KR950703074A - 박막형성방법 - Google Patents

박막형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950703074A
KR950703074A KR1019950700876A KR19950700876A KR950703074A KR 950703074 A KR950703074 A KR 950703074A KR 1019950700876 A KR1019950700876 A KR 1019950700876A KR 19950700876 A KR19950700876 A KR 19950700876A KR 950703074 A KR950703074 A KR 950703074A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
thin film
plasma
processed
halogen
Prior art date
Application number
KR1019950700876A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0181553B1 (ko
Inventor
히토시 이또
쿄이치 스구로
노부 하야사카
하루오 오까노
신지 히모리
가즈야 나가세끼
슈지 모치즈키
Original Assignee
사또오 후미오
가부시기가이샤 도오시바
이노우에 아끼라
도쿄 에레구토론 가부시기가이샤
이노우에 쥰이치
도쿄 에레구토론 야마나시 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또오 후미오, 가부시기가이샤 도오시바, 이노우에 아끼라, 도쿄 에레구토론 가부시기가이샤, 이노우에 쥰이치, 도쿄 에레구토론 야마나시 가부시기가이샤 filed Critical 사또오 후미오
Publication of KR950703074A publication Critical patent/KR950703074A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0181553B1 publication Critical patent/KR0181553B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76865—Selective removal of parts of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 박막형성방법은, 표면에 흠이 형성된 반도체 기판(1)이 수용된 성막실내를 10-4Torr대 이하로 배기한 후, 성막실내에 TiCl4, 수소, 질소 및 NF3의 가스를 도입하고, 이어서 이들가스를 플라즈마화하여 흠의 측벽부 이외의 부분에 TiN박막(2)을 선택적으로 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

박막형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 제1실시예에 관한 TiN박막의 형성방법에 의하여 얻어진 TiN박막의 형상을 나타낸 단면도,
제2A도∼제2C도는 성막형상의 기판 바이어스 의존성을 나타낸 도면.

Claims (22)

  1. 표면에 홈이 형성된 피처리기체(被處理基體) 위에 박막을 형성하는 박막형성방법에 있어서, 상기 피처리기체가 수용된 성막실내에 금속물질을 포함하는 원료가스 및 할로겐계 가스를 도입하는 공정과; 상기 할로겐계 가스와 상기 원료가스의 혼합가스를 플라즈마화하여 상기 피처리기체 이에 상기 박막을 이방적으로 형성하는 공정; 을 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합가스를 10-4Torr대 이하의 압력에서 플라즈마화하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 피처리기체에 -70∼-100V의 전압을 인가하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 혼합가스를 플라즈마화하여 얻어지는 프라즈마는 EBEP(Electron Beam Excited Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance)플라즈마 또는 HELICON 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 할로겐계 가스는 NF3가스, CF4가스, F2가스 및 Cl2가스로 된 군에서 선택되는 적어도 1개인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 박막은 TiN박막인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 혼합가스는 TiCl4가스와 수소가스와 질소가스와 NF3가스를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 박막은 Cu박막인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 Cu의 원료가스는 Cu(DPM)2가스와 H2가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  10. 표면에 홈이 형성된 피처리기체 위에 박막을 형성하는 박막형성방법에 있어서, 상기 피처리기체가 수용된 성막실내에 금속물질을 포함하는 원료가스 및 할로겐계 가스를 도입하는 공정과; 상기 할로겐계 가스와 상기 원료가스의 혼합가스를 플라즈마화하여 상기 피처리기체의 상기 홈 이외의 표면 및 상기 홈의 저면에 선택적으로 상기 박막을 형성하는 공정; 을 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  11. 표면에 홈이 형성된 피처리기체 위에 박막을 형성하는 박막형성방법에 있어서, 상기 피처리기체가 수용된 성막실내에 금속물질을 포함하는 원료가스를 도입하는 공정과; 상기 원료가스를 플라즈마화하여 상기 피어리기체 위에 상기 박막을 형성하는 공정과; 상기 성막실내의 상기 피처리기체 플라즈마에 의하여 여기된 할로겐계 가스를 쪼이고, 이 할로겐계 가스에 의하여 상기 박막의 전면을 에칭하여 상기 피처리기체 위에 상기 박막을 이방적으로 남겨두는 공정;을 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 원료가스를 10-4Torr대 이하의 압력에서 플라즈마화하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 피처리기체에 -70∼-l00V의 전압을 인가하여 박막을 형성하는 것을 특징으로하는 박막형성방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 가스를 플라즈마화하여 얻어지는 프라즈마는 EBEP(Electron Beam Excited Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance)플라즈마 또는 HELICON 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 성막실 밖에서 상기 할로겐계 가스를 플라즈마에 의하여 여기하고, 이 할로겐계 가스를 다운플로방식으로 상기 피처리기체에 공급하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 할로겐계 가스는 NF3가스, CF4가스, F2가스 및 Cl2가스로 된 군에서 선택되는 적어도 1개인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 박막은 TiN박막인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 원료가스는 TiCl2가스와 수소가스와 질소가스를 포함하며, 상기 할로겐계 가스는 CF4가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 박막은 Cu박막인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 Cu의 원료가스는 Cu(DPM)2가스와 H2가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  21. 표면에 홈이 형성된 피처리기체 위에 박막을 형성하는 박막형성방법에 있어서, 상기 피처리기체가 수용된 성막실내에 그속물질을 포함하는 원료가스를 도입하는 공정과; 상기 원료가스를 플라즈마화하여 상기 피처리기체의 위에 상기 박막을 형성하는 공정과; 상기 성막실내의 상기 피처리기체에 플라즈마에 의하여 여기된 할로겐계 가스를 쪼이고, 이 할로겐계 가스에 의하여 상기 박막의 전면을 에칭하여 상기 피처리기체의 상기 홈 이외의 표면 및 상기 홈의 저면에 선택적으로 상기 박막을 남겨둔 공정; 을 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  22. 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 피처리기체의 상기 홈 이외의 영역의 상기 박막을 선택적으로 제거하는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950700876A 1993-07-05 1994-07-05 박막형성방법 KR0181553B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5165644A JPH0722339A (ja) 1993-07-05 1993-07-05 薄膜形成方法
JP93-165644 1993-07-05
PCT/JP1994/001089 WO1995002076A1 (fr) 1993-07-05 1994-07-05 Procede de formation d'une couche mince

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950703074A true KR950703074A (ko) 1995-08-23
KR0181553B1 KR0181553B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=15816286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950700876A KR0181553B1 (ko) 1993-07-05 1994-07-05 박막형성방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5514425A (ko)
JP (1) JPH0722339A (ko)
KR (1) KR0181553B1 (ko)
WO (1) WO1995002076A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4440386A1 (de) * 1994-11-11 1996-05-15 Pacesetter Ab Elektroden für medizinische Anwendungen
KR0164149B1 (ko) * 1995-03-28 1999-02-01 김주용 타이타늄 카보 나이트라이드층의 개질 방법
US6066358A (en) * 1995-11-21 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Blanket-selective chemical vapor deposition using an ultra-thin nucleation layer
US6120844A (en) * 1995-11-21 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Deposition film orientation and reflectivity improvement using a self-aligning ultra-thin layer
US6726776B1 (en) 1995-11-21 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US5877087A (en) * 1995-11-21 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US6077781A (en) * 1995-11-21 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Single step process for blanket-selective CVD aluminum deposition
JP3254997B2 (ja) * 1995-12-25 2002-02-12 ソニー株式会社 プラズマｃｖｄ方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置
US5989633A (en) * 1996-04-29 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Process for overcoming CVD aluminum selectivity loss with warm PVD aluminum
US6001420A (en) * 1996-09-23 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Semi-selective chemical vapor deposition
US6110828A (en) * 1996-12-30 2000-08-29 Applied Materials, Inc. In-situ capped aluminum plug (CAP) process using selective CVD AL for integrated plug/interconnect metallization
US6537905B1 (en) * 1996-12-30 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Fully planarized dual damascene metallization using copper line interconnect and selective CVD aluminum plug
US6139697A (en) * 1997-01-31 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated via and trench fill process and apparatus
US6139905A (en) * 1997-04-11 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Integrated CVD/PVD Al planarization using ultra-thin nucleation layers
JPH1116858A (ja) * 1997-06-21 1999-01-22 Tokyo Electron Ltd 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法
US6605531B1 (en) 1997-11-26 2003-08-12 Applied Materials, Inc. Hole-filling technique using CVD aluminum and PVD aluminum integration
US6207558B1 (en) * 1999-10-21 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Barrier applications for aluminum planarization
US6656831B1 (en) 2000-01-26 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer
US7122095B2 (en) * 2003-03-14 2006-10-17 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Methods for forming an assembly for transfer of a useful layer
US8702927B2 (en) 2009-04-24 2014-04-22 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Multiple-electrode and metal-coated probes
JP5594773B2 (ja) * 2010-09-30 2014-09-24 国立大学法人九州大学 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体
KR102030797B1 (ko) 2012-03-30 2019-11-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
JP2022055633A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58174568A (ja) * 1982-04-08 1983-10-13 Toshiba Corp 金属化合物被膜の形成方法
JPS62274082A (ja) * 1986-05-20 1987-11-28 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JP2954219B2 (ja) * 1988-06-08 1999-09-27 レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテユード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体装置の製造プロセスに適用される改良された選択ｃｖｄ
US5037775A (en) * 1988-11-30 1991-08-06 Mcnc Method for selectively depositing single elemental semiconductor material on substrates
JPH02278534A (ja) * 1989-04-19 1990-11-14 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録媒体及びその製造方法
JPH03110842A (ja) * 1989-09-26 1991-05-10 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0594970A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Toshiba Corp 薄膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0722339A (ja) 1995-01-24
KR0181553B1 (ko) 1999-04-01
WO1995002076A1 (fr) 1995-01-19
US5514425A (en) 1996-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950703074A (ko) 박막형성방법
KR950033670A (ko) 플루오르화 탄소와 산화 탄소가스를 이용한 질화 티타늄층의 식각공정
US6461974B1 (en) High temperature tungsten etching process
US4680086A (en) Dry etching of multi-layer structures
EP1840946A1 (en) Method for cleaning of semiconductor processing apparatus and method for ethching silicon substrate
KR960032633A (ko) 플라즈마 에칭방법
TW428045B (en) Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds
KR960002600A (ko) 반도체집적회로장치의 제조방법
TW473864B (en) Sidewall polymer forming gas additives for etching processes
KR960005833A (ko) 바이어부의 플라즈마 에칭을 위한 개선된 처리 방법
KR940022725A (ko) 에칭방법
KR980005800A (ko) 폴리사이드 구조체의 에칭 방법
US5677241A (en) Integrated circuitry having a pair of adjacent conductive lines and method of forming
JPH05267256A (ja) 反応室の洗浄方法
KR960042975A (ko) 접속 홀 형성 방법
WO2004109772A3 (en) Method and system for etching a high-k dielectric material
WO2003030238A1 (fr) Procede de traitement
US5236550A (en) Method for plasma etch of ruthenium
KR960035858A (ko) 실리콘에 테이퍼진 개구부를 형성하기 위한 방법
US6350699B1 (en) Method for anisotropic plasma etching using non-chlorofluorocarbon, fluorine-based chemistry
WO2005011011A8 (en) Etching method for making chalcogenide memory elements
US4885054A (en) Etching method
US6329294B1 (en) Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products
KR920018858A (ko) 실리콘 함유층의 에칭방법
JP3271373B2 (ja) ドライエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061124

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee