KR950021181A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

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KR950021181A
KR950021181A KR1019930029768A KR930029768A KR950021181A KR 950021181 A KR950021181 A KR 950021181A KR 1019930029768 A KR1019930029768 A KR 1019930029768A KR 930029768 A KR930029768 A KR 930029768A KR 950021181 A KR950021181 A KR 950021181A
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KR
South Korea
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cleaning
wafer
cleaning process
mixed solution
cleaning method
Prior art date
Application number
KR1019930029768A
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English (en)
Inventor
나원규
안현수
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로, NH4OH세정시에 발생되는 파티클
(Particle)을 H2SO4+H2O2혼합액에서 제거한 다음 잔류하는 자연산화막이 HF+HCL의 혼합용액에 의해 제거되도록 한 웨이퍼 세정방법에 관해 기술한다.

Description

웨이퍼 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 웨이퍼상에 실리사이드를 증착하기 전에 웨이퍼를 세정하는 방법에 있어서, 웨이퍼상에 폴리실리콘을 증착하고 POCL3도핑 공정을 실시한 다음 HF 세정 공정 및 NH4OH 세정공정을 실시하는 단계와,상기 NH4OH 세정공정시 발생하는 파티클을 H2SO4+H2O2혼합용액을 이용한 세정공정에 의해 제거하고 잔류하는 자연산화막을 제거하기 위해 HF+HCL의 혼합 용액에 의한 세정공정을 실시하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 HF 공정시 HF : 초순수의 혼합비율은 1:1 내지 1:20인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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