りである：（検量式の精
度） ・Ｈ，Ｓｏ、に対して ５ｅ＝０．１５％、Ｒ”−０，９９９９７・Ｈ，Ｏ，に
対して ５ｅ＝０．１８％、Ｒ’＝０．９９９５（検証サンプル
による評（ｉｌＩｉ） ・Ｈ，Ｓｏ、に対して ５ｅ＝０．２９％、Ｒ”＝０．９９９８９・Ｈ，Ｏ，に
対して ５ｅ＝０．２０％、Ｒ２＝０．９９９４試料の参照濃度
値と検量式による推定値を表３並びに第６図（Ｈ，Ｓｏ
、）および第７図（Ｈ，○、）に示す。
実施例４ 次亜塩素酸ナトリウムの定量 試料の調製 分析対象はＮａＣρ０水溶液中のＣＱＯ−濃度であるが
、共存するイオン種、Ｎａ”　、ＣＱ−、ＣＯ３−０Ｈ
−の妨害、干渉を考慮して、陰陽イオン対の組み合せで
濃度を変化させ１３種類のサンプルを調製した。ＣＱＯ
−濃度については、ＮａＣｌ２０水溶液に過剰の酢酸お
よび等量以上の沃化カリウムを添加して十分に反応させ
た後、チオ硫酸ナトリウムを用いて滴定することによっ
て濃度を確認した。共存イオンの濃度は電気化学法で分
析した。
検量式の誘導 前述の検量式誘導の手順に従って、下記の検量式を得た
。
Ｃ＝２０．０７Ａ、＋１６３４Ａ−−８４９，ＯＡ、−
７７０，２Ａ、−４３０，９Ａ５＋１０３．３Ａ、＋３
８８．７ この検量式において、Ａｉ〜八〇は純水の近赤外吸収ス
ペクトルに対して有意差のある吸収帯に対応する波長λ
ｉ〜λ、における吸光度を示す。この場合、これらの波
長としては次の値を選定した。
λｉ＝　１００５ｎｍ、λ−＝１１４３ｎｍ、λ３−１
１６７　ｎｍ、λ４＝　１２５５ｎｍ、λ、＝　１３０
０ｎｍ、λ。
３５０ｎｍ Ｓｅ（％）およびＲ２は次の通りである：（検量式の精
度） ｓｅ＝ｏ、０８９％、Ｒ’＝０．９９９８試料の参照濃
度値と検量式による推定値を表４および第８図に示す。
表 発明の効果 この発明によれば、従来から有機化合物の定性定量に利
用されている赤外特性吸収を示さない無機電解質である
半導体プロセス用薬剤の濃度を、イオン水和に起因する
近赤外吸収スペクトルの測定によって、安全に、正確か
つ簡易迅速に定量することかできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による定量法を実施するために好適な
定量装置の一態様を示す模式的な構成図である。 第２図〜第７図および第１２図は種々の試料についての
参照濃度値と検量式による推定値との相関関係を示すグ
ラフである。 第８図および第９図はＮＨ，０Ｈ−Ｈ，Ｏ，−Ｈ，０系
近赤外吸収スペクトルである。 第１０図および第１１図はＨｔＳＯ，−ＨｔＯ。 Ｈ，Ｏ系近赤外吸収スペクトルである。 第１図において、（１）は光源、（３）はスリット、（
６）はセル、（９）は干渉フィルター、（１２）は検出
器、（２）、（５）、（７）および（１（４）および（
８）は平面鏡を示す。 ■）は凹面鏡、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、濃度が既知の半導体プロセス用薬剤水溶液の８００
    〜１４００ｎｍにおける近赤外吸収スペクトルを測定し
    、純水の８００〜１４００ｎｍにおける近赤外吸収スペ
    クトルとの間に有意差のある吸収帯を与える波長におけ
    る吸光度を求め、該濃度と吸光度との関係を回帰分析す
    ることによって得られる検量式（ I ）： Ｃ＝ΣαｉＡｉ（ I ） （式中、Ｃは半導体プロセス用薬剤の濃度を示し、Ａｉ
    は該吸収帯を与える波長λｉにおける吸光度を示し、α
    ｉは半導体プロセス用薬剤の種類、該吸収帯を与える波
    長λｉおよび検量式（ I ）を誘導する際に使用する該
    波長λｉの選択数によって定まる定数を示す） を使用することを特徴とする半導体プロセス用薬剤の定
    量法。 ２、半導体プロセス用薬剤が、アンモニアと過酸化水素
    の混合物、塩酸と過酸化水素の混合物、硫酸と過酸化水
    素の混合物、フッ酸、塩酸と硝酸の混合物、フッ酸とフ
    ッ化アンモニウムおよび次亜塩素酸ナトリウムの混合物
    から成る群から選択される薬剤である請求項１記載の定
    量法。 ３、光源（１）、光源（１）からの放射光を反射させる
    凹面反射鏡（２）、凹面反射鏡（２）からの反射光を集
    光させるスリット（３）、スリット（３）からの放射光
    を反射させる平面反射鏡（４）、平面反射鏡（４）から
    の反射光をセル（６）へ集光させる凹面反射鏡（５）、
    セル（６）からの放射光を反射させる凹面反射鏡（７）
    、凹面反射鏡（７）からの反射光を反射させる平面反射
    鏡（８）、所定波長の光のみを通過させる干渉フィルタ
    ー（９）を備えた回転ディスク（１０）、干渉フィルタ
    ー（９）で集光される平面反射鏡（８）からの反射光を
    反射させる凹面反射鏡（１１）および凹面反射鏡（１１
    ）からの反射光を集光する検出器（１２）を具備する半
    導体プロセス用薬剤の定量装置。
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