JP2001217219A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理に供された処理液の一部を正確に定量
し、該処理液と新規処理液との混合比を一定にして所望
の処理に供せるようにすること。 【解決手段】 半導体ウエハＷに処理を施す処理液とし
てのエッチング液Ｅを貯留する処理槽１０と、処理槽１
０内に新規エッチング液Ｅを供給する供給手段４０と、
処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液する排液管路３０
と、排液管路３０に接続して排液されるエッチング液Ｅ
の一部の定量を貯留する定量貯留タンク８０とで主要部
を構成する。これにより、所定の処理後、処理槽１０か
ら排液されるエッチング液Ｅの一部の定量を定量貯留タ
ンク８０に貯留し、以後の処理に際して、定量貯留タン
ク８０に貯留されたエッチング液Ｅと、供給手段４０か
らの新規エッチング液Ｅとを処理槽１０内に供給してウ
エハＷの処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は液処理方法及び液
処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体
ウエハ等の被処理体を処理液例えばエッチング液に浸漬
してエッチング処理する液処理方法及び液処理装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の液処理方法（ウエットエ
ッチング方法）においては、処理液であるエッチング液
として燐酸を使用して窒化膜−酸化膜に対するエッチン
グ処理が施されている。例えば、エッチング液を処理槽
に貯留して所定温度例えば１６０〜１８０℃に加熱する
と共に、処理槽に接続された循環管路及び循環管路に介
設された循環ポンプ及び温度コントローラ等を介して所
定温度のエッチング液を循環供給しながら被処理体例え
ば半導体ウエハ（以下にウエハという）をエッチング処
理している（特公平３−２０８９５号公報参照）。

【０００３】このエッチング方法では、被処理体例えば
ウエハＷの母材であるシリコン基板の表面に、下地層と
してのシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）とシリコン窒化膜
（Ｓｉ4Ｎ3）を積層し、シリコン窒化膜の表面にパター
ン化されたレジスト膜を塗布した状態で、処理槽に貯留
された高温例えば１６０〜１８０℃のエッチング液例え
ば燐酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4）にウエハを浸漬してエッチン
グ処理を行っている。このエッチングにおいては、シリ
コン窒化膜の下地のシリコン酸化膜の膜厚をコントロー
ルすることが重要である。

【０００４】上記のエッチング方法において、エッチン
グ処理を繰り返して行うと、燐酸水溶液中のシリコン
（Ｓｉ）濃度が高くなり、酸化物やパーティクルが発生
してくるため、処理槽に接続された循環管路に介設され
るフィルタが目詰まりを生じるなどの問題がある。その
ため、従来では、定期的に処理槽内のエッチング液を全
部交換する必要があった。

【０００５】しかしながら、エッチング液｛燐酸水溶液
（Ｈ3ＰＯ4）｝を交換した直後においては、酸化膜のエ
ッチングレートが非常に高いため、下地のシリコン酸化
膜が必要以上にエッチング（オーバーエッチング）され
て膜減りをきたすため、酸化膜のコントロールが困難で
あった。

【０００６】そのため、従来では、上記問題を解決する
方法として、エッチング液の交換後の処理時間を短く
する方法、例えばＳｉ製のダミーウエハをエッチング
液に浸漬し、故意にＳｉの濃度を高くして酸化膜エッチ
ングレートをコントロールする方法などが考えられてい
る。また、処理槽内の処理液（エッチング液）の排液
を途中で止めて、新規処理液（エッチング液）を補充す
る方法が考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理
時間を短縮する方法においては、処理時間の管理が難し
く十分に酸化膜の膜厚をコントロールすることができな
いという問題があった。また、故意にＳｉ濃度を高く
する方法においては、エッチング液の交換後から所望の
膜厚にエッチングするまでのウエハＷが無駄になり、製
品歩留まりが低下するという問題があった。また、処
理に供された処理液に新規処理液を補充する方法におい
ては、処理槽内の処理液の量を検出手段（例えばＮ2セ
ンサ等）によって監視する必要がある。しかし、処理槽
は比較的大容量であるため、処理槽内の処理液の量をＮ
2センサ等で検出するには、残液と新液の混合比を正確
にできないことが考えられる。

【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理に供された処理液の一部を正確に定量し、該処
理液と新規処理液との混合比を一定にして所望の処理に
供せるようにする液処理方法及び液処理装置を提供する
ものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、処理槽内に貯留される処理
液に被処理体を浸漬して処理を施す液処理方法におい
て、 所定の処理を行った後、上記処理槽内の処理液を
排液する際、処理液の一部の定量を定量貯留手段に貯留
し、 次の処理を行う際に、上記定量貯留手段に貯留さ
れた処理液と、所定量の新規処理液を、上記処理槽内に
供給する、ことを特徴とする。

【００１０】請求項２記載の発明は、処理槽内に貯留さ
れる処理液に被処理体を浸漬して処理を施す液処理方法
において、 上記処理槽内に貯留される処理液を循環供
給して所定の処理を行った後、上記処理槽内の処理液を
排液する際、処理液の一部の定量を、循環供給系に接続
する定量貯留手段に貯留し、 次の処理を行う際に、上
記定量貯留手段に貯留された処理液を上記循環供給系を
介して上記処理槽内に供給すると共に、所定量の新規処
理液を処理槽内に供給する、ことを特徴とする。

【００１１】請求項３記載の発明は、被処理体に処理を
施す処理液を貯留する処理槽と、上記処理槽内に新規処
理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理槽内の処
理液を排液する排液管路と、 上記排液管路に接続して
排液される処理液の一部の定量を貯留する定量貯留手段
と、を具備し、 所定の処理後、上記処理槽から排液さ
れる処理液の一部の定量を上記定量貯留手段に貯留し、
以後の処理に際して、上記定量貯留手段に貯留された処
理液と、上記処理液供給手段からの新規処理液とを上記
処理槽内に供給可能に形成してなる、ことを特徴とす
る。

【００１２】請求項４記載の発明は、被処理体に処理を
施す処理液を貯留する処理槽と、上記処理槽内に新規処
理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理槽の下部
と上部に接続すると共に、循環ポンプを介設する循環管
路と、 上記処理槽内の処理液を排液する排液管路と、
上記循環管路又は排液管路に接続されて排液される処
理液の一部の定量を貯留する定量貯留手段と、を具備
し、 所定の処理後、上記処理槽から排液される処理液
の一部の定量を上記定量貯留手段に貯留し、以後の処理
に際して、上記定量貯留手段に貯留された処理液と、上
記処理液供給手段からの新規処理液とを上記処理槽内に
供給可能に形成してなる、ことを特徴とする。

【００１３】上記請求項３又は４記載の発明において、
上記定量貯留手段と排液管路とを接続する管路に開閉弁
を介設し、この開閉弁と、処理液供給手段の供給管路に
介設される開閉弁とを、制御手段からの信号に基づいて
開閉制御可能に形成する方が好ましい（請求項５）。こ
の場合、上記定量貯留手段を処理槽内に貯留される処理
液の液面より下方に配置し、この定量貯留手段に接続さ
れて上記処理槽に処理液を供給可能に配設される供給管
路にポンプを介設してもよい（請求項６）。また、上記
定量貯留手段を処理槽内に貯留される処理液の液面より
上方に配置し、この定量貯留手段と排液管路とを接続す
る管路にポンプを介設することも可能である（請求項
７）。

【００１４】請求項８記載の発明は、請求項４記載の液
処理装置において、 上記循環管路に介設される開閉弁
の処理液流入側及び処理液流出側に接続するバイパス管
路に定量貯留手段を介設し、上記バイパス管路における
上記定量貯留手段の処理液流入側及び処理液流出側にそ
れぞれ開閉弁を介設してなる、ことを特徴とする。

【００１５】上記請求項４記載の発明において、上記排
液管路と循環管路に接続するバイパス管路に定量貯留手
段を介設し、上記バイパス管路における上記定量貯留手
段の処理液流入側及び処理液流出側にそれぞれ開閉弁を
介設する方が好ましい（請求項９）。この場合、上記各
開閉弁と、処理液供給手段の供給管路に介設される開閉
弁とを、制御手段からの信号に基づいて開閉制御可能に
形成する方が好ましい（請求項１０）。

【００１６】上記のように構成されるこの発明によれ
ば、処理槽内に貯留される処理液に被処理体を浸漬して
所定の処理を行った後、処理槽内の処理液を排液する
際、処理液の一部の定量を定量貯留手段に貯留し、次の
処理を行う際に、定量貯留手段に貯留された処理液と、
所定量の新規処理液との混合液を、処理槽内に供給して
被処理体の処理を行うことにより、処理に供された処理
液の一部を正確に定量し、該処理液と新規処理液との混
合比を一定にすることができる。したがって、処理精度
の向上及び処理効率の向上を図ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態で
は、この発明に係る液処理装置を、下地にシリコン酸化
膜を有するシリコン窒化膜を有する半導体ウエハのエッ
チングに適用した場合について説明する。

【００１８】◎第一実施形態 図１はこの発明に係る液処理装置の第一実施形態を示す
概略断面図である。

【００１９】上記液処理装置すなわちエッチング装置
は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷと
いう）を収容すると共に、処理液すなわちエッチング液
Ｅ｛例えば燐酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4）｝を貯留する処理槽
１０と、処理槽１０内にエッチング液Ｅを循環供給する
循環管路２０と、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液
する排液管路３０と、処理槽１０内に新規のエッチング
液Ｅを供給する処理液供給手段４０（以下に供給手段４
０という）と、循環管路２０に接続して排液されるエッ
チング液Ｅの一部の定量を貯留する定量貯留手段８０と
を具備してなる。

【００２０】上記処理槽１０は、図示しないウエハボー
トによって表面が垂直に保持されるウエハＷを収容する
と共に、エッチング液Ｅを貯留する石英製の内槽１１
と、この内槽１１からオーバーフローするエッチング液
Ｅを受け止める石英製の外槽１２とで構成されている。
このように構成される処理槽１０の内槽１１の側部及び
底部にはパネルヒータ１３が貼着されて、処理槽１０内
のエッチング液Ｅが所定温度例えば１６０〜１８０℃に
設定されるように構成されている。また、内槽１１内の
底部側には、下部から循環供給されるエッチング液Ｅを
均一にウエハＷに案内する例えば互いに平行な長孔１４
ａを設けた整流板１４が配設されている。また、処理槽
１０の外方には、断熱材例えばポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）にて形成される断熱壁１５が立設され
て、処理槽１０内のエッチング液Ｅの温度低下が防止さ
れると共に、処理槽１０を配置するシンク領域への放射
熱を防止している。なお、断熱壁１５は、同じく断熱材
例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）にて形
成された枠板１６の四周に起立した取付枠１６ａによっ
て位置決めされた状態で取り付けられている。

【００２１】一方、上記循環管路２０は、内槽１１の底
部に設けられた排出口を兼用する供給口１７と、外槽１
２の底部に設けられた排出口１８に接続されている。こ
の循環管路２０には、排出口側から順に、循環ポンプ２
１，フィルタ２３，温度コントローラ２２が介設されて
おり、かつ、温度コントローラ２２の後には、エッチン
グ液Ｅの濃度調整用の希釈液例えば純水の供給源２４が
流量調整可能な開閉弁２５を介設する純水供給管路２６
を介して接続されている。したがって、処理槽１０内に
貯留されたエッチング液Ｅは、循環ポンプ２１によって
循環供給されると共に、温度コントローラ２２によって
所定の温度例えば１６０〜１８０℃に調整されている。
また、エッチング液Ｅが循環供給される際、純水供給源
２４から純水が所定量供給されてエッチング液Ｅの濃度
が所定濃度に維持されている。

【００２２】また、循環管路２０の排出口側には開閉弁
Ｖ0が介設されており、この開閉弁Ｖ0のエッチング液流
入側（一次側）と、エッチング液流出側（二次側）にバ
イパス管路６０が接続されている。このバイパス管路６
０に上記定量貯留手段８０が介設されており、この定量
貯留手段８０のエッチング液流入側（一次側）と、エッ
チング液流出側（二次側）に、それぞれ一次側開閉弁Ｖ
1と二次側開閉弁Ｖ2が介設されている。

【００２３】上記定量貯留手段８０は、処理槽１０から
排液されるエッチング液Ｅの一部の定量例えば１リット
ルを貯留するタンクにて形成されている。定量貯留手段
８０（以下に定量貯留タンク８０という）は、例えば図
２（ａ）に示すように、満杯状態において所定量例えば
１リットルのエッチング液Ｅを貯留するタンク体８１の
流入口８１ａ側及び流出口８１ｂ側に上記一次側開閉弁
Ｖ1，二次側開閉弁Ｖ2を設けた構造のものを使用するこ
とができる。なお、この場合、タンク体８１の頂部に空
気抜き口８３を設けると共に、この空気抜き口８３に泡
抜き機構８４を接続する必要がある。また、別の定量貯
留タンク８０として、図２（ｂ）に示すように、エッチ
ング液Ｅを貯留するタンク体８１の流出口８１ｂをタン
ク体８１の底部に設けると共に、この流出口８１ｂにＯ
リング８５を介して気水密に貫通されてタンク体８１内
に鉛直に立設する秤量用パイプ８６の上端開口８６ａを
タンク体８１の頂部から離隔して設けて、タンク体８１
内に所定量例えば１リットル以上のエッチング液Ｅを秤
量用パイプ８６の上端開口８６ａから流出して所定量
（１リットル）を貯留するようにしてもよい。また、更
に別の定量貯留タンク８０として、図２（ｃ）に示すよ
うに、タンク体８１の外側近接位置に、例えばＮ2セン
サ，静電容量型センサあるいは光透過型センサ等の定量
用の液面センサ８７を配設すると共に、タンク体８１の
底部に排出口８１ｃを設け、この排出口８１ｃに排出開
閉弁８８を介設した排出管路８９を接続し、液面センサ
８７の検出信号を受けるコントローラ８７ａにより排出
開閉弁８８を開閉操作することにより、タンク体８１内
に所定量例えば１リットルのエッチング液Ｅを貯留する
ようにしてもよい。なお、この場合、液面センサ８７の
他に、オーバーフローセンサ８７Ａ，下限センサ８７Ｂ
を設けておけば、タンク体８１内の液を監視できるの
で、望ましい。なお、この場合、上記満杯式の定量貯留
タンク８０と同様に、タンク体８１の頂部に空気抜き口
８３を設けると共に、この空気抜き口８３に泡抜き機構
８４を接続する必要がある。

【００２４】上記排液管路３０は、上記循環管路２０の
供給口側に接続される主排液管３１と、上記循環管路２
０に介設される開閉弁Ｖ0のエッチング液Ｅの流出側
（二次側）に接続される補助排液管３２とを具備してお
り、主排液管３１には、開閉弁Ｖ3が介設されている。
また、補助排液管３２には、開閉弁Ｖ30が介設されてい
る。このように、排液管路３０｛具体的には、主排液管
３１及び補助排液管３２｝を構成することにより、開閉
弁Ｖ0と開閉弁Ｖ3，Ｖ30を開放して、処理槽１０内のエ
ッチング液Ｅを排液することができる。

【００２５】一方、上記供給手段４０は、処理槽１０の
上方に配設されるエッチング液供給源であるエッチング
液収容槽４１と、このエッチング液収容槽４１に一端が
接続され、他端が上記処理槽１０の内槽１１の開口縁部
上方に位置する供給管路４２とで構成されている。ま
た、供給管路４２に開閉弁Ｖ4が介設されており、この
開閉弁Ｖ4を開放することにより、エッチング液収容槽
４１内に収容された新規のエッチング液Ｅが処理槽１０
内に供給（補充）されるようになっている。

【００２６】また、上記各開閉弁Ｖ0，Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，
Ｖ30，Ｖ4，２５及び循環ポンプ２１、温度コントロー
ラ２２は制御手段例えば中央演算処理装置７０（ＣＰ
Ｕ）からの制御信号に基づいて開閉制御あるいはＯＮ，
ＯＦＦ制御されるように構成されている。このＣＰＵ７
０は、各種の入力装置、出力装置、メモリ等を有してお
り、プログラム可能なものとなっている。

【００２７】また、処理槽１０の外槽１２内にはエッチ
ング液Ｅ中の所定物質例えばＳｉの濃度を検出する濃度
検出センサ５０が配設されており、この濃度検出センサ
５０からの検出信号が常時ＣＰＵ７０に伝達されるよう
に構成されている。

【００２８】上記のように構成することにより、濃度検
出センサ５０によってエッチング処理に供されたエッチ
ング液Ｅ中の所定物質例えばＳｉの濃度が所定濃度に達
したとき、排液管路３０の開閉弁Ｖ3と補助排液管３２
の開閉弁Ｖ30を開放して処理槽１０の内槽１１内及び外
槽１２内のエッチング液Ｅを排液する。処理槽１０内の
エッチング液Ｅを排液する際、ＣＰＵ７０からの制御信
号に基づいて、循環管路２０に介設された開閉弁Ｖ0
と、バイパス管路６０に介設された開閉弁Ｖ1，Ｖ2が開
閉制御されて定量貯留タンク８０内に所定量例えば１リ
ットルのエッチング液Ｅが貯留されるようになってい
る。

【００２９】次に、上記エッチング装置を用いたエッチ
ング方法について説明する。まず、処理槽１０内に処理
液としてのエッチング液Ｅ｛燐酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4）｝
を供給し、パネルヒータ１３によってエッチング液Ｅを
所定温度（１６０〜１８０℃）まで加熱して沸騰状態に
する。次に、開閉弁Ｖ0を閉じ、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開い
た状態で、循環ポンプ２１を駆動して外槽１２にオーバ
ーフローしたエッチング液Ｅを循環管路２０及びバイパ
ス管路６０を介して循環供給する一方、エッチング液Ｅ
中に混入するパーティクル等をフィルタ２３によって除
去すると共に、温度コントローラ２２によってエッチン
グ液が所定温度に設定される。この循環供給の際に定量
貯留タンク８０内に定量例えば１リットルのエッチング
液Ｅが貯留される。また、純水供給源２４の開閉弁２５
の制御によってエッチング液Ｅ濃度が一定に制御され
る。このようにして、処理槽１０内のエッチング液Ｅが
所定の温度に維持されると共に、エッチング液Ｅ濃度が
所定濃度に維持される。

【００３０】エッチング液Ｅが所定の温度に維持される
と共に、エッチング液Ｅ濃度が所定濃度に維持された状
態で、図示しないウエハボートにて表面が垂直に保持さ
れたウエハＷを処理槽１０の内槽１１に収容してエッチ
ング液Ｅに所定時間浸漬した後、処理槽１０からウエハ
Ｗを取り出してエッチング処理を終了する。

【００３１】上記のようにして、エッチング処理を繰り
返し行うことで、エッチング液Ｅ中のＳｉ濃度が高くな
ると共に、酸化物やパーティクル等が発生する。この濃
度変化を濃度検出センサ５０によって検出し、例えばＳ
ｉ濃度が１００ＰＰＭに達した時点で、ＣＰＵ７０から
の制御信号を開閉弁Ｖ0，Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ30，Ｖ4に
伝達して、開閉弁Ｖ3，Ｖ30，Ｖ0を開放し、開閉弁Ｖ
1，Ｖ2を閉じて、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液
する。この状態において、定量貯留タンク８０内には、
定量例えば１リットルのエッチング液Ｅが貯留されてい
る。

【００３２】上記のようにして、所定の処理を行って、
エッチング液Ｅを排液した後、供給手段４０の開閉弁Ｖ
4を開放してエッチング液収容槽４１内の新規のエッチ
ング液Ｅを所定量より定量貯留タンク８０に貯留された
量（１リットル）を差し引いた量と同等の量を供給（補
充）する一方、開閉弁Ｖ3，Ｖ30，Ｖ0を閉じると共に、
開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開放し、かつ循環ポンプ２１を駆動し
て定量貯留タンク８０内に貯留されたエッチング残液を
処理槽１０内に供給して、処理槽１０内のエッチング液
ＥのＳｉ濃度を所定濃度に調整する。そして、上述と同
様にして、ウエハＷをエッチング液Ｅに浸漬してエッチ
ング処理を行うことで、ウエハＷの酸化膜のエッチング
をコントロールすることができる。

【００３３】所定濃度に達した時点でエッチング液の排
出及び供給を行う以外にも、例えば、１回の処理で５０
枚のウエハＷをエッチングする際、予めエッチング液中
のＳｉ濃度が所定濃度範囲を超えるまでの処理回数を実
験的に求め、ＣＰＵ７０に記憶させておき、その所定処
理回数（例えば１５回）毎に、ＣＰＵ７０からの制御信
号により、開閉弁Ｖ0，Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ30，Ｖ4を制
御して、処理槽１０内のエッチング液のＳｉ濃度を所定
の濃度範囲に調整し、ウエハＷの酸化膜のエッチング量
をコントロールすることができる。また、例えば、予め
エッチング液中のＳｉ濃度が所定濃度範囲を超えるまで
の処理時間を実験的に求め、ＣＰＵ７０に記憶させてお
き、その所定処理時間（例えば１時間）毎に、上述と同
様にして、エッチング液の排出及び供給を繰り返して
も、Ｓｉ濃度を所定の濃度範囲に調整し、ウエハＷの酸
化膜のエッチング量をコントロールできる。

【００３４】このようにして、例えば所定回数、所定時
間又はウエハＷの所定枚数の処理のうち、少なくとも１
つの処理を行った後、再び処理槽１０内のエッチング液
Ｅの所定量を排出すると共に、排出したエッチング液Ｅ
と同量の新規のエッチング液Ｅを供給して、同様にエッ
チング処理を繰り返すことにより、ウエハＷにおける窒
化膜の下地酸化膜のエッチングをコントロールすること
ができる。

【００３５】なお、上記説明では、処理槽１０における
所定処理回数の処理、所定時間の処理又はウエハＷの所
定枚数の処理のうち、少なくとも１つの処理を行った
後、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排出する場合につ
いて述べたが、エッチング液Ｅの排出のタイミングは、
必ずしも上記処理を行った後である必要はなく、例えば
これら処理中にエッチング液Ｅ中の所定物質例えばＳｉ
の濃度が所定濃度に達したとき、処理槽１０内のエッチ
ング液Ｅを排出するようにしてもよい。

【００３６】また、上記説明では、定量貯留タンク８０
を一つ用いる場合について説明したが、エッチング残液
の量を多くする場合には、定量貯留タンク８０を複数配
設してもよく、エッチング液Ｅの温度やエッチング液Ｅ
中の所定物質の濃度に対応させて適宜設定することがで
きる。

【００３７】なお、上記説明では、処理時に、循環管路
２０の開閉弁Ｖ0を閉じ、バイパス管路６０の開閉弁Ｖ
1，Ｖ2を開いた状態で、常時定量貯留タンク８０内にエ
ッチング液Ｅを貯留する場合について説明したが、エッ
チング液Ｅの排液の際に定量貯留タンク８０内に定量の
エッチング液Ｅを貯留させるようにしてもよい。

【００３８】すなわち、処理時は、循環管路２０の開閉
弁Ｖ0を開き、バイパス管路６０の開閉弁Ｖ1，Ｖ2を閉
じた状態で、循環ポンプ２１を駆動して外槽１２にオー
バーフローしたエッチング液Ｅを循環管路２０を介して
循環供給して上述と同様にウエハＷのエッチング処理を
行う。そして、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液す
る際、排液管路３０（主排液管３１，補助排液管３２）
の開閉弁Ｖ3，Ｖ30とバイパス管路６０の開閉弁Ｖ1を開
放する一方、循環管路２０の開閉弁Ｖ0を閉じて、処理
槽１０内のエッチング液Ｅを排液する。すると、定量貯
留タンク８０内に、定量例えば１リットルのエッチング
液Ｅが貯留される。なお、この場合、定量貯留タンク８
０が、図２（ａ）に示す定量型タンクであるときは、定
量以上のエッチング液Ｅを空気抜き口８３から排出す
る。また、定量貯留タンク８０が、図２（ｂ）に示すよ
うないわゆるすり切り型タンクであるときは、開閉弁Ｖ
2を開放しておけば、定量以上のエッチング液Ｅは秤量
用パイプ８６の頂部から排出する。また、定量貯留タン
ク８０が、図２（ｃ）に示すような液面センサ付タンク
であるときは、液面センサ８７が定量を感知した時点
で、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を閉じ、開閉弁Ｖ0を開放して、定
量貯留タンク８０内に定量例えば１リットルのエッチン
グ液Ｅを貯留することができる。

【００３９】◎第二実施形態 図３はこの発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す
概略断面図である。

【００４０】第二実施形態は、定量貯留タンク８０を処
理槽１０内に貯留されるエッチング液Ｅの液面より上方
に配置し、定量貯留タンク８０内に貯留される定量のエ
ッチング液Ｅを自重で処理槽１０内に供給するようにし
た場合である。すなわち、上記循環管路２０に介設され
る開閉弁Ｖ0の一次側及び二次側に接続されるバイパス
管路６０を処理槽１０の上方まで延在し、このバイパス
管路６０における処理槽１０内に貯留されるエッチング
液Ｅの液面より上方の位置に、定量貯留タンク８０を介
設すると共に、定量貯留タンク８０の一次側及び二次側
にそれぞれ上記第一実施形態と同様に開閉弁Ｖ1，Ｖ2を
介設する。更に、定量貯留タンク８０の二次側に一端が
接続する残液供給管路９０の他端を処理槽１０の内槽１
１の開口縁上方近傍位置に臨設すると共に、この残液供
給管路９０に開閉弁Ｖ5を介設した場合である。この場
合、開閉弁Ｖ5は上記ＣＰＵ７０からの制御信号によっ
て開閉制御されるように構成されている。

【００４１】なお、第二実施形態において、その他の部
分は、上記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は同一符号を付して、説明は省略する。

【００４２】上記のように構成される第二実施形態のエ
ッチング装置において、通常の処理工程においては、上
記第一実施形態と同様に、循環管路２０に介設された開
閉弁Ｖ0を閉じ、バイパス管路６０に介設された開閉弁
Ｖ1，Ｖ2を開放して、常時定量貯留タンク８０内に定量
例えば１リットルのエッチング液Ｅが貯留される。そし
て、上述したように所定の処理を行った後、処理槽１０
内のエッチング液Ｅを排液する際、上記第一実施形態と
同様に、開閉弁Ｖ3，Ｖ0を開放し、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を閉
じて、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液する。この
状態において、定量貯留タンク８０内には、定量例えば
１リットルのエッチング液Ｅが貯留されている。

【００４３】上記のようにして、所定の処理を行ってエ
ッチング液Ｅを排液した後、供給手段４０の開閉弁Ｖ4
を開放してエッチング液収容槽４１内の新規のエッチン
グ液Ｅを所定量供給（補充）する一方、開閉弁Ｖ5を開
放して、定量貯留タンク８０内のエッチング残液を自重
により処理槽１０内に供給して、処理槽１０内のエッチ
ング液ＥのＳｉ濃度を所定濃度に調整する。そして、開
閉弁Ｖ0を閉じると共に、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開放し、か
つ循環ポンプ２１を駆動してエッチング液Ｅを循環供給
すると共に、上述と同様に、ウエハＷをエッチング液Ｅ
に浸漬してエッチング処理を行うことで、ウエハＷの酸
化膜のエッチングをコントロールすることができる。

【００４４】◎第三実施形態 図４はこの発明に係る液処理装置の第三実施形態を示す
概略断面図である。

【００４５】第三実施形態は、循環管路２０と排液管路
３０にバイパス管路６０Ａを接続し、このバイパス管路
６０Ａに定量貯留タンク８０を介設すると共に、この定
量貯留タンク８０の一次側及び二次側にそれぞれ開閉弁
Ｖ1，Ｖ2を介設した場合である。この場合、バイパス管
路６０Ａは、主排液管３１に介設される開閉弁Ｖ3のエ
ッチング液流出側（二次側）と、循環管路２０における
循環ポンプ２１のエッチング液流入側（一次側）に接続
されている。

【００４６】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、説明は省略する。

【００４７】上記のように構成される第三実施形態のエ
ッチング装置において、上述と同様に所定の処理を行っ
た後、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液する際、開
閉弁Ｖ1，Ｖ3を開放し、開閉弁Ｖ2を閉じた状態で、処
理槽１０内のエッチング液Ｅを排液すると、定量貯留タ
ンク８０内には、定量例えば１リットルのエッチング液
Ｅが貯留される。その後、供給手段４０の開閉弁Ｖ4を
開放してエッチング液収容槽４１内の新規のエッチング
液Ｅを所定量供給（補充）する一方、開閉弁Ｖ3を閉
じ、開閉弁Ｖ1を開放した状態で循環ポンプ２１を作動
して、定量貯留タンク８０内のエッチング残液を循環管
路２０を介して処理槽１０内に供給することにより、処
理槽１０内のエッチング液ＥのＳｉ濃度を所定濃度に調
整する。その後、開閉弁Ｖ1を閉じてエッチング液Ｅを
循環供給すると共に、上述と同様に、ウエハＷをエッチ
ング液Ｅに浸漬してエッチング処理を行うことで、ウエ
ハＷの酸化膜のエッチングをコントロールすることがで
きる。

【００４８】◎第四実施形態 図５はこの発明に係る液処理装置の第四実施形態を示す
概略断面図である。

【００４９】第四実施形態は、一端が排液管路３０に接
続され、他端が処理槽１０の上部開口側に配設されて処
理槽１０内にエッチング液Ｅを供給可能な残液供給管路
９１に、定量貯留タンク８０を介設すると共に、この定
量貯留タンク８０を上記処理槽１０内に貯留されるエッ
チング液Ｅの液面より下方に配置し、かつ残液供給管路
９１にポンプ９２を介設した場合である。この場合、残
液供給管路９１は排液管路３０の主排液管３１に介設さ
れる開閉弁Ｖ3のエッチング液流出側（二次側）に接続
されている。また、開閉弁Ｖ6は定量貯留タンク８０の
エッチング液流入側（一次側）に介設され、ポンプ９２
は定量貯留タンク８０のエッチング液流出側（二次側）
に介設されている。なお、開閉弁Ｖ6は、ＣＰＵ７０に
よって開閉制御され、ポンプ９２は、ＣＰＵ７０によっ
てＯＮ，ＯＦＦ制御されるようになっている。なお、残
液供給管路９１を開閉Ｖ3のエッチング液流入側（一次
側）に接続してもよい。この場合は、定量貯留タンク８
０内に定量のエッチング液Ｅが貯留するまで開閉弁Ｖ6
を開き、エッチング液Ｅが定量貯留した後、開閉弁Ｖ3
を開き、開閉弁Ｖ6を閉じればよい。

【００５０】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、説明は省略する。

【００５１】上記のように構成される第四実施形態のエ
ッチング装置において、上述と同様に所定の処理を行っ
た後、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液する際、開
閉弁Ｖ3とＶ6を開放して、処理槽１０内のエッチング液
Ｅを排液すると、定量貯留タンク８０内には、定量例え
ば１リットルのエッチング液Ｅが貯留される。次に、開
閉弁Ｖ3，Ｖ6を閉じた後、供給手段４０の開閉弁Ｖ4を
開放してエッチング液収容槽４１内の新規のエッチング
液Ｅを所定量供給（補充）する一方、ポンプ９２を作動
して、定量貯留タンク８０内のエッチング残液を残液供
給管路９１を介して処理槽１０内に供給することによ
り、処理槽１０内のエッチング液ＥのＳｉ濃度を所定濃
度に調整する。そして、開閉弁Ｖ4を閉じると共に、ポ
ンプ９２の作動を停止した後、循環ポンプ２１を作動し
て、エッチング液Ｅを循環供給すると共に、上述と同様
に、ウエハＷをエッチング液Ｅに浸漬してエッチング処
理を行うことで、ウエハＷの酸化膜のエッチングをコン
トロールすることができる。

【００５２】◎第五実施形態 図６はこの発明に係る液処理装置の第五実施形態を示す
概略断面図である。

【００５３】第五実施形態は、一端が排液管路３０に接
続され、他端が処理槽１０の上部開口側に臨設される残
液供給管路９１Ａに、定量貯留タンク８０を介設すると
共に、この定量貯留タンク８０を上記処理槽１０内に貯
留されるエッチング液Ｅの液面より上方に配置し、かつ
残液供給管路９１Ａにポンプ９２Ａを介設した場合であ
る。この場合、上記第四実施形態と同様に、残液供給管
路９１Ａは排液管路３０の主排液管３１に介設される開
閉弁Ｖ3のエッチング液流出側（二次側）又はエッチン
グ液流入側（一次側）に接続されている。また、開閉弁
Ｖ6は定量貯留タンク８０のエッチング液流入側（一次
側）に介設され、ポンプ９２Ａは開閉弁Ｖ6と定量貯留
タンク８０との間に介設されている。更に、定量貯留タ
ンク８０の流出口側に開閉弁Ｖ7が配設されている。な
お、開閉弁Ｖ7は、ＣＰＵ７０によって開閉制御され、
ポンプ９２Ａは、ＣＰＵ７０によってＯＮ，ＯＦＦ制御
されるようになっている。

【００５４】なお、第五実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、説明は省略する。

【００５５】上記のように構成される第五実施形態のエ
ッチング装置において、上述と同様に所定の処理を行っ
た後、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液する際、開
閉弁Ｖ3とＶ6を開放すると共に、ポンプ９２Ａを作動し
て、処理槽１０内のエッチング液Ｅを排液すると、定量
貯留タンク８０内には、定量例えば１リットルのエッチ
ング液Ｅが貯留される。次に、開閉弁Ｖ3，Ｖ6を閉じた
後、供給手段４０の開閉弁Ｖ4を開放してエッチング液
収容槽４１内の新規のエッチング液Ｅを所定量供給（補
充）する一方、開閉弁Ｖ7を開放して、定量貯留タンク
８０内のエッチング残液を自重により残液供給管路９１
Ａを介して処理槽１０内に供給することにより、処理槽
１０内のエッチング液ＥのＳｉ濃度を所定濃度に調整す
る。そして、開閉弁Ｖ7を閉じた後、循環ポンプ２１を
作動して、エッチング液Ｅを循環供給すると共に、上述
と同様に、ウエハＷをエッチング液Ｅに浸漬してエッチ
ング処理を行うことで、ウエハＷの酸化膜のエッチング
をコントロールすることができる。

【００５６】◎第六実施形態 図７はこの発明に係る液処理装置の第六実施形態を示す
概略断面図である。

【００５７】第六実施形態は、上記エッチング装置を複
数（図面では２個の場合を示す）用いた場合の排液の処
理システムに関するものである。すなわち、各エッチン
グ装置１００の処理槽１０内のエッチング液Ｅの交換を
迅速に行うと共に、各処理槽１０から排液されるエッチ
ング液Ｅを安全に工場側に排液可能にした場合である。

【００５８】この場合、各処理槽１０における内槽１１
及び外槽１２の底部は排液管路３０の主排液管３１及び
補助排液管３２を介して中央排出管路２００に接続さ
れ、この中央排出管路２００がバッファタンク２１０の
天井部に接続されている。

【００５９】一方、バッファタンク２１０には、中央排
出管路２００に連通する開口部２１１の直下位置に、斜
めに設けられた緩衝板２１２が設けられている。この緩
衝板２１２は、エッチング液Ｅが勢いよく流入すること
によって、エッチング液Ｅが波立つのを防止し、これに
よって後述する液面検出手段２２０の検出精度が落ちる
のを防止するようになっている。更に、バッファタンク
２１０には、エッチング液Ｅの液面位置を検出する液面
検出手段２２０が設けられている。

【００６０】液面検出手段２２０は、少なくとも、バッ
ファタンク２１０内における液面の上限位置２２１、同
液面の下限位置２２２、及び各処理槽１０のいずれか一
方の全エッチング液Ｅをバッファタンク２１０内に受け
入れることが可能な液面の位置、すなわち受容可能位置
２２３を検出することが可能になっている。そして更
に、バッファタンク２１０には、エッチング液Ｅの温度
を測定する温度検出手段例えば温度センサ２３０が設け
られている。また、バッファタンク２１０は、下限位置
２２２から上側の部分の容量が各処理槽１０の容量の約
１．５倍になっており、いずれか一方の処理槽１０から
全てのエッチング液Ｅが流入しても溢れ出ないようにな
っている。なお、温度センサ２３０は、熱電対やサーミ
スタ等によって構成されており、受容可能位置２２３よ
り下側の位置に配置されている。また、バッファタンク
２１０には、エッチング液Ｅを冷却するためのクーラ
（冷却手段）２４０が設けられている。このクーラ２４
０は、バッファタンク２１０内のエッチング液Ｅ内に浸
かるように設けられた熱交換器２４１と、この熱交換器
２４１に送る水等の冷却媒体の温度や量を調整する調節
器２４２とを備えている。

【００６１】更に、バッファタンク２１０の底部には、
外部排出管路２５０が接続されており、この外部排出管
路２５０には、電気信号によって開閉する例えば電磁弁
からなる開閉弁２５１が設けられている。また、外部排
出管路２５０は、下水管２６０に接続されている。

【００６２】上記開閉弁２５１は、その開閉が上記ＣＰ
Ｕ７０によって制御されるようになっている。この場
合、ＣＰＵ７０の入力装置には、液面検出手段２２０、
温度センサ２３０等が接続されており、出力装置には、
開閉弁２５１，クーラ２４０の調節器２４２等が接続さ
れている。

【００６３】そして、ＣＰＵ７０は、液面検出手段２２
０からの情報により、少なくとも上限位置２２１、下限
位置２２２、受容可能位置２２３を把握するようになっ
ており、所定の処理槽１０からエッチング液Ｅを排出す
るに当たって、バッファタンク２１０の液面が受容可能
位置２２３以下であれば、所定の処理槽１０の排液管路
３０に介設される開閉弁Ｖ3を開放する信号を発して、
エッチング液Ｅをバッファタンク２１０に送るような制
御を可能にしている。更に、ＣＰＵ７０は、処理槽１０
内のエッチング液Ｅが無くなった時点で開閉弁Ｖ3を閉
じる信号を発するようになっている。なお、エッチング
液Ｅが上限位置２２１に達した場合は、バッファタンク
２１０からエッチング液Ｅが溢れ出るのを防止するた
め、開閉弁Ｖ3を閉じるようなプログラムになってい
る。

【００６４】また、ＣＰＵ７０は、バッファタンク２１
０内に流入したエッチング液Ｅの温度を温度センサ２３
０を介して把握しており、エッチング液Ｅの温度が外部
へ排出可能な所定の温度を超えていれば、クーラ２４０
の調節器２４２に冷却を行うための信号を発して、エッ
チング液Ｅを冷却するようになっている。更に、ＣＰＵ
７０は、エッチング液Ｅの温度が外部へ排出可能な所定
の温度以下になれば、冷却を止める信号を調節器２４２
に発すると共に、バッファタンク２１０内のエッチング
液Ｅを排出するため、開閉弁Ｖ3を開口する信号を発
し、液面が下限位置２２２に達した時点で開閉弁Ｖ3を
閉じるようなプログラムが組まれている。なお、エッチ
ング液Ｅの温度が外部へ排出可能な所定の温度以下の場
合、必ずしも冷却を止めなくてもよい。また、エッチン
グ液Ｅを外部へ排出可能な温度の設定値は、キーボード
などの入力装置によって変更可能になっている。

【００６５】また、バッファタンク２１０の側壁には、
その底部近傍位置に排出管路２７０が接続されており、
排出管路２７０は、アスピレータ２７１の吸入口に接続
されている。なお、排出管路２７０をバッファタンク２
１０の底部に接続するように構成してもよい。

【００６６】アスピレータ２７１は、流入口が希釈液
｛例えば水道水や地下水などの水｝の供給源２７２に接
続され、流出口が外部排出管路２７３を介して下水管２
６０に接続されている。このアスピレータ２７１は、供
給源２７２から供給される希釈液（水）の流量によっ
て、吸入口に接続された排出管路２７０からエッチング
液Ｅを吸引し、このエッチング液Ｅと水との混合によっ
て、１６０〜１８０℃のエッチング液Ｅを規定温度まで
低下させた後、その混合液を下水管２６０に排出するよ
うになっている。

【００６７】なお、水は供給源２７２から流出する水の
流量をＣＰＵ７０からの信号により調節することが可能
になっている。そして、ＣＰＵ７０は、外部排出管路２
７３に設けられた温度センサ（図示せず）によって、エ
ッチング液Ｅと水との混合液の温度を検出し、この温度
が規定温度になるように、供給源２７２から流出する水
の流量を制御するようになっている。また、図示はしな
いが水供給源２７２から流出する水の温度も測定されて
おり、この温度情報もＣＰＵ７０に入力されるようにな
っている。

【００６８】上記のように構成することにより、バッフ
ァタンク２１０内のエッチング液Ｅが所定温度以下にな
っていない場合であってもエッチング液Ｅを排出しなが
ら、同エッチング液Ｅを規定温度まで冷却することがで
きるので、エッチング液Ｅを処理槽１０から外部に排出
することができる。また、排出時期が重なったとして
も、エッチング液Ｅを排出できるので、その排出時期の
重なりによる待ち時間を短縮することができる。したが
って、エッチングの処理効率の向上を図ることができる
と共に、安全にエッチング排液を下水管２６０を介して
工場側に排出することができる。

【００６９】なお、第六実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、説明は省略する。

【００７０】また、上記第六実施形態では、エッチング
装置１００が上記第一実施形態と同様に構成される場合
について説明したが、エッチング装置１００は、第二実
施形態ないし第五実施形態と同様な構造としたものにも
適用できることは勿論である。

【００７１】なお、上記実施形態では、この発明に係る
液処理装置を半導体ウエハのエッチング装置する場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の被処理体例えば
ＬＣＤ基板のエッチング装置、あるいは、エッチング装
置以外の例えば洗浄装置にも適用できる。

【００７２】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理槽内に貯留される処理液に被処理体を浸漬して
所定の処理を行った後、処理槽内の処理液を排液する
際、処理液の一部の定量を定量貯留手段に貯留し、次の
処理を行う際に、定量貯留手段に貯留された処理液と、
所定量の新規処理液との混合液を、処理槽内に供給して
被処理体の処理を行うことにより、処理に供された処理
液の一部を正確に定量し、該処理液と新規処理液との混
合比を一定にすることができるので、処理精度の向上及
び処理効率の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。

【図２】この発明における定量貯留タンクの異なる形態
を示す概略断面図である。

【図３】この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示
す概略断面図である。

【図４】この発明に係る液処理装置の第三実施形態を示
す概略断面図である。

【図５】この発明に係る液処理装置の第四実施形態を示
す概略断面図である。

【図６】この発明に係る液処理装置の第五実施形態を示
す概略断面図である。

【図７】この発明に係る液処理装置の第六実施形態を示
す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｅ エッチング液（処理液） Ｖ0，Ｖ1〜Ｖ7，Ｖ30 開閉弁 １０ 処理槽 ２０ 循環管路 ２１ 循環ポンプ ３０ 排液管路 ４０ 処理液供給手段 ６０，６０Ａ バイパス管路 ７０ ＣＰＵ（制御手段） ８０ 定量貯留タンク（定量貯留手段） ９０，９１，９１Ａ 残液供給管路 ９２，９２Ａ ポンプ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理槽内に貯留される処理液に被処理体
   を浸漬して処理を施す液処理方法において、 所定の処理を行った後、上記処理槽内の処理液を排液す
   る際、処理液の一部の定量を定量貯留手段に貯留し、 次の処理を行う際に、上記定量貯留手段に貯留された処
   理液と、所定量の新規処理液を、上記処理槽内に供給す
   る、ことを特徴とする液処理方法。
2. 【請求項２】 処理槽内に貯留される処理液に被処理体
   を浸漬して処理を施す液処理方法において、 上記処理槽内に貯留される処理液を循環供給して所定の
   処理を行った後、上記処理槽内の処理液を排液する際、
   処理液の一部の定量を、循環供給系に接続する定量貯留
   手段に貯留し、 次の処理を行う際に、上記定量貯留手段に貯留された処
   理液を上記循環供給系を介して上記処理槽内に供給する
   と共に、所定量の新規処理液を処理槽内に供給する、こ
   とを特徴とする液処理方法。
3. 【請求項３】 被処理体に処理を施す処理液を貯留する
   処理槽と、 上記処理槽内に新規処理液を供給する処理液供給手段
   と、 上記処理槽内の処理液を排液する排液管路と、 上記排液管路に接続して排液される処理液の一部の定量
   を貯留する定量貯留手段と、を具備し、 所定の処理後、上記処理槽から排液される処理液の一部
   の定量を上記定量貯留手段に貯留し、以後の処理に際し
   て、上記定量貯留手段に貯留された処理液と、上記処理
   液供給手段からの新規処理液とを上記処理槽内に供給可
   能に形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
4. 【請求項４】 被処理体に処理を施す処理液を貯留する
   処理槽と、 上記処理槽内に新規処理液を供給する処理液供給手段
   と、 上記処理槽の下部と上部に接続すると共に、循環ポンプ
   を介設する循環管路と、 上記処理槽内の処理液を排液する排液管路と、 上記循環管路又は排液管路に接続されて排液される処理
   液の一部の定量を貯留する定量貯留手段と、を具備し、 所定の処理後、上記処理槽から排液される処理液の一部
   の定量を上記定量貯留手段に貯留し、以後の処理に際し
   て、上記定量貯留手段に貯留された処理液と、上記処理
   液供給手段からの新規処理液とを上記処理槽内に供給可
   能に形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
5. 【請求項５】 請求項３又は４記載の液処理装置におい
   て、 上記定量貯留手段と排液管路とを接続する管路に開閉弁
   を介設し、この開閉弁と、処理液供給手段の供給管路に
   介設される開閉弁とを、制御手段からの信号に基づいて
   開閉制御可能に形成してなる、ことを特徴とする液処理
   装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の液処理装置において、 上記定量貯留手段を処理槽内に貯留される処理液の液面
   より下方に配置し、この定量貯留手段に接続されて上記
   処理槽に処理液を供給可能に配設される供給管路にポン
   プを介設してなる、ことを特徴とする液処理装置。
7. 【請求項７】 請求項５記載の液処理装置において、 上記定量貯留手段を処理槽内に貯留される処理液の液面
   より上方に配置し、この定量貯留手段と排液管路とを接
   続する管路にポンプを介設してなる、ことを特徴とする
   液処理装置。
8. 【請求項８】 請求項４記載の液処理装置において、 上記循環管路に介設される開閉弁の処理液流入側及び処
   理液流出側に接続するバイパス管路に定量貯留手段を介
   設し、上記バイパス管路における上記定量貯留手段の処
   理液流入側及び処理液流出側にそれぞれ開閉弁を介設し
   てなる、ことを特徴とする液処理装置。
9. 【請求項９】 請求項４記載の液処理装置において、 上記排液管路と循環管路に接続するバイパス管路に定量
   貯留手段を介設し、上記バイパス管路における上記定量
   貯留手段の処理液流入側及び処理液流出側にそれぞれ開
   閉弁を介設してなる、ことを特徴とする液処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項８又は９記載の液処理装置にお
    いて、 上記各開閉弁と、処理液供給手段の供給管路に介設され
    る開閉弁とを、制御手段からの信号に基づいて開閉制御
    可能に形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。