KR900015270A - Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법 - Google Patents

Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법 Download PDF

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KR900015270A
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bath
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KR1019900003867A
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Inventor
드네 미어라커 반
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프레드릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아일람펜파브리켄
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

내용 없음.

Description

Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 Si 웨이퍼 및 참조 전극을 갖는 세척욕을 나타낸다.
제2도는 세척조작중 참조 전극에 관한 Si 웨이퍼의 전위의 시간에 따른 변화를 나타낸다.

Claims (5)

  1. 알칼리성 세척욕중 참조 전극에 관한 Si 웨이퍼의 전위를 전위가 더욱 음의 값으로 크게 이동할 경우 다시 상승하는 욕중 H2O2농도로 측정함을 특징으로 하여, Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용, 과산화수소(H2O2)를 함유하는 알칼리성 세척욕을 안정화시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 측정된 전위가 매 30초마다 적어도 400mv내지 더욱 음의 값으로 변화할 경우, H2O2농도가 증가됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 약5:1:1의 용적비로 H2O. NH4OH(25％) 및 H2O2(30％)함유하는 세척욕을 사용함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 세척욕의 pH 값을 10내지 14. 바람직하게는 11로 조절함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 참조 전극으로 포화 칼로멜 전극을 사용함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003867A 1989-03-25 1990-03-22 Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법 KR900015270A (ko)

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DE3909915A DE3909915A1 (de) 1989-03-25 1989-03-25 Verfahren zum stabilisieren von reinigungsbaedern fuer si-scheiben, insbesondere fuer halbleiterbauelemente
DEP3909915.6 1989-03-25

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JPS55154452A (en) * 1979-05-18 1980-12-02 Seiko Kakoki Kk Concentration controlling method of halogen acid salt
JPS61294824A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Nec Corp 半導体集積回路の製造装置
DE3738651A1 (de) * 1987-11-13 1989-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur hydrophilierenden und/oder kittreste entfernenden oberflaechenbehandlung von siliciumscheiben

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EP0390254A3 (de) 1991-11-27
DE3909915A1 (de) 1990-09-27
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