KR970052625A - 웨이퍼 세정 방법 - Google Patents

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KR970052625A
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    • H01L21/02041—Cleaning
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Abstract

본 원은 웨이퍼 세정 방법을 개시한다.
개시된 본 원은 웨이퍼를 H2SO4와 H2O2으로 습식처리하고, 린스하여 유기물을 제거하는 단계후, 웨이퍼를 HF와 H2O의 혼합액으로 습식처리하고, H2O2와 탈이온수에 의하여 연속적으로 린스하여 열 산화막과 자연 산화막을 제거한다음, 다시 웨이퍼를 NH4OH와 H2O2및 H2O의 혼합액으로 처리하고, 탈이온수로 린스하여 파티클을 제거하고, 이 웨이퍼를 HF와 H2O 처리하여 케미컬 산화막 및 금속 오염물을 제거한다음, 웨이퍼를 H2O로 린스하여 불순물을 제거하고, 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 세정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 웨이퍼 세정 방법을 설명하기 위한 흐름도.

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 H2SO4와 H2O2으로 습식처리하고, 린스하여 유기물을 제거하는 단계와; 상기의 웨이퍼를 HF와 H2O의 혼합액으로 습식처리하고, H2O2와 탈이온수에 의하여 연속적으로 린스하여 열 산화막과 자연 산화막을 제거하는 단계와; 상기의 웨이퍼를 NH4OH와 H2O2및 H2O의 혼합액으로 처리하고, 탈이온수로 린스하여 파티클을 제거하는 단계; 상기의 웨이퍼를 HF와 H2O 처리하여 케미컬 산화막 및 금속 오염물을 제거하는 단계; 상기의 웨이퍼를 H2O로 린스하여 불순물을 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열 산화막 및 자연 산화막을 제거하기 위한 HF와 H2O의 혼합비는 1:10 내지 50인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 HF와 H2O 처리하여 케미컬 산화막 및 금속 오염물을 제거하는 단계에서, HF와 H2O의 혼합비는 1:100인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불순물을 제거하기 위한 H2O의 린스시, 상기 H2O에는 산소가 1 내지 10ppb 정도 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 건조 단계는 IPA에 의하여 증기 건조하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100310172B1 (ko) * 1999-05-13 2001-11-01 황인길 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법
KR100348917B1 (ko) * 1997-11-28 2003-01-06 닛본 덴기 가부시끼가이샤 반도체장치의제조방법

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