KR970030458A - 불균일 표면상에 사용하기에 적합한, 질화물에 대한 고선택도를 갖는 산화물 부식방법 - Google Patents

불균일 표면상에 사용하기에 적합한, 질화물에 대한 고선택도를 갖는 산화물 부식방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 부식 방법은 기판의 불균일 표면, 예를 들어 집적회로 구조 위의 단 측벽에 형성된 질화물을 포함하는, 질화물에 대한 고선택도를 갖는, 산화물의 부식에 대해 기술된다. 수소-함유 기체를 C4F8또는 C2F6부식기체에 가하는 것과, 질화물 보다 산화물 부식에 대한 플라즈마 부식 방법에서, 불소 포착제는 기판 표면의 질화물 부분의 지형에 관계없이 보존되는 질화물에 대해 고전택도를 나타낸다.

Description

불균일 표면상에 사용하기에 적합한, 질화물에 대한 고선택도를 갖는 산화물 부식방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따르는 방법에 사용하기에 적합한 바람직한 부식장치를 도시한 횡단면도이다.

Claims (18)

  1. 질화물의 존재 하에, 불균일한 표면 위에 질화물을 포함하는 질화물에 대한 고선택도를 나타낼 수 있는, 산화물을 플라즈마 부식시키는 방법으로서, 산화물을 a) C4F8, CF4, C2F6, C3F8로부터 선택된 하나 이상의 불소-치환 탄화수소 부식 기체 및, b) 하나 이상의 수소-함유 기체를 포함하는 기체 혼합물과 접촉시키는 것을 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서. 상기 불소-치환 탄수소 부식 기체가 C4F8을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수소-함유 기체가 CH3F를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 부식 챔버 압력이 2내지 10mTorr인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 수소-함유 기체가 CH2F2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기체 혼합물이 불소 포착제의 존재 하에 산화물에 접촉되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 불소 포착제가 규소와 탄소로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 불소 포착제가 상기 기체 혼합물의 플라즈마에 접촉하고 있고 상기 산화물 및 질화물로부터 일정 간격을 두고 있는 규소 고체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 규소 고체가 접지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 규소 고체가 200℃ 내지 280℃의 온도에서 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 수소-함유 기체가 C2H2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 불소-치환 탄화수소 부식 기체가 CF4, C2F6, 및 C3F8, 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 불소-치환 탄화수소 부식 기체가 C2F6를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 부식 챔버 압력이 7 내지 50mTorr인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제11항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 불소 포착제가 불소포착제의 존재 하에 산화물에 접촉되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 불소 포착제가 규소 및 탄소로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 불소 포착제가 상기 기체 혼합물의 플라즈마에 접촉하고 있고 산화물 및 질화물로부터 일정 간격을 두고 있는 규소 고체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 규소 고체가 접지되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5880037A (en) * 1992-09-08 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Oxide etch process using a mixture of a fluorine-substituted hydrocarbon and acetylene that provides high selectivity to nitride and is suitable for use on surfaces of uneven topography
US6183655B1 (en) 1997-09-19 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon
US6133153A (en) * 1998-03-30 2000-10-17 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
US6123862A (en) 1998-04-24 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Method of forming high aspect ratio apertures
US6228279B1 (en) * 1998-09-17 2001-05-08 International Business Machines Corporation High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials
US6228774B1 (en) * 1998-12-29 2001-05-08 Lam Research Corporation High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
WO2005045915A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-19 Showa Denko K.K. Radical generating method, etching method and apparatus for use in these methods
JP7110034B2 (ja) * 2018-08-24 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 エッチングする方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1159012A (en) 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
US4368092A (en) 1981-04-02 1983-01-11 The Perkin-Elmer Corporation Apparatus for the etching for semiconductor devices
EP0103461B1 (en) 1982-09-10 1988-11-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Plasma deposition method and apparatus
CA1247757A (en) 1985-05-03 1988-12-28 The Australian National University Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas
US4778561A (en) 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US4918031A (en) 1988-12-28 1990-04-17 American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories Processes depending on plasma generation using a helical resonator
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5423945A (en) 1992-09-08 1995-06-13 Applied Materials, Inc. Selectivity for etching an oxide over a nitride
JP2720763B2 (ja) * 1993-09-17 1998-03-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH07161702A (ja) * 1993-10-29 1995-06-23 Applied Materials Inc 酸化物のプラズマエッチング方法

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