KR100237736B1 - 실리콘기판의 세정방법 - Google Patents
실리콘기판의 세정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100237736B1 KR100237736B1 KR1019940029517A KR19940029517A KR100237736B1 KR 100237736 B1 KR100237736 B1 KR 100237736B1 KR 1019940029517 A KR1019940029517 A KR 1019940029517A KR 19940029517 A KR19940029517 A KR 19940029517A KR 100237736 B1 KR100237736 B1 KR 100237736B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ammonia
- cleaning
- concentration
- weight
- silicon substrate
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 225
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 50
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 3
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 86
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은, 초LSI 제조에 사용되는 실리콘기판의 세정방법에 관한 것으로서, 암모니아/과산화수소세정액을 파기할 필요없이 약액비용의 저감을 실현한 위에, 안정적이고도 일정한 세정특성의 유지를 용이하게 달성할 수 있게 한 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도를 3.5에서부터 2.0중량%의 범위내에서 제어해서 사용한다. 암모니아농도의 제어는 일정시간마다 암모니아수용액을 일정량 추가하는 방법에 의해 행하는 특징으로 한 것이다. 상기 일정시간은 암모니아농도가 3.5중량에서부터 저하해서 2.0중량%가 되는 직전까지의 시간을 말하며, 상기 일정량은 암모니아농도를 2.0중량에서부터 3.5중량%로 증가하는데 필요한 양을 말한다.
Description
제1도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도, 과산화수소농도의 경시변화를 표시한 도면.
제2도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 실리콘산화막의 에칭속도의 경시변화를 표시한 도면.
제3도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 암모니아시약을 추가공급한 경우의 암모니아/과산화수소 세정액속의 암모니아농도의 경시변화의 개념도.
제4도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 암모니아농도 제어방법을 표시한 순서도.
제5도는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 세정방법을 표시한 순서도.
제6도는 종래예에 있어서의 암모니아/과산화수소 세정액속의 암모니아농도, 과산화수소농도의 경시변화를 표시한 도면.
제7도는 암모니아/과산화수소 세정액에 있어서의 실리콘산화막 에칭속도의 암모니아농도 의존성을 표시한 도면.
본 발명은 초LSI제조에 사용되는 실리콘기판의 세정방법에 관한 것이다.
이하 종래의 실리콘기판용 세정방법에 대해서 설명한다.
초LSI 제조공정에 있어서 암모니아, 과산화수소, 물로 이루어진 혼합액(이하, 암모니아/과산화세정액이라 약칭함)은, 입자(particle)의 제거를 목적으로 하는 세정액으로서 일반적으로 사용되고 있다. 암모니아가 실리콘이나 산화실리콘을 에칭하므로, 실리콘기판상에 부착한 실리콘이나 산화실리콘으로 이루어진 입자는 제거되는, 동시에 밑바탕의 실리콘기판도 에칭되므로서 실리콘기판상에 부착한 비용해성의 입자(예를 들면 테이프론등의 수지)도 제거된다.
최근 초LSI는 집적도를 증대시키기 위하여 미세화나 트랜지스터의 게이트산화막의 박막화, 이에 수반하여 모든 초LSI 제조공정에 있어서의 각 파라미터의 정밀한 제어가 중요한 과제로 되어오고 있다. 세정공정에 있어서도, 각 파라미터의 정밀한 제어는 중요한 과제로 되어오고 있으며, 예를 들면 실리콘기판상에의 얇은 산화막의 형성에 있어서의 산화막형성전에 행하는 세정에 있어서는 세정후의 자연산화막두께를 엄밀하게 제어할 필요가 있으며, 또 수 nm의 얇은 게이트산화막 형성후에 행하는 세정에서는 산화막에칭속도의 수Å/분 정도의 약간의 변동이 큰 문제로 되어가고 있다. 이상과 같이 세정공정에서는, 종래까지와 같이 입자제거 능력뿐만 아니고, 자연산화막두께나 산화막에칭속도 등의 세정특성까지도 정밀하게 제어할 필요가 발생되고 있다.
종래까지의 암모니아/과산화수소세정액을 사용한 실리콘기판의 세정방법은, 체적비로 암모니아 농도 30중량%의 암모니아 수용액시약 1, 과산화수소농도 29중량%의 과산화수소용액시약 1, 물 5를 혼합하여 암모니아농도 4.3중량%, 과산화수소농도 4.1중량%로 하고 일정온도로 승온한 곳에 실리콘기판을 일정시간 담근 후 순수로 씻어내어 건조한다고 하는 것이었다(예를 들면 RCA Review, W.Kern and et al., 207(1970)참조).
제6도는 액온도 60℃에 있어서의 종래의 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도와 과산화수소농도의 경시변화를 표시한 도면이다. 암모니아/과산화수소세정액에서는 암모니아의 휘발이 발생하기 때문에, 제6도에 표시한 바와 같이, 암모니아농도는 시간과 더불어 저하하고 세정액조성은 경시변화한다. 이 때문에 종래의 세정방법에서는 암모니아/과산화수소세정액으로는 실리콘기판의 에칭속도나 입자제거능력 등의 세정특성이 변화한다. 제7도는 암모니아/과산화수소세정액에 있어서의 실리콘산화막의 에칭속도의 암모니아농도 의존성을 표시한 도면이다. 제7도에 표시한 바와 같이, 암모니아의 농도에 따라서 에칭속도는 변화되어 있으며, 세정특성이 경시변화하는 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 암모니아/과산화수소세정액에 있어서의 입자의 제거는 암모니아가 실리콘등을 에칭하므로서 일어나기 때문에, 입자제거능력은 암모니아농도가 높은 쪽이 효과는 크다. 즉, 종래의 암모니아/과산화수소세정액에서는 암모니아농도는 높으나 암모니아의 휘발 때문에 세정특성이 경시변화한다고 하는 문제점을 가지고 있었다. 암모니아농도를 낮게 하면 입자제거능력이 저하한다고 염려되기 때문에, 이 문제점에 대하여 이제까지는, 일정시간이상 경과한 암모니아/과산화수소세정액은 파기하고 새로히 세정액을 다시 만들고 있었다. 또는 암모니아수용액을 일정시간마다, 일정량만 추가 공급하므로써 암모니아농도를 4.3중량% 근처에 유지하여 세정특성을 유지하는 것을 행하고 있었다(일본국 특개평 2-159029호 공보).
그러나, 상기 종래의 구성에서는, 암모니아/과산화수소세정액을 파기한다고 하는 방법에 의해서 세정특성을 유지하기 때문에, 암모니아/과산화수소세정액의 사용량이 증가하여 약액코스트가 높아지는 위에, 파기할 때까지의 시간내에서는 세정특성을 일정하게 유지할 수 없다고 하는 문제를 가지고 있었다. 또는 암모니아 수용액을 추가 공급하므로써 암모니아농도를 4.3중량%로 유지하여 세정 특성을 일정하게 유지하는 방법에 있어서는, 암모니아농도 4.3중량%에서는 제7도에 표시한 바와 같이 암모니아농도 변화에 대한 세정특성의 변동폭이 크기 때문에, 암모니아시약 추가 공급량이 과다해도 과소해도 약간의 양의 차이로 세정특성은 크게 변화하고, 암모니아농도제어는 매우 곤란하다고 하는 문제점을 가지고 있었다. 또 일본국 특개평 2-159029호 공보와 같이, 세정조속의 세정액의 성분농도측정을 행하면서 부족성분을 부족분량만큼 추가공급해서 세정액의 성분농도를 일정하게 유지하는 방법에 있어서는, 추가공급하고 나서부터 약액성분이 조내균일하게 혼합될 때까지 시간이 걸리고 추가공급해서 곧 농도 측정하면 측정오차가 극히 커지기 때문에, 농도 측정은 조내의 약액농도가 균일하게 된 다음에 행하는 것이 개시되어 있다. 이것은 추가공급한 약액성분이 균일하게 혼합될 때까지의 동안에, 첫째로 약액성분농도는 휘발에 의해 저하한다고 하는 문제점을 가지고 있다는 것, 둘째로 이 동안은 조내의 성분농도는 불균일하여 실리콘기판의 면내나 기판사이에서 에칭량의 불균일을 발생한다고 하는 문제점을 가지고 있다는 것을 의미하고 있다. 이 경향은 실리콘기판이 대구경화함에 따라 점점 증대한다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하는 것으로서, 암모니아/과산화수소세정액을 파기할 필요없이 약액비용의 저감을 실현하는 위에, 안정적이고 또한 일정한 세정특성의 유지를 용이하게 달성하는 것을 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실리콘기판용 세정방법은, 암모니아농도를 2.0에서부터 3.5중량%까지의 범위내에서 제어한 암모니아/과산화수소세정액에 의해서 실리콘기판을 세정한다고 하는 구성을 가지고 있다.
이 구성에 의해서, 암모니아/과산화수소세정액의 세정특성은 암모니아농도에 의존하지 않기 때문에, 암모니아농도에 대한 세정특성의 이득(margin)이 매우 커지고 세정액조성의 변화에 대해서 농도제어는 용이하고, 실리콘기판의 면내나 기판 사이에 있어서 일정한 세정특성을 안정적으로 얻을 수 있다.
이하 본 발명의 실시예에 있어서의 실리콘기판 세정방법에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
[실시예 1]
암모니아농도 30중량%의 암모니아수용액시약과 과산화수소농도 29중량%의 과산화수소용액시약과 물을, 암모니아농도 3.5중량%, 과산화수소농도 4중량%가 되는 분량분, 예를 들면 액총량이 181의 경우 암모니아시약 2.11 과산화수소시약 2.41 물 13.51를 계량하고, 각각을 혼합한다. 혼합한 암모니아/과산화수소세정액을 펌프로 순환시키면서, 히터로 가열하여 설정온도, 예를 들면 60℃까지 가열한다. 이때 가열된 물을 혼합해서 설정온도로 해도 된다. 액온이 설정온도에 까지 도달하면 세정액의 조제는 완료된다. 그후 실리콘기판을 암모니아/과산화수소세정액속에 넣고, 일정시간, 예를 들면 10분경과 후 실리콘기판을 꺼내고, 물세정, 건조하므로써 세정은 종료된다.
제1도는 상기 암모니아/과산화수소세정액에 있어서의 암모니아농도, 과산화수소농도의 경시변화를 표시한 것이며, 제2도는 상기 암모니아/과산화수소세정액에 의해서 세정했을 때의 실리콘산화막의 에칭속도의 경시변화를 표시한 것이다. 암모니아는 휘발하기 때문에 암모니아농도는 시간이 경과함에 따라서 서서히 저하하고 있다. 그런데도 불구하고, 실리콘산화막의 에칭속도는 약 0.9Å/분으로 일정하다는 것을 알 수 있다. 실리콘산화막의 에칭반응은 에칭반응종인 암모늄이온이 암모니아/과산화수소세정액속을 확산하면서 실리콘산화막 표면에 도달하는 단계와, 암모늄이온과 실리콘산화막과의 반응이 일어나는 단계와의 2단계에 의해 발생한다. 본 발명에 있어서의 2.0에서부터 3.5중량%까지의 암모니아농도 범위에 있어서는, 암모니아농도는 높으므로 암모늄이온을 실리콘표면에 충분히 도달해 있으며, 암모늄이온과 실리콘산화막과의 반응에 의해서 에칭반응을 율속(律速:Rate Controlling)되어 있다. 이 때문에, 에칭반응은 세정액속의 암모니아농도에 의존하지 않고, 암모니아의 농도변화에 대해서도 일정한 에칭속도가 유지되고, 그 결과 안정적인 세정특성을 얻을 수 있다.
약 100분 이상 경과하면 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도 2.0중량% 이하로 되므로, 100분 경과한 시점에서 암모니아농도 30중량%의 암모니아수용액시약을 일정량, 예를 들면 액총량 181에 대해서 암모니아수용액시약 1.01를 추가 공급한다. 이 추가공급에 의해 암모니아농도는 3.5중량%로 되고, 재차 100분 경과할 때까지 안정적인 세정특성이 유지된다. 제3도는 암모니아시약의 추가공급을 100분마다 반복하였을 경우의 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도의 경시변화를 표시한 개념도이나, 100분마다의 암모니아시약의 추가공급을 반복하므로써 암모니아농도는 3.5중량%에서부터 2.0중량%의 범위내를 오간다. 제2도나 제7도에 표시한 바와 같이, 암모니아농도가 이 범위내로 인한 실리콘산화막의 에칭속도는 약 0.9Å/분으로 일정하다.
제4도는 본 실시예에 있어서의 약액농도제어방법을 표시한 순서도이다. 제4도와 같이 100분마다 암모니아수용액시약을 추가공급한다고 하는 간단한 시간관리방법에 의해, 안정적인 세정특성과 세정액의 고수명화가 용이하게 달성된다.
본 실시예는 암모니아농도가 3.5에서부터 2.0중량%로 변동하는 시간주기가 100분이라고 하는 일정한 경우에 있어서 유효하며, 시간관리를 행하는 것만의 방법으로 암모니아농도제어를 실시할 수 있으므로, 농도제어에 소요되는 설비코스트는 극히 염가이다. 또한, 본 시간주기는, 세정조의 형상이나 기액계면의 면적, 액온등에 의해서 의존하므로, 사전에 암모니아농도가 3.5에서부터 2.0중량%까지 저하하는 시간을 측정해 둘 필요가 있다.
[실시예 2]
실시예 1에 있어서의 암모니아농도관리는 시간관리이므로 암모니아농도가 3.5에서부터 2.0중량%로 변동하는 시간주기가 일정한 경우에만 유효한 것이다. 따라서, 액온의 변화나 액량의 변화등이 클 경우는 변동하는 시간주기에 변화가 발생하기 때문에, 실시예 1로는 대응할 수 없다. 실시예 2에서는 일본국 특개평 02-159029호 공보등에 개시되어 있는 농도측정장치를 병용하였을 경우에 관해서 설명한다. 제5도는 실시예 2에 있어서의 세정방법을 표시한 순서도이다. 이하 제5도를 참조하면서 설명한다.
암모니아/과산화수소세정액의 각 시약의 혼합, 승온까지의 조제는 실시예 1 기재의 것과 마찬가지이므로 생략한다. 암모니아/과산화수소세정액의 조제 후는 실리콘기판의 세정직전에, 예를 들면 수분전에 세정조로부터 세정액을 채취하여 성분농도를 측정한다. 채취한 세정액은, 농도측정방법이 일본국 특개소 61-281532호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 광흡수에 의한 경우는 세정조에 되돌릴 수가 있다. 암모니아농도의 측정결과를 세정처리의 판정기준으로 사용하고, 그 판정기준 암모니아농도치를 하한치 2.1중량%에서부터 상한치 3.5중량%까지의 범위로 설정한다. 여기서 하한치를 2.1중량%로 설정한 이유는 세정종료시점에서의 암모니아농도가 2.0중량% 이하로 되는 것을 방지하기 위해서이다.
암모니아농도가 판정기준치 내였을 경우는 세정처리를 개시한다. 암모니아농도가 하한치 2.1중량% 이하였을 경우는, 상한치 3.5중량%로 되는 분량분의 암모니아수용액시약 1.41를 추가공급하여, 세정액속에 균일하게 혼합될 때까지 경과 후, 재차 세정액을 채취하여 암모니아농도가 판정기준치내인 것을 확인하고 세정처리를 개시한다. 이때의 추가공급한 암모니아시약이 세정액속에 균일하게 혼합될 때까지란, 그것에 걸리는 시간을 사전에 측정해서 결정해도 되며, 또는 수분마다 측정하여 연속수회 판정기준치내인 것으로 해서 결정해도 된다. 뜻하지 않는 트러블등에 의해 암모니아농도가 상한치 3.5중량%를 초과하는 경우는, 암모니아가 휘발하여 암모니아농도가 저하할 때까지 수분마다 세정액을 채취하여 농도측정하고, 암모니아농도가 판정기준치내로 된 것을 확인 후 세정처리를 개시한다.
본 실시예에서는 세정처리 직전에 암모니아/과산화수소세정액의 농도측정을 실시하고 설정한 농도범위내인 것을 확인하므로, 실리콘기판을 기판면내나 기판 사이에서 일정하고도 균일한 세정특성을 얻을 수 있는 것은 명백하다. 또 본 실시예에서는 세정처리직전에 있어서만 농도측정을 하므로, 세정처리를 하지 않는 동안이나 세정처리중에 있어서는 농도측정장치를 가동시킬 필요는 없다. 따라서 1대의 농도측정장치를 복수의 세정조에 연결하여 필요에 따라서 절환하므로서, 1대의 농도측정장치에 의한 복수의 세정조내의 농도감시를 행하는 것도 가능하다.
또한, 암모니아농도가 3.5중량%이면 그 시점에서부터 2.0중량%로 저하할 때까지의 시간은 100분 정도인 것을 알고 있으므로, 세정처리 직전에 농도측정하는 대신에, 50분 경과시점에서 농도측정하고, 암모니아농도가 3.5중량%가 되도록 암모니아시약을 추가공급하는 것에 의해서도 동등한 효과를 얻을 수 있다.
또, 본 실시예에서는 세정처리 직전에 있어서만 농도판정을 하는 경우에 대해서 설명하였으나, 세정처리중에 있어서도 농도감시를 해도 되고, 뜻밖의 트러블등에 의해서 발생하는 돌발적인 농도이상에 의한 세정특성의 불량을 방지할 수도 있다.
이상과 같이 본 발명은, 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도를 2.0에서부터 3.5중량%의 특정한 농도범위내에서 제어하므로써, 세정액조성이 변화해도 실리콘기판면내나 기판 사이에 있어서의 세정특성을 높은 균일성으로 얻을 수 있는 동시에, 농도제어에 대한 이득이 커지기 때문에 농도제어가 용이하게 가능해지고, 그 결과 안정하고도 일정한 세정특성과 세정액의 고수명화를 용이하게 도모할 수 있게 된다. 따라서 본 발명은 암모니아/과산화수소 세정방법에 있어서 세정특성의 안정화와 저코스트화를 가능하게 하는 뛰어난 실리콘기판 세정방법을 실현할 수 있는 것이다.
Claims (3)
- 암모니아수, 과산화수소수, 물을 주성분으로 하는 혼합액을 사용한 실리콘기판의 세정방법에 있어서, 상기 혼합액속의 암모니아농도가 상기 혼합액의 세정특성이 암모니아농도에 의존하지 않는 수치범위내에 있는 상태에서, 표면에 실리콘산화막을 가진 실리콘기판을 복수로트 세정하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 소정시간마다 소정량의 암모니아수용액을 혼합액에 추가하고, 상기 혼합액의 암모니아농도를 특정범위내로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 실리콘기판의 세정처리 직전에 혼합액속의 암모니아농도를 측정하고, 상기 암모니아농도가 판정기준밖인 경우는 3.5중량%로 되는 분량의 암모니아수용액을 상기 혼합액에 추가하고, 상기 암모니아농도를 특정범위내로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 세정방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP93-284821 | 1993-11-15 | ||
| JP28482193A JP3473063B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | シリコン基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015629A KR950015629A (ko) | 1995-06-17 |
| KR100237736B1 true KR100237736B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=17683448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940029517A KR100237736B1 (ko) | 1993-11-15 | 1994-11-11 | 실리콘기판의 세정방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6214126B1 (ko) |
| JP (1) | JP3473063B2 (ko) |
| KR (1) | KR100237736B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3211872B2 (ja) | 1997-07-29 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | 薬液処理方法、半導体基板の処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP3075350B2 (ja) | 1997-12-03 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| JP2001284450A (ja) | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US20040188387A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-09-30 | Brask Justin K. | Removing silicon nano-crystals |
| JP4711167B2 (ja) | 2004-08-25 | 2011-06-29 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR100685735B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2007-02-26 | 삼성전자주식회사 | 폴리실리콘 제거용 조성물, 이를 이용한 폴리실리콘 제거방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP4890919B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
| KR100901822B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2009-06-09 | 주식회사 실트론 | 질화갈륨 성장용 기판 및 질화갈륨 기판 제조 방법 |
| CN112086342B (zh) * | 2019-06-14 | 2023-10-20 | 有研半导体硅材料股份公司 | 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法 |
| JP7279753B2 (ja) * | 2021-09-01 | 2023-05-23 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281532A (ja) | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Hitachi Ltd | 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置 |
| JPH02159029A (ja) | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薬液処理方法およびその装置 |
| JPH04107922A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 |
| JP2893493B2 (ja) | 1991-12-13 | 1999-05-24 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JP3055292B2 (ja) | 1992-03-13 | 2000-06-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の洗浄方法 |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP28482193A patent/JP3473063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-11 KR KR1019940029517A patent/KR100237736B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-11-07 US US08/744,688 patent/US6214126B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6214126B1 (en) | 2001-04-10 |
| KR950015629A (ko) | 1995-06-17 |
| JPH07142435A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3473063B2 (ja) | 2003-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5990060A (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
| JP4319803B2 (ja) | 湿式洗浄装置および方法 | |
| DE69726634T2 (de) | Entfernung von Kohlenstoff auf Substratenoberflächen | |
| US5181985A (en) | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers | |
| KR100237736B1 (ko) | 실리콘기판의 세정방법 | |
| DE19825033A1 (de) | System zum Behandeln von Halbleitersubstraten und Behandlungsverfahren von Halbleitersubstraten | |
| US6837944B2 (en) | Cleaning and drying method and apparatus | |
| DE19648471A1 (de) | Halbleiternitridschicht-Ätzsystem | |
| JP2007517413A (ja) | 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法 | |
| EP0912259A1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing | |
| JP3211872B2 (ja) | 薬液処理方法、半導体基板の処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US6092539A (en) | In-situ cleaning apparatuses for wafers used in integrated circuit devices and methods of cleaning using the same | |
| JP3075350B2 (ja) | 薬液処理方法および薬液処理装置 | |
| KR100292953B1 (ko) | 반도체소자제조용식각장치및이를이용한식각방법 | |
| JP3636504B2 (ja) | ウエットプロセス装置及び方法 | |
| JP3188843B2 (ja) | 微細加工表面処理剤及び微細加工表面処理方法 | |
| JPH0883792A (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 | |
| JPH0737851A (ja) | 洗浄装置 | |
| DE60026705T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum nassätzen von halbleitersubstraten | |
| Kashkoush et al. | Photoresist stripping using ozone/deionized water chemistry | |
| US6368415B1 (en) | Method for washing semiconductor substrate and washing apparatus therefor | |
| JP2001118821A (ja) | 洗浄方法 | |
| US6348289B1 (en) | System and method for controlling polysilicon feature critical dimension during processing | |
| JPH0634890B2 (ja) | 薬液調合方法 | |
| JP3101307B2 (ja) | 有機物被膜の除去方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19981125 Effective date: 19990731 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060925 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |