KR0158691B1 - 반도체 가공용 화학약품의 정량 측정 방법 및 이를 위한 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 800~1400㎚에서의 근적외선 분광 분석법에 의한 반도체 가공용 약품의 정량적 측정 방법과 상기 장치의 실행에 채택되는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따라서, 약품의 수용액의 농도를 종래 방법의 결함이 없이 측정할 수 있다.
Description
제1도는 본 발명 방법의 실시에 채택되는 장치를 도식적으로 나타내며,
제2도 내지 제7도는 여러 시료의 참조 농도와 검정 공식(I)을 이용하여 얻은 시료의 추정 농도 사이의 상관 관계를 보여주는 그래프이며,
제8 및 제9도는 NH4OH-H2O2-H2O계의 근적외선 스펙트럼이며,
제10 및 제11도는 H2SO4-H2O2-H2O계의 근적외선 스펙트럼이다.
본 발명은 반도체 가공용 화학약품의 정량 측정법 및 더욱 상세하게는, 800~1400㎚에서 근적외선 분광 분석법에 의한 화학약품의 정량 분석 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 분야에서, 정확하고 용이하고 신속한 방법으로 반도체 가공용 화학약품의 수용액의 농도를 측정하는 것은 해결해야 할 과제이다.
실리콘 웨이퍼의 세척 공정, 포토에칭 공정 등에 사용되는 산(황산, 염산, 질산, 불화수소산 등), 알칼리 용액(암모늄 수용액 등), 산환 물질의 용액(과산화수소 수용액 등)등의 화학약품을 처리함에 있어서, 생산성 증대, 안정성, 작업 효율성 등의 관점에서 처리용 화학약품의 화학적 분석 및 공급의 자동화가 요구된다.
이제까지는, 적정법, 일정 전위에서의 전기 분해법과 산환 전극, 이온 선택성 전극 등의 전극을 사용하는 분석법이 이 목적에 사용되고 있다.
그러나, 적정법으로는 농도를 단시간 내에 측정할 수 없고, 전기분해법에 의해서는 전극의 표면이 오염되고 측정할 시료의 온도가 측정 동안에 변하기 때문에 장기간 안정된 측정을 수행할 수 없으며, 상기 방법에서는 시료의 농도 및 pH를 적당한 범위 내로 조절해야 할 뿐 아니라 시료에 표준 물질을 첨가할 것이 필요하다.
본 발명의 필수적 목적은 종래 방법들의 상기 단점들 없이 반도체 가공용 화학약품의 수용액의 농도를 정확하고 용이하게 및 신속하게 측정하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라서, 농도를 아는 화학약품의 수용액의 800~1400㎚에서의 근적외선 스펙트럼을 측정하고, 800~1400㎚에서 순수(pure water)의 근적외선 스펙트럼과 상기 스펙트럼 사이의 흡수띠에 상당한 차이가 있는 파장에서의 흡광도를 구하고, 상기 농도와 흡광도 사이의 관계의 회귀(regression) 분석으로부터 하기 검정 공식(I)을 유도하고, 하기 공식(I)을 사용하여 화학약품 시료의 농도를 측정하는 것으로 이루어지는, 반도체 가공용 화학약품의 농도를 측정하기 위한 정량 방법이 제공된다.
(상기 식에서 C는 화학약품 시료의 농도이며, Ai는 상기 흡수띠가 생기는 λi에서의 흡광도이며, αi는 검정 곡선을 유도하기 위해 사용되는 화학약품의 종류, λi및λi의 수에 의해 결정되는 상수이다.)
상기 정량 방법은 특징적 적외선 흡수를 토대로 하여 시료 농도를 측정하는 이제까지 보통 사용되어 온 정량 방법과는 본질적으로 다르다.
산, 알칼리, 염 등의 무기 전해질들은 그 수용액 내에서 양이온과 음이온으로 분리된다. 물 쌍극자의 음(Negative) 쪽은 양이온 주위로 배향하고 물쌍극자의 양(positive)쪽은 음이온 주위로 배향한다(이온성 수화). 물분자 자체의 결합 상태와 수소-결합된 물분자 사이의 결합 상태는, 이온성 수화에 의해 형성된 이온 가까이의 물분자와 덩어리 상태의 물분자 사이의 수소 결합의 분리 및 당김(strain) 뿐만 아니라 이온성 전기장에 의한 물분자의 극성 변화에 영향을 받는다. 따라서, 무기 전해질의 수용액 내에서 물의 근적외선 스펙트럼은 순수의 그것과 다르다.
달리 말하면, 물의 근적외선 스펙트럼은 이온선 수화에 의해 변하므로, 스펙트럼 변화의 정도를 조사하는 것으로써 이온 종류의 농도를 간접적으로 측정하는 것을 불가능하다. 따라서, 이온 종류의 특징적 적외선 스펙트럼은 본 정량 측정에는 필요치 않다.
따라서, 각 이온 종류들은 고유의 근적외선 스펙트럼을 가지므로 혼합된 이온 종류들을 함유하는 시료 내에서 각 이온 종류의 농도를 측정하는 것이 가능하다.
상기 검정 공식 (I)을 유도하기 위하여, 반도체 가공용 화학약품의 수용액의 근적외선 스펙트럼 (800~1400 ㎚)을 순수의 그것과 비교하고 양자 사이의 흡수띠에 현저한 차이가 있는 파장을 선택하는 것이 필요하다. 이를 위하여, 농도가 비교적 높은 화학약품의 수용액에 함유된 순수의 근적외선 스펙트럼을 수용액의 그것으로부터 빼서 얻어진 차이 스펙트럼을 이용하는 것이 편리하다. 이 차이 스펙트럼은 용질의 스펙트럼과 용질과 물의 상호 작용에 기인한 스펙트럼의 합으로 간주된다. 따라서, 차이 스펙트럼을 조사함으로써 특징적 스펙트럼 차이가 생기는 파장을 쉽게 선택할 수 있다.
이들 파장은 특정 성분의 농도 변화에 따라 스펙트럼이 현격한 변화를 일으키고 다른 성분의 간섭 또는 방해에 스펙트럼이 큰 영향을 받지 않는 것들로부터 선택되며, 상기 파장은 물의 특징적 띠가 현저히 우세한 근적외선 지역 내에 있다.
선택되는 파장의 수는 시료 용액 내에 함유된 성분의 종류, 흡수띠에 상당한 차이가 발견되는 파장의 수, 시료 및 측정 장치의 다양한 인자, 측정 정확도 등을 고려하여 결정한다. 바람직하게는, 물의 특징적 띠의 영역에서 적어도 3개의 파장을 선택해야 한다. 보통 선택 파장의 수는 시료 내에서 가변적인 주성분의 수와 추가 파장수의 합이다. 실용화 되고 있는 간섭 필터의 ½ 나비 범위 내의 근접한 파장들은 선택하지 않아야 한다.
물의 특징적 띠로서, 0.96㎛띠, 1.43㎛띠, 및 1.93㎛띠가 있다. 이 스펙트럼은 각 띠 지역 내에 3개의 피크를 갖는 띠 모양이 복합된 것이다. 각 띠 영역 내의 한계가 명확하지 않더라도, 본 발명에서 파장은 800㎚~1400㎚ 범위 내에서 선택된다.
혼합 시료 내에 함유된 다수 성분의 동시적 측정의 경우, 각 성분에 대한 유일한 최적 조(set)의 파장을 사용하는 것이 이상적이다. 그러나, 이러한 조의 조합은 분광 분석기에 많은 간섭 필터가 필요 되기 때문에 비실용적이다. 필터 장치의 고안을 단순화하기 위하여, 같은 조의 파장을 각 성분에 적용한다.
결과적으로, 농도를 알고 있는 기준 시료의 근적외선 스펙트럼을 800~1400㎚에서 측정하고, 상기한 바와 같이 선택한 파장에서의 흡광도를 측정하고, 상기 농도와 흡광도 사이의 관계를 희귀 분석에 의해 구한다.
달리 말하면, 평가 기능이 정량적 정확도인 검정 곡선을 검정조의 시료를 이용하여 작성하고, 상기 검정 곡선의 성능을 농도를 아는 확인조의 시료를 이용하여 확인하고, 상기 검정 곡선의 작성과 상기 성능 확인을 반복함으로써 정확도가 최고인 검정 곡선과 선택 파장의 조를 찾고 결정한다.
상기 방법에 따라서, 검정 공식 (I)을 구할 수 있다 :
상기 식에서 C는 반도체 가공용 화학약품의 농도이며, Ai는 상기한 흡수띠의 상당한 차이가 있는 λi에서의 흡광도이며, αi는 검정 공식(I) 유도를 위해 사용되는 화학약품의 종류, λi및λi의 수에 의해 결정되는 상수이다. 시료에 따라서 보정항을 검정 공식(I)에 도입할 수 있다.(실시예 4 참고).
그러므로 농도를 모르는 시료 용액의 근적외선 스펙트럼을 800~1400㎚에서 측정하고 검정곡선(I)의 Ai에 대해λi에서의흡수띠의 흡광도를 대치함으로써 시료 용액의 농도를 정확하고 용이하게 및 신속하게 예측할 수 있다.
반도체 가공용의 다수의 화학약품의 측정은 시료 용액의 각 성분에 대하여 검정 공식을 구함으로써 수행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 분야에 사용되는 하기 혼합 시료의 각 성분의 농도이다 : H2SO4-H2O2, HCI-H2O2, NH3-H2O2, HNO3-HCI, HF-NH4F.
본 발명의 상기 정량방법의 실시에 채택되는 분석 장치를 첨부의 도면을 참고로 하여 자세히 설명한다.
제1도는 장치의 구형양태를 도식적으로 보여 준다. 제1도의 정량적 장치는 광원(1), 광원(1)으로부터 방출되는 빛을 반사하는 오목 반사거울(2), 오목 반사거울(2)로부터 반사된 빛을 모으는 슬릿(3), 슬릿(3)으로부터 방출된 빛을 반사하는 평면 반사거울(4), 평면 반사거울(4)로부터 반사된 빛을 모으는 오목 반사거울(5), 셀(6)에서 나온 빛을 반사하는 오목 반사거울(7), 오목 반사거울(7)로부터 나온 빛을 반사하는 평면 반사거울(8), 고정 파장의 빛만이 통과하는 간섭 필터(9)가 구비된 회전 가능한 디스크(10), 간섭 필터(9)에 의해 모아진 평면 반사거울(8)로부터 반사된 빛을 반사하는 오목 반사거울(11) 및, 오목 반사거울(11)로부터 반사된 빛을 모으는 검출기(12)로 이루어진다.
텅스텐-할로겐 램프와 같은 광원(1)으로부터 방출된 빛은 슬릿(3)에 초점 맞추어지며, 슬릿의 위치는 빛의 점원(point source)이다. 슬릿(3)을 통과한 광선은 평면 반사거울(4) 및 오목 반사거울(5)을 경유하여 광원부의 사이드 윈도우(13)를 통해 셀(6)의 위치에 수집된다. 셀(6)을 통과한 광선을 오목 반사거울(7) 및 평면 반사거울(8)을 경유하여 검출부의 사이드 윈도우(14)를 통해 회전 가능한 디스크(10)상에 위치한 간섭 필터(9)에 수렴된다.
사이드 윈도우(13 및 14)는 통상적으로 셀 부분의 환경으로부터 분리시키기 위하여 용융 석영으로 제조된다. 셀(6)로서 통상적으로 용융 석영으로 제조된 플로우 셀을 사용하며, 상기 셀은 샘플 채취 라인(미기재)에 연결된다. 샘플은 일정 속도로 셀 속에 흘러 들어가고 측정 후에 셀로부터 흘러나온다. 근적외선 지역 내 셀(6)의 최적 경로 길이는 물의 흡광도를 토대로 하여 1~10㎜ 정도이다. 셀의 오염, 막힘 및 세척의 관점에서 볼 때 상기 경로 길이 정도가 바람직하다.
간섭 필터(9)는 특정 파장을 갖는 빛만이 통과할 수 있는 좁은 대역(bandpass) 필터이다. 미리 선택된 수(예 : 6)의 간섭 필터를 회전 가능한 디스크(10)상에 분포시키며 회전 가능한 디스크의 회전과 함께 연속적으로 변화시킨다.
간섭 필터(9)를 통과한 특정 파장(λi)을 갖는 광선은 오목 반사거울(11)을 경유하여 검출기(12)에 수집된다. 검출기(12)로서 게르마늄 검출기를 사용하면 편리하다. 특정 파장(λi)에 해당하는 검출기(12)로부터의 시그날은 어둠전류 보정 및 바탕값 보정을 한 후, 투광도로 환산하고, 다음에 상기 투광도를 검정 공식(I)의 흡광도 Ai로 환산한다.
본 발명에 따라서, 이온성 수화에 의해 야기되는 근적외선 스펙트럼을 측정함으로써 반도체 가공용 화학약품의 농도를 안전하고 정확하게, 용이하게 및 신속하게 측정할 수 있으며, 상기 화학약품은 유기 화합물의 정성적 및 정량적 측정에 사용되어 온 특징적 적외선 띠를 갖지 않는 무기 전해질이다.
본 발명을 이제 실시예를 들어 기술한다.
[실시예 1]
[암모니아-과산화수소의 정량적 측정]
암모니아와 과산화수소의 혼합물의 수용액은 에칭에 의해 실리콘 표면을 제거시키는데 사용되는 대표적인 알칼리 세척액이다. 과산화수소는 수용액의 용매 작용을 억제하는 산화제로서 사용된다. 수용액의 세척 효과는 실리콘 표면을 80℃에서 10분간 수용액(NH4OH : H2O2: H2O = 1 : 2 :13)내에 침지시키는 경우, 직경 1㎛의 실리콘 입자의 제거율이 95~98%인 정도이다. 그러나, 이 세척액을 고온에서 사용한다면, 액체의 농도는 20분 이내에 50% 까지 감소하고 암모니아의 격렬한 증기화와 과산화수소의 분해로 인해 세척 효과가 저하된다.
따라서, 제조한 세척액을 여러 번 반복해서 사용할 수가 없으며, 대개 30~40분 후에 사용 용액을 새로 제조한 세척액으로 교환한다. 그러나, 소비된 양의 용액을 보충함으로써 세척 용액의 사용 시간을 연장할 수 있다. 이러한 이유로, 세척액의 혼합비와 시간 경과에 따른 그의 퇴화를 기록함으로써 세척 효과를 일정한 수준으로 유지하고 조절할 것이 요구된다.
[시료의 준비]
정량적 측정을 위한 검정 공식의 성능을 확인하기 위하여, 그의 농도가 반도체 세척을 위한 산업 공정 내에서 사용되는 범위에 포함되는 검정 시료조와 확인 시료조를 준비한다. 묽은 황산을 사용한 적정에 의해 그의 농도 (21.65%)를 확인한 암모니아 수용액을 티오황산나트륨을 사용한 적정에 의해 그의 농도 (34.95%)를 확인한 과산화수소 용액으로 희석하여, NH4OH와 H2O2의 농도가 각각 0~3 중량%, 및 0~10 중량%이고, 성분비가 서로 다른 18개의 검정 시료와 18개의 확인 시료를 제조한다.
[검정 공식의 유도]
상기 검정 공식 유도과정에 따라서 하기 검정 공식을 얻는다 :
NH4OH에 대하여
H2O2에 대하여
상기 검정 공식에서, A1~A6은 순수의 근적외선 스펙트럼의 경우와 비교하여 상당한 차이가 있는 흡수띠에 해당하는 파장 λ1~λ6에서의 흡광도이다.
상기 스펙트럼 차이를 조사하여 파장 λ1~λ6을 선택한다. 즉, 제8도에 나타내어진 근적외선 스펙트럼(H2O2의 농도는 1.5%이며 NH4OH의 농도는 2~4%에서 변화됨)과 제9도에 나타내어진 스펙트럼(NH4OH의 농도가 7.5%이고 H2O2의 농도는 0~24.2%에서 변화됨)을 각각 토대로 하여 NH4OH와 H2O2의 차이 스펙트럼을 구하고 특징적 차이 스펙트럼을 보이는 하기 파장들은 선택한다 :
NH4OH에 대하여
H2O2에 대하여
검정 공식의 정확도와 확인시료에 의한 평가와 관련된 예상 표준 오차 Se(%)와 복수 측정 계수 R2는 다음과 같다.
[검정 공식의 정확도]
NH4OH에 대하여
H2O2에 대하여
[확인 시료에 의한 평가]
NH4OH에 대하여
H2O2에 대하여
검정 공식으로 구한 추정 농도와 확인시료의 참조 농도를 표1과 아울러, NH4OH에 대해 제2도에, H2O2에 대해 제3도에 나타낸다.
[실시예 2]
[염산-과산화수소의 정량 측정]
염산과 과산화수소의 혼합물의 수용액(HCI : HO: HO = 1 : 1 : 5)은 실리콘 웨이퍼로부터 중금속을 제거하는데 사용되는 대표적인 세척액이다.
[시료의 준비]
정량측정에 대한 검정 공식의 실용성을 확인하기 위하여, 그 농도가 반도체 세척용 산업 공정에서 사용되는 범위에 포함되는 검정 시료조와 확인 시료조를 준비한다. 수산화나트륨을 사용한 적정에 의해 농도 (35.4%)를 확인한 염산을 티오황산나트륨을 사용한 적정에 의해 농도 (34.95%)를 확인한 과산화수소 용액으로 희석함으로써, HCI 또는 HO의 농도가 10~0 중량% 이고, 성분비가 서로 다른 24개의 검정 시료와 22 확인 시료를 제조한다.
[검정 공식의 유도]
시료 성분의 수, 온도 변화 및 장치의 변수들을 고려하여 광로의 길이가 10㎜인 셀에 대해 최적합한 80~1400㎚ 범위로부터 6개의 파장의 조를 선택한다. 동일한 6개의 파장의 조를 사용하여 HCI 및 HO의 농도를 동시에 측정한다.
상기 검정 공식의 유도과정에 의거하여 하기 검정 공식을 얻는다.
HCI에 대하여
H2O2에 대하여
상기 검정 공식에서, A1~A6은 순수의 근적외선 스펙트럼의 경우와 비교하여 상당한 차이가 있는 흡수띠에 해당하는 파장 λ1~λ6에서의 흡광도이다. 실시예 1에서 기재된 차이 스펙트럼법에 의거하여 하기 파장을 선택한다 :
Se(%)와 R2는 다음과 같다 :
[검정 공식의 정확도]
HCI에 대하여
H2O2에 대하여
[확인 시료에 의한 평가]
HCI에 대하여
H2O2에 대하여
검정 공식에 의해 수득한 추정 농도와 시료의 참조 농도를 표 2와 아울러, HCI에 대하여 제4도 및 H2O2에 대하여 제5도에 나타낸다.
[실시예 3]
[황산-과산화수소의 정량 측정]
황산-과산화수소의 혼합물의 수용액은 실리콘 웨이퍼로부터 중금속을 제거하는데 사용되는 세척액이며, 상기 중금속은 세척액에 용해될 수 있는 이온으로 산화된다.
[시료의 준비]
정량측정에 대한 검정 공식의 실용성을 확인하기 위하여, 그 농도가 반도체 세척용 산업 공정에서 사용되는 범위 내에 포함되는 검정 시료조와 확인 시료조를 준비한다. 수산화나트륨을 사용한 적정에 의해 농도 (97%)를 확인한 묽은 황산을 티오황산나트륨을 사용한 적정에 의해 농도 (34.95%)를 확인한 과산화수소 용액으로 희석함으로써, HSO및 HO의 농도가 각각 0~97 중량% 및 0~34.95 중량% 이고, 성분비가 서로 다른 30 검정 시료와 30 확인 시료를 제조한다.
[검정 공식의 유도]
실시예 1의 경우에서와 같이 80~1400㎚로부터 6파장의 조를 선택한다.
상기 검정 공식의 유도과정에 의거하여 하기 검정 공식을 얻는다.
HSO에 대하여
H2O2에 대하여
상기 검정 공식에서, A1~A6은 순수의 근적외선 스펙트럼과 비교할 때 상당한 차이를 보이는 흡수띠에 해당하는 파장 λ1~λ6에서의 흡광도이다.
이들 파장 λ1~λ6은 상기 차이 스펙트럼을 조사하여 선택된다. 즉, 제10도에 나타낸 근적외선 스펙트럼(H2O2의 농도가 7.7% 이고 H2SO4의 농도는 0~72.8%에서 변화됨)과 제11도에 나타낸 근적외선 스펙트럼(H2SO4의 농도가 65%이고 H2O2의 농도는 0~10.2%에서 변화됨)을 각각 토대로 하여 H2SO4와 H2O2의 차이 스펙트럼을 구하고 특징적 차이 스펙트럼이 생기는 하기 파장들을 선택한다 :
Se(%)와 R2는 다음과 같다 :
[검정 공식의 정확도]
H2SO4에 대하여
H2O2에 대하여
[확인 시료에 의한 평가]
H2SO4에 대하여
H2O2에 대하여
검정 공식으로 구한 추정 농도와 시료의 참조 농도를 표 3과 아울러, H2SO4에 대하여 제6도 및 H2O2에 대하여 제7도에 나타낸다.
[실시예 4]
[치아염소산나트륨의 정량 측정]
[시료 준비]
이 실시예의 분석 대상은 치아염소산나트륨 수용액 내의 ClO 의 농도이지만, Na , Cl , CO 및 OH 와 같은 공존하는 이온 종류의 방해 및 간섭을 마땅히 고려하여 이온쌍의 조합으로 농도를 변화시켜 13 시료를 제조한다. 과량의 아세트산과 당량 이상의 요오드화칼륨을 NaClO 수용액에 가한 후, 티오황산나트륨을 사용한 적정에 의해 ClO 농도를 확인한다. 공존하는 이온들의 농도는 전기 화학적 방법으로 측정한다.
[검정 공식의 유도]
상기 검정 공식의 유도과정에 의거하여 하기 검정 공식을 얻는다 :
이 검정 공식에서, A1~A6은 순수의 근적외선 스펙트럼의 경우와 비교할 때 상당한 차이를 보이는 흡수띠에 해당하는 파장 λ1~λ6에서의 흡광도이다.
상기 스펙트럼 차이법에 의해 파장 λ1~λ6를 선택한다 :
Se(%)와 R2는 다음과 같다 :
[검정 공식의 정확도]
검정 공식으로 구한 추정 농도와 시료의 참조 농도를 표 4 및 제12도에 나타낸다.
Claims (3)
- 농도를 아는 화학약품의 수용액의 800~1400㎚에서의 근적외선 스펙트럼을 측정하고, 800~1400㎚에서 순수(pure water)의 근적외선 스펙트럼과 상기 스펙트럼 사이의 흡수띠에 상당한 차이가 있는 파장에서의 흡광도를 얻고, 상기 농도와 흡광도 사이의 관계의 회귀(regression) 분석으로부터 하기 검정 공식(I)을 유도하고, 하기 공식(I)을 사용하여 화학약품 시료의 농도를 측정하는 것으로 이루어지는, 반도체 가공용 화학약품의 농도의 정량적 측정 방법.
(상기 식에서 C는 화학약품 시료의 농도이며, Ai는 상기 흡수띠가 생기는 λi에서의 흡광도이며, αi는 검정 곡선을 유도하기 위해 사용되는 화학약품의 종류, λi및λi의 수에 의해 결정되는 상수이다.) - 상기 화학약품이 암모니아와 과산화수소의 혼합물, 염산과 과산화수소의 혼합물, 황산과 과산화수소의 혼합물, 불화수소산, 염산과 질산의 혼합물, 불화수소산과 불화 암모늄의 혼합물 및 치아염소산나트륨으로 이루어지는 종류로부터 선택되는 임의의 하나 이상의 화학약품임을 특징으로 하는 정량적 측정 방법.
- 광원(1), 광원(1)으로부터 방출되는 빛을 반사하는 오목 반사거울(2), 오목 반사거울(2)로부터 반사된 빛을 모으는 슬릿(3), 슬릿(3)으로부터 방출된 빛을 반사하는 평면 반사거울(4), 평면 반사거울(4)로부터 반사된 빛을 셀(6)로 모으는 오목 반사거울(5), 셀(6)으로부터 아온 빛을 반사하는 오목 반사거울(7), 오목 반사거울(7)로부터 나온 빛을 반사하는 평면 반사거울(8), 고정 파장의 빛만이 통과하는 간섭 필터(9)가 구비된 회전 가능한 디스크(10), 간섭 필터(9)에 의해 모아진 평면 반사거울(8)로부터 반사된 빛을 반사하는 오목 반사거울(11) 및, 오목 반사거울(11)로부터 반사된 빛을 모으는 검출기(12)로 이루어지는, 반도체 가공용 화학약품을 정량적으로 측정하기 위한 장치.
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