JP7184044B2 - 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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-
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Description
また、CMP工程後やエッチング工程後の半導体ウェハの表面には、金属から溶出した誘導体等の微量金属分も残渣として存在しており、これらの残渣については、キレート剤等で溶解して除去することができる。しかしながら、このキレート剤が、半導体ウェハの表面の金属に対して腐食や酸化劣化を引き起こすことがあった。この残渣成分や、腐食や酸化劣化のメカニズムは、半導体ウェハの表面に露出している金属種によって異なる。
特許文献1~5では、洗浄対象としてコバルトが挙げられているものの、後述する特定の界面活性剤について開示されておらず、後述する特定の界面活性剤をコバルト又はコバルト合金の腐食抑制の目的として使用することも開示されていない。
[1]界面活性剤(A)及びキレート剤(C)を含む洗浄液であって、
pHが8以上であり、
前記界面活性剤(A)が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル酢酸及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、洗浄液。
[2]界面活性剤(A)が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸を含む、[1]に記載の洗浄液。
[3]酸化剤(B)及びキレート剤(C)を含む洗浄液であって、
pHが8以上である、洗浄液。
[4]酸化剤(B)の含有率が、0.00001質量%~0.8質量%である、[3]に記載の洗浄液。
[5]キレート剤(C)が、アミノ酸及びポリカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、[1]~[4]のいずれか1に記載の洗浄液。
[6]アミノ酸が、セリン及びアスパラギン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、[5]に記載の洗浄液。
[7]ポリカルボン酸が、酒石酸を含む、[5]に記載の洗浄液。
[8]更に、pH調整剤(D)を含む、[1]~[7]のいずれか1に記載の洗浄液。
[9]キレート剤(C)とpH調整剤(D)との質量比が、1:1.5~1:8である、[8]に記載の洗浄液。
[10]化学的機械的研磨後洗浄又はポストエッチ洗浄に用いる、[1]~[9]のいずれか1に記載の洗浄液。
[11]コバルト又はコバルトを含む化合物が露出している面の洗浄に用いる、[1]~[10]のいずれか1に記載の洗浄液。
[12][1]~[10]のいずれか1に記載の洗浄液の、コバルト又はコバルトを含む化合物が露出している半導体ウェハの洗浄への使用。
[13][1]~[11]のいずれか1に記載の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する洗浄方法。
[14][1]~[11]のいずれか1に記載の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する工程を含む半導体ウェハの製造方法。
本発明の一態様に係る洗浄液は、界面活性剤(A)及びキレート剤(C)を含む。また、本発明の他の態様に係る洗浄液は、酸化剤(B)及びキレート剤(C)を含む。以下、各成分について詳述する。
界面活性剤(A)は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル酢酸及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である。界面活性剤(A)は、これらの界面活性剤の中から1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
アルキル基の炭素数は、8~24が好ましく、8~20がより好ましく、12~18が更に好ましい。アルキル基の炭素数が8以上であると、界面活性剤の疎水性が増し、半導体ウェハの表面上に吸着しやすくなる。アルキル基の炭素数が24以下であると、洗浄工程後のリンス工程にて、界面活性剤の除去を容易に行うことができる。
式(1)において、Rは、炭素数8以上のアルキル基であり、直鎖であっても分岐があっても二重結合があっても環が含まれてもよい。
式(1)において、Rのアルキル基の炭素数は、8~24が好ましく、8~20がより好ましく、12~18が更に好ましい。式(1)において、Rのアルキル基の炭素数が8以上であると、界面活性剤の疎水性が増し、半導体基板の表面上に吸着しやすくなる。また、式(1)において、Rのアルキル基の炭素数が24以下であると、洗浄工程後のリンス工程にて、界面活性剤の除去を容易に行うことができる。
式(1)において、Xは、コバルトへの配位作用や防食効果が強いことから、リン酸基、スルホン酸基が好ましく、界面活性剤自体の製造が容易であることから、リン酸基がより好ましい。
式(1)において、Yは、親水性が高いことから、エチレンオキサイド基が好ましい。
式(1)において、nは、1~30が好ましく、1~20がより好ましく、2~10が更に好ましい。nが小さいと界面活性剤の疎水性が強くなり、半導体ウェハ表面への吸着作用が強くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は強くなる。nが大きいと界面活性剤の親水性が強くなり、導体ウェハ表面への吸着作用が弱くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は弱くなる。このような状況を勘案し、nを適宜設定すればよい。
式(2)において、R1及びR2は、炭素数8以上のアルキル基であり、直鎖であっても分岐があっても二重結合があっても環が含まれてもよく、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。
式(2)において、R1及びR2のアルキル基の炭素数は、8~24が好ましく、8~20がより好ましく、12~18が更に好ましい。式(2)において、R1及びR2のアルキル基の炭素数が8以上であると、界面活性剤の疎水性が増し、半導体基板の表面上に吸着しやすくなる。また、式(2)において、R1及びR2のアルキル基の炭素数が24以下であると、洗浄工程後のリンス工程にて、界面活性剤の除去を容易に行うことができる。
式(2)において、Xは、コバルトへの配位作用や防食効果が強く、界面活性剤自体の製造が容易であることから、リン酸基が好ましい。
式(2)において、Yは、親水性が高いことから、エチレンオキサイド基が好ましい。
式(2)において、n1及びn2は、1~30が好ましく、1~20がより好ましく、2~10が更に好ましい。n1及びn2が小さいと界面活性剤の疎水性が強くなり、半導体ウェハ表面への吸着作用が強くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は強くなる。n1及びn2が大きいと界面活性剤の親水性が強くなり、半導体ウェハ表面への吸着作用が弱くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は弱くなる。このような状況を勘案し、n1及びn2を適宜設定すればよい。
式(3)において、R1、R2及びR3のアルキル基の炭素数は、8~24が好ましく、8~20がより好ましく、12~18が更に好ましい。式(3)において、R1、R2及びR3のアルキル基の炭素数が8以上であると、界面活性剤の疎水性が増し、半導体基板の表面上に吸着しやすくなる。また、式(3)において、R1、R2及びR3のアルキル基の炭素数が24以下であると、洗浄工程後のリンス工程にて、界面活性剤の除去を容易に行うことができる。
式(3)において、Xは、コバルトへの配位作用や防食効果が強く、界面活性剤自体の製造が容易であることから、リン酸基が好ましい。
式(3)において、Yは、親水性が高いことから、エチレンオキサイド基が好ましい。
式(3)において、n1、n2及びn3は、1~30が好ましく、1~20がより好ましく、2~10が更に好ましい。n1、n2及びn3が小さいと界面活性剤の疎水性が強くなり、半導体ウェハ表面への吸着作用が強くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は強くなる。n1、n2及びn3が大きいと界面活性剤の親水性が強くなり、半導体ウェハ表面への吸着作用が弱くなり、コバルト又はコバルトを含む化合物への防食効果は弱くなる。このような状況を勘案し、n1、n2及びn3を適宜設定すればよい。
洗浄液中の界面活性剤(A)の含有率は、洗浄液100質量%中、0.00001質量%~2質量%が好ましく、0.00005質量%~0.2質量%がより好ましく、0.0001質量%~0.05質量%が更に好ましく、0.0005質量%~0.01質量%が特に好ましい。洗浄液中の界面活性剤(A)の含有率が0.00001質量%以上であると、コバルト又はコバルトを含む化合物の防食効果に優れる。また、洗浄液中の界面活性剤(A)の含有率が2質量%以下であると、洗浄液の泡立ちを抑制でき、洗浄後の洗浄液の水洗除去が容易である。
洗浄液が酸化剤(B)を含むことで、コバルト又はコバルトを含む化合物の表面に酸化膜が形成され不動態となり、洗浄液中の成分によって引き起こされる溶解・腐食が抑制される。その結果、酸化剤(B)を含む本発明の洗浄液は、コバルト又はコバルトを含む化合物の腐食を抑制しつつ、CMP後洗浄液としての洗浄効果を有する。
本発明の洗浄液は、金属イオンや金属錯体の除去性に優れることから、界面活性剤(A)または酸化剤(B)に加え、更に、キレート剤(C)を含む。
キレート剤(C)は、アミノ基、カルボキシル基、ホスホニウム基又は硫黄原子等を有し、金属イオンと配位できる化合物であればよいが、金属イオンや金属錯体の除去性、コバルト又はコバルトを含む化合物の低腐食性に優れることから、アミノ酸、ポリカルボン酸が好ましい。
洗浄液中のキレート剤(C)の含有率は、洗浄液100質量%中、0.001質量%~5質量%が好ましく、0.002質量%~3質量%がより好ましく、0.005質量%~0.5質量%が更に好ましく、0.01質量%~0.1質量%が特に好ましい。洗浄液中のキレート剤(C)の含有率が0.001質量%以上であると、金属イオンや金属錯体の除去性に優れる。また、洗浄液中のキレート剤(C)の含有率が5質量%以下であると、コバルト又はコバルトを含む化合物の低腐食性に優れる。
本発明の洗浄液は、pHを調整することでコバルト又はコバルトを含む化合物の腐食を制御できることから、更に、pH調整剤(D)を含むことが好ましい。
洗浄液中のpH調整剤(D)の含有率は、洗浄液100質量%中、0.001質量%~50質量%が好ましく、0.005質量%~20質量%がより好ましく、0.02質量%~2質量%が更に好ましく、0.05質量%~0.5質量%が特に好ましい。洗浄液中のpH調整剤(D)の含有率が0.001質量%以上であると、コバルト又はコバルトを含む化合物の低腐食性に優れる。また、洗浄液中のpH調整剤(D)の含有率が50質量%以下であると、pH調整剤自身の残留を抑制することができる。
本発明の洗浄液は、コバルト又はコバルトを含む化合物の低腐食性に優れることから、更に、防食剤を含むことが好ましい。
防食剤としては、例えば、イミダゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール等の複素環を有する化合物及びそれらの誘導体;ポリアクリル酸、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の金属に配位することのできる水溶性高分子及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらの防食剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの防食剤の中でも、洗浄後のリンス性に優れることから、イミダゾール、ポリエチレングリコール、イミダゾールの誘導体、ポリエチレングリコールの誘導体が好ましい。
脱酸素剤、還元剤としては、例えば、L-アスコルビン酸、D-アスコルビン酸、没食子酸、没食子酸メチル、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、それらの誘導体等が挙げられる。これらの脱酸素剤、還元剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの脱酸素剤、還元剤の中でも、取り扱い性に優れることから、L-アスコルビン酸、D-アスコルビン酸、L-アスコルビン酸の誘導体、D-アスコルビン酸の誘導体が好ましい。
また、性能を損なわない範囲において、過酸化水素、オゾン、酸素等の酸化剤を含有してもよい。
脱酸素剤、還元剤としては、例えば、L-アスコルビン酸、D-アスコルビン酸、没食子酸、没食子酸メチル、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、それらの誘導体等が挙げられる。
その他の成分としては、例えば、水素、アルゴン、窒素、二酸化炭素、アンモニア等の溶存ガス、あるいは、フッ素、フッ化アンモニウム、バッファードフッ酸等のドライエッチング後に強固に付着したポリマー等の除去が期待できるエッチング促進剤等が挙げられる。
本発明の洗浄液の溶媒は、水が好ましい。また、溶媒として、エタノール等の水以外の成分を含んでもよい。
本発明の洗浄液の製造方法は、特に限定されず、公知の方法を用いればよく、例えば、洗浄液の各成分を混合することで製造することができる。通常、溶媒である水に、水以外の成分を混合することで製造される。
本発明の半導体ウェハの洗浄方法は、本発明の洗浄液を用いて、半導体ウェハのコバルト又はコバルトを含む化合物が露出している面を洗浄する方法である。
洗浄対象となる半導体ウェハとしては、例えば、半導体、ガラス、金属、セラミックス、樹脂、磁性体、超伝導体等の各種半導体ウェハが挙げられる。
CMP工程では、研磨剤を用いて、半導体ウェハを研磨パッドに擦り付けて、研磨が行われる。
研磨剤としては、例えば、コロイダルシリカ(SiO2)、フュームドシリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、セリア(CeO2)等の研磨粒子が挙げられる。これらの研磨粒子は、半導体ウェハの微粒子汚染の主因となるが、本発明の洗浄液は、半導体ウェハに付着した微粒子を除去して洗浄液に分散させると共に再付着を防止する作用を有しているため、微粒子汚染の除去に対して高い効果を示す。
本発明の半導体ウェハの洗浄方法は、本発明の洗浄液を半導体ウェハに直接接触させる方法とすることが好ましい。本発明の洗浄液中の各成分の濃度は、洗浄対象となる半導体ウェハの種類に合わせて選択すればよい。
これらの洗浄液を半導体ウェハに直接接触させる方法の中でも、短時間でより効率的な汚染除去ができることから、スピン式、スプレー式が好ましい。この場合、洗浄を行うための装置は、洗浄時間の短縮、本発明の洗浄液の使用の削減ができることから、枚葉式洗浄装置が好ましい。
樹脂製ブラシの材質は、特に限定されないが、樹脂製ブラシ自体の製造が容易であることから、PVA(ポリビニルアルコール)、PVF(ポリビニルホルマール)が好ましい。
界面活性剤(A-1):RA-600(商品名、東邦化学工業株式会社製、アルキル鎖長6~10、エチレンオキサイド鎖4、リン酸エステル系界面活性剤)
界面活性剤(A-2):EHD-400(商品名、日本乳化剤株式会社製、アルキル鎖長8、エチレンオキサイド鎖2、リン酸エステル系界面活性剤)
界面活性剤(A-3):フォスファノールML-240(商品名、東邦化学工業株式会社製、アルキル鎖長12、エチレンオキサイド鎖4、リン酸エステル系界面活性剤)
界面活性剤(A-4):フォスファノールRB-410(商品名、東邦化学工業株式会社製、アルキル鎖長18(不飽和)、エチレンオキサイド鎖4、リン酸エステル系界面活性剤)
界面活性剤(A-5):AKYPO RLM-100(商品名、日光ケミカルズ社製、アルキル鎖12、エチレンオキサイド鎖10、カルボン酸系界面活性剤)
界面活性剤(A’-1):レオコールTDA-400-75(商品名、ライオン株式会社製、ノニオン性界面活性剤、アルキル鎖12、エチレンオキサイド鎖40)
界面活性剤(A’-2):PEG6000(商品名、東京化成工業株式会社製、ポリエチレングリコール、平均分子量7300~9300)
界面活性剤(A’-3):ベンゾトリアゾール(東京化成工業株式会社製)
界面活性剤(A’-4):ポリアクリル酸5000(商品名、アルドリッチ社製、ポリアクリル酸、分子量約45万)
界面活性剤(A’-5):ドデシルベンゼンスルホン酸(ライオン株式会社製)
酸化剤(B-1):35質量%過酸化水素水(東京化成工業株式会社製)
pH調整剤(D-1):テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(東京化成工業株式会社製)
pH調整剤(D-2):プロパノールアミン(東京化成工業株式会社製)
キレート剤(C1-1):L-セリン(東京化成工業株式会社製)
キレート剤(C1-2):L-アスパラギン酸(東京化成工業株式会社製)
キレート剤(C1-3):グリシン(東京化成工業株式会社製)
キレート剤(C2-1):L-(+)-酒石酸(東京化成工業株式会社製)
キレート剤(C2-2):クエン酸(三菱ケミカル株式会社製)
実施例及び比較例で得られた洗浄液を、25℃の恒温槽中で、マグネティックスターラーを用いて撹拌しながら、pH計(機種名「D-24」、株式会社堀場製作所製)により、pHを測定した。
実施例及び比較例で得られた洗浄液中に、コバルト膜を成膜したシリコン基板(20mm×20mm)を25℃で30分間浸漬させた。浸漬後、シリコン基板を取り出し、ICP発光分析装置(機種名「SPS1700HVR」、Seiko Instruments社製)により、浸漬後の洗浄液中のコバルト濃度を測定した。測定したコバルト濃度から、30分間でエッチングされたコバルト膜の厚さを算出し、エッチレートを得た。
実施例及び比較例のエッチレートを、以下の基準により評価した。
A:エッチレートが0.10nm/分未満
B:エッチレートが0.10nm/分以上0.15nm/分未満
C:エッチレートが0.15nm/分以上
コバルト膜を成膜したシリコン基板(10mm×50mm)を、0.1質量%クエン酸(三菱ケミカル株式会社製)に1分間浸漬させ、次いで、1質量%ベンゾトリアゾール水溶液(東京化成工業株式会社製)に10秒間浸漬させ、次いで、実施例及び比較例で得られた洗浄液中に2分間浸漬させ、超純水で30秒間すすぎ、エアブローで乾燥させた。得られたシリコン基板に、超純水約3.0μLを滴下し、接触角計(機種名「DM700」、協和界面科学株式会社製)を用いて、シリコン基板と超純水の液滴との接触角を測定した。測定は5回行い、それらの5回の平均値を接触角とした。
実施例及び比較例の接触角を、以下の基準により評価した。
A:接触角が40°未満
B:接触角が40°以上48°未満
C:接触角が48°以上
洗浄液100質量%中、界面活性剤(A-1)が0.001質量%、キレート剤(C1-1)が0.019質量%、キレート剤(C2-1)が0.013質量%、pH調整剤(D-1)が0.063質量%、残部が水となるよう、各成分を混合し、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表1に示す。
各成分の種類・含有率を表1に示すものとした以外は、実施例1-1と同様に操作を行い、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表1に示す。
洗浄液100質量%中、酸化剤(B-1)が0.001質量%(キレート剤(C1-2)が0.013質量%、キレート剤(C2-1)が0.006質量%、pH調整剤(D-1)が0.063質量%、残部が水となるよう、各成分を混合し、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表2、図1に示す。
各成分の種類・含有率を表2に示すものとした以外は、実施例2-1と同様に操作を行い、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表2、図1に示す。
また、図1のpHに対するエッチレートの関係からも、酸化剤(B)を含まない比較例2-1で得られた洗浄液と比較して、酸化剤(B)を含む実施例2-1~2-9で得られた洗浄液は、コバルトに対する防食性に優れることが分かる。
Claims (12)
- 界面活性剤(A)及びキレート剤(C)を含む洗浄液であって、
pHが8以上であり、
前記界面活性剤(A)が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル酢酸及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、
コバルト又はコバルトを含む化合物が露出している面の洗浄に用いる、洗浄液。 - 界面活性剤(A)が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸を含む、請求項1に記載の洗浄液。
- 更に、pH調整剤(D)を含む、請求項1又は2に記載の洗浄液。
- 酸化剤(B)及びキレート剤(C)を含む洗浄液であって、
pHが8以上であり、
更に、pH調整剤(D)を含み、
コバルト又はコバルトを含む化合物が露出している面の洗浄に用いる、洗浄液。 - 酸化剤(B)の含有率が、0.00001質量%~0.8質量%である、請求項4に記載の洗浄液。
- キレート剤(C)が、アミノ酸及びポリカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の洗浄液。
- アミノ酸が、セリン及びアスパラギン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項6に記載の洗浄液。
- ポリカルボン酸が、酒石酸を含む、請求項6に記載の洗浄液。
- キレート剤(C)とpH調整剤(D)との質量比が、1:1.5~1:8である、請求項3~8のいずれか1項に記載の洗浄液。
- 化学的機械的研磨後洗浄又はポストエッチ洗浄に用いる、請求項1~9のいずれか1項に記載の洗浄液。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する洗浄方法。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する工程を含む半導体ウェハの製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006025373A1 (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 界面活性剤 |
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JP2016536392A (ja) | 2013-10-21 | 2016-11-24 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
JP2010171362A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
SG10201505535VA (en) | 2010-07-16 | 2015-09-29 | Entegris Inc | Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues |
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JP6123335B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-05-10 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
US9957469B2 (en) | 2014-07-14 | 2018-05-01 | Versum Materials Us, Llc | Copper corrosion inhibition system |
WO2018021038A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及び基板洗浄方法 |
KR20190036547A (ko) * | 2016-09-29 | 2019-04-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 및 적층체의 처리 방법 |
WO2018061582A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 処理液および積層体の処理方法 |
KR102460770B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2022-10-28 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 반도체 디바이스용 기판의 세정제 조성물, 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법, 반도체 디바이스용 기판의 제조 방법 및 반도체 디바이스용 기판 |
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2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006025373A1 (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 界面活性剤 |
WO2007072727A1 (ja) | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 配線基板の残渣除去用組成物および洗浄方法 |
JP2012074678A (ja) | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 |
JP2016536392A (ja) | 2013-10-21 | 2016-11-24 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
WO2016076034A1 (ja) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体素子を洗浄するためのアルカリ土類金属を含む洗浄液、およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
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