KR970018102A - 높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 스몰 콘택홀의 형성 방법 - Google Patents
높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 스몰 콘택홀의 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에서 높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 작은 콘택홀을 형성하는 드라이 에칭방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 형성된 도전체 상부와 측벽 스페이서에 형성된 실리콘 질하막, 상기 실리콘 질화막 상부와 상기 도전체 스페이서와 스페이서에 노출된 실리콘 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 기판과 접촉하기 위한 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 상기 실리콘 산화막 에칭공정은 CxFy계, 또는, CxHyFz계의 불화탄소가스에 CO, CO2또는 O2가스를 첨가한 혼합가스를 사용하는 반응성 이온 에칭공정을 특징으로 한다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, CxFy계, CxHyFz계의 카본 리치 불화탄소가스를 사용하는 반응성 이온 에칭에 CO가스를 첨가함으로써, 실리콘 질화막에 대한 선택비 높이고 카본 리치 폴리머 과다발생에 의한 에칭 스타핑현상을 방지하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 자기정렬에 의한 SAC공정을 사용하여 기판상의 소스 또는 드레인에 접속되는 콘택을 보이는 도면이다.
Claims (7)
- 반도체 기판상에 형성된 도전체 상부와 측벽 스페이서에 형성된 실리콘 질화막, 상기 실리콘 질화막 상부와 상기 도전체 스페이서와 스페이서에 노출된 실리콘 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 기판과 접촉하기 위한 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 상기 실리콘 산화막 에칭공정은 CxFy계, 또는, CxHyFz계의 불화탄소가스에 CO, CO2 또는 O2가스를 첨가한 혼합가스를 사용하는 반응성 이온 에칭공정을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 콘택홀의 0.35㎛ 이하와 종횡비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막을 드라이 에칭시, 실리콘 산화막에 대한 선택비가 적어도 10대 1인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, CxHyFz계의 불산화탄소가스는 CHF3, C2HF5 또는 CH2F2을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, CxFy계의 불화탄소가스는 C2F6, C3F6, C3F8 또는 C4F8을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제5항에 있어서,의 비율을 40% 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.
- 제5항에 있어서,의 비율을 50% 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택을 형성하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950031031A KR970018102A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 스몰 콘택홀의 형성 방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950031031A KR970018102A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 스몰 콘택홀의 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970018102A true KR970018102A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615372
Family Applications (1)
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KR1019950031031A KR970018102A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 높은 종횡비(High aspect ratio)를 갖는 스몰 콘택홀의 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970018102A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100379976B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2003-04-16 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화물 식각용 가스 조성물 및 이를 사용한 실리콘산화물의 식각 방법 |
KR20040008467A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
KR100487476B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-09-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의제조방법및그에따라제조되는반도체장치 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031031A patent/KR970018102A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100487476B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2005-09-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의제조방법및그에따라제조되는반도체장치 |
KR100379976B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2003-04-16 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화물 식각용 가스 조성물 및 이를 사용한 실리콘산화물의 식각 방법 |
KR20040008467A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
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