JPS6316901B2 - - Google Patents
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- JPS6316901B2 JPS6316901B2 JP15591782A JP15591782A JPS6316901B2 JP S6316901 B2 JPS6316901 B2 JP S6316901B2 JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP S6316901 B2 JPS6316901 B2 JP S6316901B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はSiウエハなどの洗浄において、適正な
洗浄液組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタ
を有し、これに従つて洗浄液成分濃度を適当な値
にコントロールする機能を有する洗浄装置に関す
るものである。
洗浄液組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタ
を有し、これに従つて洗浄液成分濃度を適当な値
にコントロールする機能を有する洗浄装置に関す
るものである。
従来、過酸化水素とアンモニアと水を用いたSi
ウエハなど用の洗浄液は、しばしば80℃程度に加
熱して利用されるため、熱分解により数十分で過
酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により洗浄液
の劣化が起こる。従来、これらの成分を確認しよ
うとすれば、滴定などのオフラインで、しかも時
間のかかる成分の分析法しかなく、インラインで
の直接成分濃度測定や薬液管理には適用できなか
つた。このため、一回洗浄するごとに洗浄液を新
品に交換する等の無駄が多かつた。
ウエハなど用の洗浄液は、しばしば80℃程度に加
熱して利用されるため、熱分解により数十分で過
酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により洗浄液
の劣化が起こる。従来、これらの成分を確認しよ
うとすれば、滴定などのオフラインで、しかも時
間のかかる成分の分析法しかなく、インラインで
の直接成分濃度測定や薬液管理には適用できなか
つた。このため、一回洗浄するごとに洗浄液を新
品に交換する等の無駄が多かつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、インラインで測定可能な過酸化水素とアン
モニアと水から成るSiウエハなどの洗浄液の過酸
化水素濃度のモニタとアンモニア濃度のモニタと
これらの薬品の自動供給装置を有する洗浄装置を
提供するにある。
くし、インラインで測定可能な過酸化水素とアン
モニアと水から成るSiウエハなどの洗浄液の過酸
化水素濃度のモニタとアンモニア濃度のモニタと
これらの薬品の自動供給装置を有する洗浄装置を
提供するにある。
本発明の要点とするところは、過酸化水素とア
ンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分
が300nm付近の波長の紫外線の吸光度測定により
濃度モニタできることと、アンモニア濃度がイオ
ン電極により連続測定できることとを組み合わせ
ることにより、洗浄槽中の洗浄液の一部を分取す
るための試料採取ポンプ、300nm付近の紫外線光
源と透過光用のフローセルと紫外線検出器とから
成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイオン
電極付イオンメータとフローセルから成るアンモ
ニア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水
素の供給タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイ
クロコンピユータ、該マイクロコンピユータ用イ
ンタフエイスを備えてなる装置により、薬液の成
分濃度を監視しながら各一定量の成分薬液を供給
し、一定の薬液成分濃度を保ちながら、安定した
洗浄を可能としたことにある。
ンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分
が300nm付近の波長の紫外線の吸光度測定により
濃度モニタできることと、アンモニア濃度がイオ
ン電極により連続測定できることとを組み合わせ
ることにより、洗浄槽中の洗浄液の一部を分取す
るための試料採取ポンプ、300nm付近の紫外線光
源と透過光用のフローセルと紫外線検出器とから
成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイオン
電極付イオンメータとフローセルから成るアンモ
ニア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水
素の供給タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイ
クロコンピユータ、該マイクロコンピユータ用イ
ンタフエイスを備えてなる装置により、薬液の成
分濃度を監視しながら各一定量の成分薬液を供給
し、一定の薬液成分濃度を保ちながら、安定した
洗浄を可能としたことにある。
以下、本発明による過酸化水素とアンモニアと
水から成る洗浄液を用いる洗浄装置について、図
面を参照して具体的に説明する。
水から成る洗浄液を用いる洗浄装置について、図
面を参照して具体的に説明する。
最初に、本発明における過酸化水素濃度測定原
理とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で、
本発明の洗浄装置の構成を一具体例につき述べ
る。
理とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で、
本発明の洗浄装置の構成を一具体例につき述べ
る。
本発明における、洗浄液の採取試料中の過酸化
水素濃度の測定原理を、過酸化水素とアンモニア
の紫外線波長に対する吸光度の変化を示す第1図
のグラフを参照して説明すれば、次の通りであ
る。
水素濃度の測定原理を、過酸化水素とアンモニア
の紫外線波長に対する吸光度の変化を示す第1図
のグラフを参照して説明すれば、次の通りであ
る。
第1図において、曲線aが過酸化水素の吸光度
を示す曲線、曲線bがアンモニアの吸光度を示す
曲線である。第1図のグラフからわかるように、
過酸化水素とアンモニアは、共に、波長194nm付
近の紫外線領域に吸収のピークをもつており、ピ
ーク付近では両者の区別がつかない。しかし、過
酸化水素の吸収スペクトルはブロードで、アンモ
ニアの吸収がほとんどゼロになる300nm付近で
も、まだかなりの吸収を示す。従つて、300nm付
近の吸光度測定を行なえば、アンモニアと過酸化
水素と水が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化
水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
を示す曲線、曲線bがアンモニアの吸光度を示す
曲線である。第1図のグラフからわかるように、
過酸化水素とアンモニアは、共に、波長194nm付
近の紫外線領域に吸収のピークをもつており、ピ
ーク付近では両者の区別がつかない。しかし、過
酸化水素の吸収スペクトルはブロードで、アンモ
ニアの吸収がほとんどゼロになる300nm付近で
も、まだかなりの吸収を示す。従つて、300nm付
近の吸光度測定を行なえば、アンモニアと過酸化
水素と水が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化
水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
本発明における、洗浄液の採取試料中のアンモ
ニア濃度測定原理を、第2図のグラフを参照して
説明する。
ニア濃度測定原理を、第2図のグラフを参照して
説明する。
第2図は、アルカリ洗浄液中におけるアンモニ
ア濃度に対するアンモニウムイオン選択電極によ
る電位の変化を示すグラフである。第2図のグラ
フからわかるように、アルカリ洗浄液中のアンモ
ニア濃度は、アンモニウムイオン選択電極を用い
たイオン電極法により測定することができる。
ア濃度に対するアンモニウムイオン選択電極によ
る電位の変化を示すグラフである。第2図のグラ
フからわかるように、アルカリ洗浄液中のアンモ
ニア濃度は、アンモニウムイオン選択電極を用い
たイオン電極法により測定することができる。
次に、本発明の洗浄装置を、一具体例につき、
第3図を参照して、詳細に説明する。
第3図を参照して、詳細に説明する。
第3図は、上記の濃度測定原理に基づいた過酸
化水素とアンモニア濃度のモニタを有する本発明
の基本を示す模式構成図である。洗浄槽1には過
酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液2が満
たされヒータ3で加熱されており、Siウエハ4を
洗浄している。洗浄液2の中の過酸化水素とアン
モニアの濃度を測定するために、洗浄液2の一部
を試料採取ポンプ5によりサンプリングし、過酸
化水素濃度測定部6のフローセル7に送り込み、
このフローセル内の過酸化水素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源8
と、その透過光の紫外線検出器9により吸光測定
する。フローセル7で紫外線吸収測定された洗浄
液の採取試料は、試料採取ポンプ10により、さ
らにアンモニア濃度測定部11のフローセル12
に送り込まれた後試料排出口20から排出され
る。フローセル12に送り込まれた試料はアンモ
ニウムイオン電極13により出力される電位値か
らアンモニア濃度の測定がなされ、イオンメータ
21を経由してデータはインタフエイス14に送
られる。上記により、ほぼ同時刻の洗浄槽1内の
過酸化水素およびアンモニアの濃度測定が行なわ
れる。勿論この場合、アンモニア濃度測定用の採
取試料は、洗浄槽から、過酸化水素濃度測定用の
採取試料と並行に直接採取することも差し支えな
い。測定された過酸化水素とアンモニアの濃度デ
ータは、インタフエイス14を介して、マイクロ
コンピユータ15に送られ、あらかじめマイクロ
コンピユータ15に記憶された洗浄液の濃度デー
タと比較、参照される。記憶データと実際の濃度
の差から、あらかじめマイクロコンピユータ15
に与えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部
16に命令が下され、過酸化水素水補給系の電磁
弁17、アンモニア水補給系の電磁弁17′が開
閉し、過酸化水素水タンク18、アンモニア水タ
ンク19から必要量だけの過酸化水素とアンモニ
アが洗浄槽1に供給され、これにより洗浄液2の
過酸化水素およびアンモニアの濃度は常に一定範
囲内の濃度を保つことができ、安定したSiウエハ
の洗浄が行なわれる。
化水素とアンモニア濃度のモニタを有する本発明
の基本を示す模式構成図である。洗浄槽1には過
酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液2が満
たされヒータ3で加熱されており、Siウエハ4を
洗浄している。洗浄液2の中の過酸化水素とアン
モニアの濃度を測定するために、洗浄液2の一部
を試料採取ポンプ5によりサンプリングし、過酸
化水素濃度測定部6のフローセル7に送り込み、
このフローセル内の過酸化水素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源8
と、その透過光の紫外線検出器9により吸光測定
する。フローセル7で紫外線吸収測定された洗浄
液の採取試料は、試料採取ポンプ10により、さ
らにアンモニア濃度測定部11のフローセル12
に送り込まれた後試料排出口20から排出され
る。フローセル12に送り込まれた試料はアンモ
ニウムイオン電極13により出力される電位値か
らアンモニア濃度の測定がなされ、イオンメータ
21を経由してデータはインタフエイス14に送
られる。上記により、ほぼ同時刻の洗浄槽1内の
過酸化水素およびアンモニアの濃度測定が行なわ
れる。勿論この場合、アンモニア濃度測定用の採
取試料は、洗浄槽から、過酸化水素濃度測定用の
採取試料と並行に直接採取することも差し支えな
い。測定された過酸化水素とアンモニアの濃度デ
ータは、インタフエイス14を介して、マイクロ
コンピユータ15に送られ、あらかじめマイクロ
コンピユータ15に記憶された洗浄液の濃度デー
タと比較、参照される。記憶データと実際の濃度
の差から、あらかじめマイクロコンピユータ15
に与えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部
16に命令が下され、過酸化水素水補給系の電磁
弁17、アンモニア水補給系の電磁弁17′が開
閉し、過酸化水素水タンク18、アンモニア水タ
ンク19から必要量だけの過酸化水素とアンモニ
アが洗浄槽1に供給され、これにより洗浄液2の
過酸化水素およびアンモニアの濃度は常に一定範
囲内の濃度を保つことができ、安定したSiウエハ
の洗浄が行なわれる。
次に、上述した本発明の洗浄装置の具体例にお
いて、Siウエハ4の洗浄液2の濃度調整ならびに
洗浄を行なう手順について、第4図に示すフロー
チヤートを参照しながら説明する。図において、
ステツプAでスタートすると、過酸化水素水補給
系の電磁弁17、アンモニア水補給系の電磁弁1
7′が、それぞれt,t′時間開かれ(ステツプ
B)、洗浄槽1に設けられているヒータ3がオン
される(ステツプC)。ついで、洗浄液2中の過
酸化水素濃度、アンモニア濃度測定用の試料採取
ポンプ5,10がオンされる(ステツプD)。次
に、過酸化水素濃度測定部6によつて洗浄液2の
紫外線吸収量の測定(ステツプE)、アンモニア
濃度測定部11によつて洗浄液2のアンモニウム
イオン電極13の電位が測定され(ステツプF)、
これらの測定値に基づいて、洗浄液2の過酸化水
素とアンモニア濃度が算出される(ステツプG)。
次に、上記の算定濃度の値が目標とする過酸化水
素およびアンモニアの設定濃度範囲内にあるか否
かが判定される(ステツプH)。上記算出された
洗浄液2中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲から外れている場合、例えば濃度が低過
ぎれば電磁弁17,17′を開いて過酸化水素水
とアンモニア水を洗浄液2中に添加すべき補給量
が算出され(ステツプJ)、電磁弁17,17′の
開放動作時間t″,tが算出される(ステツプ
K)。そして、上記の電磁弁17,17′の開放動
作時間t″,tに基づいて、電磁弁17,17′
がそれぞれt″,t時間開放され(ステツプL)、
過酸化水素水タンク18およびアンモニア水タン
ク19から必要量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が洗浄液2中に導入される。このようなサイ
クルで、洗浄液2中の過酸化水素とアンモニアの
濃度がたえず制御され、洗浄液2は常に目標とす
る最適の設定濃度範囲内に調整される。そして、
洗浄液2中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲内であるならば、所定時間Siウエハ4の
洗浄を行なう(ステツプI)。洗浄液を排液しな
い場合は(ステツプM)、上述した手順で洗浄液
2の組成を再度測定し調整した後、Siウエハ4の
洗浄を行なう(ステツプE〜I)。そして、続け
てSiウエハ4を洗浄しない場合は、排液処理して
(ステツプN)、洗浄を終了する(ステツプP)。
いて、Siウエハ4の洗浄液2の濃度調整ならびに
洗浄を行なう手順について、第4図に示すフロー
チヤートを参照しながら説明する。図において、
ステツプAでスタートすると、過酸化水素水補給
系の電磁弁17、アンモニア水補給系の電磁弁1
7′が、それぞれt,t′時間開かれ(ステツプ
B)、洗浄槽1に設けられているヒータ3がオン
される(ステツプC)。ついで、洗浄液2中の過
酸化水素濃度、アンモニア濃度測定用の試料採取
ポンプ5,10がオンされる(ステツプD)。次
に、過酸化水素濃度測定部6によつて洗浄液2の
紫外線吸収量の測定(ステツプE)、アンモニア
濃度測定部11によつて洗浄液2のアンモニウム
イオン電極13の電位が測定され(ステツプF)、
これらの測定値に基づいて、洗浄液2の過酸化水
素とアンモニア濃度が算出される(ステツプG)。
次に、上記の算定濃度の値が目標とする過酸化水
素およびアンモニアの設定濃度範囲内にあるか否
かが判定される(ステツプH)。上記算出された
洗浄液2中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲から外れている場合、例えば濃度が低過
ぎれば電磁弁17,17′を開いて過酸化水素水
とアンモニア水を洗浄液2中に添加すべき補給量
が算出され(ステツプJ)、電磁弁17,17′の
開放動作時間t″,tが算出される(ステツプ
K)。そして、上記の電磁弁17,17′の開放動
作時間t″,tに基づいて、電磁弁17,17′
がそれぞれt″,t時間開放され(ステツプL)、
過酸化水素水タンク18およびアンモニア水タン
ク19から必要量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が洗浄液2中に導入される。このようなサイ
クルで、洗浄液2中の過酸化水素とアンモニアの
濃度がたえず制御され、洗浄液2は常に目標とす
る最適の設定濃度範囲内に調整される。そして、
洗浄液2中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲内であるならば、所定時間Siウエハ4の
洗浄を行なう(ステツプI)。洗浄液を排液しな
い場合は(ステツプM)、上述した手順で洗浄液
2の組成を再度測定し調整した後、Siウエハ4の
洗浄を行なう(ステツプE〜I)。そして、続け
てSiウエハ4を洗浄しない場合は、排液処理して
(ステツプN)、洗浄を終了する(ステツプP)。
次に、上述した本発明の洗浄装置の具体例にお
いて、これに応用するマイクロコンピユータの制
御機能の基本的構成について、第5図に示す機能
ブロツク図を参照しながら説明する。図におい
て、過酸化水素濃度測定部6で測定された紫外線
吸収量の測定値(アナログ値)101とアンモニ
ア濃度測定部11で測定されたアンモニウムイオ
ン電極の電位測定値(アナログ値)102は、マ
イクロコンピユータ15のインタフエイス14で
ある入力部100に入力し、それぞれデジタル値
に変換(A/D変換される。そして、上記第4図
に示すようなプログラムおよび目標とする洗浄液
2中の過酸化水素およびアンモニアの最適濃度範
囲が記憶されている設定濃度記憶部105に収納
されたプログラムに基づき、不足濃度演算部10
4に、入力部100の過酸化水素濃度を示す紫外
線の吸収量の測定値およびアンモニア濃度を示す
アンモニウムイオン電極の電位測定値のデジタル
値が取り込まれ、設定濃度記憶部105に記憶さ
れた上記デジタル値と過酸化水素濃度およびアン
モニア濃度との関係式により、洗浄液2中の過酸
化水素濃度およびアンモニア濃度が算出される。
算出された各濃度値と設定濃度記憶部105に記
憶されている設定濃度とが比較され、不足した濃
度に相当する信号が補給量演算部107に転送さ
れ、過酸化水素水タンク18およびアンモニア水
タンク19から洗浄液2中に導入する過酸化水素
水およびアンモニア水の補給量が算出される。こ
の補給量から過酸化水素水補給系に設けられてい
る電磁弁17およびアンモニア水補給系に設けら
れている電磁弁17′の開放動作時間t″およびt
が、電磁弁開閉時間演算部108によつて算出
され記憶される。そして、電磁弁開閉時間演算部
108に記憶された電磁弁17,17′の開放動
作時間t″,tは、インタフエイス14の出力部
109でデジタル値がアナログ値に変換(D/A
変換)されてから、電磁弁制御部16に信号が送
られ、過酸化水素水補給系の電磁弁17およびア
ンモニア水補給系の電磁弁17′が開放され、洗
浄液2中に適正量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が導入され、洗浄液2は所定の濃度範囲に調
整される。このように、入力された過酸化水素お
よびアンモニアの濃度測定値から、過酸化水素水
補給系およびアンモニア水補給系に設けられてい
るそれぞれの電磁弁17,17′の開閉動作を制
御する一連のデータ処理がマイクロコンピユータ
の内部で行なわれる。
いて、これに応用するマイクロコンピユータの制
御機能の基本的構成について、第5図に示す機能
ブロツク図を参照しながら説明する。図におい
て、過酸化水素濃度測定部6で測定された紫外線
吸収量の測定値(アナログ値)101とアンモニ
ア濃度測定部11で測定されたアンモニウムイオ
ン電極の電位測定値(アナログ値)102は、マ
イクロコンピユータ15のインタフエイス14で
ある入力部100に入力し、それぞれデジタル値
に変換(A/D変換される。そして、上記第4図
に示すようなプログラムおよび目標とする洗浄液
2中の過酸化水素およびアンモニアの最適濃度範
囲が記憶されている設定濃度記憶部105に収納
されたプログラムに基づき、不足濃度演算部10
4に、入力部100の過酸化水素濃度を示す紫外
線の吸収量の測定値およびアンモニア濃度を示す
アンモニウムイオン電極の電位測定値のデジタル
値が取り込まれ、設定濃度記憶部105に記憶さ
れた上記デジタル値と過酸化水素濃度およびアン
モニア濃度との関係式により、洗浄液2中の過酸
化水素濃度およびアンモニア濃度が算出される。
算出された各濃度値と設定濃度記憶部105に記
憶されている設定濃度とが比較され、不足した濃
度に相当する信号が補給量演算部107に転送さ
れ、過酸化水素水タンク18およびアンモニア水
タンク19から洗浄液2中に導入する過酸化水素
水およびアンモニア水の補給量が算出される。こ
の補給量から過酸化水素水補給系に設けられてい
る電磁弁17およびアンモニア水補給系に設けら
れている電磁弁17′の開放動作時間t″およびt
が、電磁弁開閉時間演算部108によつて算出
され記憶される。そして、電磁弁開閉時間演算部
108に記憶された電磁弁17,17′の開放動
作時間t″,tは、インタフエイス14の出力部
109でデジタル値がアナログ値に変換(D/A
変換)されてから、電磁弁制御部16に信号が送
られ、過酸化水素水補給系の電磁弁17およびア
ンモニア水補給系の電磁弁17′が開放され、洗
浄液2中に適正量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が導入され、洗浄液2は所定の濃度範囲に調
整される。このように、入力された過酸化水素お
よびアンモニアの濃度測定値から、過酸化水素水
補給系およびアンモニア水補給系に設けられてい
るそれぞれの電磁弁17,17′の開閉動作を制
御する一連のデータ処理がマイクロコンピユータ
の内部で行なわれる。
上記の説明からわかるように、本発明の洗浄装
置によれば、半導体工業で極めて広く使われてい
る過酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液中
の過酸化水素成分とアンモニア成分のインライン
モニタリングが可能となり、過酸化水素の減少に
よるSiウエハの急激なエツチング防止や過酸化水
素とアンモニアの適量供給による洗浄液の再生と
寿命延長、洗浄の安定化を達成することができる
ものである。
置によれば、半導体工業で極めて広く使われてい
る過酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液中
の過酸化水素成分とアンモニア成分のインライン
モニタリングが可能となり、過酸化水素の減少に
よるSiウエハの急激なエツチング防止や過酸化水
素とアンモニアの適量供給による洗浄液の再生と
寿命延長、洗浄の安定化を達成することができる
ものである。
第1図は過酸化水素濃度の測定原理を説明する
ための過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対
する吸光度の変化を示すグラフである。第2図は
アンモニア濃度の測定原理を説明するためのアル
カリ洗浄液におけるNH3濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラ
フである。第3図は本発明の一具体例における洗
浄装置の基本構成を示す模式図である。第4図は
本発明の具体例として示した洗浄装置における洗
浄液の濃度調整ならびにSiウエハの洗浄を行なう
手順を示すフローチヤートである。第5図は本発
明の具体例として示した洗浄装置におけるマイク
ロコンピユータの機能ブロツク図である。 1……洗浄槽;2……洗浄液;3……ヒータ;
4……Siウエハ;5,10……試料採取ポンプ;
6……過酸化水素濃度測定部;7……透過光測定
用フローセル;8……紫外線光源;9……紫外線
検出器;11……アンモニア濃度測定部;12…
…フローセル;13……アンモニウムイオン電
極;14……インタフエイス;15……マイクロ
コンピユータ;16……電磁弁制御部;17,1
7′……電磁弁;18……過酸化水素水タンク;
19……アンモニア水タンク;20……試料排出
口;21……イオンメータ;100……入力部;
101……紫外線吸収量の測定値;102……ア
ンモニウムイオン電極の電位測定値;104……
不足濃度演算部;105……設定濃度記憶部;1
07……補給量演算部;108……電磁弁開閉時
間演算部;109……出力部。
ための過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対
する吸光度の変化を示すグラフである。第2図は
アンモニア濃度の測定原理を説明するためのアル
カリ洗浄液におけるNH3濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラ
フである。第3図は本発明の一具体例における洗
浄装置の基本構成を示す模式図である。第4図は
本発明の具体例として示した洗浄装置における洗
浄液の濃度調整ならびにSiウエハの洗浄を行なう
手順を示すフローチヤートである。第5図は本発
明の具体例として示した洗浄装置におけるマイク
ロコンピユータの機能ブロツク図である。 1……洗浄槽;2……洗浄液;3……ヒータ;
4……Siウエハ;5,10……試料採取ポンプ;
6……過酸化水素濃度測定部;7……透過光測定
用フローセル;8……紫外線光源;9……紫外線
検出器;11……アンモニア濃度測定部;12…
…フローセル;13……アンモニウムイオン電
極;14……インタフエイス;15……マイクロ
コンピユータ;16……電磁弁制御部;17,1
7′……電磁弁;18……過酸化水素水タンク;
19……アンモニア水タンク;20……試料排出
口;21……イオンメータ;100……入力部;
101……紫外線吸収量の測定値;102……ア
ンモニウムイオン電極の電位測定値;104……
不足濃度演算部;105……設定濃度記憶部;1
07……補給量演算部;108……電磁弁開閉時
間演算部;109……出力部。
Claims (1)
- 1 過酸化水素とアンモニア水と水からなる洗浄
液を用いてSiウエハを洗浄する洗浄装置であつ
て、洗浄液の過酸化水素およびアンモニアの濃度
を測定するための試料を採取する試料採取ポンプ
と、300nm付近の紫外線を放射する光源と透過光
測定用フローセルと紫外線検出器からなる過酸化
水素濃度測定部と、アンモニウムイオン電極とフ
ローセルとイオンメータからなるアンモニア濃度
測定部と、過酸化水素水およびアンモニア水の供
給タンクと、該供給タンクから洗浄液中に過酸化
水素水およびアンモニア水を補給する補給系に設
けられているそれぞれの電磁弁と、該電磁弁の開
閉動作を制御する電磁弁制御部を備え、かつ上記
過酸化水素濃度測定部およびアンモニア濃度測定
部からの検出信号をA/D変換してマイクロコン
ピユータの内部に設定されている不足濃度演算部
に入力する入力部と、過酸化水素とアンモニアの
設定濃度記憶部と、上記設定濃度に対し不足した
過酸化水素とアンモニアの濃度を算出する不足濃
度演算部と、上記不足濃度から補給する過酸化水
素水およびアンモニア水の補給量を算出する補給
量演算部と、上記補給量から上記過酸化水素水お
よびアンモニア水の供給タンクの補給系に設けら
れているそれぞれの電磁弁の開閉作動時間を算出
する電磁弁開閉時間演算部と、上記電磁弁開閉時
間演算部からの出力信号をD/A変換して電磁弁
制御部に出力する出力部と、上記出力信号によつ
て上記過酸化水素水およびアンモニア水の補給系
に設けられているそれぞれの電磁弁の開閉動作を
行う電磁弁制御部を有し、上記洗浄液を最適濃度
範囲に調合することを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5946032A JPS5946032A (ja) | 1984-03-15 |
JPS6316901B2 true JPS6316901B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=15616331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15591782A Granted JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5946032A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02722U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-05 | ||
JP2807069B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1998-09-30 | 川崎製鉄株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
US5472516A (en) * | 1994-04-15 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Process and apparatus for semiconductor device fabrication |
JP4590700B2 (ja) | 2000-07-14 | 2010-12-01 | ソニー株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15591782A patent/JPS5946032A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5946032A (ja) | 1984-03-15 |
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