JPS5946032A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPS5946032A JPS5946032A JP15591782A JP15591782A JPS5946032A JP S5946032 A JPS5946032 A JP S5946032A JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP 15591782 A JP15591782 A JP 15591782A JP S5946032 A JPS5946032 A JP S5946032A
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- JP
- Japan
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- ammonia
- hydrogen peroxide
- cleaning
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- liquid
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳ１ウエハなどの洗浄において、適正な洗浄液
組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタを有し、これ
に従って洗浄液成分濃度を適当な値にコントロールする
機能を有する洗浄装置に関するものである。
組成を保つための洗浄液の成分濃度モニタを有し、これ
に従って洗浄液成分濃度を適当な値にコントロールする
機能を有する洗浄装置に関するものである。
従来、過酸化水素とアンモニアと水を用℃・たＳｉウェ
ハなど用の洗浄液は、しばしば８０ °Ｃ程度に加熱し
て使用されるため、熱分解により数十分て過酸化水素の
分解、アンモニアの蒸発によりｌ／＋１．浄液の劣化が
起こる。従来、これらの成分を確認し２ようとすれば、
滴定などのオフラインで、しかも時間のかかる成分の分
析法しかなく、インラインでの直接成分濃度測定や薬液
管理に＋−＋、適用できなかった。このため、−回洗浄
ずろごとに洗浄液を新品に交換する等の無駄が多かった
。
ハなど用の洗浄液は、しばしば８０ °Ｃ程度に加熱し
て使用されるため、熱分解により数十分て過酸化水素の
分解、アンモニアの蒸発によりｌ／＋１．浄液の劣化が
起こる。従来、これらの成分を確認し２ようとすれば、
滴定などのオフラインで、しかも時間のかかる成分の分
析法しかなく、インラインでの直接成分濃度測定や薬液
管理に＋−＋、適用できなかった。このため、−回洗浄
ずろごとに洗浄液を新品に交換する等の無駄が多かった
。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、イ
ンラインで測定可能な過酸化水素とアンモニアと水から
成るＳｊつ、ノ・などの洗浄液の過酸化水素濃度のモニ
タとアンモニア濃度のモニタとこれらの薬品の自動供給
装置を有する洗浄装置を提供するにある。
ンラインで測定可能な過酸化水素とアンモニアと水から
成るＳｊつ、ノ・などの洗浄液の過酸化水素濃度のモニ
タとアンモニア濃度のモニタとこれらの薬品の自動供給
装置を有する洗浄装置を提供するにある。
本発明の要点とするところは、過酸化水素とアンモニア
と水から成る洗浄液中の過酸化水素成分が３００ ｎｍ
付近の波長の紫外線の吸光度測定により濃度モニタでき
ることと、アンモニア濃度がイオン電極により連続測定
できることとを組み合わせることにより、洗浄槽中の洗
浄液の一部を分取するための試料採取ポンプ、３００
ｎｍ付近の紫外線光源と透過光用フローセルと紫外線検
出器とから成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイ
オン電極付イオンメータとフローセルから成るアンモニ
ア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水素の供給
タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイクロコンピータ
、該マイクロコンピュータ用インタフェイスを備えてな
る装置により、薬液の成分濃度を監視しながら各一定量
の成分薬液を供給し、−・定の薬液成分濃度を保ちなが
ら、安定した洗浄を可能としたことにある。
と水から成る洗浄液中の過酸化水素成分が３００ ｎｍ
付近の波長の紫外線の吸光度測定により濃度モニタでき
ることと、アンモニア濃度がイオン電極により連続測定
できることとを組み合わせることにより、洗浄槽中の洗
浄液の一部を分取するための試料採取ポンプ、３００
ｎｍ付近の紫外線光源と透過光用フローセルと紫外線検
出器とから成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウムイ
オン電極付イオンメータとフローセルから成るアンモニ
ア濃度測定部、洗浄槽、アンモニアと過酸化水素の供給
タンク、電磁弁、電磁弁の制御部、マイクロコンピータ
、該マイクロコンピュータ用インタフェイスを備えてな
る装置により、薬液の成分濃度を監視しながら各一定量
の成分薬液を供給し、−・定の薬液成分濃度を保ちなが
ら、安定した洗浄を可能としたことにある。
以下、本発明による過酸化水素とアンモニアと水から成
る洗浄液を用（・る洗浄装置について、図面を参照して
具体的に説明する。
る洗浄液を用（・る洗浄装置について、図面を参照して
具体的に説明する。
最初に、本発明における過酸ｆヒ水素濃度４（す定原理
とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で。
とアンモニア濃度測定原理を述べ、その後で。
本発明の洗浄装置の構成を一具体例につき述べる。
本発明における、洗浄液の採取試料中の過酸化水素濃度
の測定原理を、過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に
対する吸光度の変化を示す第１図のグラフを参照して説
明すれば、次の通りである。
の測定原理を、過酸化水素とアンモニアの紫外線波長に
対する吸光度の変化を示す第１図のグラフを参照して説
明すれば、次の通りである。
第１図において、曲線ａが過酸化水素の吸光度を示す曲
線、曲線すがアンモニアの吸光度を示す曲線である。第
１図のグラフかられかるように、過酸化水素とアンモニ
アは、共に、波長１９・Ｉ ＋１ｍ刊近０紫外線領域に
吸収のピークをもっており、ピーク付近では両者の区別
がつかない。しかし、過酸化水素の吸収スペクトルはブ
ロードで、アンモニアの吸収がほとんどゼロになる３０
０ ｎｍ伺近ても、まだかなりの吸収を示す。従って、
３００ ｎｍ ４＝Ｊ近の吸光度測定を行なえば、アン
モニアと過酸化水素と水が共存する洗浄液の採取試料中
の過酸化水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
線、曲線すがアンモニアの吸光度を示す曲線である。第
１図のグラフかられかるように、過酸化水素とアンモニ
アは、共に、波長１９・Ｉ ＋１ｍ刊近０紫外線領域に
吸収のピークをもっており、ピーク付近では両者の区別
がつかない。しかし、過酸化水素の吸収スペクトルはブ
ロードで、アンモニアの吸収がほとんどゼロになる３０
０ ｎｍ伺近ても、まだかなりの吸収を示す。従って、
３００ ｎｍ ４＝Ｊ近の吸光度測定を行なえば、アン
モニアと過酸化水素と水が共存する洗浄液の採取試料中
の過酸化水素の成分濃度のみを独立に測定できる。
本発明における、洗浄液の採取試料中のアンモニア濃度
測定原理を、第２図のグラフを参［！（イして説明する
。
測定原理を、第２図のグラフを参［！（イして説明する
。
第２図は、アルカリ洗浄液中におけるアンモニア濃度に
対するアンモニウムイオン選択電極による電位の変化を
示すグラフである。第２図のグラフかられかるように、
アルカリ洗浄液中のアンモニア濃度は、アンモニウムイ
オン選択電極を用いたイオン電極法により測定すること
ができる。
対するアンモニウムイオン選択電極による電位の変化を
示すグラフである。第２図のグラフかられかるように、
アルカリ洗浄液中のアンモニア濃度は、アンモニウムイ
オン選択電極を用いたイオン電極法により測定すること
ができる。
次に、本発明の洗浄装置を、−具体例につき、第：３図
を参照して、詳細に説明する。
を参照して、詳細に説明する。
第３図は、上記の濃度測定原理に基づいた過酸化水素と
アンモニア濃度のモニタを有する本発明の基本を示す模
式構成図である。洗浄槽１には過酸化水素とアンモニア
と水から成る洗浄液２が満たされヒータ：３で加熱され
ており、Ｓｉウェハ４を洗浄している。洗浄液２の中の
過酸化水素とアンモニアの濃度を測定するために、洗ｆ
ｆｌ Ｍ ２の−・部を試料採取ポンプ５Ｖｃよりサン
プリングし、過酸化水素濃度測定部６のフローセルフに
送り込み、このフローセル内の過酸化水素濃度をト１ｇ
ランプなどの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長３０Ｏｎｍ付近の紫外線光源８と
、その透過光の検出器９により吸光測定する。フローセ
ルフで紫外線吸収測定された洗浄液の採取試料は、ポン
プ１０により、さらにアンモニア濃度測定部１１のフロ
ーセル１２に送り込まれた後排出１］２０から排出され
る。フローセル１２に送り込まれた試料はイオン電極１
３により出力される電位値からアンモニア濃度の測定力
なされ、イオンメータ２１を経由し２てデータはインタ
フェイスＬＳＩに送られる。
アンモニア濃度のモニタを有する本発明の基本を示す模
式構成図である。洗浄槽１には過酸化水素とアンモニア
と水から成る洗浄液２が満たされヒータ：３で加熱され
ており、Ｓｉウェハ４を洗浄している。洗浄液２の中の
過酸化水素とアンモニアの濃度を測定するために、洗ｆ
ｆｌ Ｍ ２の−・部を試料採取ポンプ５Ｖｃよりサン
プリングし、過酸化水素濃度測定部６のフローセルフに
送り込み、このフローセル内の過酸化水素濃度をト１ｇ
ランプなどの紫外線を発するランプとモノクロメータな
どから構成される波長３０Ｏｎｍ付近の紫外線光源８と
、その透過光の検出器９により吸光測定する。フローセ
ルフで紫外線吸収測定された洗浄液の採取試料は、ポン
プ１０により、さらにアンモニア濃度測定部１１のフロ
ーセル１２に送り込まれた後排出１］２０から排出され
る。フローセル１２に送り込まれた試料はイオン電極１
３により出力される電位値からアンモニア濃度の測定力
なされ、イオンメータ２１を経由し２てデータはインタ
フェイスＬＳＩに送られる。
上記により、はぼ同時刻の洗浄槽１内の過酸化水素およ
びアンモニアの濃度測定が行なわれる。勿論この場合、
アンモニア濃度測定用の採取試お１は、洗浄槽から、過
酸化水素濃度測定用の採取試ｔＩと並行に直接採取する
ことも差し支えな見・。１ｉｊｌｌ定された過酸化水素
とアンモニアの濃度データ４″１１、インクフェイス１
４を介して、マイクロコンピュータ１５に送られ、あら
かじめマイクロコンピュータ１５に記憶された洗浄液の
濃度データと比較、参照される。記憶データと実際の濃
度の差から、あらかじめマイクロコンピュータ１５に力
えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部】６に命令
が下され、電磁弁１７．１７’が開閉し、タンク１８．
１９から必要量だけの過酸化水素とアンモニアが洗浄槽
１に供給され、これにより洗浄液２の過酸化水素および
アンモニアの濃度は常に一定範囲内の濃度を保つことが
でき、安定したＳ］つ、ハの洗浄が行なわれる。
びアンモニアの濃度測定が行なわれる。勿論この場合、
アンモニア濃度測定用の採取試お１は、洗浄槽から、過
酸化水素濃度測定用の採取試ｔＩと並行に直接採取する
ことも差し支えな見・。１ｉｊｌｌ定された過酸化水素
とアンモニアの濃度データ４″１１、インクフェイス１
４を介して、マイクロコンピュータ１５に送られ、あら
かじめマイクロコンピュータ１５に記憶された洗浄液の
濃度データと比較、参照される。記憶データと実際の濃
度の差から、あらかじめマイクロコンピュータ１５に力
えられたプログラムに基づき、電磁弁制御部】６に命令
が下され、電磁弁１７．１７’が開閉し、タンク１８．
１９から必要量だけの過酸化水素とアンモニアが洗浄槽
１に供給され、これにより洗浄液２の過酸化水素および
アンモニアの濃度は常に一定範囲内の濃度を保つことが
でき、安定したＳ］つ、ハの洗浄が行なわれる。
上記の説明かられかるように、本発明の洗浄装置によれ
ば、半導体工業で極めて広く使われて℃・ろ過酸化水素
とアンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分と
アンモニア成分のインラインモニタリングがｉ」能とな
り、過酸化水素の減少によろＳ】ウェハの急激なエツチ
ング防止や過酸化水素とアンモニアの適量供給による洗
浄液の再生と寿命延長、洗浄の安定化を達成することが
できろものである。
ば、半導体工業で極めて広く使われて℃・ろ過酸化水素
とアンモニアと水から成る洗浄液中の過酸化水素成分と
アンモニア成分のインラインモニタリングがｉ」能とな
り、過酸化水素の減少によろＳ】ウェハの急激なエツチ
ング防止や過酸化水素とアンモニアの適量供給による洗
浄液の再生と寿命延長、洗浄の安定化を達成することが
できろものである。
第１図は過酸化水素濃度の測定原理を説明するための過
酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対する吸光度の変
化を示すグラフである。 第２図はアンモニア濃度の測定原理を説明するためのア
ルツ３１Ｊ洗浄液におけるＮＨ９濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラフであ
る。 第３図は本発明の一具体例における洗浄装置の基本構成
を示す模式図である。 １・洗浄槽； ２ 洗浄液； ３・・ヒータ；４−８１ウェ″： ５．１０・・試料採取ポンプ； ６・・過酸化水素濃度測定部； ７・・・透過光測定用フローセル。 ８ 紫外線光源； ９・・・紫外線検出器；１１・
・アンモニア濃度測定部。 Ｉ２・フローセル：１；つ・・°イオン電極；１１トイ
ンタフェイス； １５・°マイクロコンピュータ。 １６・・電磁弁制御部； １７．＋７’・・電磁弁
：１８・・過酸化水素タンク； １９・・アンモニア水タンク； ２０・・・試料排出口、 ２＋・イオンメータ。 代理人弁理士 中 村 純之助 崇１ 問 オ・２ 図 ＮＨ３Ｆｌｉｆｔ （％＞ （ｒルカリＰ３？＊”ヤ
）ＡＰ３図
酸化水素とアンモニアの紫外線波長に対する吸光度の変
化を示すグラフである。 第２図はアンモニア濃度の測定原理を説明するためのア
ルツ３１Ｊ洗浄液におけるＮＨ９濃度に対するアンモニ
ウムイオン選択電極による電位の変化を示すグラフであ
る。 第３図は本発明の一具体例における洗浄装置の基本構成
を示す模式図である。 １・洗浄槽； ２ 洗浄液； ３・・ヒータ；４−８１ウェ″： ５．１０・・試料採取ポンプ； ６・・過酸化水素濃度測定部； ７・・・透過光測定用フローセル。 ８ 紫外線光源； ９・・・紫外線検出器；１１・
・アンモニア濃度測定部。 Ｉ２・フローセル：１；つ・・°イオン電極；１１トイ
ンタフェイス； １５・°マイクロコンピュータ。 １６・・電磁弁制御部； １７．＋７’・・電磁弁
：１８・・過酸化水素タンク； １９・・アンモニア水タンク； ２０・・・試料排出口、 ２＋・イオンメータ。 代理人弁理士 中 村 純之助 崇１ 問 オ・２ 図 ＮＨ３Ｆｌｉｆｔ （％＞ （ｒルカリＰ３？＊”ヤ
）ＡＰ３図
Claims (1)
- 過酸化水素とアンモニアと水から成る洗浄液を用いる洗
浄装置にして、試料採取ポンプと：３０Ｏｒｎｎ伺近の
紫外線を放射する光源と透過光測定用フローセルと紫外
線検出器から成る過酸化水素濃度測定部、アンモニウム
イオン電極とフローセルとイオンメータから成るアンモ
ニア濃度測定部、これら測定結果と設定値のずれを判断
するマイクロコンピュータ、ａ亥コンピュータ用インタ
フェイス、洗浄槽、アンモニアと過酸化水素の供給タン
ク、電磁弁、電磁弁の制御部を備えてなることを特徴と
する洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15591782A JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946032A true JPS5946032A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS6316901B2 JPS6316901B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=15616331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15591782A Granted JPS5946032A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946032A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02722U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-05 | ||
| JPH0496329A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
| EP0675528A2 (en) * | 1994-03-28 | 1995-10-04 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for rinsing wafers and rinsing apparatus |
| US5472516A (en) * | 1994-04-15 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Process and apparatus for semiconductor device fabrication |
| EP1172844A2 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15591782A patent/JPS5946032A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02722U (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-05 | ||
| JPH0496329A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
| EP0675528A2 (en) * | 1994-03-28 | 1995-10-04 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for rinsing wafers and rinsing apparatus |
| EP0675528A3 (en) * | 1994-03-28 | 1997-05-28 | Shinetsu Handotai Kk | Method for rinsing substrates and rinsing device. |
| US5881748A (en) * | 1994-03-28 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water |
| US5472516A (en) * | 1994-04-15 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Process and apparatus for semiconductor device fabrication |
| EP1172844A2 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| EP1172844A3 (en) * | 2000-07-14 | 2005-12-14 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
| US7255749B2 (en) | 2000-07-14 | 2007-08-14 | Sony Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316901B2 (ja) | 1988-04-11 |
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