KR100827684B1 - 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 암모니아수(NH4OH), 불산(HF), 초산(CH3COOH) 및 탈이온수(DIW)를 포함하며, 그 조성비(중량비)가 암모니아수 : 불산 : 초산 : 탈이온수 = 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50이고 PH 7∼12인 약 염기성을 갖는 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 세정액은 기존의 하이드록실아민이나 카테콜을 사용하지 않으면서, 반도체 소자의 제조 공정 중에 발생되는 폴리머나 유기 불순물과 같은 오염성 부생성물을 용이하게 제거할 수 있고, 유기 성분의 사용을 배제시켜 기존에 진행했던 추가적인 IPA 세정 공정의 생략으로 반도체 제조 단가를 낮출 수 있다.
Description
도1은 종래 세정액으로 금속 배선을 세정한 후에 TEM(투과전자현미경)으로 관찰한 금속 배선의 단면 사진이다.
도2는 종래 세정액으로 세정한 금속 배선 상에 IMO막을 형성한 후에 SEM(주사전자현미경)으로 관찰한 IMO막의 표면 사진이다.
도3a 내지 도3b는 본 발명의 실시예인 세정액으로 금속 배선을 세정한 후에 TEM으로 관찰한 금속 배선의 단면 사진이다.
도4는 금속 배선을 형성한 후 1)세정 전 2)본 발명의 세정액으로 세정한 후 및 3)피라냐로 세정한 후의 접촉 각을 각각 나타낸 것이다.
본 발명은 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 반도체 소자의 제조 공정 중에 발생되는 폴리머(polymer)나 유기 불순물(organic impurity)과 같은 오염 물질을 제거하는데 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 수많은 공정을 진행하여야 한다. 반도체 소자를 제조하는 공정 중에서도 금속 배선이나 콘택 홀 등과 같이 식각 공정을 필요로 하는 공정에서, 식각에 사용되는 가스가 플라즈마장(plasma field) 내에서 반도체 기판이나 층간 절연막 등과 같은 하지층 또는 포토레지스트와 상호 반응을 일으키면서 원하지 않은 부생성물(by-product)이 다량으로 생성된다.(상기 부생성물은 폴리머, 사이드 폴리머(side polymer), 베일(veil), 펜스(fence)라고 칭하기도 한다.)
상기와 같은 부생성물은 웨이퍼의 표면을 오염시켜서 후속 공정을 진행하는 데 장애요인으로 작용할 뿐만 아니라, 심할 경우 반도체 제조 공정의 전체적인 수율 저하 및 반도체 소자의 신뢰성을 저하시키는 등 많은 문제점을 유발시키게 된다. 따라서, 공정 후에 생성되는 부생성물을 적절한 방법으로 제거하여야만 한다.
현재 금속 배선을 형성하기 위해 금속층을 식각한후 폴리머와 같은 부생성물을 제거하는데 사용되는 화학제(Chemicals)는 대부분 유기 화학제(Organic Compound)이며, 주로 하이드록실아민(Hydroxylamine)이나 아민(Amine)을 주성분으로 사용하고 있다. 그리고 용매는 대부분 고온공정에서의 농도 변화를 방지하기 위 하여 비등점이 높은 유기 용매를 사용하고 있다. 상기 주성분은 대부분 고가의 화학제이며, 인체에 해로운 자극성 물질, 발암물질 또는 돌연변이를 일으키는 위험물질으로서,
특히 상기 하이드록실아민(Hydroxylamine)계열은 금속 배선에서 배리어 메탈(Barrier Metal)로 이용되는 Ti나, 주 물질로 사용되는 Al 에 대한 식각 속도가 매우 빠르므로 언더 컷(Under Cut)현상이 생길 확률이 매우 높다. 이는 종래 세정액으로 금속 배선을 세정한 후에 TEM으로 관찰한 금속 배선의 단면 사진인 도1에 잘 나타나 있다.(상기 도1은, 산화물로 형성된 하지층, 확산방지막 역할을 하는 TiN막, TiN막과 함께 배리어 메탈 역할을 하는 Ti막, Al과 같은 금속 물질로 된 금속 배선과 포토리소그라피(Photolithography) 공정 시 양호한 패턴 프로파일(Pattern Profile)을 얻기 위한 반사방지막 등으로 구성되어 있다.)
즉, 종래 세정액은 그 속성(Property)에 의해 금속 배선 등에 반점이 생길 뿐만 아니라 Ti막에 언더컷 디펙트가 생기게 되어 원하는 패턴 프로파일을 얻기가 어렵다는 문제점이 있다.
나아가 종래 세정액은 폴리머와 같은 부생성물과의 반응이 20℃~30℃의 상온에서는 잘 일어나지 않고 65℃∼85℃의 고온에서 반응이 일어나 부생성물을 제거시키게 되므로, 라이프 타임(Life Time)이 상대적으로 짧아 세정액인 화학제(예를 들어 ACT-935, EKC245, EKC265 등)교체를 적어도 8시간에서 12시간이내에 해주어야한다. 이에, 화학제의 소모량이 많아지는 동시에 화재의 위험성을 내포하고 있다.
한편, 아민(Amine) 계열의 화학제(Chemicals)는 순수만을 사용해서는 완전히 세정이 이루어지지 않으므로 부가적으로 IPA(Isopropyl Alcohol)를 린스 공정을 추가해야 하기 때문에 공정이 복잡해지고 공정시간이 길어져 생산성을 저하시키게 되는 원인이 된다는 문제점이 있다.
또한 세정 공정의 중요성은 종래 세정액으로 세정한 금속 배선 상에 IMO막을 형성한 후에 SEM으로 관찰한 IMO막의 표면 사진을 도시한 도2에서 알 수 있듯이, 세정이 완전하게 이루어지지 않은 상태에서 IMO막을 형성하면 성장성 디펙트 즉 체인 디펙트(Chain Defect)의 원인이 되기도 하는데, 기존의 아민(Amine) 계열의 용매(Solvent)는 기판에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 능력에 있어서 변성되지 않은 포토레지스트, 즉 패터닝(Patterning) 직후의 포토레지스트는 쉽게 제거하지만 식각 플라즈마(Etch Plasma)에 의해 변성이 되거나 포토레지스트 스트립 플라즈마(Photoresist Strip Plasma)에 의해 변성이 된 포토레지스트는 제거하지 못하는 경우가 발생된다. 이때 사용되는 아민(Amine) 계열은 주로 NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone), MEA(Methylethyl Amine), DEA(Diethyl Amine)등이 사용되고 있다.
나아가 상술한 세정액의 화학제 성분(Chemical Component)들이 폴리머와 같은 부생성물을 제거할 때 일반적으로 고온에서 진행되므로 Al이나 Ti가 Attack을 받기 쉬우므로, 이를 방지하기 위해 카테콜(Catechol)과 같은 환원제(Reducing Agent or Anti-Corrosion Agent)를 첨가해야 한다. 이는 원가상승의 요인이 되는 동시에 환원제 자체의 발화 위험성 때문에 화재의 위험성을 내포하고 있으며 실제 반도체 제조 공정에서 화재가 발생한 경우도 종종 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서,
본 발명의 목적은 위험 물질인 하이드록실아민이나 카테콜을 사용하지 않으면서, 반도체 소자의 제조 공정 중에 발생되는 폴리머나 유기 불순물과 같은 오염성 부생성물을 용이하게 제거할 수 있는 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 소자의 제조 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 인체나 환경 친화적인 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 소자의 제조 공정 중 발생하는 부생성물의 제거 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 세정액의 구성성분으로서 유기 성분(Organic Component)의 사용을 배제시켜 기존에 진행했던 추가적인 IPA 세정 공정의 생략으로 반도체 제조 단가를 낮출 수 있는 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것이다.
이하 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
세정액의 실시예료서 반도체 소자의 제조 공정중에 발생되는 부생성물이 제거되도록 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수를 포함하는 세정용 화학제가 제공되며, 상기 세정용 화학제는 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수의 조성비(중량비)가 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50이고, pH가 7∼12인 약 염기성임을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자의 세정액을 이용한 세정 방법의 실시예는 식각 공정을 통한 금속 배선의 형성으로 반도체 기판에 금속성 식각 폴리머 및 유기 디펙트와 같은 부생성물이 생성되는 단계; 상기 반도체 기판을 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수를 포함하는 약염기성의 세정액에 담그는 단계; 상기 세정 액에 의해 부생성물을 제거하여 세정을 완료하는 단계; 및 세정이 완료된 상기 반도체 기판을 상기 세정 화학제로부터 빼내는 단계를 포함한다.
본 발명은 종래에 사용했던 하이드록실아민(Hydroxylamine)이나 카테콜(Catechol)을 사용하지 않고 현재 반도체 제조공정에서 일반적으로 사용하고 있는 제품인 "RCA Cleaning"의 화학제(Chemicals)를 기초물질을 사용하여 세정액이 제조된다.
본 발명의 세정액에 대한 구체적인 조성 및 물리적인 성질과 공정 조건을 설 명하면 다음과 같다.
본 발명의 세정액을 그 기본 구성 물질이 암모니아수(NH4OH), 불산(HF) 및 초산(CH3COOH)을 포함하며, 주 용매(Main Solvent)는 탈이온수(DIW)이다. 기본 구성 물질의 조성비(중량비)는 암모니아수 : 불산 : 초산 : 탈이온수 = 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50이며, PH는 7∼12가 바람직하다.
PH가 12보다 커지는 경우에는 프로파일 어택(Profile Attack), 즉 Al이나 Ti등과 같이 금속성 물질 등에 어택(Attack)이 나타나게 되어 양호한 패턴 프로파일을 얻을 수 없기 때문이다.
본 발명의 세정액의 기본 구성 성분에서,
상기 불산의 역할은 식각 후의 폴리머와 같은 부생성물을 제거하는 것이다. 주의할 것은 불산을 과량으로 사용하면 금속 배선에 사용되는 Ti와 같은 금속 물질이나 하지층을 이루는 산화층(Oxide Layer)에 어택(Attack)이 발생하므로 전술한 조성비를 기준으로 소량 사용하는 것이 바람직하다.
암모니아수와 초산은 본 발명의 세정액을 완충 용액(Buffer Solution)으로 유지시켜 시간의 경과에 따른 세정 능력의 변화를 방지해 주는 동시에 폴리머내의 금속 성분(Metallic Component)과 킬레이트 화합물(Chelate Compound)을 형성하여 불산이 보다 쉽게 폴리머와 같은 부생성물의 제거 작용을 할 수 있도록 도와주는 역할을 할 뿐만 아니라, 본 발명의 세정액의 PH를 조절하는 주 성분으로 사용된다.
본 발명의 세정액을 사용한 공정 단계는 다음과 같다.
본 발명의 세정액이 적용되는 공정은 여러 경우가 있겠지만, 반도체 소자의 제조 공정중 금속 배선 공정에 본 발명의 세정액을 적용하는 것을 실시예로 한다.
금속 배선 형성 공정은 통상의 공정 단계에 따라 설명될 것이며, 따라서 본 발명에서는 금속 배선 형성 방법에 따른 설명은 생략한다.
포토레지스트를 식각 공정으로 반도체 기판에 금속 배선을 형성한다. 식각 공정에 의해 반도체 기판에는 부생성물이 생성된다. 포토레지스트를 제거한 후 부생성물이 생성된 반도체 기판을 본 발명의 세정액인 세정 화학제에 담근다.
기존에는 60℃∼80℃의 온도에서 20∼30분 동안 부생성물이 생성된 반도체 기판을 기존의 세정액에 담근 후에 추가적으로 IPA를 사용하여 반도체 기판의 세정을 완료하는데 반해, 본 발명은 20℃∼30℃의 상온에서 약 5분 전후의 시간 동안 부생성물이 생성된 반도체 기판을 본 발명의 세정액인 세정 화학제에 담그는 것만으로 세정이 완료되고, 세정이 완료된 반도체 기판을 세정 화학제로부터 빼낸다.
따라서, 추가적으로 유기 화합물(Organic Component)을 사용하지 않아 기존과 달리 IPA를 사용하지 않고도 세정을 완료시킬 수 있다. 또한, 세정 공정 중 서 브-층(Sub-Layer) 예를 들어, Al, Ti, TiN, PE-TEOS, SOG, 등에 대한 식각 비(Etch Rate)를 5∼30Å/min으로 한정하여 패턴 프로파일의 어택(Attack)을 최소화한다.
상기한 본 발명의 세정액과 공정 조건으로 실험한 결과가 도3a 내지 도3c 및 도4이다.
도3a 내지 도3c는 본 발명의 세정액으로 금속 배선을 세정한 후에 TEM으로 관찰한 금속 배선의 단면 사진으로, 종래 세정액으로 금속 배선을 세정한 후에 TEM으로 관찰한 금속 배선의 단면 사진인 도1과 비교해 볼 때 언더 컷이 보이지 않았을 뿐만 아니라. 패턴 프로파일이 양호함을 알 수 있다.
도3a 내지 도3c에서 보듯이, 전체적인 구조는 산화물로 형성된 하지층과, 확산방지막 역할을 하는 TiN막, 이와 함께 배리어 메탈 역할을 하는 Ti막, 그리고 Al과 같은 금속 물질로 된 금속 배선 등이며, 포토리소그라피(Photolithography) 공정시 양호한 패턴 프로파일(Pattern Profile)을 얻기 위한 반사방지막 등으로 구성되어 있다.
도1과 다른 점은 본 발명의 세정액 및 공정 조건을 적용했을 때 Ti막에 언더 컷이 발생되는지를 분명히 확인하기 위하여 도1의 Ti막보다 훨씬 두껍게 형성했다는 점이다. 그럼에도 불구하고 Ti막에 언더 컷이 발생되지 않았을 뿐만 아니라, 금 속 물질층에도 기존 금속 물질층에 나타난 반점이 보이지 않았다.
도4는 금속 배선을 형성한 후 세정전, 본 발명의 세정액으로 세정한 후, 및 피라냐로 세정한 후의 접촉 각을 각각 나타낸 그래프인데, 본 발명의 세정액은 pH가 7∼12사이의 약염기성(Weak Basic)인 물리적 속성(Physical Property)을 가지기 때문에 도4에서 나타난 것과 같이 접촉 각(Contact Angle)이 20˚∼40˚를 가지게 되어 유기 디펙트(Organic Defect)의 제거능력을 나타냄을 알 수 있다. 즉, 기존 세정액은 부생성물을 제거한 후에 유기 불순물(Organic Impurity)이나 변성된 포토레지스트, 즉 헤비 유기 디펙트(Heavy Organic Defect)를 전혀 제거하지 못하지만, 본 발명의 세정액은 접촉 각(Contact Angle)의 실험결과 유기 디펙트(Organic Defect)를 Piranha(or SPM) Chemical의 제거 능력에 필적할 정도로 효과적으로 제거되는 것으로 나타났으며, 이는 기존의 용매가 단순히 폴리머(Polymer)의 제거 및 포토레지스트의 제거만을 수행하는 것에 비해, 본 발명의 세정액은 이러한 제거 능력 이외에도 기판(Substrate)을 FEOL(Front End of Line)에서 세정에 사용되는 "RCA Cleaning"과 유사한 세정 능력을 나타내어 반도체 제조 공정에 있어서 BEOL(Back End of Line)에서 획기적인 수율 향상을 가져올 수 있다.
도4에서, "Reference" 그래프는 세정전의 접촉 각을 나타낸 것이고, "X-A" 그래프는 본 발명의 세정액으로 세정한 도3a의 접촉 각을 나타낸 것이고, "X-B" 그래프는 본 발명의 세정액으로 세정한 도3b의 접촉 각을 나타낸 것이고, "X-C" 그래 프는 본 발명의 세정액으로 세정한 도3c의 접촉 각을 나타낸 것이고, "Piranha" 그래프는 피라냐로 세정한 접촉 각을 나타낸 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 불소(Fluoride)를 사용하여 금속성 식각 폴리머(Metallic Etch Polymer)를 제거할 수 있고, 바이덴테이트 리간드(Bidentate Ligand) 예를 들어, 카복실레이트 이온(Carboxylate Ion)을 이용하여 킬레이트 화합물(Chelate Compound)을 형성하여 금속성 식각 폴리머를 제거할 수 있고, 약염기와 약산을 혼합하여 PH 7∼12로 완충 용액을 형성시켜 금속성 식각 폴리머를 제거할 수 있고, 약염기와 짝염기(Conjugate Base)가 바이덴테이트 속성(Bidentate Property)을 갖는 약산과 그 유도체 예를 들어, 카복실산(Carboxylic Acids), 에테르(Ethers), 아미드(Amides) 등을 이용하여 기판(Substrate)에 금속층(Metal Layer)이 존재하는 상태인 BEOL에서 유기 디펙트(Organic Defect)를 제거할 수 있고, 폴리머 및 유기 디펙트를 20℃∼30℃의 상온에서 2∼10분 사이에 제거할 수 있고, 세정 공정중 서브-층(Sub-Layer) 예를 들어, Al, Ti, TiN, PE-TEOS, SOG, 등에 대한 식각 비(Etch Rate)를 5∼30Å/min이 되도록 화학제의 식각 비를 조절하여 금속성 식각 폴리머를 제거할 수 있고, 접촉 각(Contact Angle)이 20˚∼40˚ 가 되도록 설정하여 금속성 식각 폴리머와 유기 디펙트를 제거할 수 있고, 암모니아수 : 불산 : 초산 : 탈이온수의 비율을 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50으로 설정하여 BEOL에서 금속성 식각 폴리머와 유기 디펙트를 제거할 수 있고, 반도체 제조 공정에 있어서 금속층으로 인해 피라냐 세정(Piranha Cleaning)을 사용하지 못할 때 약 염기, 바이덴테이트(Bidentate) 약산, 불산, DIW를 이용하여 유기 불순물(Organic Impurity)을 제거하는 전 세정(Pre-dep Cleaning)을 할 수 있게 한다.
본 발명은 위험 물질인 하이드록실아민(Hydroxylamine)이나 카테콜(Catechol)을 사용하지 않고 현재 반도체 제조공정에서 일반적으로 사용하고 있는 RCA Cleaning의 화학제를 기초 물질로 사용하여 제조되기 때문에 제조단가가 기존의 용매보다 낮고, 인체나 환경 친화적인 면에서 매우 유리하며, 폴리머와 같은 부생성물을 상온에서 제거하는 동시에, 주 성분중 용매가 탈이온수(DIW)이므로 화재의 위험성이 없고 공정단가도 낮아진다.
또한 실험 결과 폴리머의 제거 시간이 기존에 사용되던 용매보다 매우 단축되어 메탈(Metal)이나 비아 식각후의 세정 공정(Via Etch Post Cleaning Process)의 생산량(Throughput)을 향상시키는 효과를 가져왔다. 이와 함께 유기 성분(Organic Component)을 사용하지 않았으므로 추가적인 IPA의 세정이 필요 없게 되어 반도체 소자의 제조단가가 낮아진다.
또한 본 발명은 세정 공정(Cleaning Process)중에 패턴 프로파일의 어택(Attack)이 전혀 일어나지 않을 뿐만 아니라, 접촉 각의 실험결과 유기 디펙트(Organic Defect)를 Piranha(or SPM) Chemical의 제거능력에 필적할 정도로 효과적으로 제거하는 것으로 나타나므로 기판(Substrate)을 FEOL(Front End of Line)에서 세정에 사용되는 "RCA Cleaning"과 유사한 세정 능력을 나타내어 반도체 제조 공정에 있어서 BEOL(Back End of Line)에서 획기적인 수율 향상을 가져온다.
Claims (18)
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- 반도체 소자의 제조 공정 중에 발생되는 부생성물이 제거되도록 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수를 포함하고, PH가 7∼12인 약 염기성인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액.
- 반도체 소자의 제조 공정 중에 발생되는 부생성물이 제거되도록 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수를 포함하고, 상기 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수의 조성비(중량비)가 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액.
- 제3항에서, 상기 불산은 부생성물을 제거하면서 반도체소자의 구성요소의 어택을 방지할 수 있도록 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액.
- 제3항에서, 상기 암모니아수와 초산은 세정액을 완충 용액으로 유지시켜 시간의 경과에 따른 세정능력의 변화를 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액.
- 제3항에서, 상기 암모니아와 초산은 부생성물 내의 금속 성분과 킬레이트 화합물을 형성하여 상기 불산이 부생성물을 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액.
- 제3항에서, 상기 암모니아와 초산은 세정액의 PH를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정액.
- 제3항에서, 상기 세정액은 세정 공정 시 20°~ 40°의 접촉각을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정액.
- 포토레지스터 식각 마스크로한 식각 공정을 통한 금속 배선의 형성으로 반도체기판에 금속성 식각 폴리머 및 유기 디펙트와 같은 부생성물이 생성되는 단계;상기 반도체기판을 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수로 조성된 약염기성의 세정액에 담그는 단계; 및세정이 완료된 상기 반도체 기판을 세정액으로부터 빼내는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 세정액은 암모니아수, 불산, 초산 및 탈이온수를 포함하며, 그 조성비(중량비)가 1∼5 : 0.1∼5 : 0.01∼1 : 5∼50이고, PH가 7∼12사이의 약염기성인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 세정액의 불소성분에 의해 금속성 식각 폴리머와 같은 부생성물이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 세정액의 카복실레이트 이온과 같은 바이덴테이트 리간드를 이용함으로서, 킬레이트 화합물을 형성하여 상기 금속성 식각 폴리머와 같은 부생성물이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 세정액의 약염기와 약산이 혼합되어 pH 7∼12로 완충 용액이 형성됨으로서 상기 금속성 식각 폴리머와 같은 부생성물이 제거되는 것을 특징 으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제13항에서, 약염기와 짝염기가 바이덴테이트 속성을 갖는 약산과 그 유도체를 이용하여 기판에 금속층이 존재하는 상태인 BEOL에서 유기디펙트가 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제14항에서, 상기 유도체는 카복실 산, 에테르 및 아미드중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에서, 상기 부생성물은 20℃∼30℃의 상온에서 2-10분 사이에 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 반도체기판의 서브-층에 대한 식각 비를 5∼30Å/min이 되도록 상기 세정액의 식각 비를 조절하여 상기 금속성 식각 폴리머와 같은 부생성물이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
- 제9항에서, 상기 세정액의 접촉각이 20°~40°가 되도록하여 상기 금속성 식각폴리머와 유기 디펙트가 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 세정액을 이용한 세정 방법.
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