KR940022725A - 에칭방법 - Google Patents

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데쓰군 소
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Abstract

반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실내에 피처리체를 넣고, 진공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는 C4F와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar,Xe,Kr등이나 또 N2, O2를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

Description

에칭방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 에칭방법을 실시하기 위한 장치의 일예로서의 마그네트론 RIE 장치의 종단면도.
제2도는 에칭방법을 실시하는 피처리체로서의, 바탕막이 Si인 반도체 웨이퍼의 단면부분도.
제3도는 에칭방법을 실시하는 피처리체로서의, 바탕막이 Al인 반도체 웨이퍼의 단면부분도.
제4도는 에칭방법을 실시하는 피처리체로서의, 바탕막이 Si3N4인 반도체 웨이퍼의 단면부분도.

Claims (29)

  1. 처리실 내에 피처리체를 놓고, 처리실 내에 진공을 형성하며, 처리실 내에 에칭가스를 도입하여 피처리체에 대하여 에칭을 실시하는 방법으로서, 상기 에칭가스로서 H를 포함하지 않는, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO와의 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  2. 제1항에있어서, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 상기 가스는, 할로겐화 탄소계 가스인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, 포화 불화 탄소 화합물, 불포화 불화 탄소 화합물, 포화 혼성 할로겐화 탄소 화합물, 불포화 혼성 할로겐화 화합물로 이루어지는 군중에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, CxFy계 가스로서, y≤2x+2의 관계를 가지는 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 x는, 1에서 12인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, C4F8인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO 함유량은, 50% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO의 함유량은, 75% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  9. 처리실 내에 피처리체를 놓고, 처리실 내에 진공을 형성하며, 처리실 내에 가스를 도입하여 피처리체에 대하여 에칭을 실시하는 방법으로서, 상기 가스로서 H를 포함하지 않는, 적어도 4족과 7족과 원소를 함유하는 가스와 CO와의 혼합물인 에칭가스와, 이 에칭가스의 약 86% 이상의 불활성 가스와의 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  10. 제9항에 있어서, 불활성 가스는, Ar인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  11. 제9항에 있어서, 불활성 가스는, N2인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  12. 제9항에 있어서, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 상기 가스는, 할로겐화 탄소계 가스인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, 포화 불화 탄소 화합물, 불포화 불화 탄소 화합물, 포화 혼성 할로겐화 탄소 화합물, 불포화 혼성 할로겐화 화합물로 이루어지는 군중에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, CxFy계 가스로서, y≤2x+2의 관계를 가지는 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 x는, 1에서 12인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, C4F8인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO의 함유량은, 50% 이상 100 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO의 함유량은, 75% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  19. 처리실 내에 피처리체를 놓고, 처리실 내에 진공을 형성하며, 처리실 내에 가스를 도입하여 피처리체에 대하여 에칭을 실시하는 방법으로서, 상기 가스로서 H를 포함하지 않는다. 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO와의 혼합물인 에칭가스와, 이 에칭가스의 약 86% 이상의 불활성 가스와, O를 함유하는 가스와의 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  20. 제19항에 있어서, 산소를 함유하는 가스가 O2인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  21. 제19항에 있어서, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 상기 가스는, 할로겐화 탄소계 가스인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, 포화 불화 탄소 화합물, 불포화 불화 탄소 화합물, 포화 혼성 할로겐화 탄소 화합물, 불포화 혼성 할로겐화 화합물로 이루어지는 군중에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계 가스는, CxFy계 가스로서, y≤2x+2의 관계를 가지는 것인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 할로겐화 탄소계가스는, C4F8인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  25. 제19항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO의 함유량은, 50% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  26. 제19항에 있어서, 상기 에칭가스 중의 CO의 함유량은, 75% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  27. 제19항에 있어서, 상기 산소를 함유하는 가스는, 10sccm 이하의 양(量)인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  28. 제1항에 있어서, 고주파 전력에 의하여 발생시킨 교번(交番) 전계와 자장에 의하여 헬리콘 파(波)를 발생시키며, 그 헬리콘파의 에너지를 사용하여 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마를 가지는 분위기에서 피처리체에 에칭을 실시하며, 피처리체의 근방에서 전자 사이클로트론 공명영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  29. 제1항에 있어서, 보조 자장 형성수단에 의하여, 상기 전자 사이클로트론 공명영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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