KR940016537A - 반도체 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정방법 Download PDF

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KR940016537A
KR940016537A KR1019920025841A KR920025841A KR940016537A KR 940016537 A KR940016537 A KR 940016537A KR 1019920025841 A KR1019920025841 A KR 1019920025841A KR 920025841 A KR920025841 A KR 920025841A KR 940016537 A KR940016537 A KR 940016537A
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Abstract

패턴 형성된 함몰부분이 있는 웨이퍼 표면의 이물질 제거를 위한 반도체 웨이퍼 세정방법에 있어서, 암모니아와 과산화 수소수와 초순수로 혼합된 세정약액으로 상기 함몰부분의 이물질을 식각 내지는 부유시켜 웨이퍼로부터의 이물질 분리 공정과, 브러쉬에 의한 세정공정, 초순수에 의한 세척공정으로 이루어져 웨이퍼 표면의 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것.

Description

반도체 웨이퍼 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 (a)~(c)는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정방법을 설명하는 공정도, 제 3 도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정을 위한 공정 타이밍도의 일예를 나타낸 타이밍도, 제 4 도는 단차가 있는 웨이퍼 표면의 이물질이 본 발명에 따라 제거되는 것을 나타내는 도면이다.

Claims (3)

  1. 패턴 형성된 함몰부분이 있는 웨이퍼 표면의 이물질 제거를 위한 반도체 웨이퍼 세정방법에 있어서, 암모니아와 과산화 수소수와 초순수로 혼합된 세정약액으로 상기 함몰부분의 이물질을 식각 내지는 부유시켜 웨이퍼로부터의 이물질 분리 공정과, 브러쉬에 의한 세정공정, 초순수에 의한 세척공정으로 이루어져 웨이퍼 표면의 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세정약액은 암모니아 1~10%, 과산화수소수 1~10%, 초순수 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 약액은 웨이퍼 표면 위에 위치할 수 있는 노즐을 통해 분사되어 공급됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR92025841A 1992-12-28 1992-12-28 Cleaning method of semiconductor wafer KR960008898B1 (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333059B1 (ko) * 1998-11-14 2002-10-25 삼성전자 주식회사 웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치
KR100685735B1 (ko) * 2005-08-11 2007-02-26 삼성전자주식회사 폴리실리콘 제거용 조성물, 이를 이용한 폴리실리콘 제거방법 및 반도체 장치의 제조 방법

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KR960008898B1 (en) 1996-07-05

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