KR970063538A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자 제조방법에 대하여 기재하고 있다. 이는, 스핀 스크러버 공정을 이용한 파티클 제거공정을 포함하는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 스핀 스크러버 공정이 진행된 결과물에 대해 고온 화학제(chemical)를 이용한 세정공정을 진행하여 상기 결과물 표면에 잔존하는 물기를 제거하는 것을 특징으로 한다. 웨이퍼 표면에 잔존하는 물기를 제거한 다음 후속 공정을 진행하기 때문에, 종래 발생되던 패터 브리지 등의 불량을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 순서도이다.
Claims (3)
- 스핀 스크러버 공정을 이용한 파티클 제거공정을 포함하는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 스핀 스크러버 공정이 진행된 결과물에 대해 고온 화학제(chemical)를 이용한 세정공정을 진행하여 상기 결과물 표면에 잔존하는 물기를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화학제는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 혼합액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화학제는 끓여서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004435A KR970063538A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004435A KR970063538A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063538A true KR970063538A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66221610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004435A KR970063538A (ko) | 1996-02-24 | 1996-02-24 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063538A (ko) |
-
1996
- 1996-02-24 KR KR1019960004435A patent/KR970063538A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |