KR950015629A - 실리콘기판의 세정방법 - Google Patents

실리콘기판의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950015629A
KR950015629A KR1019940029517A KR19940029517A KR950015629A KR 950015629 A KR950015629 A KR 950015629A KR 1019940029517 A KR1019940029517 A KR 1019940029517A KR 19940029517 A KR19940029517 A KR 19940029517A KR 950015629 A KR950015629 A KR 950015629A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ammonia
weight
mixed liquid
ammonia concentration
silicon substrate
Prior art date
Application number
KR1019940029517A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100237736B1 (ko
Inventor
유이치 미요시
미치카즈 마쯔모토
테루히토 오오니시
Original Assignee
모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이찌, 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 filed Critical 모리시타 요이찌
Publication of KR950015629A publication Critical patent/KR950015629A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100237736B1 publication Critical patent/KR100237736B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은, 초LSI제조에 사용되는 실리콘기판의 세정방법에 관한 것으로서, 암모니아/과산화수소세정액을 파기할 필요없이 약액비용의 저감을 실현한 위에, 안정적이고도 일정한 세정특성의 유지를 용이하게 달성할 수 있게한것을 목적으로 한것이며, 그 구성에 있어서, 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도를 3.5에서 부터 2.0중량%의 범위내에서 제어해서 사용한다. 암모니아농도의 제어는 일정시간마다 암모니아수용액을 일정량 추가하는 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 한것이다.
상기 일정시간은 암모니아농도가 3.5중량에서부터 저하해서 20.중량%가 되는 직전까지의 시간을 말하며, 상기 일정량은 암모니아농도를 2.0중량에서부터 3.5중량%로 증가하는데 필요한 양을 말한다.

Description

실리콘기판의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 암모니아/과산화수소세정액속의 암모니아농도, 과산화수소농도의 경시변화를 표시한 도면.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 실리콘산화막의 애칭속도의 경시변화를 표시한 도면.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 암모니아시약을 추가공급한 경우의 암모니아/과산화수소 세정액속의 암모니아농도의 경시변화의 개념도.
제4도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 암모니아농도 제어방법을 표시한 순서도.

Claims (3)

  1. 암모니아, 과산화수소, 물을 주성분으로 하는 혼합액에 있어서, 상기 혼합액속의 암모니아의 농도를 2.0에서부터 3.5중량%까지의 특정된 범위내에서 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 소정시간마다 소정량의 암모니아수용액을 혼합액에 추가하고, 상기 혼합액의 암모니아농도를 특정범위내에 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 실리콘기판의 세정처리직전에 혼합액속의 암모니아농도를 측정하고, 상기 암모니아농도가 판정기준밖인 경우는 3.5중량%로 되는 분량의 암모니아수용액을 상기 혼합액에 추가하고, 상기암모니아농도를 특정범위내에 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029517A 1993-11-15 1994-11-11 실리콘기판의 세정방법 KR100237736B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-284821 1993-11-15
JP28482193A JP3473063B2 (ja) 1993-11-15 1993-11-15 シリコン基板の洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950015629A true KR950015629A (ko) 1995-06-17
KR100237736B1 KR100237736B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=17683448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940029517A KR100237736B1 (ko) 1993-11-15 1994-11-11 실리콘기판의 세정방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6214126B1 (ko)
JP (1) JP3473063B2 (ko)
KR (1) KR100237736B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685735B1 (ko) * 2005-08-11 2007-02-26 삼성전자주식회사 폴리실리콘 제거용 조성물, 이를 이용한 폴리실리콘 제거방법 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3211872B2 (ja) 1997-07-29 2001-09-25 日本電気株式会社 薬液処理方法、半導体基板の処理方法及び半導体装置の製造方法
JP3075350B2 (ja) 1997-12-03 2000-08-14 日本電気株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
JP2001284450A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20040188387A1 (en) * 2003-03-25 2004-09-30 Brask Justin K. Removing silicon nano-crystals
JP4711167B2 (ja) 2004-08-25 2011-06-29 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP4890919B2 (ja) * 2006-04-13 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR100901822B1 (ko) * 2007-09-11 2009-06-09 주식회사 실트론 질화갈륨 성장용 기판 및 질화갈륨 기판 제조 방법
CN112086342B (zh) * 2019-06-14 2023-10-20 有研半导体硅材料股份公司 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法
JP7279753B2 (ja) * 2021-09-01 2023-05-23 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61281532A (ja) 1985-06-07 1986-12-11 Hitachi Ltd 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置
JPH02159029A (ja) 1988-12-13 1990-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液処理方法およびその装置
JPH04107922A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Fujitsu Ltd 半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法
JP2893493B2 (ja) 1991-12-13 1999-05-24 三菱マテリアル株式会社 シリコンウェーハの洗浄方法
JP3055292B2 (ja) 1992-03-13 2000-06-26 松下電器産業株式会社 半導体装置の洗浄方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685735B1 (ko) * 2005-08-11 2007-02-26 삼성전자주식회사 폴리실리콘 제거용 조성물, 이를 이용한 폴리실리콘 제거방법 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07142435A (ja) 1995-06-02
JP3473063B2 (ja) 2003-12-02
KR100237736B1 (ko) 2000-01-15
US6214126B1 (en) 2001-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970072163A (ko) 반도체 질화막 에칭장치
KR950015629A (ko) 실리콘기판의 세정방법
KR950034549A (ko) 반도체 디바이스 제조 방법 및 그 제조 장치
KR100870255B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR920000967A (ko) 질화 규소막의 형성방법
KR890017351A (ko) 보존 조성물
KR920014927A (ko) 표면 처리액 및 세척 방법
ES2069878T3 (es) Soluciones de peracidos.
KR940007157A (ko) 에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법
GB1489523A (en) Method for the stability of a water-in-oil emulsion of a finely divided cationically acrylamide polymer
KR920021664A (ko) 히드록실아민의 존재 하에서 수성 중합체의 안정화
KR930020599A (ko) 반도체 기판용 세정액
KR850000789A (ko) 반도체장치의 제조방법
Frenzel et al. Solubility and reactivity of peroxyacetyl nitrate (PAN) in dilute aqueous salt solutions and in sulphuric acid
KR960705738A (ko) 안정화된 암모늄 폴리설파이드 용액 및 이를 이용하는 방법(Stabilized ammonium polysulfide solutions and process utilizing same)
KR970008397A (ko) 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법
JPS6114235A (ja) シリコ−ン硬化物から水素ガスの発生を抑制する方法
ATE308596T1 (de) Silan-emulsionen mit hoher konzentration für wasserabweisende beschichtungen auf saugfähigen substraten
ATE159761T1 (de) Stabiles, flüssiges alpha-amylase-reagenz
ATE105733T1 (de) Vorrichtung zum dosieren und mischen von zwei flüssigen komponenten.
KR890017391A (ko) 무전해 용착 방법
KR960023240A (ko) 수성 인산아연 화성 처리액 및 처리방법
KR900015270A (ko) Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법
KR950030256A (ko) 산함유 유체로 반도체를 처리하는 방법
MY129926A (en) Method and system for removing contaminants

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19981125

Effective date: 19990731

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060925

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee