JP4647532B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 155
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 130
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 148
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 40
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 87
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 74
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N oxidanium;hydrogen sulfate Chemical compound O.OS(O)(=O)=O FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
図1は、本発明に係る基板処理装置1を示す図である。基板処理装置1は、半導体ウェハ(基板9)を製造する過程において、基板9の表面に形成されたレジスト膜を薬液によって除去する装置としての機能を備えている。なお、基板処理装置1は基板9を薬液に浸漬させる種々の処理を実行でき、例えばエッチング処理を行う装置としても応用可能である。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
10 制御部
12 記憶装置
120 指標値情報
121 閾値情報
122 判定結果情報
13 操作部
14 表示部
15 カウンタ
16 演算部
17 判定部
18 ドライバ
2 処理槽
22 循環吐出ノズル
3 リフタ
4 液供給機構
5 バルブ群
6 ポンプ
7 ヒータ
8 フィルタ
9 基板
Claims (6)
- 基板を薬液に浸漬して基板の表面に形成された溶解層を除去する基板処理装置であって、
薬液を貯留する処理槽と、
前記処理槽に基板を搬入することにより、前記処理槽に貯留された薬液に基板を浸漬させる搬送機構と、
前記処理槽に貯留された薬液を交換する交換機構と、
前記交換機構を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
溶解層物質の閾値を記憶する記憶部と、
前記処理槽で処理される基板の表面に形成された溶解層の膜厚値と処理された基板の枚数とに基づいて、前記処理槽において除去された溶解層物質の総量を示す指標値を演算する演算部と、
前記記憶部に記憶された前記溶解層物質の閾値と前記演算部により求めた指標値とを比較して薬液の劣化を判定する判定部と、
を備えるとともに、前記判定部の判定結果にて薬液が劣化したと判定された場合には、前記処理槽の薬液の全交換または一部交換を行うように前記交換機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽に貯留された薬液を循環させる循環機構と、
前記循環機構によって循環する薬液を清浄化するフィルタと、
をさらに備え、
前記制御部は、前記判定部の判定結果にて薬液が劣化したと判定された場合には、前記処理槽に貯留された薬液の循環を停止するように前記循環機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を薬液に浸漬して基板の表面に形成された溶解層を除去する基板処理装置であって、
薬液を貯留する処理槽と、
前記処理槽に基板を搬入することにより、前記処理槽に貯留された薬液に基板を浸漬させる搬送機構と、
前記処理槽に貯留された薬液を循環させる循環機構と、
前記循環機構によって循環する薬液を清浄化するフィルタと、
前記循環機構を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
溶解層物質の閾値を記憶する記憶部と、
前記処理槽で処理される基板の表面に形成された溶解層の膜厚値と処理された基板の枚数とに基づいて、前記処理槽において除去された溶解層物質の総量を示す指標値を演算する演算部と、
前記記憶部に記憶された前記溶解層物質の閾値と前記演算部により求めた指標値とを比較して薬液の劣化を判定する判定部と、
を備えるとともに、前記判定部の判定結果にて薬液が劣化したと判定された場合には、前記処理槽に貯留された薬液の循環を停止するように前記循環機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記判定部の判定結果に応じて前記フィルタの交換時期を決定することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記制御部の決定結果に基づいて、前記フィルタを交換するように促すメッセージを表示する表示部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を薬液に浸漬して基板の表面に形成された溶解層を除去する基板処理方法であって、
処理槽に薬液を貯留する貯留工程と、
前記処理槽に貯留された薬液に基板を浸漬させる浸漬工程と、
前記浸漬工程で処理される基板の表面に形成された溶解層の膜厚値と処理された基板の枚数とに基づいて、前記浸漬工程によって基板から除去された溶解層物質の総量を示す指標値を演算する演算工程と、
前記指標値と記憶部に記憶された溶解層物質の閾値とを比較して薬液の劣化を判定する判定工程と、
前記判定工程における判定結果にて薬液が劣化したと判定された場合には、前記処理槽に貯留されている薬液の全交換または一部交換を行う交換工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006087735A JP4647532B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006087735A JP4647532B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266206A JP2007266206A (ja) | 2007-10-11 |
JP4647532B2 true JP4647532B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=38638919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006087735A Active JP4647532B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4647532B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5368116B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022261A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | レジスト剥離液管理装置 |
JPH10135094A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Canon Sales Co Inc | 半導体製造装置 |
JP2001023952A (ja) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP2005268498A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | レジスト溶解液モニタリング方法、半導体装置の製造方法、及びレジスト膜除去装置 |
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2006
- 2006-03-28 JP JP2006087735A patent/JP4647532B2/ja active Active
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---|---|---|---|---|
JPH1022261A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | レジスト剥離液管理装置 |
JPH10135094A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Canon Sales Co Inc | 半導体製造装置 |
JP2001023952A (ja) * | 1999-03-30 | 2001-01-26 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP2005268498A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | レジスト溶解液モニタリング方法、半導体装置の製造方法、及びレジスト膜除去装置 |
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