JP3093975B2 - レジスト剥離液管理装置 - Google Patents
レジスト剥離液管理装置Info
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- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- G—PHYSICS
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- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
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- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程や
液晶基板製造工程においてレジストの剥離に用いられる
レジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離液
の循環使用における連続自動補給機構、水分濃度調整機
構、及びレジスト剥離で溶出したレジストの濃縮化に伴
うレジスト剥離性能の劣化抑制のためのレジスト剥離液
自動排出機構を併せて有する装置に関する。
液晶基板製造工程においてレジストの剥離に用いられる
レジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離液
の循環使用における連続自動補給機構、水分濃度調整機
構、及びレジスト剥離で溶出したレジストの濃縮化に伴
うレジスト剥離性能の劣化抑制のためのレジスト剥離液
自動排出機構を併せて有する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶基板の製造工程におけるフ
ォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料には、
露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不溶化
するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されてい
る。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジア
ジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹脂）
を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工程の
最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する工程
が必要である。
ォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料には、
露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不溶化
するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されてい
る。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジア
ジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹脂）
を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工程の
最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する工程
が必要である。
【０００３】特開平７−２３５４８７号公報には、レジ
スト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段
と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により
検出して有機溶媒とアルカノールアミンとを、又は有機
溶媒とアルカノールアミンとを予め調合したレジスト剥
離新液を補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のア
ルカノールアミン濃度を吸光光度計により検出して有機
溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給す
る第二補給手段とを備えたレジスト剥離液管理装置が記
載されている。
スト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段
と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により
検出して有機溶媒とアルカノールアミンとを、又は有機
溶媒とアルカノールアミンとを予め調合したレジスト剥
離新液を補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のア
ルカノールアミン濃度を吸光光度計により検出して有機
溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給す
る第二補給手段とを備えたレジスト剥離液管理装置が記
載されている。
【０００４】液晶基板のレジスト剥離工程においては、
上記のように、レジスト剥離液として有機アルカリや有
機溶剤を組み合わせた溶液が主として使用されている
が、更に適量の水を添加した溶液が優れた効果を有する
ことが明らかとなった。即ち、適量の水を含有するレジ
スト剥離液を用いると、基板の処理温度を水を含有しな
いレジスト剥離液の約８０℃から約４０℃に低下させる
ことができ基板や半導体回路を形成する下地メタルへの
ダメージを減少させることができること、不燃物として
の取り扱いができ安全性が高いこと、蒸発ロスが主とし
て安価な水であること、剥離速度が大きいことなどの効
果を有する。例えば、ジメチルスルホキシド系原液と純
水との溶液、Ｎ−メチルピロリドン系原液と純水との溶
液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと純水
との溶液などがスプレー方式あるいはディップ方式など
で使用されている。
上記のように、レジスト剥離液として有機アルカリや有
機溶剤を組み合わせた溶液が主として使用されている
が、更に適量の水を添加した溶液が優れた効果を有する
ことが明らかとなった。即ち、適量の水を含有するレジ
スト剥離液を用いると、基板の処理温度を水を含有しな
いレジスト剥離液の約８０℃から約４０℃に低下させる
ことができ基板や半導体回路を形成する下地メタルへの
ダメージを減少させることができること、不燃物として
の取り扱いができ安全性が高いこと、蒸発ロスが主とし
て安価な水であること、剥離速度が大きいことなどの効
果を有する。例えば、ジメチルスルホキシド系原液と純
水との溶液、Ｎ−メチルピロリドン系原液と純水との溶
液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと純水
との溶液などがスプレー方式あるいはディップ方式など
で使用されている。
【０００５】従来法では、レジスト剥離処理槽へ所定濃
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ４日間前後に
１回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。フォトリソグラフィ工程の最終段
階であるレジスト剥離工程にて不良品が発生すると損害
額が大きい。
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ４日間前後に
１回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。フォトリソグラフィ工程の最終段
階であるレジスト剥離工程にて不良品が発生すると損害
額が大きい。
【０００６】水分を含むレジスト剥離液は、通常３０〜
６０℃で使用されている。レジスト剥離液に使用される
成分の沸点は、有機アルカリや有機溶剤が、１６０〜２
５０℃程度であり、水が１００℃である。従って、レジ
スト剥離液は、使用中にレジスト剥離槽の大気シールの
ためのパージ窒素ガスに同伴して低沸点の水分が優先的
に蒸発することで、水分濃度が下降して濃度変動を生じ
る。そのため逐次レジスト剥離性能が低下するが、従来
は水分濃度をリアルタイムで測定することが行なわれ
ず、かつ所定濃度に一定に制御することが行なわれてい
なかった。水分濃度が更に低下すると、引火点を有する
ようになり爆発の危険性が生じる。
６０℃で使用されている。レジスト剥離液に使用される
成分の沸点は、有機アルカリや有機溶剤が、１６０〜２
５０℃程度であり、水が１００℃である。従って、レジ
スト剥離液は、使用中にレジスト剥離槽の大気シールの
ためのパージ窒素ガスに同伴して低沸点の水分が優先的
に蒸発することで、水分濃度が下降して濃度変動を生じ
る。そのため逐次レジスト剥離性能が低下するが、従来
は水分濃度をリアルタイムで測定することが行なわれ
ず、かつ所定濃度に一定に制御することが行なわれてい
なかった。水分濃度が更に低下すると、引火点を有する
ようになり爆発の危険性が生じる。
【０００７】また、レジスト剥離処理によってレジスト
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、剥離速度の
低下や剥離残渣の発生などレジスト剥離性能劣化の一因
となっているが、従来は溶解レジスト濃度をリアルタイ
ムで測定することが行なわれず、かつ所定濃度に一定に
制御することが行なわれていなかった。
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、剥離速度の
低下や剥離残渣の発生などレジスト剥離性能劣化の一因
となっているが、従来は溶解レジスト濃度をリアルタイ
ムで測定することが行なわれず、かつ所定濃度に一定に
制御することが行なわれていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、この間の水分
濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定でな
いため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精細
寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、歩
留りを低下させていた。また液交換時の操業停止（ダウ
ンタイム）により大幅な稼動率低下をきたし、レジスト
剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。
濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定でな
いため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精細
寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、歩
留りを低下させていた。また液交換時の操業停止（ダウ
ンタイム）により大幅な稼動率低下をきたし、レジスト
剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。
【０００９】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程の大量生産に適
した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を生か
しながら、前述した従来技術の問題点を解消するもので
ある。すなわち、本発明の目的は、所定の成分比をもっ
た原液を用意しておけば、レジスト剥離液を所定の水分
濃度と溶解レジスト濃度に自動制御し、かつレジスト剥
離処理槽の液補給に対して適切な管理を行ない、もって
レジスト剥離性能を常時一定化するとともに、使用原液
量を削減し、安全を確保し、操業停止時間を大幅に短縮
して総合的な製造コストの低減を可能とすることにあ
る。
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程の大量生産に適
した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を生か
しながら、前述した従来技術の問題点を解消するもので
ある。すなわち、本発明の目的は、所定の成分比をもっ
た原液を用意しておけば、レジスト剥離液を所定の水分
濃度と溶解レジスト濃度に自動制御し、かつレジスト剥
離処理槽の液補給に対して適切な管理を行ない、もって
レジスト剥離性能を常時一定化するとともに、使用原液
量を削減し、安全を確保し、操業停止時間を大幅に短縮
して総合的な製造コストの低減を可能とすることにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、レジスト剥離
処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト濃度は、
図８に示すように、その吸光度と密接な関係（高度な直
線関係）にあることを実験により確認したことから、溶
解レジスト濃度を吸光度測定することにより調整、制御
し、さらにレジスト剥離液中の水分濃度が、図５に示す
ように、その吸光度との間に密接な関係（高度な直線関
係）にあることを実験によって確認したことから、水分
濃度を吸光度測定により調整、制御するようにしたもの
であり、水分濃度とレジスト濃度の両方を同時に管理す
るようにしたものである。
処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト濃度は、
図８に示すように、その吸光度と密接な関係（高度な直
線関係）にあることを実験により確認したことから、溶
解レジスト濃度を吸光度測定することにより調整、制御
し、さらにレジスト剥離液中の水分濃度が、図５に示す
ように、その吸光度との間に密接な関係（高度な直線関
係）にあることを実験によって確認したことから、水分
濃度を吸光度測定により調整、制御するようにしたもの
であり、水分濃度とレジスト濃度の両方を同時に管理す
るようにしたものである。
【００１１】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト剥離原液
と純水とを供給して一定液面レベルに保つ液面調節・補
給手段と、このレジスト剥離処理槽内のレジスト水系剥
離液の水分濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥
離原液及び純水の少なくとも一方を補給する補給手段と
を備えたことを特徴としている。また、本発明のレジス
ト剥離液管理装置は、補給手段において、レジスト剥離
原液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と
純水とを予め調合したレジスト水系剥離新液を補給する
ようにしたことを特徴としている。
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト剥離原液
と純水とを供給して一定液面レベルに保つ液面調節・補
給手段と、このレジスト剥離処理槽内のレジスト水系剥
離液の水分濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥
離原液及び純水の少なくとも一方を補給する補給手段と
を備えたことを特徴としている。また、本発明のレジス
ト剥離液管理装置は、補給手段において、レジスト剥離
原液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と
純水とを予め調合したレジスト水系剥離新液を補給する
ようにしたことを特徴としている。
【００１２】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト水系剥離
液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト水系剥離液を排出するレジスト水系剥離液排出手段
と、レジスト水系剥離液の液面レベルを液面レベル計に
より検出してレジスト剥離原液と純水とを補給する第一
補給手段と、レジスト水系剥離液の水分濃度を吸光光度
計により検出して、レジスト剥離原液及び純水の少なく
とも一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴
としている（図１参照）。また、本発明のレジスト剥離
液管理装置は、第一補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト水系剥離新液をもって補給
するようにしたことを特徴としている（図２参照）。
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト水系剥離
液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト水系剥離液を排出するレジスト水系剥離液排出手段
と、レジスト水系剥離液の液面レベルを液面レベル計に
より検出してレジスト剥離原液と純水とを補給する第一
補給手段と、レジスト水系剥離液の水分濃度を吸光光度
計により検出して、レジスト剥離原液及び純水の少なく
とも一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴
としている（図１参照）。また、本発明のレジスト剥離
液管理装置は、第一補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト水系剥離新液をもって補給
するようにしたことを特徴としている（図２参照）。
【００１３】さらに、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、レジスト水系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度
計により検出してレジスト剥離原液と純水とを補給する
第三補給手段と、レジスト水系剥離液の水分濃度を吸光
光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少な
くとも一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特
徴としている（図３参照）。また、本発明のレジスト剥
離液管理装置は、レジスト剥離原液と純水とを補給する
第三補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを補
給する代わりに、レジスト剥離原液と純水とを予め調合
したレジスト水系剥離新液を補給するようにしたことを
特徴としている（図４参照）。レジスト剥離原液として
は、例えばジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピ
ロリドン系原液、アルカノールアミンとグライコールエ
ーテル系溶剤との混合原液などが用いられる。アルカノ
ールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１
−プロパノールなどを挙げることができる。グライコー
ルエーテル系溶剤としては、ブチルジグリコール、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテルなどを挙げることができる。
は、レジスト水系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度
計により検出してレジスト剥離原液と純水とを補給する
第三補給手段と、レジスト水系剥離液の水分濃度を吸光
光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少な
くとも一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特
徴としている（図３参照）。また、本発明のレジスト剥
離液管理装置は、レジスト剥離原液と純水とを補給する
第三補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを補
給する代わりに、レジスト剥離原液と純水とを予め調合
したレジスト水系剥離新液を補給するようにしたことを
特徴としている（図４参照）。レジスト剥離原液として
は、例えばジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピ
ロリドン系原液、アルカノールアミンとグライコールエ
ーテル系溶剤との混合原液などが用いられる。アルカノ
ールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１
−プロパノールなどを挙げることができる。グライコー
ルエーテル系溶剤としては、ブチルジグリコール、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテルなどを挙げることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、これらの実
施の形態に記載されている構成機器の形状、その相対配
置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本発明の
範囲をそれらのみに限定するものではなく、単なる説明
例にすぎない。図１は、本発明の第１の実施の形態によ
るレジスト剥離液管理装置を示す系統図である。図中の
参照番号１〜１３は従来の既設のレジスト剥離処理装置
を構成する機器である。すなわち、この従来のレジスト
剥離処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥
離処理槽１、オーバーフロー槽２、液面レベル計３、レ
ジスト剥離室フード４、レジスト剥離液スプレー７、レ
ジスト剥離液スプレーへの送液ポンプ８、レジスト剥離
液中の微細粒子等を除去するためのフィルター９、基板
を配置してレジスト剥離しつつ移動するローラーコンベ
ア５、基板６、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のた
めの循環ポンプ１１、微細粒子除去用フィルター１３、
ならびにＮ2 ガス、純水等の配管類などからなってい
る。
適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、これらの実
施の形態に記載されている構成機器の形状、その相対配
置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本発明の
範囲をそれらのみに限定するものではなく、単なる説明
例にすぎない。図１は、本発明の第１の実施の形態によ
るレジスト剥離液管理装置を示す系統図である。図中の
参照番号１〜１３は従来の既設のレジスト剥離処理装置
を構成する機器である。すなわち、この従来のレジスト
剥離処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥
離処理槽１、オーバーフロー槽２、液面レベル計３、レ
ジスト剥離室フード４、レジスト剥離液スプレー７、レ
ジスト剥離液スプレーへの送液ポンプ８、レジスト剥離
液中の微細粒子等を除去するためのフィルター９、基板
を配置してレジスト剥離しつつ移動するローラーコンベ
ア５、基板６、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のた
めの循環ポンプ１１、微細粒子除去用フィルター１３、
ならびにＮ2 ガス、純水等の配管類などからなってい
る。
【００１５】本発明に基づき、上記レジスト剥離処理装
置に付設される機器は、吸光光度計１５、吸光光度計１
６、液排出ポンプ１８、及びレジスト剥離原液供給缶１
９、レジスト剥離原液供給用の流量調節弁２１、純水供
給用の流量調節弁２２と、これら各機器を接続する配管
類、電気計装類又は空気計装類などである。
置に付設される機器は、吸光光度計１５、吸光光度計１
６、液排出ポンプ１８、及びレジスト剥離原液供給缶１
９、レジスト剥離原液供給用の流量調節弁２１、純水供
給用の流量調節弁２２と、これら各機器を接続する配管
類、電気計装類又は空気計装類などである。
【００１６】レジスト剥離処理槽１に貯留される液量
は、レジスト剥離液スプレー７の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計３は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽１の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は排出ポンプ１８を
作動することによりドレン用配管に流下する。なお、劣
化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す場
合もある。
は、レジスト剥離液スプレー７の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計３は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽１の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は排出ポンプ１８を
作動することによりドレン用配管に流下する。なお、劣
化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す場
合もある。
【００１７】レジスト剥離原液、例えば、モノエタノー
ルアミン（以下、ＭＥＡと略称する）とブチルジグリコ
ール（以下、ＢＤＧと略称する）の所定濃度混合液を貯
留するレジスト剥離原液供給缶１９は、配管２０からの
Ｎ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2に加圧されており、レジス
ト剥離原液流量調節弁２１の開により圧送される。ま
た、純水は既設配管からの分岐管に通じており、純水流
量調節弁２２の開により送液される。このレジスト剥離
原液及び純水はそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路２３で合流して管路１２に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽１に入る。なお、レ
ジスト剥離原液と純水とを合流させずに、管路１２又は
レジスト剥離処理槽１にそれぞれ連結することも可能で
ある。
ルアミン（以下、ＭＥＡと略称する）とブチルジグリコ
ール（以下、ＢＤＧと略称する）の所定濃度混合液を貯
留するレジスト剥離原液供給缶１９は、配管２０からの
Ｎ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2に加圧されており、レジス
ト剥離原液流量調節弁２１の開により圧送される。ま
た、純水は既設配管からの分岐管に通じており、純水流
量調節弁２２の開により送液される。このレジスト剥離
原液及び純水はそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路２３で合流して管路１２に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽１に入る。なお、レ
ジスト剥離原液と純水とを合流させずに、管路１２又は
レジスト剥離処理槽１にそれぞれ連結することも可能で
ある。
【００１８】また、レジスト剥離液スプレー用の管路１
０にオンラインで設置した吸光光度計１５と吸光光度計
１６（例えば、両器は一体構成）には、管路１４から試
料液が導入されてそれぞれの吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路１７から管路１０に戻される。なお、吸
光光度計１５と吸光光度計１６とを別体として設置する
ことや測定用の循環ポンプを使用して試料液を吸光光度
計１５と吸光光度計１６とに導入することも可能であ
る。
０にオンラインで設置した吸光光度計１５と吸光光度計
１６（例えば、両器は一体構成）には、管路１４から試
料液が導入されてそれぞれの吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路１７から管路１０に戻される。なお、吸
光光度計１５と吸光光度計１６とを別体として設置する
ことや測定用の循環ポンプを使用して試料液を吸光光度
計１５と吸光光度計１６とに導入することも可能であ
る。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施の形態を示す
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の液
面レベルを液面レベル計３により検出してレジスト剥離
原液と純水とを補給する代わりに、図２に示すように、
レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計３により検
出してレジスト剥離原液と純水とを予め調合したレジス
ト剥離新液を補給するように構成したものである。２７
はレジスト剥離新液供給缶、２８は新液流量調節弁であ
る。他の構成は図１の場合と同様である。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の液
面レベルを液面レベル計３により検出してレジスト剥離
原液と純水とを補給する代わりに、図２に示すように、
レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計３により検
出してレジスト剥離原液と純水とを予め調合したレジス
ト剥離新液を補給するように構成したものである。２７
はレジスト剥離新液供給缶、２８は新液流量調節弁であ
る。他の構成は図１の場合と同様である。
【００２０】図３は、本発明の第３の実施の形態を示す
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計１６により検出してレジス
ト剥離原液と純水とを補給するように構成したものであ
る。図３に示すように、通常において、液面レベルはオ
ーバーフロー用の堰の位置付近にあり、レジスト剥離原
液及び純水の少なくとも一方が補給された場合は、オー
バーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液がオーバ
ーフローして自動排出される。なお、排出ポンプ１８は
必ずしも必要ではなく、排出ポンプ１８の代わりに弁を
設けてもよい。他の構成は図１の場合と同様である。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計１６により検出してレジス
ト剥離原液と純水とを補給するように構成したものであ
る。図３に示すように、通常において、液面レベルはオ
ーバーフロー用の堰の位置付近にあり、レジスト剥離原
液及び純水の少なくとも一方が補給された場合は、オー
バーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液がオーバ
ーフローして自動排出される。なお、排出ポンプ１８は
必ずしも必要ではなく、排出ポンプ１８の代わりに弁を
設けてもよい。他の構成は図１の場合と同様である。
【００２１】図４は、本発明の第４の実施の形態を示す
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計１６により検出して補給す
る第三補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを
補給する代わりに、図４に示すように、レジスト剥離原
液と純水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。他の構成は図１及び図３の
場合と同様である。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計１６により検出して補給す
る第三補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを
補給する代わりに、図４に示すように、レジスト剥離原
液と純水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。他の構成は図１及び図３の
場合と同様である。
【００２２】次に図１に示す第１実施形態による装置の
制御系統について説明する。液面レベル計３とレジスト
剥離処理槽１の液面レベル、吸光光度計１５とレジスト
剥離液の水分濃度、吸光光度計１６とレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度の３者は、本質的にはそれぞれ独立機
能として作用するが、本発明においては、これらを相互
の補完的な関連において機能させることを特徴としてい
る。また、はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジ
スト剥離液の水分濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃
縮限界値などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御
器に設定しておかねばならない。
制御系統について説明する。液面レベル計３とレジスト
剥離処理槽１の液面レベル、吸光光度計１５とレジスト
剥離液の水分濃度、吸光光度計１６とレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度の３者は、本質的にはそれぞれ独立機
能として作用するが、本発明においては、これらを相互
の補完的な関連において機能させることを特徴としてい
る。また、はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジ
スト剥離液の水分濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃
縮限界値などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御
器に設定しておかねばならない。
【００２３】以下、レジスト剥離液としてＭＥＡとＢＤ
Ｇと純水を混合した溶液を使用した実施形態について説
明する。通常、約４０℃の一定液温に保持されたレジス
ト剥離液の水分濃度は、主としてパージＮ2 ガスに同伴
して水分が蒸発することにより、基板処理枚数の増加と
ともに減少するので、レジスト剥離液のレジスト剥離性
能が劣化してくる。このため、水分濃度は所定の目標
値、例えば２９．０±１．０％に管理する必要がある。
従来は、経験からの基板処理枚数との相関あるいは化学
分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度を判定して
いたが、迅速かつ正確な把握が困難であった。
Ｇと純水を混合した溶液を使用した実施形態について説
明する。通常、約４０℃の一定液温に保持されたレジス
ト剥離液の水分濃度は、主としてパージＮ2 ガスに同伴
して水分が蒸発することにより、基板処理枚数の増加と
ともに減少するので、レジスト剥離液のレジスト剥離性
能が劣化してくる。このため、水分濃度は所定の目標
値、例えば２９．０±１．０％に管理する必要がある。
従来は、経験からの基板処理枚数との相関あるいは化学
分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度を判定して
いたが、迅速かつ正確な把握が困難であった。
【００２４】本発明者は、レジスト剥離液の水分濃度と
吸光度との関係を実験により検討し、吸光度の測定波長
は、近赤外線領域の９５０nmから１０１０nmの範囲が適
切であり、９７６nm付近が感度が大きく特に良好であっ
た。なお、測定波長は、近赤外線領域から選択され、剥
離液とレジストの種類や濃度に応じて使い分けられる。
図５に示す如く、測定波長λ＝９７６nmにおける吸光度
とレジスト剥離液の水分濃度とは高度な直線関係にあ
り、吸光度を検出することにより水分濃度が正確に測定
できることを確認した。管路１０にオンラインで設置さ
れた吸光光度計１５は、測定誤差を最小限とするための
諸補償機能と吸光度制御器２５を備えている。管路１０
から導入した試料液の吸光度測定値を、吸光度制御器２
５に入力して、その値が目標値になるように、出力信号
によりレジスト剥離原液及び純水の少なくとも一方を、
流量調節弁２１、２２によりそれぞれ自動制御して、水
分濃度を目標値に調整するまで補給する。
吸光度との関係を実験により検討し、吸光度の測定波長
は、近赤外線領域の９５０nmから１０１０nmの範囲が適
切であり、９７６nm付近が感度が大きく特に良好であっ
た。なお、測定波長は、近赤外線領域から選択され、剥
離液とレジストの種類や濃度に応じて使い分けられる。
図５に示す如く、測定波長λ＝９７６nmにおける吸光度
とレジスト剥離液の水分濃度とは高度な直線関係にあ
り、吸光度を検出することにより水分濃度が正確に測定
できることを確認した。管路１０にオンラインで設置さ
れた吸光光度計１５は、測定誤差を最小限とするための
諸補償機能と吸光度制御器２５を備えている。管路１０
から導入した試料液の吸光度測定値を、吸光度制御器２
５に入力して、その値が目標値になるように、出力信号
によりレジスト剥離原液及び純水の少なくとも一方を、
流量調節弁２１、２２によりそれぞれ自動制御して、水
分濃度を目標値に調整するまで補給する。
【００２５】レジスト剥離性能の劣化は上述の水分濃度
によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板処
理のレジスト剥離液は、送液ポンプ８によりレジスト剥
離処理槽１から取り出され、レジスト剥離液スプレー７
を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離液
中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジストで
あり、図６に操業例として示すように、基板処理枚数の
増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性能
を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリア
ルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレジ
スト剥離性能を一定値で管理することが行なわれていな
かった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標としたり
しているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト剥
離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジス
ト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とするこ
とには無理がある。
によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板処
理のレジスト剥離液は、送液ポンプ８によりレジスト剥
離処理槽１から取り出され、レジスト剥離液スプレー７
を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離液
中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジストで
あり、図６に操業例として示すように、基板処理枚数の
増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性能
を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリア
ルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレジ
スト剥離性能を一定値で管理することが行なわれていな
かった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標としたり
しているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト剥
離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジス
ト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とするこ
とには無理がある。
【００２６】本発明者は、レジスト剥離液中のレジスト
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
７及び図８に示すような結果を得た。図８に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とは水分濃度などの影響なし
に高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、溶
解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が判
定可能となった。溶解レジスト濃度の妥当な測定波長と
してはλ＝５６０nmを使用した。なお、測定波長は、可
視光線領域の４００nmから近赤外線領域の８００nmの範
囲から選択され、レジストの種類や濃度に応じて使い分
けられる。管路１０に吸光光度計１５と一体又は別体で
設置した吸光光度計１６が、レジスト剥離液の溶解レジ
スト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたことを検出
し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポンプ１８
が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥離処理
槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は直接系
外に廃棄する。その結果、減量したレジスト剥離処理槽
１には、直ちに液面レベル計３が下降した液面レベルを
検出することによって新鮮なレジスト剥離液が補給さ
れ、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることで
レジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止す
る。
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
７及び図８に示すような結果を得た。図８に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とは水分濃度などの影響なし
に高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、溶
解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が判
定可能となった。溶解レジスト濃度の妥当な測定波長と
してはλ＝５６０nmを使用した。なお、測定波長は、可
視光線領域の４００nmから近赤外線領域の８００nmの範
囲から選択され、レジストの種類や濃度に応じて使い分
けられる。管路１０に吸光光度計１５と一体又は別体で
設置した吸光光度計１６が、レジスト剥離液の溶解レジ
スト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたことを検出
し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポンプ１８
が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥離処理
槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は直接系
外に廃棄する。その結果、減量したレジスト剥離処理槽
１には、直ちに液面レベル計３が下降した液面レベルを
検出することによって新鮮なレジスト剥離液が補給さ
れ、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることで
レジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止す
る。
【００２７】ここで、図１に示す第１実施形態による装
置が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レ
ジスト剥離処理槽１が空の建浴時においては、液面レベ
ル計３が空であることを検出して、液面レベル制御器２
４の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適正
な流量比において、流量調節弁２１、２２により弁開度
を調節して送液される。ついで、吸光光度計１５が建浴
レジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器
２５の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水の少
なくとも一方が適正な微少流量において、流量調節弁２
１及び２２の少なくとも一方により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
置が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レ
ジスト剥離処理槽１が空の建浴時においては、液面レベ
ル計３が空であることを検出して、液面レベル制御器２
４の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適正
な流量比において、流量調節弁２１、２２により弁開度
を調節して送液される。ついで、吸光光度計１５が建浴
レジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器
２５の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水の少
なくとも一方が適正な微少流量において、流量調節弁２
１及び２２の少なくとも一方により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
【００２８】次にレジスト剥離処理が開始されると、水
分濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光
光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、
吸光度制御器２５の出力信号により、純水が適正な微少
流量において流量調節弁２２により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベル計
３が下降した液面レベルを検出して、液面レベル制御器
２４の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適
正な流量比において、流量調節弁２１、２２により弁開
度を調節して送液される。
分濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光
光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、
吸光度制御器２５の出力信号により、純水が適正な微少
流量において流量調節弁２２により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベル計
３が下降した液面レベルを検出して、液面レベル制御器
２４の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適
正な流量比において、流量調節弁２１、２２により弁開
度を調節して送液される。
【００２９】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポン
プ１８が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器２４の出力信号により、レジスト
剥離原液及び純水が適正な流量比において流量調節弁２
１、２２により弁開度を調節して送液される。レジスト
剥離処理槽１には、新鮮なレジスト剥離液が補給される
ので、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されること
でレジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止す
る。液面レベル計３より上部に、オーバーフロー用の堰
が、通常ではオーバーフローしない位置に設けられてい
るが、若干オーバーフローすることがあってもよい。
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポン
プ１８が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器２４の出力信号により、レジスト
剥離原液及び純水が適正な流量比において流量調節弁２
１、２２により弁開度を調節して送液される。レジスト
剥離処理槽１には、新鮮なレジスト剥離液が補給される
ので、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されること
でレジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止す
る。液面レベル計３より上部に、オーバーフロー用の堰
が、通常ではオーバーフローしない位置に設けられてい
るが、若干オーバーフローすることがあってもよい。
【００３０】次に、図３に示す第３実施形態による装置
が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レジ
スト剥離処理槽１が空の建浴時においては、手動操作に
より、レジスト剥離原液及び純水が適正な流量比におい
て、流量調節弁２１、２２により弁開度を調節して所定
の液面レベルに達するまで送液される。次いで、吸光光
度計１５が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、レジスト剥離
原液及び純水の少なくとも一方が適正な微少流量におい
て、流量調節弁２１及び２２の少なくとも一方により弁
開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になるよう
に自動制御させる。
が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レジ
スト剥離処理槽１が空の建浴時においては、手動操作に
より、レジスト剥離原液及び純水が適正な流量比におい
て、流量調節弁２１、２２により弁開度を調節して所定
の液面レベルに達するまで送液される。次いで、吸光光
度計１５が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、レジスト剥離
原液及び純水の少なくとも一方が適正な微少流量におい
て、流量調節弁２１及び２２の少なくとも一方により弁
開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になるよう
に自動制御させる。
【００３１】次にレジスト剥離処理が開始されると、水
分濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解レ
ジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光光
度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸
光度制御器２５の出力信号により、純水が適正な微少流
量において、流量調節弁２２により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。
分濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解レ
ジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光光
度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸
光度制御器２５の出力信号により、純水が適正な微少流
量において、流量調節弁２２により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。
【００３２】溶解レジスト濃度が、濃縮されて劣化限界
値に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により、レジ
スト剥離原液及び純水が適正な流量比において、流量調
節弁２１及び２２により弁開度を調節して送液される。
新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト
濃度は劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復
する。
値に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により、レジ
スト剥離原液及び純水が適正な流量比において、流量調
節弁２１及び２２により弁開度を調節して送液される。
新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト
濃度は劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復
する。
【００３３】液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位
置付近にあり、レジスト剥離原液又は純水が補給された
ときは、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥
離液がオーバーフローする。本発明者は、以上のように
各制御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用する
ことによって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続
操業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現す
ることができることを実験により知見している。
置付近にあり、レジスト剥離原液又は純水が補給された
ときは、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥
離液がオーバーフローする。本発明者は、以上のように
各制御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用する
ことによって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続
操業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現す
ることができることを実験により知見している。
【００３４】次に、概念的理解のために、本発明と従来
法の操業パターンの効果の比較を図９〜図１２に示す。
従来法では、図９に示すようにスタート時の水分濃度
が、例えば３０．０wt％で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば２０．０wt％（化学分析値）に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、水分濃度
の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じる
ので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、本
発明の装置を用いれば、図１０に示すように水分濃度は
時間が経過しても、例えば２９．０±１．０wt％で一定
であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液交換
作業の必要もなくなる。
法の操業パターンの効果の比較を図９〜図１２に示す。
従来法では、図９に示すようにスタート時の水分濃度
が、例えば３０．０wt％で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば２０．０wt％（化学分析値）に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、水分濃度
の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じる
ので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、本
発明の装置を用いれば、図１０に示すように水分濃度は
時間が経過しても、例えば２９．０±１．０wt％で一定
であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液交換
作業の必要もなくなる。
【００３５】また、従来法では、図１１に示すように、
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１１に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図１２に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、従ってレジスト剥離性能が
安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。な
お、以上において、本発明は、レジスト剥離液としてＭ
ＥＡとＢＤＧと純水の溶液を使用した場合に限らず、レ
ジスト剥離液として有機アルカリと純水との溶液、有機
溶剤と純水との溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と
の溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と添加剤との溶
液などを使用した場合にも適用できる。上記の実施形態
はスプレー方式の場合について説明したが、ディップ方
式やスピン方式とすることも可能である。また、レジス
ト剥離処理槽を複数台設け、リザーバータンク及び上記
の管理手段とを組み合わせることも可能である。
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１１に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図１２に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、従ってレジスト剥離性能が
安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。な
お、以上において、本発明は、レジスト剥離液としてＭ
ＥＡとＢＤＧと純水の溶液を使用した場合に限らず、レ
ジスト剥離液として有機アルカリと純水との溶液、有機
溶剤と純水との溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と
の溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と添加剤との溶
液などを使用した場合にも適用できる。上記の実施形態
はスプレー方式の場合について説明したが、ディップ方
式やスピン方式とすることも可能である。また、レジス
ト剥離処理槽を複数台設け、リザーバータンク及び上記
の管理手段とを組み合わせることも可能である。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 本発明を、半導体や液晶基板のレジスト剥離工
程に適用することにより、レジスト水系剥離液の水分濃
度及び溶解レジスト濃度を、リアルタイムで連続的に監
視することができ、所定濃度に一定に精度よく制御する
ことができる。そのため、基板のレジスト剥離性能も安
定化して製品の歩留りが大幅に向上する。また、水分濃
度が所定の値に制御されるので、レジスト水系剥離液が
引火点を有しないという安全性を確保しながら、安定し
た液面レベルにおいて長時間の連続操業を可能にする。 （２） 安価なレジスト水系剥離液を使用してその品質
を一定に制御すること及び連続操業が可能になることに
より、液交換のダウンタイムと無駄な廃棄が無くなり、
液使用量と剥離液コストの大幅削減、稼動率の向上によ
る生産性の大幅な向上、無人化による労務コストの低減
など総合的効果も達成できる。 （３） 従来の有機アルカリと有機溶媒とを組み合わせ
たレジスト剥離液を用いる場合は、基板の処理温度とし
て８０℃前後を必要としたが、本発明の装置において
は、レジスト水系剥離液に適量の水が含まれるので、基
板の処理温度を４０℃前後に低下させることができる。
このため、基板や半導体回路を形成する下地メタルの損
傷を軽減させることができ、また、水分を含有させたレ
ジスト水系剥離液を不燃物として取り扱うことができる
ので安全性が高くなり、また、蒸発ロスが主として安価
な水であり、さらに、剥離速度が大きくなるなどの優れ
た効果が発揮される。
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 本発明を、半導体や液晶基板のレジスト剥離工
程に適用することにより、レジスト水系剥離液の水分濃
度及び溶解レジスト濃度を、リアルタイムで連続的に監
視することができ、所定濃度に一定に精度よく制御する
ことができる。そのため、基板のレジスト剥離性能も安
定化して製品の歩留りが大幅に向上する。また、水分濃
度が所定の値に制御されるので、レジスト水系剥離液が
引火点を有しないという安全性を確保しながら、安定し
た液面レベルにおいて長時間の連続操業を可能にする。 （２） 安価なレジスト水系剥離液を使用してその品質
を一定に制御すること及び連続操業が可能になることに
より、液交換のダウンタイムと無駄な廃棄が無くなり、
液使用量と剥離液コストの大幅削減、稼動率の向上によ
る生産性の大幅な向上、無人化による労務コストの低減
など総合的効果も達成できる。 （３） 従来の有機アルカリと有機溶媒とを組み合わせ
たレジスト剥離液を用いる場合は、基板の処理温度とし
て８０℃前後を必要としたが、本発明の装置において
は、レジスト水系剥離液に適量の水が含まれるので、基
板の処理温度を４０℃前後に低下させることができる。
このため、基板や半導体回路を形成する下地メタルの損
傷を軽減させることができ、また、水分を含有させたレ
ジスト水系剥離液を不燃物として取り扱うことができる
ので安全性が高くなり、また、蒸発ロスが主として安価
な水であり、さらに、剥離速度が大きくなるなどの優れ
た効果が発揮される。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるレジスト剥離
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態によるレジスト剥離
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態によるレジスト剥離
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態によるレジスト剥離
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
【図５】本発明に係わるレジスト剥離液の水分濃度と吸
光度との関係を示すグラフである。
光度との関係を示すグラフである。
【図６】レジスト剥離処理枚数と溶解レジスト濃度との
関係を示す操業例のグラフである。
関係を示す操業例のグラフである。
【図７】本発明に係わるレジスト剥離処理枚数と溶解レ
ジスト濃度測定用の吸光度との関係を示すグラフであ
る。
ジスト濃度測定用の吸光度との関係を示すグラフであ
る。
【図８】本発明に係わるレジスト剥離液の溶解レジスト
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。
【図９】従来法におけるレジスト剥離液の水分濃度と操
業時間との関係を示すグラフである。
業時間との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の装置を用いた場合におけるレジスト
剥離液の水分濃度と操業時間との関係を示すグラフであ
る。
剥離液の水分濃度と操業時間との関係を示すグラフであ
る。
【図１１】従来法における溶解レジスト濃度と操業時間
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図１２】本発明の装置を用いた場合における溶解レジ
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。
１ レジスト剥離処理槽 ３ 液面レベル計 ５ ローラーコンベア ６ 基板 ７ レジスト剥離液スプレー ８ 送液ポンプ １１ 循環ポンプ １５ 吸光光度計 １６ 吸光光度計 １８ 排出ポンプ １９ レジスト剥離原液供給缶 ２１ 原液流量調節弁 ２２ 純水流量調節弁 ２４ 液面レベル制御器 ２５ 吸光度制御器 ２６ 吸光度制御器 ２７ レジスト剥離新液供給缶 ２８ 新液流量調節弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長 瀬産業株式会社内 (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (72)発明者 西嶋 佳孝 兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (56)参考文献 特開 平７−235487（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027,21/304,21/306 G03F 7/42
Claims (6)
- 【請求項１】 レジスト剥離原液と純水とを供給して一
定液面レベルに保つ液面調節・補給手段と、このレジス
ト剥離処理槽内のレジスト水系剥離液の水分濃度を吸光
光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少な
くとも一方を補給する補給手段とを備えたことを特徴と
するレジスト剥離液管理装置。 - 【請求項２】 補給手段において、レジスト剥離原液と
純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純水と
を予め調合したレジスト水系剥離新液を補給するように
したことを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離液管
理装置。 - 【請求項３】 レジスト水系剥離液の溶解レジスト濃度
を吸光光度計により検出してレジスト水系剥離液を排出
するレジスト水系剥離液排出手段と、レジスト水系剥離
液の液面レベルを液面レベル計により検出してレジスト
剥離原液と純水とを補給する第一補給手段と、レジスト
水系剥離液の水分濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト剥離原液及び純水の少なくとも一方を補給する第二
補給手段とを備えたことを特徴とするレジスト剥離液管
理装置。 - 【請求項４】 第一補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト水系剥離新液を補給するよ
うにしたことを特徴とする請求項３記載のレジスト剥離
液管理装置。 - 【請求項５】 レジスト水系剥離液の溶解レジスト濃度
を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液と純水と
を補給する第三補給手段と、レジスト水系剥離液の水分
濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液及び
純水の少なくとも一方を補給する第二補給手段とを備え
たことを特徴とするレジスト剥離液管理装置。 - 【請求項６】 第三補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト水系剥離新液を補給するよ
うにしたことを特徴とする請求項５記載のレジスト剥離
液管理装置。
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|---|---|---|---|
| JP08193005A JP3093975B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | レジスト剥離液管理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022261A JPH1022261A (ja) | 1998-01-23 |
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Family
ID=16300628
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP2001223153A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト剥離装置およびレジスト剥離液管理方法、並びに半導体装置およびその製造方法 |
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| JP3914722B2 (ja) | 2001-06-25 | 2007-05-16 | 株式会社平間理化研究所 | 水系レジスト剥離液管理装置及び水系レジスト剥離液管理方法 |
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