JP2009218439A - 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ニッケルシリサイド(NiSi)を含む半導体基板をドライエッチング及び/又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、(a)pKaが10以上のアミンのフッ化物塩、及びフッ化テトラアルキルアンモニウムを含むテトラアルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、(b)酸、及び(c)水を含み、該(a)の濃度が15重量%以上であり、pHが6〜9である残渣除去液に関する。
【選択図】なし
Description
I.半導体ドライプロセス後の残渣除去液
本発明の残渣除去液は、ニッケルシリサイド(NiSi)を含む半導体基板をドライエッチング及び/又はアッシングした後に存在する残渣の除去液である。該残渣除去液は、(a)pKaが10以上のアミンのフッ化物塩、及びフッ化テトラアルキルアンモニウムを含むテトラアルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、(b)酸、及び(c)水を含み、該(a)を15重量%以上含有し、そのpHは6〜9であることを特徴とする。
II.除去対象残渣
本発明の残渣除去液で処理される対象物は、主として除去されるべきニッケルシリサイド(NiSi)上に形成される酸化膜、ドライプロプロセス後の残渣、及び保護されるべきNiSi表面である。
III.NiSi酸化物及び/又はドライプロセス後の残渣の除去
本発明の残渣除去方法は、主として、NiSiを有する半導体基板に存在する残渣を除去する方法である。具体的には、NiSi(ニッケルシリサイド)を含む電流端子電極を有し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、低誘電率膜(Low-k膜)のいずれか1種以上の層間絶縁膜を有する半導体基板に存在するドライプロセス後の残渣を、上記の残渣除去液を用いて除去するものである。
実施例1〜31の薬液を表2に記載の組成及び配合割合で調製した。なお、薬液のpHはpHメータ(HORIBA社製pH METER F-21 II)を用いて測定した。テストパターン付きウェハーの薬液への浸漬温度及び時間も表2に示す。
比較例1〜10の薬液を表4に記載の組成及び配合割合で調製した。なお、薬液のpHはpHメータ(HORIBA社製pH METER F-21 II)を用いて測定した。テストパターン付きウェハーの薬液への浸漬温度及び時間も表4に示す。
そのためNiSiを腐食しやすく、絶縁膜のサイドエッチングも生じた。
Claims (12)
- ニッケルシリサイド(NiSi)を含む半導体基板をドライエッチング及び/又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、(a)pKaが10以上のアミンのフッ化物塩、及びフッ化テトラアルキルアンモニウムを含むテトラアルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、(b)酸、及び(c)水を含み、該(a)の濃度が15重量%以上であり、pHが6〜9である残渣除去液。
- 前記pKaが10以上のアミンのフッ化物塩が、フッ化メチルアミン、フッ化エチルアミン及びフッ化ブチルアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の残渣除去液。
- 前記テトラアルキルアンモニウム塩に含まれるフッ化テトラアルキルアンモニウムが、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム及びフッ化テトラブチルアンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の残渣除去液。
- 前記酸が、塩化水素酸及びフッ化水素酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の残渣除去液。
- 前記pHが7〜8.5である請求項1に記載の残渣除去液。
- 前記テトラアルキルアンモニウム塩がさらにテトラアルキルアンモニウム塩(フッ化物塩を除く)を含む請求項1〜5のいずれかに記載の残渣除去液。
- 前記テトラアルキルアンモニウム塩(フッ化物塩を除く)が、塩化テトラアルキルアンモニウム及び酢酸テトラアルキルアンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項6に記載の残渣除去液。
- さらに(d)界面活性剤を含む請求項1〜7のいずれかに記載の残渣除去液。
- さらに(e)有機溶媒を含む請求項1〜8のいずれかに記載の残渣除去液。
- ニッケルシリサイド(NiSi)を含む半導体基板をドライエッチング及び/又はアッシングした後に存在する残渣を除去する方法であって、該ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板を、請求項1〜9のいずれかに記載の残渣除去液と接触させることを特徴とする残渣の除去方法。
- 前記半導体基板が、ニッケルシリサイド(NiSi)を含む電流端子電極を有し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び低誘電率膜(Low-k膜)からなる群より選ばれる少なくとも1種の層間絶縁膜を有する請求項10に記載の残渣除去方法。
- 半導体デバイスの製造方法であって、(1)ニッケルシリサイド(NiSi)を含む電流端子電極を有し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び低誘電率膜(Low-k膜)からなる群より選ばれる少なくとも1種の層間絶縁膜を有する半導体基板をドライエッチング及び/又はアッシングする工程、並びに(2)上記(1)で処理された半導体基板を請求項1〜9のいずれかに記載の残渣除去液と接触させる工程を含むことを特徴とする製造方法。
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