KR940022191A - 질화막 건식 식각 방법 - Google Patents

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KR940022191A
KR940022191A KR1019930003239A KR930003239A KR940022191A KR 940022191 A KR940022191 A KR 940022191A KR 1019930003239 A KR1019930003239 A KR 1019930003239A KR 930003239 A KR930003239 A KR 930003239A KR 940022191 A KR940022191 A KR 940022191A
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한경섭
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 질화막 건식 식각 방법에 관한 것으로, 식각율 및 식각비, 식각 프로피일을 향상시키기 위한 질화막 건식 식각 방법이다.
종래에는 질화막 건식 식각시 CH2F2가스를 사용하여 식각하였다.
따라서, 식각율(400-500Å/min)이 낮고 식각 프로파일이 60°이하로 낮이 공정시간이 많이 소요되었다.
본 발명은, CH2F2+O2+Ar 혼합 가스를 사용하여 식각하는 것으로 이와같은 가스를 이용하면 식각율이 약 2700Å/min 정도로 우수하고 질화막과 산화막의 선택비가 100:1 정도되며 식각 프로파일이 75°정도로 우수한 효과를 얻는다.

Description

질화막 건식 식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 질화막 건식 식각 공정단면도.

Claims (4)

  1. 기판(1)에 산화막(2)과 질화막(3)을 증착하고 감광막(4)으로 식각할 질화막(3) 영역을 정의하여 식각 장비내에서 건식 식각하는 공정에 있어서, 식각 가스로 CH2F2+O2+Ar 혼합가스를 사용하여 식각함을 특징으로 하는 질화막 건식 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, CH2F2+O2+Ar 가스는 CH2F2가스량을 5~100SCCM, O2가스량을 5~50SCCM, Ar 가스량을 5~100SCCM 의 비율로 하여 혼합함을 특징으로 하는 질화막 건식 식각 방법.
  3. 제1항에 있어서, Ar 가스를 사용하지 않고 CH2F2+O2가스만을 사용하여 식각함을 특징으로 하는 질화막 건식 식각 방법.
  4. 제3항에 있어서, CH2F2+O2가스는 CH2F2가스량을 5~100SCCM, O2가스량을 5~50SCCM의 비율로 혼합하여 사용함을 특징으로 하는 질화막 건식 식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930003239A 1993-03-04 1993-03-04 질화막 건식 식각방법 KR960000213B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440776B1 (ko) * 2001-12-17 2004-07-21 주식회사 하이닉스반도체 불화아르곤 노광원을 이용한 반도체 소자 제조 방법

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