JPS6016427A - 酸化膜エツチング装置 - Google Patents
酸化膜エツチング装置Info
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- JPS6016427A JPS6016427A JP12340783A JP12340783A JPS6016427A JP S6016427 A JPS6016427 A JP S6016427A JP 12340783 A JP12340783 A JP 12340783A JP 12340783 A JP12340783 A JP 12340783A JP S6016427 A JPS6016427 A JP S6016427A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 7
- 235000008708 Morus alba Nutrition 0.000 claims description 2
- 240000000249 Morus alba Species 0.000 claims description 2
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 claims description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 101150064053 Rffl gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半尋体製造工、僅において半ｐｈｉ体つェーハ
ｔウェットエツチング￥６ ｒＪｌ化ＩＭエツチング装
置、＃ＪＣＩＪｔ、、特にパターン幅が３μｍ程度以上
＋７）ものの加工に使用されるもので、１−）る。
ｔウェットエツチング￥６ ｒＪｌ化ＩＭエツチング装
置、＃ＪＣＩＪｔ、、特にパターン幅が３μｍ程度以上
＋７）ものの加工に使用されるもので、１−）る。
半導体ウェーハケエツチング用の薬液に浸漬し、酸化膜
等をエツチング１″る酸化膜エツチング装置においては
、特に薬液の温度、処理時間および組成が一定に保たれ
なければならない。このため従来は、半尋体つェーハケ
一定の処理時間でエツチング′ｆる処理槽に薬液循環シ
ステムから薬液乞供給でる際に、薬液温調部で余液の温
度ケ一定にコントロールしている。またエツチングに伴
う薬液の疲労（組成変化）ｖｃあわせて、新たな薬液ン
システムに供給して４液の組成ケ一定にコントロールし
ている。
等をエツチング１″る酸化膜エツチング装置においては
、特に薬液の温度、処理時間および組成が一定に保たれ
なければならない。このため従来は、半尋体つェーハケ
一定の処理時間でエツチング′ｆる処理槽に薬液循環シ
ステムから薬液乞供給でる際に、薬液温調部で余液の温
度ケ一定にコントロールしている。またエツチングに伴
う薬液の疲労（組成変化）ｖｃあわせて、新たな薬液ン
システムに供給して４液の組成ケ一定にコントロールし
ている。
上記の如〈従来より、エツチング処理時１−１および薬
液の温度については精度よ＜ １ｉｊｌＪ伊）されてい
金。
液の温度については精度よ＜ １ｉｊｌＪ伊）されてい
金。
しかし、薬７没の、１ｉｌｉ成管理は、経験的な判断に
よって同−染液でのエツチング処理熾の限度を設定し、
この設定量のエツチング量行っブこのちに新鮮な薬液？
蘂敢イ；＾環システムに供給でることにより行っている
。そのため、半導体ウェーハに形成された酸化膜のエツ
チング量は処理ごとに不均一になり、十分に積度よくコ
ントロールできないという不都合がある。また、高精度
のエツチングが要求される場合には、直前に同一の薬液
によってテスト用つェーハ？エツチングし、その結果に
よって処理時間ケ設定しなければならないという不都合
があゐ。
よって同−染液でのエツチング処理熾の限度を設定し、
この設定量のエツチング量行っブこのちに新鮮な薬液？
蘂敢イ；＾環システムに供給でることにより行っている
。そのため、半導体ウェーハに形成された酸化膜のエツ
チング量は処理ごとに不均一になり、十分に積度よくコ
ントロールできないという不都合がある。また、高精度
のエツチングが要求される場合には、直前に同一の薬液
によってテスト用つェーハ？エツチングし、その結果に
よって処理時間ケ設定しなければならないという不都合
があゐ。
本発明は上記の如き従来技術の欠点ケ克服でろためにな
されたもσ）で、薬液の組成管理を積度よく行なうこと
により、エツチングｉｔｆ・ｔｘ旨梢積度制御ｆ＾こと
のできる酸化ｌ臭エツチング装商□な提供ｆることを目
的とでる。
されたもσ）で、薬液の組成管理を積度よく行なうこと
により、エツチングｉｔｆ・ｔｘ旨梢積度制御ｆ＾こと
のできる酸化ｌ臭エツチング装商□な提供ｆることを目
的とでる。
〔発明の４ａ要〕
上記の目的？実現ｆるため本発明は、半導体ウエーハン
エッチングｆる処理槽かりオーバーフローした薬液をサ
ン゛フ”リノ゛グしてそのＰＨ１Ｉｎン（１川定し、測
定され７ＣＰ Ｈ値にもとづいて薬液４１１（ｆｆｕシ
ステムに対′ｆる新鮮な薬液の供給゛性？制御する１１
安化膜エツチング装置？提供１−るものである。
エッチングｆる処理槽かりオーバーフローした薬液をサ
ン゛フ”リノ゛グしてそのＰＨ１Ｉｎン（１川定し、測
定され７ＣＰ Ｈ値にもとづいて薬液４１１（ｆｆｕシ
ステムに対′ｆる新鮮な薬液の供給゛性？制御する１１
安化膜エツチング装置？提供１−るものである。
以下、メタ参照して本発明の一部施１９１１ケ説明でる
。図は同実施例の４イク成の碩、′次ケ承でブロック図
である。薬液供に合タン′りＩＫは自ｖ化；１囁エツチ
ン゛グ用σ）新鮮な桑蔽が容られており、給液バルブ２
ケ開閉ｆることによって外槽３に注入される。外槽３の
中［１ｉ衣而に酸化１１ｉ、％の形成された半導体ウエ
ハン入れてエツチングでる１こめの処理槽４が設けられ
、ま１こ液面の高さケ一定に１つにめのｒｆｆｌ ｔｉ
ｔｉセン゛す５が設けられていり。
。図は同実施例の４イク成の碩、′次ケ承でブロック図
である。薬液供に合タン′りＩＫは自ｖ化；１囁エツチ
ン゛グ用σ）新鮮な桑蔽が容られており、給液バルブ２
ケ開閉ｆることによって外槽３に注入される。外槽３の
中［１ｉ衣而に酸化１１ｉ、％の形成された半導体ウエ
ハン入れてエツチングでる１こめの処理槽４が設けられ
、ま１こ液面の高さケ一定に１つにめのｒｆｆｌ ｔｉ
ｔｉセン゛す５が設けられていり。
外／１ＩＩＬＩｌ ３ ｆｃ ７Ｃ”１ ツだ４ ｖＩ
ｌ、’４、ホ、７７−６Ｋ ＪＣツ”’Ｃフィルタ７に
循環され、ここでろｉｔｉ口された汝に薬液温調部８に
送られ命。また、−・１１初１ダθ）一部もしくは全部
は上流排液バルブ９および下７ノ１１排液バルブ［０？
開閉でろことにより、システムの外に排出される。系液
温副部８で一定の温度に制御された薬液は処理４４４Ｖ
Ｃ送られる。
ｌ、’４、ホ、７７−６Ｋ ＪＣツ”’Ｃフィルタ７に
循環され、ここでろｉｔｉ口された汝に薬液温調部８に
送られ命。また、−・１１初１ダθ）一部もしくは全部
は上流排液バルブ９および下７ノ１１排液バルブ［０？
開閉でろことにより、システムの外に排出される。系液
温副部８で一定の温度に制御された薬液は処理４４４Ｖ
Ｃ送られる。
処ｉ！！！伯４からオーバーフローした５ど液の一部は
、サンプリング取水１コ１１からサンプリング用バルブ
１２Ｖ介してＰＩ（、量定用液溜り１３に導かれる。そ
して、薬液のＰＩ値は検出器１４およびＰＨメータ１５
により一定される。ここで、ＰＨ測測定力薬液は検出器
１４かも浴出しｆ、Ｋｃｌ’４’を含んでいるので、Ｉ
Ｉ ’！’ｊ’ １６ Ｙ介してシステムの外に排出さ
れろ。
、サンプリング取水１コ１１からサンプリング用バルブ
１２Ｖ介してＰＩ（、量定用液溜り１３に導かれる。そ
して、薬液のＰＩ値は検出器１４およびＰＨメータ１５
により一定される。ここで、ＰＨ測測定力薬液は検出器
１４かも浴出しｆ、Ｋｃｌ’４’を含んでいるので、Ｉ
Ｉ ’！’ｊ’ １６ Ｙ介してシステムの外に排出さ
れろ。
次に、（図に示す実施例の動作？説明ｆろ。
処理・１凸４における薬液の温度は、鈷液温調部８によ
って制御される。でなわち、循環でる薬液は処理１凸４
におけろウェーハ表面の酸化膜との化学反応によって熱
せられたり、循環系における放熱によって冷されたりし
ているので、この温度ケ一定に制御１−る。
って制御される。でなわち、循環でる薬液は処理１凸４
におけろウェーハ表面の酸化膜との化学反応によって熱
せられたり、循環系における放熱によって冷されたりし
ているので、この温度ケ一定に制御１−る。
外槽３にＳける薬液の微の変化は液面センサ５により検
出される。そして、薬液が多くなりｆぎたり少なくなり
できたりしたとぎは、上流排液バルブ９が開いたり、給
敢パルプ２が１（１４いたりして一定階に訓１・ｉＩｌ
されゐ。薬液ケ全てＬ俣すゼりえる必要が生じたときは
、十〇ＩＧ排液パルプ９のみならず下流排液バルブ【Ｏ
も開き、薬液が排出される。
出される。そして、薬液が多くなりｆぎたり少なくなり
できたりしたとぎは、上流排液バルブ９が開いたり、給
敢パルプ２が１（１４いたりして一定階に訓１・ｉＩｌ
されゐ。薬液ケ全てＬ俣すゼりえる必要が生じたときは
、十〇ＩＧ排液パルプ９のみならず下流排液バルブ【Ｏ
も開き、薬液が排出される。
いま、処」里１曹４におけろエツチングが一２？；÷だ
け続けられ、これによって薬液の組成が変化し、疲労し
てきたとｆす０てなと、疲労したし６液はサンプリング
取水口１１に溜ってい々（１）で、サンプリングバルブ
１２が開かれてい４）とＰ ＨＩｌ、ｌｉｌ定川液用、
）１す１３に送うれ、ＰＨメータによりＰＩ値が測定さ
れる。ＰＨ１直があらかじめ設足された１直に、・卒１
−命と、図示しない制御装置が作動して１１’Ｅ： ’
ｔ’ｌ’Ｚバルブ２が開かれ、あらかじめ定めた４）
” ：４ｊｌ’ ｌ！”ｆ−な、ｉＩｌｆｆｋか供給さ
れる。なお、同ＵＦに上流排故バルブ９が作動して、薬
液の量は一定に保たれろ。
け続けられ、これによって薬液の組成が変化し、疲労し
てきたとｆす０てなと、疲労したし６液はサンプリング
取水口１１に溜ってい々（１）で、サンプリングバルブ
１２が開かれてい４）とＰ ＨＩｌ、ｌｉｌ定川液用、
）１す１３に送うれ、ＰＨメータによりＰＩ値が測定さ
れる。ＰＨ１直があらかじめ設足された１直に、・卒１
−命と、図示しない制御装置が作動して１１’Ｅ： ’
ｔ’ｌ’Ｚバルブ２が開かれ、あらかじめ定めた４）
” ：４ｊｌ’ ｌ！”ｆ−な、ｉＩｌｆｆｋか供給さ
れる。なお、同ＵＦに上流排故バルブ９が作動して、薬
液の量は一定に保たれろ。
薬液のサンプリングによって液面が下ったとぎは、これ
が液面センサ５に検知され、給液バルブ２が開かれて葉
液のｆ＃か一定に区ｆＣＦＬ、ゐ。なお、このサンプリ
ングｆる礒液、器σ）調侵は、ｙノブ１１ングバルプＪ
２によって行うことができる。
が液面センサ５に検知され、給液バルブ２が開かれて葉
液のｆ＃か一定に区ｆＣＦＬ、ゐ。なお、このサンプリ
ングｆる礒液、器σ）調侵は、ｙノブ１１ングバルプＪ
２によって行うことができる。
〔発明の効果〕
上記の如く本発明によれは、ｔユ＃：′？サンプリング
してＰＨ値ケ測定して、それにもとづいて；＃ｉｌ！＋
１な桑液を供給ｆ句ことにより４に液ン一定に保つこと
ができるようにしたので、半導体ウェーハのエツチング
装より高精度に制御できろ酸化ｊ戻エツチング装置ケ得
ることができる。これにより、高い精度でσ）エッチン
グケ要求され石もｌ／）に一ついても。
してＰＨ値ケ測定して、それにもとづいて；＃ｉｌ！＋
１な桑液を供給ｆ句ことにより４に液ン一定に保つこと
ができるようにしたので、半導体ウェーハのエツチング
装より高精度に制御できろ酸化ｊ戻エツチング装置ケ得
ることができる。これにより、高い精度でσ）エッチン
グケ要求され石もｌ／）に一ついても。
エツチング装［１愈の自動化７図なことができろ。
図は本発明の一実施例の４１゛４成のブロック南であい
。 ２・・・給液パルプ、３・・・外・・’７．４・・・処
理・１・・れ５・・・液面センサ、７・・・フィルタ、
９．１０・・・排１（＊パルプ、１１・・・サンフ′リ
ン゛グ４又水口、１２・・・サン゛〕”りン′グバルプ
、１３・・・Ｐ Ｈ＋１１．ｌ定用液市（す、１４・・
・検出器、■６・・・１洲管。 出願人代理人 猪 股 清
。 ２・・・給液パルプ、３・・・外・・’７．４・・・処
理・１・・れ５・・・液面センサ、７・・・フィルタ、
９．１０・・・排１（＊パルプ、１１・・・サンフ′リ
ン゛グ４又水口、１２・・・サン゛〕”りン′グバルプ
、１３・・・Ｐ Ｈ＋１１．ｌ定用液市（す、１４・・
・検出器、■６・・・１洲管。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハ？薬液に浸漬して酸化膜をエツチングす
るためのオーバーフロ一方式の処理槽と、オーバーフロ
ーした桑液ンろ過でると共に液温な制御して前記処理槽
に戻丁薬液循環システムと、この楽敢循【粱システムに
新たな余液を供給する薬液供給手段と？備える酸化膜エ
ツチング装置において、 前記処理：曹からオーバーフローした薬液ンサンプリン
グしてＰＨ値Ｙ測定てるＰＨ測定手段と、前記薬液供給
手段から前記薬液循環システムへの簗故供給晴’ｆＦｉ
Ｊ記ＰＨ測定手段の出力にもとづいて制御−ｒる手段と
ン備えることを特徴とでる酸化１蔀エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12340783A JPS6016427A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 酸化膜エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12340783A JPS6016427A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 酸化膜エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016427A true JPS6016427A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14859787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12340783A Pending JPS6016427A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 酸化膜エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016427A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183123A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体製造用薬液の供給方法 |
| JPH01236937A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 薬液を用いた試料の処理方法 |
| US5159946A (en) * | 1989-05-15 | 1992-11-03 | Aigo Seiichiro | Over-flow tank for a semiconductor wafer washing apparatus |
| US5741362A (en) * | 1994-10-18 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Wafer surface treating apparatus using chemical |
| US7591922B2 (en) * | 2002-01-17 | 2009-09-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12340783A patent/JPS6016427A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183123A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体製造用薬液の供給方法 |
| JPH0571130B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1993-10-06 | Nippon Zeon Co | |
| JPH01236937A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 薬液を用いた試料の処理方法 |
| US5159946A (en) * | 1989-05-15 | 1992-11-03 | Aigo Seiichiro | Over-flow tank for a semiconductor wafer washing apparatus |
| US5741362A (en) * | 1994-10-18 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Wafer surface treating apparatus using chemical |
| US7591922B2 (en) * | 2002-01-17 | 2009-09-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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