KR960005820A - 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법 - Google Patents

반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법 Download PDF

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KR960005820A
KR960005820A KR1019940016515A KR19940016515A KR960005820A KR 960005820 A KR960005820 A KR 960005820A KR 1019940016515 A KR1019940016515 A KR 1019940016515A KR 19940016515 A KR19940016515 A KR 19940016515A KR 960005820 A KR960005820 A KR 960005820A
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South Korea
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polysilicon film
washing
ultrapure water
cleaning
hydrofluoric acid
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KR1019940016515A
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Inventor
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법에 있어서, 폴리실리콘막을 불산용액을 사용하여, 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산, 질산, 초산 및 초순수 혼합액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수 세척하는 단계; 불산용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척한 후 회전건조기로 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법에 관한 것으로, 폴리실리콘막 표면에 잔류 자연산화막과 불순물입자를 완전하게 제거함으로써 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 갖는다.

Description

반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법에 있어서, 폴리실리콘막을 불산용액을 사용하여, 세정하고 초순수로 세척하는 단계; 불산, 질산, 초산 및 초순수 혼합액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수 세척하는 단계; 불산용액을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 세정하고 초순수로 세척한 후 회전건조기로 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합액은 불산:질산:초산:초순수=1:5:5:10의 비율로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 불산, 질산, 초산, 초산 및 초순수 혼합액을 사용하여 폴리실리콘막 세정시 상기 폴리실리콘막 표면이 약 50A 내지 500A 정도 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940016515A 1994-07-08 1994-07-08 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법 KR960005820A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827684B1 (ko) * 2001-10-30 2008-05-07 에이펫(주) 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법

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