KR930022478A - 반도체장치의 표면처리방법 - Google Patents
반도체장치의 표면처리방법Info
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 표면처리방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판을 표면처리하는데 있어서, HNO3,HF 및 H2O2를 포함하는 용액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법을 제공한다. 따라서 손상 및 오염된 기판 표면을 간단한 고정으로 제거함으로써 신뢰성 있는 소자 제조를 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 의한 반도체장치의 표면처리방법을 설명하기 위해 도신된 반도체장치의 세정장치.
제3도는 본 발명에 의한 반도체장치의 표면처리방법을 설명하기 위해 도시된 공정 흐름도.
Claims (5)
- 반도체기판을 표면처리하는데 있어서, HNO3,HF 및 H2O2를 포함하는 용액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액에 탈이온수(H2O)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액은 40%이상의 HNO3, 1%이하의 HF 및 상기 두 용액에 의해 그 농도가 결정되는 H2O2로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기용액은 50%(v/v) HNO_3 + 0.5%(v/v)HF + 49.5%(v/v) H2O2로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액은 반도체기판에 게이트산화막을 형성하기 전에 가판의 표면을 표면처리하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022478A true KR930022478A (ko) | 1993-11-24 |
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