KR950001876A - 화학기상증착된 실리콘막 제거방법 - Google Patents

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KR950001876A
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최진규
김학묵
최재성
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 화학기상증착된 실리콘막 제거방법에 관한 것으로, 암모니아와 물이 2 대 5(2NH4OH : 5H2O)로 혼합된 암모니아수를 이용하여 제거함으로써, 300 대 1의 선택도로 초당0.2Å두께의 산화막이 식각되므로 충분히 긴, 5배 이상의 공정마진을 확보할 수 있어 실리콘 기판이나 CVD Si의 열화를 방지하는 효과가 있다.

Description

화학기상증착된 실리콘막 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 제거 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 화학약품을 이용한, 화학기상증착된 실리콘막 제거방법에 있어서, 암모니아와 물이 소정 비율로 혼합된 암모니아수를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착된 실리콘막 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합액의 농도는 암모니아와 물이 2 대 5(2NH4OH : 5H2O)로 혼합되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착된 실리콘막 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010823A 1993-06-14 1993-06-14 화학기상증착된 실리콘막 제거방법 KR950001876A (ko)

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