KR960026326A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 B.O.E 또는 불화수소등의 식각용액으로 폴리실리콘 표면에 형성된 산화막을 식각한 후, 웨이퍼(폴리실리콘)의 성질을 전환하기 위하여 H2O2또는 H2O2/NH4OH의 혼합물로 웨이퍼 표면을 처리하는 단계를 거치지 않고 곧바로 오존(O3)이 주입된 순수를 이용하여 세정공정을 실시하는 것을 그 요지로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- B.O.E 또는 불화수소등의 식각용액으로 폴리실리콘 표면에 형성된 산화막을 식각 후 웨이퍼 표면을 세정하여 웨이퍼 세정방법에 있어서, 오존이 주입된 순수를 이용하여 웨이퍼의 표면을 세정하여 웨이퍼 표면에 미세한 산화막을 형성하는 단계와, 순수만을 이용하여 친수성으로 변화된 웨이퍼를 세정하는 단계와, 세정완료된 웨이퍼를 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038551A KR960026326A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 웨이퍼 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940038551A KR960026326A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 웨이퍼 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026326A true KR960026326A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940038551A KR960026326A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 웨이퍼 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026326A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442744B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2004-08-02 | 실트로닉 아게 | 반도체웨이퍼의 화학적 처리방법 |
| KR100909160B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2009-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 세정방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940038551A patent/KR960026326A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442744B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2004-08-02 | 실트로닉 아게 | 반도체웨이퍼의 화학적 처리방법 |
| KR100909160B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2009-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 세정방법 |
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