JPS6316901B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6316901B2 JPS6316901B2 JP15591782A JP15591782A JPS6316901B2 JP S6316901 B2 JPS6316901 B2 JP S6316901B2 JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP S6316901 B2 JPS6316901 B2 JP S6316901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- hydrogen peroxide
- ammonia
- solenoid valve
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 118
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 105
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 76
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はSiウエハなどの洗浄において、適正な
洗浄液組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタ
を有し、これに従つて洗浄液成分濃度を適当な値
にコントロールする機能を有する洗浄装置に関す
るものである。
洗浄液組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタ
を有し、これに従つて洗浄液成分濃度を適当な値
にコントロールする機能を有する洗浄装置に関す
るものである。
従来、過酸化水素とアンモニアと水を用いたSi
ウエハなど用の洗浄液は、しばしば80℃程度に加
熱して利用されるため、熱分解により数十分で過
酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により洗浄液
の劣化が起こる。従来、これらの成分を確認しよ
うとすれば、滴定などのオフラインで、しかも時
間のかかる成分の分析法しかなく、インラインで
の直接成分濃度測定や薬液管理には適用できなか
つた。このため、一回洗浄するごとに洗浄液を新
品に交換する等の無駄が多かつた。
ウエハなど用の洗浄液は、しばしば80℃程度に加
熱して利用されるため、熱分解により数十分で過
酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により洗浄液
の劣化が起こる。従来、これらの成分を確認しよ
うとすれば、滴定などのオフラインで、しかも時
間のかかる成分の分析法しかなく、インラインで
の直接成分濃度測定や薬液管理には適用できなか
つた。このため、一回洗浄するごとに洗浄液を新
品に交換する等の無駄が多かつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、インラインで測定可能な過酸化水素とアン
モニアと水から成るSiウエハなどの洗浄液の過酸
化水素濃度のモニタとアンモニア濃度のモニタと
これらの薬品の自動供給装置を有する洗浄装置を
提供するにある。
くし、インラインで測定可能な過酸化水素とアン
モニアと水から成るSiウエハなどの洗浄液の過酸
化水素濃度のモニタとアンモニア濃度のモニタと
これらの薬品の自動供給装置を有する洗浄装置を
提供するにある。
本発明の要点とするところは、過酸化水素とア
ンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分
が300nm付近の波長の紫外線の吸光度測定により
濃度モニタできることと、アンモニア濃度がイオ
ン電極により連続測定できることとを組み合わせ
ることにより、洗浄槽中の洗浄液の一部を分取す
るための試料採取ポンプ、300nm付近の紫外線光
源と透過光用のフローセルと紫外線検出器とから
成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイオン
電極付イオンメータとフローセルから成るアンモ
ニア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水
素の供給タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイ
クロコンピユータ、該マイクロコンピユータ用イ
ンタフエイスを備えてなる装置により、薬液の成
分濃度を監視しながら各一定量の成分薬液を供給
し、一定の薬液成分濃度を保ちながら、安定した
洗浄を可能としたことにある。
ンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分
が300nm付近の波長の紫外線の吸光度測定により
濃度モニタできることと、アンモニア濃度がイオ
ン電極により連続測定できることとを組み合わせ
ることにより、洗浄槽中の洗浄液の一部を分取す
るための試料採取ポンプ、300nm付近の紫外線光
源と透過光用のフローセルと紫外線検出器とから
成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイオン
電極付イオンメータとフローセルから成るアンモ
ニア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水
素の供給タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイ
クロコンピユータ、該マイクロコンピユータ用イ
ンタフエイスを備えてなる装置により、薬液の成
分濃度を監視しながら各一定量の成分薬液を供給
し、一定の薬液成分濃度を保ちながら、安定した
洗浄を可能としたことにある。
以下、本発明による過酸化水素とアンモニアと
水から成る洗浄液を用いる洗浄装置について、図
面を参照して具体的に説明する。
水から成る洗浄液を用いる洗浄装置について、図
面を参照して具体的に説明する。
最初に、本発明における過酸化水素濃度測定原
理とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で、
本発明の洗浄装置の構成を一具体例につき述べ
る。
理とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で、
本発明の洗浄装置の構成を一具体例につき述べ
る。
本発明における、洗浄液の採取試料中の過酸化
水素濃度の測定原理を、過酸化水素とアンモニア
の紫外線波長に対する吸光度の変化を示す第１図
のグラフを参照して説明すれば、次の通りであ
る。
水素濃度の測定原理を、過酸化水素とアンモニア
の紫外線波長に対する吸光度の変化を示す第１図
のグラフを参照して説明すれば、次の通りであ
る。
第１図において、曲線ａが過酸化水素の吸光度
を示す曲線、曲線ｂがアンモニアの吸光度を示す
曲線である。第１図のグラフからわかるように、
過酸化水素とアンモニアは、共に、波長194nm付
近の紫外線領域に吸収のピークをもつており、ピ
ーク付近では両者の区別がつかない。しかし、過
酸化水素の吸収スペクトルはブロードで、アンモ
ニアの吸収がほとんどゼロになる300nm付近で
も、まだかなりの吸収を示す。従つて、300nm付
近の吸光度測定を行なえば、アンモニアと過酸化
水素と水が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化
水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
を示す曲線、曲線ｂがアンモニアの吸光度を示す
曲線である。第１図のグラフからわかるように、
過酸化水素とアンモニアは、共に、波長194nm付
近の紫外線領域に吸収のピークをもつており、ピ
ーク付近では両者の区別がつかない。しかし、過
酸化水素の吸収スペクトルはブロードで、アンモ
ニアの吸収がほとんどゼロになる300nm付近で
も、まだかなりの吸収を示す。従つて、300nm付
近の吸光度測定を行なえば、アンモニアと過酸化
水素と水が共存する洗浄液の採取試料中の過酸化
水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
本発明における、洗浄液の採取試料中のアンモ
ニア濃度測定原理を、第２図のグラフを参照して
説明する。
ニア濃度測定原理を、第２図のグラフを参照して
説明する。
第２図は、アルカリ洗浄液中におけるアンモニ
ア濃度に対するアンモニウムイオン選択電極によ
る電位の変化を示すグラフである。第２図のグラ
フからわかるように、アルカリ洗浄液中のアンモ
ニア濃度は、アンモニウムイオン選択電極を用い
たイオン電極法により測定することができる。
ア濃度に対するアンモニウムイオン選択電極によ
る電位の変化を示すグラフである。第２図のグラ
フからわかるように、アルカリ洗浄液中のアンモ
ニア濃度は、アンモニウムイオン選択電極を用い
たイオン電極法により測定することができる。
次に、本発明の洗浄装置を、一具体例につき、
第３図を参照して、詳細に説明する。
第３図を参照して、詳細に説明する。
第３図は、上記の濃度測定原理に基づいた過酸
化水素とアンモニア濃度のモニタを有する本発明
の基本を示す模式構成図である。洗浄槽１には過
酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液２が満
たされヒータ３で加熱されており、Siウエハ４を
洗浄している。洗浄液２の中の過酸化水素とアン
モニアの濃度を測定するために、洗浄液２の一部
を試料採取ポンプ５によりサンプリングし、過酸
化水素濃度測定部６のフローセル７に送り込み、
このフローセル内の過酸化水素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源８
と、その透過光の紫外線検出器９により吸光測定
する。フローセル７で紫外線吸収測定された洗浄
液の採取試料は、試料採取ポンプ１０により、さ
らにアンモニア濃度測定部１１のフローセル１２
に送り込まれた後試料排出口２０から排出され
る。フローセル１２に送り込まれた試料はアンモ
ニウムイオン電極１３により出力される電位値か
らアンモニア濃度の測定がなされ、イオンメータ
２１を経由してデータはインタフエイス１４に送
られる。上記により、ほぼ同時刻の洗浄槽１内の
過酸化水素およびアンモニアの濃度測定が行なわ
れる。勿論この場合、アンモニア濃度測定用の採
取試料は、洗浄槽から、過酸化水素濃度測定用の
採取試料と並行に直接採取することも差し支えな
い。測定された過酸化水素とアンモニアの濃度デ
ータは、インタフエイス１４を介して、マイクロ
コンピユータ１５に送られ、あらかじめマイクロ
コンピユータ１５に記憶された洗浄液の濃度デー
タと比較、参照される。記憶データと実際の濃度
の差から、あらかじめマイクロコンピユータ１５
に与えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部
１６に命令が下され、過酸化水素水補給系の電磁
弁１７、アンモニア水補給系の電磁弁１７′が開
閉し、過酸化水素水タンク１８、アンモニア水タ
ンク１９から必要量だけの過酸化水素とアンモニ
アが洗浄槽１に供給され、これにより洗浄液２の
過酸化水素およびアンモニアの濃度は常に一定範
囲内の濃度を保つことができ、安定したSiウエハ
の洗浄が行なわれる。
化水素とアンモニア濃度のモニタを有する本発明
の基本を示す模式構成図である。洗浄槽１には過
酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液２が満
たされヒータ３で加熱されており、Siウエハ４を
洗浄している。洗浄液２の中の過酸化水素とアン
モニアの濃度を測定するために、洗浄液２の一部
を試料採取ポンプ５によりサンプリングし、過酸
化水素濃度測定部６のフローセル７に送り込み、
このフローセル内の過酸化水素濃度をHgランプ
などの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長300nm付近の紫外線光源８
と、その透過光の紫外線検出器９により吸光測定
する。フローセル７で紫外線吸収測定された洗浄
液の採取試料は、試料採取ポンプ１０により、さ
らにアンモニア濃度測定部１１のフローセル１２
に送り込まれた後試料排出口２０から排出され
る。フローセル１２に送り込まれた試料はアンモ
ニウムイオン電極１３により出力される電位値か
らアンモニア濃度の測定がなされ、イオンメータ
２１を経由してデータはインタフエイス１４に送
られる。上記により、ほぼ同時刻の洗浄槽１内の
過酸化水素およびアンモニアの濃度測定が行なわ
れる。勿論この場合、アンモニア濃度測定用の採
取試料は、洗浄槽から、過酸化水素濃度測定用の
採取試料と並行に直接採取することも差し支えな
い。測定された過酸化水素とアンモニアの濃度デ
ータは、インタフエイス１４を介して、マイクロ
コンピユータ１５に送られ、あらかじめマイクロ
コンピユータ１５に記憶された洗浄液の濃度デー
タと比較、参照される。記憶データと実際の濃度
の差から、あらかじめマイクロコンピユータ１５
に与えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部
１６に命令が下され、過酸化水素水補給系の電磁
弁１７、アンモニア水補給系の電磁弁１７′が開
閉し、過酸化水素水タンク１８、アンモニア水タ
ンク１９から必要量だけの過酸化水素とアンモニ
アが洗浄槽１に供給され、これにより洗浄液２の
過酸化水素およびアンモニアの濃度は常に一定範
囲内の濃度を保つことができ、安定したSiウエハ
の洗浄が行なわれる。
次に、上述した本発明の洗浄装置の具体例にお
いて、Siウエハ４の洗浄液２の濃度調整ならびに
洗浄を行なう手順について、第４図に示すフロー
チヤートを参照しながら説明する。図において、
ステツプＡでスタートすると、過酸化水素水補給
系の電磁弁１７、アンモニア水補給系の電磁弁１
７′が、それぞれｔ，t′時間開かれ（ステツプ
Ｂ）、洗浄槽１に設けられているヒータ３がオン
される（ステツプＣ）。ついで、洗浄液２中の過
酸化水素濃度、アンモニア濃度測定用の試料採取
ポンプ５，１０がオンされる（ステツプＤ）。次
に、過酸化水素濃度測定部６によつて洗浄液２の
紫外線吸収量の測定（ステツプＥ）、アンモニア
濃度測定部１１によつて洗浄液２のアンモニウム
イオン電極１３の電位が測定され（ステツプＦ）、
これらの測定値に基づいて、洗浄液２の過酸化水
素とアンモニア濃度が算出される（ステツプＧ）。
次に、上記の算定濃度の値が目標とする過酸化水
素およびアンモニアの設定濃度範囲内にあるか否
かが判定される（ステツプＨ）。上記算出された
洗浄液２中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲から外れている場合、例えば濃度が低過
ぎれば電磁弁１７，１７′を開いて過酸化水素水
とアンモニア水を洗浄液２中に添加すべき補給量
が算出され（ステツプＪ）、電磁弁１７，１７′の
開放動作時間t″，ｔが算出される（ステツプ
Ｋ）。そして、上記の電磁弁１７，１７′の開放動
作時間t″，ｔに基づいて、電磁弁１７，１７′
がそれぞれt″，ｔ時間開放され（ステツプＬ）、
過酸化水素水タンク１８およびアンモニア水タン
ク１９から必要量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が洗浄液２中に導入される。このようなサイ
クルで、洗浄液２中の過酸化水素とアンモニアの
濃度がたえず制御され、洗浄液２は常に目標とす
る最適の設定濃度範囲内に調整される。そして、
洗浄液２中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲内であるならば、所定時間Siウエハ４の
洗浄を行なう（ステツプＩ）。洗浄液を排液しな
い場合は（ステツプＭ）、上述した手順で洗浄液
２の組成を再度測定し調整した後、Siウエハ４の
洗浄を行なう（ステツプＥ〜Ｉ）。そして、続け
てSiウエハ４を洗浄しない場合は、排液処理して
（ステツプＮ）、洗浄を終了する（ステツプＰ）。
いて、Siウエハ４の洗浄液２の濃度調整ならびに
洗浄を行なう手順について、第４図に示すフロー
チヤートを参照しながら説明する。図において、
ステツプＡでスタートすると、過酸化水素水補給
系の電磁弁１７、アンモニア水補給系の電磁弁１
７′が、それぞれｔ，t′時間開かれ（ステツプ
Ｂ）、洗浄槽１に設けられているヒータ３がオン
される（ステツプＣ）。ついで、洗浄液２中の過
酸化水素濃度、アンモニア濃度測定用の試料採取
ポンプ５，１０がオンされる（ステツプＤ）。次
に、過酸化水素濃度測定部６によつて洗浄液２の
紫外線吸収量の測定（ステツプＥ）、アンモニア
濃度測定部１１によつて洗浄液２のアンモニウム
イオン電極１３の電位が測定され（ステツプＦ）、
これらの測定値に基づいて、洗浄液２の過酸化水
素とアンモニア濃度が算出される（ステツプＧ）。
次に、上記の算定濃度の値が目標とする過酸化水
素およびアンモニアの設定濃度範囲内にあるか否
かが判定される（ステツプＨ）。上記算出された
洗浄液２中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲から外れている場合、例えば濃度が低過
ぎれば電磁弁１７，１７′を開いて過酸化水素水
とアンモニア水を洗浄液２中に添加すべき補給量
が算出され（ステツプＪ）、電磁弁１７，１７′の
開放動作時間t″，ｔが算出される（ステツプ
Ｋ）。そして、上記の電磁弁１７，１７′の開放動
作時間t″，ｔに基づいて、電磁弁１７，１７′
がそれぞれt″，ｔ時間開放され（ステツプＬ）、
過酸化水素水タンク１８およびアンモニア水タン
ク１９から必要量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が洗浄液２中に導入される。このようなサイ
クルで、洗浄液２中の過酸化水素とアンモニアの
濃度がたえず制御され、洗浄液２は常に目標とす
る最適の設定濃度範囲内に調整される。そして、
洗浄液２中の過酸化水素とアンモニア濃度が設定
濃度範囲内であるならば、所定時間Siウエハ４の
洗浄を行なう（ステツプＩ）。洗浄液を排液しな
い場合は（ステツプＭ）、上述した手順で洗浄液
２の組成を再度測定し調整した後、Siウエハ４の
洗浄を行なう（ステツプＥ〜Ｉ）。そして、続け
てSiウエハ４を洗浄しない場合は、排液処理して
（ステツプＮ）、洗浄を終了する（ステツプＰ）。
次に、上述した本発明の洗浄装置の具体例にお
いて、これに応用するマイクロコンピユータの制
御機能の基本的構成について、第５図に示す機能
ブロツク図を参照しながら説明する。図におい
て、過酸化水素濃度測定部６で測定された紫外線
吸収量の測定値（アナログ値）１０１とアンモニ
ア濃度測定部１１で測定されたアンモニウムイオ
ン電極の電位測定値（アナログ値）１０２は、マ
イクロコンピユータ１５のインタフエイス１４で
ある入力部１００に入力し、それぞれデジタル値
に変換（Ａ／Ｄ変換される。そして、上記第４図
に示すようなプログラムおよび目標とする洗浄液
２中の過酸化水素およびアンモニアの最適濃度範
囲が記憶されている設定濃度記憶部１０５に収納
されたプログラムに基づき、不足濃度演算部１０
４に、入力部１００の過酸化水素濃度を示す紫外
線の吸収量の測定値およびアンモニア濃度を示す
アンモニウムイオン電極の電位測定値のデジタル
値が取り込まれ、設定濃度記憶部１０５に記憶さ
れた上記デジタル値と過酸化水素濃度およびアン
モニア濃度との関係式により、洗浄液２中の過酸
化水素濃度およびアンモニア濃度が算出される。
算出された各濃度値と設定濃度記憶部１０５に記
憶されている設定濃度とが比較され、不足した濃
度に相当する信号が補給量演算部１０７に転送さ
れ、過酸化水素水タンク１８およびアンモニア水
タンク１９から洗浄液２中に導入する過酸化水素
水およびアンモニア水の補給量が算出される。こ
の補給量から過酸化水素水補給系に設けられてい
る電磁弁１７およびアンモニア水補給系に設けら
れている電磁弁１７′の開放動作時間t″およびｔ
が、電磁弁開閉時間演算部１０８によつて算出
され記憶される。そして、電磁弁開閉時間演算部
１０８に記憶された電磁弁１７，１７′の開放動
作時間t″，ｔは、インタフエイス１４の出力部
１０９でデジタル値がアナログ値に変換（Ｄ／Ａ
変換）されてから、電磁弁制御部１６に信号が送
られ、過酸化水素水補給系の電磁弁１７およびア
ンモニア水補給系の電磁弁１７′が開放され、洗
浄液２中に適正量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が導入され、洗浄液２は所定の濃度範囲に調
整される。このように、入力された過酸化水素お
よびアンモニアの濃度測定値から、過酸化水素水
補給系およびアンモニア水補給系に設けられてい
るそれぞれの電磁弁１７，１７′の開閉動作を制
御する一連のデータ処理がマイクロコンピユータ
の内部で行なわれる。
いて、これに応用するマイクロコンピユータの制
御機能の基本的構成について、第５図に示す機能
ブロツク図を参照しながら説明する。図におい
て、過酸化水素濃度測定部６で測定された紫外線
吸収量の測定値（アナログ値）１０１とアンモニ
ア濃度測定部１１で測定されたアンモニウムイオ
ン電極の電位測定値（アナログ値）１０２は、マ
イクロコンピユータ１５のインタフエイス１４で
ある入力部１００に入力し、それぞれデジタル値
に変換（Ａ／Ｄ変換される。そして、上記第４図
に示すようなプログラムおよび目標とする洗浄液
２中の過酸化水素およびアンモニアの最適濃度範
囲が記憶されている設定濃度記憶部１０５に収納
されたプログラムに基づき、不足濃度演算部１０
４に、入力部１００の過酸化水素濃度を示す紫外
線の吸収量の測定値およびアンモニア濃度を示す
アンモニウムイオン電極の電位測定値のデジタル
値が取り込まれ、設定濃度記憶部１０５に記憶さ
れた上記デジタル値と過酸化水素濃度およびアン
モニア濃度との関係式により、洗浄液２中の過酸
化水素濃度およびアンモニア濃度が算出される。
算出された各濃度値と設定濃度記憶部１０５に記
憶されている設定濃度とが比較され、不足した濃
度に相当する信号が補給量演算部１０７に転送さ
れ、過酸化水素水タンク１８およびアンモニア水
タンク１９から洗浄液２中に導入する過酸化水素
水およびアンモニア水の補給量が算出される。こ
の補給量から過酸化水素水補給系に設けられてい
る電磁弁１７およびアンモニア水補給系に設けら
れている電磁弁１７′の開放動作時間t″およびｔ
が、電磁弁開閉時間演算部１０８によつて算出
され記憶される。そして、電磁弁開閉時間演算部
１０８に記憶された電磁弁１７，１７′の開放動
作時間t″，ｔは、インタフエイス１４の出力部
１０９でデジタル値がアナログ値に変換（Ｄ／Ａ
変換）されてから、電磁弁制御部１６に信号が送
られ、過酸化水素水補給系の電磁弁１７およびア
ンモニア水補給系の電磁弁１７′が開放され、洗
浄液２中に適正量の過酸化水素水およびアンモニ
ア水が導入され、洗浄液２は所定の濃度範囲に調
整される。このように、入力された過酸化水素お
よびアンモニアの濃度測定値から、過酸化水素水
補給系およびアンモニア水補給系に設けられてい
るそれぞれの電磁弁１７，１７′の開閉動作を制
御する一連のデータ処理がマイクロコンピユータ
の内部で行なわれる。
上記の説明からわかるように、本発明の洗浄装
置によれば、半導体工業で極めて広く使われてい
る過酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液中
の過酸化水素成分とアンモニア成分のインライン
モニタリングが可能となり、過酸化水素の減少に
よるSiウエハの急激なエツチング防止や過酸化水
素とアンモニアの適量供給による洗浄液の再生と
寿命延長、洗浄の安定化を達成することができる
ものである。
置によれば、半導体工業で極めて広く使われてい
る過酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液中
の過酸化水素成分とアンモニア成分のインライン
モニタリングが可能となり、過酸化水素の減少に
よるSiウエハの急激なエツチング防止や過酸化水
素とアンモニアの適量供給による洗浄液の再生と
寿命延長、洗浄の安定化を達成することができる
ものである。
第１図は過酸化水素濃度の測定原理を説明する
ための過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対
する吸光度の変化を示すグラフである。第２図は
アンモニア濃度の測定原理を説明するためのアル
カリ洗浄液におけるNH3濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラ
フである。第３図は本発明の一具体例における洗
浄装置の基本構成を示す模式図である。第４図は
本発明の具体例として示した洗浄装置における洗
浄液の濃度調整ならびにSiウエハの洗浄を行なう
手順を示すフローチヤートである。第５図は本発
明の具体例として示した洗浄装置におけるマイク
ロコンピユータの機能ブロツク図である。 １……洗浄槽；２……洗浄液；３……ヒータ；
４……Siウエハ；５，１０……試料採取ポンプ；
６……過酸化水素濃度測定部；７……透過光測定
用フローセル；８……紫外線光源；９……紫外線
検出器；１１……アンモニア濃度測定部；１２…
…フローセル；１３……アンモニウムイオン電
極；１４……インタフエイス；１５……マイクロ
コンピユータ；１６……電磁弁制御部；１７，１
７′……電磁弁；１８……過酸化水素水タンク；
１９……アンモニア水タンク；２０……試料排出
口；２１……イオンメータ；１００……入力部；
１０１……紫外線吸収量の測定値；１０２……ア
ンモニウムイオン電極の電位測定値；１０４……
不足濃度演算部；１０５……設定濃度記憶部；１
０７……補給量演算部；１０８……電磁弁開閉時
間演算部；１０９……出力部。
ための過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対
する吸光度の変化を示すグラフである。第２図は
アンモニア濃度の測定原理を説明するためのアル
カリ洗浄液におけるNH3濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラ
フである。第３図は本発明の一具体例における洗
浄装置の基本構成を示す模式図である。第４図は
本発明の具体例として示した洗浄装置における洗
浄液の濃度調整ならびにSiウエハの洗浄を行なう
手順を示すフローチヤートである。第５図は本発
明の具体例として示した洗浄装置におけるマイク
ロコンピユータの機能ブロツク図である。 １……洗浄槽；２……洗浄液；３……ヒータ；
４……Siウエハ；５，１０……試料採取ポンプ；
６……過酸化水素濃度測定部；７……透過光測定
用フローセル；８……紫外線光源；９……紫外線
検出器；１１……アンモニア濃度測定部；１２…
…フローセル；１３……アンモニウムイオン電
極；１４……インタフエイス；１５……マイクロ
コンピユータ；１６……電磁弁制御部；１７，１
７′……電磁弁；１８……過酸化水素水タンク；
１９……アンモニア水タンク；２０……試料排出
口；２１……イオンメータ；１００……入力部；
１０１……紫外線吸収量の測定値；１０２……ア
ンモニウムイオン電極の電位測定値；１０４……
不足濃度演算部；１０５……設定濃度記憶部；１
０７……補給量演算部；１０８……電磁弁開閉時
間演算部；１０９……出力部。
Claims (1)
- １ 過酸化水素とアンモニア水と水からなる洗浄
液を用いてSiウエハを洗浄する洗浄装置であつ
て、洗浄液の過酸化水素およびアンモニアの濃度
を測定するための試料を採取する試料採取ポンプ
と、300nm付近の紫外線を放射する光源と透過光
測定用フローセルと紫外線検出器からなる過酸化
水素濃度測定部と、アンモニウムイオン電極とフ
ローセルとイオンメータからなるアンモニア濃度
測定部と、過酸化水素水およびアンモニア水の供
給タンクと、該供給タンクから洗浄液中に過酸化
水素水およびアンモニア水を補給する補給系に設
けられているそれぞれの電磁弁と、該電磁弁の開
閉動作を制御する電磁弁制御部を備え、かつ上記
過酸化水素濃度測定部およびアンモニア濃度測定
部からの検出信号をＡ／Ｄ変換してマイクロコン
ピユータの内部に設定されている不足濃度演算部
に入力する入力部と、過酸化水素とアンモニアの
設定濃度記憶部と、上記設定濃度に対し不足した
過酸化水素とアンモニアの濃度を算出する不足濃
度演算部と、上記不足濃度から補給する過酸化水
素水およびアンモニア水の補給量を算出する補給
量演算部と、上記補給量から上記過酸化水素水お
よびアンモニア水の供給タンクの補給系に設けら
れているそれぞれの電磁弁の開閉作動時間を算出
する電磁弁開閉時間演算部と、上記電磁弁開閉時
間演算部からの出力信号をＤ／Ａ変換して電磁弁
制御部に出力する出力部と、上記出力信号によつ
て上記過酸化水素水およびアンモニア水の補給系
に設けられているそれぞれの電磁弁の開閉動作を
行う電磁弁制御部を有し、上記洗浄液を最適濃度
範囲に調合することを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946032A JPS5946032A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS6316901B2 true JPS6316901B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=15616331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15591782A Granted JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946032A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02722U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-05 | ||
| JP2807069B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1998-09-30 | 川崎製鉄株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
| JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
| US5472516A (en) * | 1994-04-15 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Process and apparatus for semiconductor device fabrication |
| JP4590700B2 (ja) | 2000-07-14 | 2010-12-01 | ソニー株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15591782A patent/JPS5946032A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5946032A (ja) | 1984-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6943878B2 (en) | Methods and systems for controlling the concentration of a component in a composition with absorption spectroscopy | |
| US20080190557A1 (en) | Apparatus for real-time dynamic chemical analysis | |
| KR101791490B1 (ko) | 전산화성 물질 농도의 측정 방법, 기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템 | |
| KR101723883B1 (ko) | 일체형 산화반응조를 구비한 총유기탄소 측정장치 및 측정방법 | |
| JPH0528490B2 (ja) | ||
| JP2005260238A (ja) | 近赤外線分光器を利用したリソグラフィ工程用組成物の実時間制御システム及びその制御方法 | |
| CN107533043B (zh) | 水质分析装置 | |
| US6171975B1 (en) | Wet-chemical treatment method, treatment method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS6316901B2 (ja) | ||
| JPS628040A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2018036084A (ja) | 水質分析計 | |
| JPS6060729A (ja) | 洗浄装置 | |
| US8518704B2 (en) | System and method for monitoring and/or controlling attributes of multiple chemical mixtures with a single sensor | |
| JP2008235812A (ja) | 基板処理装置の供給異常検知方法及びそれを用いた基板処理装置 | |
| JPH0339491A (ja) | 薄膜エッチング装置 | |
| JP3078199B2 (ja) | 濃度制御方法及びこれを利用した基板処理装置 | |
| JP2528111B2 (ja) | オゾン濃度計測方法および装置 | |
| JPH0634890B2 (ja) | 薬液調合方法 | |
| JP3297650B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2798346B2 (ja) | 濃度測定装置 | |
| JP3032410B2 (ja) | 濃度測定方法 | |
| SU1604749A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса очистки сточных вод от шестивалентного хрома | |
| JP2001124757A (ja) | ３態窒素分析システムにおけるシステムの自己診断方法 | |
| JPH11142332A (ja) | 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 | |
| JP3333237B2 (ja) | ガルバニ電池タイプの酸素分析計およびこの分析計の制御方法 |