KR970072170A - 플라즈마에칭장치 및 플라즈마에칭방법 - Google Patents
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Abstract
플라즈마중의 불소래디컬농도를 제어할 수 있는 플라즈마에칭장치 및 이것을 사용한 산화실리콘계 재료층의 고선택비 플라즈마에칭방법은 제공한다.
에칭체임버(18) 내벽면에 고순도실리콘 등의 실리콘재료층(21)을 배설하여, 플라즈마중의 과잉의 불소래디컬을 스캐빈지포착한다. 실리콘재료층(21)의 가열수단(22)이나, 바이어스 인가수단을 부가해도 된다.
CO 등의 특수가스를 사용하지 않고, 플라즈마중의 C/F 비를 임의로 제어할 수 있다. 따라서, 대질화(對窒化) 실리콘계 재료층 등의 고선택비 에칭이 가능하게 된다.
그러므로, 질화실리콘계 재료층을 에칭스토퍼로 하는 셀프얼라인 콜택트홀의 개구(開口)를 신뢰성 높게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 플라즈마에칭장치의 개략단면도.
Claims (9)
- 에칭체임버와, 에칭체임버내에 기판을 설치하기 위한 설치수단과, 플라즈마를 발생시키는 수단과를 포함하고, 상기 에칭체임버 내벽의 표면의 최소한 일부에, 실리콘을 포함하는 재료로 이루어지는 층을 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘재료로 이루어지는 층을 가열하기 위한 가열 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘재료로 이루어지는 층에 바이어스를 인가하는 바이어스인가수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 3에 있어서, 상기 실리콘재료로 이루어지는 층에, 바이어스를 인가하기 위한 도전성의 막을, 상기 실리콘재료로 이루어지는 층에 접하고 배설하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 3에 있어서, 상기 실리콘재료와 상기 에칭체임버의 내벽은 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 재료로 이루어지는 층이 착탈가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 재료층이 고순도의 실리콘 또는 고순도의 실리콘카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭장치.
- 반도체기판상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘산화막을 형성한 반도체기판을, 에칭체임버에 설치하는 공정과, 상기 실리콘산화막을, 최소한 불소를 포함하는 가스를 원료 가스로 한 플라즈마에칭에 의하여 에칭하는 공정과를 포함하는 에칭방법으로서, 상기 에칭체임버의 내벽의 표면에, 최소한 실리콘을 포함하는 재료로 층이 형성되어 있고, 상기 실리콘을 포함하는 재료로 이루어지는 층과, 상기 원료가스로부터 생성되는 불소활성종이 반응함으로써, 상기 실리콘산화막의 에칭을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 실리콘산화막의 아래에, 에칭스토퍼로서 실리콘티커막이 형성되어 있고, 상기 실리콘티커막과 에칭선택비를 취하면서, 상기 실리콘산화막을 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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