WO2007111348A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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Kazuyuki Okuda
Norikazu Mizuno
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Hitachi Kokusai Electric Inc.
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Definitions

  • a second gas supply unit for supplying a second processing gas to the processing space
  • the controller is
  • gas is provided along the loading direction of the wafer 200 on the inner wall above the lower portion of the reaction tube 203.
  • a buffer chamber 237 which is a dispersion space is provided, and a first gas supply hole 248a which is a supply hole for supplying a gas is provided at the end of the wall adjacent to the wafer 200 of the buffer chamber 237. .
  • the first gas supply hole 248a opens toward the center of the reaction tube 203.
  • the first gas supply holes 248a have the same opening area from the lower part to the upper part, and are provided at the same opening pitch.
  • the electrode protection tube 275 has a structure in which each of the first rod-shaped electrode 269 and the second rod-shaped electrode 270 can be inserted into the buffer chamber 237 in a state of being isolated from the atmosphere of the buffer chamber 237.
  • the inside of the electrode protection tube 275 has the same atmosphere as the outside air (atmosphere)
  • the first rod-shaped electrode 269 and the second rod-shaped electrode 270 inserted into the electrode protection tube 275 respectively are heated by the heater 207. It will be acidified. Therefore, the inside of the electrode protective tube 275 is filled or purged with an inert gas such as nitrogen, and the oxygen concentration is kept sufficiently low to prevent the first rod-shaped electrode 269 or the second rod-shaped electrode 270 from oxidizing.
  • An inert gas purge mechanism is provided for
  • the gas supply unit 249 has the same pitch at a position adjacent to the wafer.
  • the third gas supply hole 248c which is a supply hole for supplying gas, is connected to the second gas supply pipe 232b at the lower part.
  • Step 1 NH gas that requires plasma excitation and DC that does not require plasma excitation
  • step 3 while supplying DCS to the processing chamber 201, the valve 320 is opened and an inert gas such as N is supplied from the gas supply pipe 300 to the processing chamber 201.
  • the quartz member such as the reaction tube 203 is coated with the ALD method or the CVD method, or a combination of both, and then the SiN film is formed by the ALD method.
  • RFpower 100 or less, more preferred
  • the second substrate processing apparatus has
  • a second gas supply unit for supplying a second processing gas to the processing space

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Abstract

　基板を処理する空間を提供する処理空間と、前記処理空間を加熱する加熱部材と、前記処理空間に少なくとも第１と第２の処理ガスを供給するガス供給部材と、前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、少なくとも前記ガス供給部材と排出部材を制御する制御部材であって、前記基板に所望の膜を生成する際は、前記処理空間内で前記第１と第２の処理ガスを混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返すように制御し、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、前記第１と第２の処理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前記制御部材と、を備える基板処理装置が開示されている。

Description

明 細 書
基板処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、基板処理装置に関し、特に、 Siデバイスなどの半導体デバイスにおいて
、そのデバイスを製造する際に用いられる成膜装置に関するものである。
背景技術
[0002] 従来の ALD (Atomic Layer Deposition)法により成膜を行う半導体デバイス製造装 置では、 NFクリーニングなどのメンテナンス後のコーティングは、 ALD法自体による
3
成膜により行われて 、た (特許文献 1参照)。
特許文献 1：国際公開第 WO2004Z044970号パンフレット
[0003] また、ウェハ上への成膜は、 NHプラズマ発生時 300Wの RFパワーを標準として
3
いた。
[0004] しかしながら、この状態では、 Naによるウェハ汚染が 1 X lOHatoms/cm2を越え る大きな値になるという問題があった。
[0005] 本発明の主な目的は、 ALD法により成膜を行う基板処理装置であって、 Naによる 基板の汚染を低減できる基板処理装置を提供することにある。
発明の開示
[0006] 本発明の一態様によれば、
石英から成る反応管によって区画され、基板を処理する空間を提供する処理空間 と、
前記反応管の内壁に設けられ、前記処理空間と区画されるバッファ空間と、 前記バッファ空間の内側に設けられる電極であって、前記第 1の処理ガスをプラズ マ励起する際に使用され、高周波電圧が印加される前記電極と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記電極、加熱部材、ガス供給部材および排出部材を制御する制御部 材であって、前記基板に所望の膜を生成する際は、プラズマを生成させかつ前記処 理空間を第 1の温度に加熱するとともに、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガ スを混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返す ように制御し、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、プラズ マは生成させずに前記処理空間を前記第 1の温度より高い第 2の温度に加熱すると ともに、前記第 1と第 2の処理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前 記制御部材と、
を備え、
前記第 1の処理ガスは、前記バッファ空間を通って前記処理空間へ供給され、 前記コーティング膜は、前記バッファ空間の内壁表面にも生成される基板処理装置 が提供される。
[0007] 本発明の他の態様によれば、
基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記ガス供給部材と排出部材を制御する制御部材であって、前記基板に 所望の膜を生成する際は、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガスを混合させ な 、ように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返すように制御し 、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、前記第 1と第 2の処 理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前記制御部材と、
を備える基板処理装置が提供される。
[0008] 本発明の他の態様によれば、
基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部と、
前記処理空間に第 1の処理ガスを供給する第 1のガス供給部と、
前記処理空間に第 2の処理ガスを供給する第 2のガス供給部と、
前記処理空間の雰囲気を排出する排出部と、 少なくとも前記加熱部、第 1と第 2のガス供給部および排出部を制御する制御部と、 を備え、
前記制御部は、
前記基板が前記処理空間に収容されている際は、前記第 1の処理ガスと前記第 2 の処理ガスとが前記処理空間に共に供給されないように、前記第 1のガス供給部と前 記第 2のガス供給部とのうちいずれか一方のガス供給部力 前記第 1の処理ガス又 は前記第 2の処理ガスを供給して ヽる間は、他方のガス供給部カゝら不活性ガスを供 糸 Pし、
前記基板が前記処理空間に収容されていない際は、前記第 1のガス供給部から前 記第 1の処理ガスを、前記第 2のガス供給部から前記第 2の処理ガスを前記処理空 間に共に供給するように制御する基板処理装置が提供される。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明の好ましい実施例に力かる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処 理炉部分を縦断面で示した図である。
[図 2]本発明の好ましい実施例にカゝかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処 理炉部分を横断面で示した図である。
[図 3]ALD法によるコーティングと LP— CVD法によるコーティングの効果を説明する ための図である。
[図 4]ALD法によるコーティングと LP— CVD法によるコーティングの効果を説明する ための図である。
[図 5]LP— CVD法によるコーティングの Na拡散防止能力を説明するための図である
[図 6A]本発明の好ましい実施例にカゝかる縦型の基板処理炉の石英構造を説明する ための概略横断面図である。
[図 6B]LP— CVD法によるコーティングの状態を説明するための概略横断面図であ る。
[図 6C]ALD法によるコーティングの状態を説明するための概略横断面図である。
[図 7]本発明の好ましい実施例に好適に使用される基板処理装置を説明するための 概略斜透視図である。
発明を実施するための好ましい形態
[0010] 次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
[0011] まず、本発明の好ましい実施例で好適に用いられる基板処理炉を説明する。
[0012] 図 1は、本実施例で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処 理炉 202部分を縦断面で示し、図 2は本実施例で好適に用いられる縦型の基板処 理炉の概略構成図であり、処理炉 202部分を横断面で示す。
[0013] 本実施例で用いられる基板処理装置は制御部であるコントローラ 280を備え、コン トローラ 280により基板処理装置および処理炉を構成する各部の動作等が制御され る。
[0014] 加熱装置 (加熱手段)であるヒータ 207の内側に、基板であるウェハ 200を処理す る反応容器として反応管 203が設けられ、この反応管 203の下端開口は蓋体である シールキャップ 219により気密部材である Oリング 220を介して気密に閉塞され、少な くとも、反応管 203、及びシールキャップ 219により処理室 201を形成している。シー ルキャップ 219にはボート支持台 218を介して基板保持部材 (基板保持手段)である ボート 217が立設され、ボート支持台 218はボートを保持する保持体となっている。そ して、ボート 217は処理室 201に挿入される。ボート 217にはバッチ処理される複数 のウェハ 200が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ 207は処理室 201 に挿入されたウェハ 200を所定の温度に加熱する。
[0015] 処理室 201へは複数種類、ここでは 2種類のガスを供給する供給経路としての 2本 のガス供給管 232a、 232b力設けられる。ここでは第 1のガス供給管 232aからは流 量制御装置 (流量制御手段)である第 1のマスフローコントローラ 241a及び開閉弁で ある第 1のバルブ 243aを介し、更に後述する反応管 203内に形成されたバッファ室 2 37を介して処理室 201に反応ガスが供給される。第 1のガス供給管 232aの第 1のバ ルブ 243aより下流側にはガス供給管 300が連結されており、ガス供給管 300には流 量制御装置 (流量制御手段)であるマスフローコントローラ 310及び開閉弁であるバ ルブ 320が設けられている。ガス供給管 300からはマスフローコントローラ 310及び バルブ 320を介し、更に後述する反応管 203内に形成されたバッファ室 237を介して 処理室 201に N等の不活性ガスが供給される。
2
[0016] これに対し、第 2のガス供給管 232bからは流量制御装置 (流量制御手段)である第 2のマスフローコントローラ 241b、開閉弁である第 2のバルブ 243b、ガス溜め 247、 及び開閉弁である第 3のバルブ 243cを介し、更に後述するガス供給部 249を介して 処理室 201に反応ガスが供給される。第 2のガス供給管 232bの第 3のバルブ 243c より下流側にはガス供給管 400が連結されており、ガス供給管 400には流量制御装 置（流量制御手段）であるマスフローコントローラ 410及び開閉弁であるバルブ 420 が設けられている。ガス供給管 400からはマスフローコントローラ 410及びバルブ 42 0を介し、更に後述するガス供給部 249を介して処理室 201に N等の不活性ガスが
2
供給される。
[0017] 処理室 201はガスを排気するガス排気管 231により第 4のバルブ 243dを介して排 気装置 (排気手段)である真空ポンプ 246に接続され、真空排気されるようになって いる。また、この第 4のバルブ 243dは弁を開閉して処理室 201の真空排気'真空排 気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
[0018] 処理室 201を構成している反応管 203の内壁とウェハ 200との間における円弧状 の空間には、反応管 203の下部より上部の内壁にウェハ 200の積載方向に沿って、 ガス分散空間であるバッファ室 237が設けられており、そのバッファ室 237のウェハ 2 00と隣接する壁の端部にはガスを供給する供給孔である第 1のガス供給孔 248aが 設けられている。この第 1のガス供給孔 248aは反応管 203の中心へ向けて開口して いる。この第 1のガス供給孔 248aは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口 面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
[0019] そしてバッファ室 237の第 1のガス供給孔 248aが設けられた端部と反対側の端部 には、ノズル 233が、やはり反応管 203の下部より上部にわたりウェハ 200の積載方 向に沿って配設されて 、る。そしてノズル 233には複数のガスを供給する供給孔であ る第 2のガス供給孔 248bが設けられている。この第 2のガス供給孔 248bの開口面積 は、ノ ッファ室 237と処理室 201の差圧が小さい場合には、ガスの上流側から下流側 まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上 流側から下流側に向かって開口面積を大きくする力、開口ピッチを小さくすると良い。 [0020] 本実施例にお!、ては、第 2のガス供給孔 248bの開口面積を上流側から下流側に かけて徐々に大きくしている。このように構成することで、第 2の各ガス供給孔 248bよ りガスの流速の差はある力 流量はほぼ同量であるガスをバッファ室 237に噴出させ ている。
[0021] そして、バッファ室 237内において、各第 2のガス供給孔 248bより噴出したガスの 粒子速度差が緩和された後、第 1のガス供給孔 248aより処理室 201に噴出させてい る。よって、各第 2のガス供給孔 248bより噴出したガスは、各第 1のガス供給孔 248a より噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができる。
[0022] さらに、バッファ室 237に、細長い構造を有する第 1の電極である第 1の棒状電極 2 69及び第 2の電極である第 2の棒状電極 270が上部より下部にわたって電極を保護 する保護管である電極保護管 275に保護されて配設され、この第 1の棒状電極 269 又は第 2の棒状電極 270のいずれか一方は整合器 272を介して高周波電源 273〖こ 接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第 1の棒状電 極 269及び第 2の棒状電極 270間のプラズマ生成領域 224にプラズマが生成される
[0023] この電極保護管 275は、第 1の棒状電極 269及び第 2の棒状電極 270のそれぞれ をバッファ室 237の雰囲気と隔離した状態でバッファ室 237に挿入できる構造となつ ている。ここで、電極保護管 275の内部は外気 (大気）と同一雰囲気であると、電極保 護管 275にそれぞれ挿入された第 1の棒状電極 269及び第 2の棒状電極 270はヒー タ 207の加熱で酸ィ匕されてしまう。そこで、電極保護管 275の内部は窒素などの不活 性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第 1の棒状電極 269又 は第 2の棒状電極 270の酸ィ匕を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられる
[0024] さらに、第 1のガス供給孔 248aの位置より、反応管 203の内周を 120° 程度回った 内壁に、ガス供給部 249が設けられている。このガス供給部 249は、 ALD法による成 膜においてウェハ 200へ、複数種類のガスを 1種類ずつ交互に供給する際に、バッ ファ室 237とガス供給種を分担する供給部である。
[0025] このガス供給部 249もバッファ室 237と同様にウェハと隣接する位置に同一ピッチ でガスを供給する供給孔である第 3のガス供給孔 248cを有し、下部では第 2のガス 供給管 232bが接続されている。
[0026] 第 3のガス供給孔 248cの開口面積はガス供給部 249内と処理室 201内の差圧が 小さい場合には、ガスの上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチ とすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大 きくするか開口ピッチを小さくすると良 、。
本実施例においては、第 3のガス供給孔 248aの開口面積を上流側から下流側に 力けて徐々に大さくしている。
[0027] 反応管 203内の中央部には複数枚のウェハ 200を多段に同一間隔で載置するボ ート 217が設けられており、このボート 217は図中省略のボートエレベータ機構により 反応管 203に出入りできるようになつている。また処理の均一性を向上する為にボー ト 217を回転するための回転装置（回転手段)であるボート回転機構 267が設けてあ り、ボート回転機構 267を回転することにより、石英キャップ 218に保持されたボート 2 17を回転するようになって 、る。
[0028] 制御手段であるコントローラ 280は、第 1、第 2のマスフローコントローラ 241a、 241 b、マスフローコントローラ 310、 410、第 1〜第 4のノ レブ 243a、 243b, 243c, 243 d、 ノ ノレブ 320、 420、ヒータ 207、真空ポンプ 246、ボート回転機構 267、図中省略 のボート昇降機構、高周波電源 273、整合器 272に接続されており、第 1、第 2のマ スフローコントローラ 241a、 241bやマスフローコントローラ 310、 410の流量調整、第 1〜：^ 3のノ ノレブ 243a、 243b, 243cやノ ノレブ 320、 420の開閉 乍、 4のノ ノレ ブ 243dの開閉及び圧力調整動作、ヒータ 207温度調節、真空ポンプ 246の起動' 停止、ボート回転機構 267の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、高周 波電源 273の電力供給制御、整合器 272によるインピーダンス制御が行われる。
[0029] 次に ALD法による成膜例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、 D CS及び NHガスを用いて SiN膜を成膜する例で説明する。
3
[0030] CVD (Chemical Vapor Deposition)法の中の 1つである ALD (Atomic Layer Deposi tion)法は、ある成膜条件 (温度、時間等)の下で、成膜に用いる 2種類 (またはそれ 以上)の原料となる処理ガスを 1種類ずつ交互に基板上に供給し、 1原子層単位で 吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
[0031] 利用する化学反応は、例えば SiN (窒化珪素)膜形成の場合 ALD法では DCS (Si H CI、ジクロルシラン）と NH (アンモニア）を用いて 300〜600°Cの低温で高品質
2 2 3
の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを 1種類ずつ交互 に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。（例え ば、成膜速度が 1AZサイクルとすると、 20Aの膜を形成する場合、処理を 20サイク ル行う。 )
[0032] まず成膜しょうとするウェハ 200をボート 217に装填し、処理室 201に搬入する。搬 入後、次の 3つのステップを順次実行する。
[0033] (ステップ 1)
ステップ 1では、プラズマ励起の必要な NHガスと、プラズマ励起の必要のない DC
3
Sガスとを並行して流す。まず第 1のガス供給管 232aに設けた第 1のバルブ 243a、 及びガス排気管 231に設けた第 4のバルブ 243dを共に開けて、第 1のガス供給管 2 32aから第 1のマスフローコントローラ 243aにより流量調整された NHガスをノズル 2
3
33の第 2のガス供給孔 248b力もバッファ室 237へ噴出し、第 1の棒状電極 269及び 第 2の棒状電極 270間に高周波電源 273から整合器 272を介して高周波電力を印 カロして NHをプラズマ励起し、活性種として処理室 201に供給しつつガス排気管 23
3
1力も排気する。 NHガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第 4
3
のバルブ 243dを適正に調整して処理室 201内圧力を 10〜100Paの範囲内の所望 の圧力で維持する。第 1のマスフローコントローラ 241aで制御する NHの供給流量
3
は 1〜： LOslmの範囲内の所望の流量で供給される。 NHをプラズマ励起することによ
3
り得られた活性種にウェハ 200を晒す時間は 2〜120秒間の範囲の所望の時間であ る。このときのヒータ 207温度はウェハが 300〜600°Cの範囲内の所望の温度になる よう設定してある。 NHは反応温度が高いため、上記ウェハ温度では反応しないの
3
で、プラズマ励起することにより活性種として力 流すようにしており、このためウェハ 温度は設定した低!、温度範囲のままで行える。
[0034] この NHをプラズマ励起することにより活性種として供給しているとき、第 2のガス供
3
給管 232bの上流側の第 2のバルブ 243bを開け、下流側の第 3のバルブ 243cを閉 めて、 DCSも流すようにする。これにより第 2、第 3のノ レブ 243b、 243c間に設けた ガス溜め 247に DCSを溜める。このとき、処理室 201内に流しているガスは NHをプ
3 ラズマ励起することにより得られた活性種であり、 DCSは存在しない。したがって、 N Hは気相反応を起こすことはなぐプラズマにより励起され活性種となった NHはゥ
3 3 ェハ 200上の下地膜などの表面部分と表面反応 (ィ匕学吸着)する。また、ステップ 1で は、 NHをプラズマ励起することにより活性種として供給している間は、バルブ 420を
3
開けて N等の不活性ガスをガス供給管 400から処理室 201に供給し、 NHがガス供
2 3 給部 249に入らな 、ようにして 、る。
[0035] (ステップ 2)
ステップ 2では、第 1のガス供給管 232aの第 1のバルブ 243aとガス供給管 400の バルブ 420とを閉めて、 NHと不活性ガスとの供給を止めるが、引続きガス溜め 247
3
へ供給を継続する。ガス溜め 247に所定圧、所定量の DCSが溜まったら上流側の第 2のバルブ 243bも閉めて、ガス溜め 247に DCSを閉じ込めておく。また、ガス排気管 231の第 4のバルブ 243dは開いたままにし真空ポンプ 246により、処理室 201を 20 Pa以下に排気し、残留 NHを処理室 201から排除する。また、この時にはバルブ 42
3
0、および、バルブ 320を開閉して、 N等の不活性ガスをガス供給管 400、および、
2
ガス供給管 300から処理室 201に供給、停止を繰り返すと、更に残留 NHを排除す
3 る効果が高まる。ガス溜め 247内には、圧力が 20000Pa以上になるように DCSを溜 める。また、ガス溜め 247と処理室 201との間のコンダクタンスが 1. 5 X 10"3mVs 以上になるように装置を構成する。また、反応管 203の容積とこれに対する必要なガ ス溜め 247の容積との比として考えると、反応管 203容積 1001 (リットル)の場合にお いては、 100〜300ccであることが好ましぐ容積比としてはガス溜め 247は反応室 容積の 1Z1000〜3Z1000倍とすることが好ましい。
[0036] (ステップ 3)
ステップ 3では、処理室 201の排気が終わったらガス排気管 231の第 4のバルブ 24 3dを閉じて排気を止める。第 2のガス供給管 232bの下流側の第 3のバルブ 243cを 開く。これによりガス溜め 247に溜められた DCSが処理室 201に一気に供給される。 このときガス排気管 231の第 4のバルブ 243dが閉じられているので、処理室 201内 の圧力は急激に上昇して約 931Pa (7Torr)まで昇圧される。 DCSを供給するため の時間は 2〜4秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を 2〜4秒に設 定し、合計 6秒とした。このときのウェハ温度は NHの供給時と同じぐ 300〜600°C
3
の範囲内の所望の温度で維持される。 DCSの供給により、ウェハ 200の表面に化学 吸着した NHと DCSとが表面反応 (ィ匕学吸着）して、ウェハ 200上に SiN膜が成膜さ
3
れる。ステップ 3では、 DCSを処理室 201に供給している間は、バルブ 320を開けて N等の不活性ガスをガス供給管 300から処理室 201に供給し、 DCSがバッファ室 2
2
37に入らないようにしている。成膜後、第 3のバルブ 243cとバルブ 320とを閉じ、第 4 のバルブ 243dを開けて処理室 201を真空排気し、残留する DCSの成膜に寄与した 後のガスを排除する。また、この時にはバルブ 420、および、バルブ 320を開閉して、 N等の不活性ガスをガス供給管 400、および、ガス供給管 300から処理室 201に供
2
給、停止を繰り返すと、更に残留する DCSの成膜に寄与した後のガスを処理室 201 力も排除する効果が高まる。また第 2のバルブ 243bを開 、てガス溜め 247への DCS の供給を開始する。
[0037] 上記ステップ 1〜3を 1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウェハ 上に所定膜厚の SiN膜を成膜する。
[0038] ALD装置では、ガスはウェハ 200の表面部分に化学吸着する。このガスの吸着量 は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを 、短時間で吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この 点で、本実施例では、第 4のバルブ 243dを閉めたうえで、ガス溜め 247内に溜めた DCSを瞬間的に供給しているので、処理室 201内の DCSの圧力を急激に上げるこ とができ、希望する一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
[0039] また、本実施例では、ガス溜め 247に DCSを溜めている間に、 ALD法で必要なス テツプである NHガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び処理室 2
3
01の排気をしているので、 DCSを溜めるための特別なステップを必要としない。また 、処理室 201内を排気して NHガスを除去している力も DCSを流すので、両者はゥ
3
ェハ 200に向力う途中で反応しない。供給された DCSは、ウェハ 200に吸着してい る NHとのみ有効に反応させることができる。 [0040] 本実施例では、図 1、図 2に示した基板処理装置で使用している反応管 203、バッ ファ室 237、ガス供給部 249等は石英製である。
[0041] ALD法によりウェハ 200への SiN (窒化珪素）膜の形成は、以上のようにして行う。
一方、 ALD法により反応管 203等の石英部材にコーティングを行う場合には、ボート
217にウェハ 200を搭載しない状態で行うが、ガスの供給等の点は、ウェハ 200への
SiN (窒化珪素)膜の形成の場合と同様である。
[0042] また、 CVD法により反応管 203等の石英部材にコーティングを行う場合には、 NH
3 をバッファ室 237から、 DCSガスをガス供給部 249から同時に供給して行う（図 6B参 照)。ボート 217にはウェハ 200を搭載しな 、状態で行う。
[0043] 上記のコーティングは、反応管 203等石英部材を交換したときや、 NF等のガスに
3
よりクリーニング処理を実施した後に行う。クリーニングを行う場合には、例えば、 NF
3 等のクリーニングガスをガス供給部 249から、 N等の不活性ガスをバッファ室 237か
2
ら同時に供給する。不活性ガスをバッファ室 237から供給するのは、クリーニングガス 力 Sバッファ室 237に流入するのを防止するためである。そしてクリーニング処理を実 行した後は、反応管 203等の石英部材に上記の ALD法又は CVD法、もしくは両者 を組み合わせてコーティングを行い、その後に上記の ALD法による SiN膜の形成を 行う。
[0044] 本実施例では、 ALD法により SiN膜の成膜を行う基板処理装置にぉ 、て、 Naによ るウェハの汚染を低減するため、次のような前処理および成膜条件に変更を行った。
(1) LP-CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法により反応管 203等 の石英部材表面をコーティングする。
(2) ALD成膜時における NHプラズマを発生時、 RFpowerを 100以下、より好ま
3
しくは、 50W以下と小さくする。
これらにより、 Naによる waferの汚染が 5 X lC^atoms/cm2前後、もしくは、それ を下回る値にすることができた。
[0045] なお、 LP— CVD法によるコーティングの一例を挙げれば次のとおりである。
コーティング温度は 600〜760°Cであり、圧力は 10〜： LOOPaであり、 NH流量は 5
3
00〜3, 000sccm、 DCS流量 50〜300sccm、時間 1〜3時間であって、それぞれ の範囲内の所望の値で設定、維持される。
[0046] また、 ALD成膜の一例を挙げれば次のとおりである。
成膜温度は 300〜600°Cである。 NH供給ステップでは、圧力 10
3 〜200Pa、 NH
3 流量 1, 000〜10, 000sccm、時間 2〜120秒であり、 DCS供給ステップでは、圧力 700〜3500Pa、 DCS流量 500〜2, 000sccm、時間 1〜20秒であって、それぞれ の範囲内の所望の値で設定、維持される。
[0047] Na汚染は、長期間、装置、石英部材を使用しても枯れることはな力つた。そのため Na汚染の要因は、反応管 203等の石英部材の外部にあると考えられた。そこで、 LP — CVD法による表面コーティングの効果を確認した。その結果、 LPCVD法によるコ 一ティングで若干の Na汚染低減が期待できるデータを得られた。一方、 ALD法よる コーティングでは、低減効果は小さい（図 3参照)。
[0048] その後、さらなる改善効果を得るために、さまざまな実験検証を行った。その中で A LD成膜時の RFpowerを小さくすることにより、 Na汚染低減が期待できるデータを得 られた（図 4の RF50W (1)参照）。
[0049] し力しながら、 NFによるクリーニングを行った後、再検証を行ったところ、 ALD成
3
膜時の RFpowerを小さくしただけでは、 Na汚染量が低くならな 、ことがわ力つた（図
4の RF50W(2)参照）。
[0050] データを詳細に解析したところ、上記 LP— CVD法によるコーティングによる前処理 と ALD成膜時に RFpowerを小さくすることを併用する条件にて、 Na汚染量が低くな つていることが見出され、再実験の結果、 2つの組み合わせが有効であることが確か められた（図 4の RF50W (3)参照）。
[0051] これらの結果から、 Na汚染混入のメカニズムと、上記方法による混入防止のメカ- ズムを推定すると、次のように思われる。
(1) Naは石英部材中を拡散しやすぐ Naは石英部材の外力 拡散、混入する。
(2)コーティング膜中などの Naは、イオン、もしくはそれに近い形で存在する。 Na 拡散は、電気的作用により促進されると思われる。そのため、 RFpowerを小さくする ことによって、 Na拡散を小さくすることができる。
(3) ALD法によるコーティングでは、プラズマを使用するので Naを引き寄せ、その 成膜中に膜自身に Naを取り込みやすい。一度、膜中に取り込まれた Naは、拡散 Pa thを生成すると思われる。これに対し、 LP— CVD法によるコーティングでは、プラズ マを使用しな 、ので Naを引き寄せることはなく、膜自身に Naを含まな 、ので Na拡散 防止能力が高い（図 5参照)。
(4) ALD法によるコーティングでは、ガスの混合がないために RF電極 269、 270の 周辺部の石英部材までコーティングが行われないと思われる（図 6C参照)。一方、 L P— CVD法によるコーティングは、 DCS (SiH CI ) +NHの混合ガスが、 RF電極 2
2 2 3
69、 270の周辺部の石英部材まで到達し、バッファ室 237の内部までコーティングが 行われるため、特に効果が高まると思われる（図 6B参照)。
[0052] これらの作用により、 Naの汚染量が低減されたと思われる。
[0053] 以上のように、本発明の好ましい実施例では、 ALD法により SiN膜の成膜を行う半 導体デバイス製造装置において、 Naによるウェハの汚染を低減することができる。
[0054] 本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半 導体装置 (IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成 されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理や CV D処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合につい て述べる。図 7は、本発明に適用される処理装置の斜透視図として示されている。
[0055] 図 7に示されて 、るように、シリコン等力もなるウェハ（基板） 200を収納したウェハキ ャリアとしてのカセット 110が使用されて 、る本発明の処理装置 101は、筐体 111を 備えて 、る。筐体 111の正面壁 11 laの下方にはメンテナンス可能なように設けられ た開口部としての正面メンテナンス口 103が開設され、この正面メンテナンス口 103 を開閉する正面メンテナンス扉 104が建て付けられている。メンテナンス扉 104には 、カセット搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口） 112が筐体 111内外を連通するよう に開設されており、カセット搬入搬出口 112はフロントシャツタ (基板収容器搬入搬出 口開閉機構） 113によって開閉されるようになって!/、る。カセット搬入搬出口 112の筐 体 111内側にはカセットステージ (基板収容器受渡し台） 114が設置されている。力 セット 110はカセットステージ 114上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され 、かつまた、カセットステージ 114上力も搬出されるようになっている。カセットステー ジ 114は、工程内搬送装置によって、カセット 110内のウェハ 200が垂直姿勢となり、 カセット 110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ 1 14は、カセット 110を筐体後方に右回り縦方向 90° 回転し、カセット 110内のウェハ 200が水平姿勢となり、カセット 110のウェハ出し入れ口が筐体後方を向くように動作 可能となるよう構成されて 、る。
[0056] 筐体 111内の前後方向の略中央部には、カセット棚 (基板収容器載置棚） 105が設 置されており、カセット棚 105は複数段複数列にて複数個のカセット 110を保管する ように構成されている。カセット棚 105にはウェハ移載機構 125の搬送対象となる力 セット 110が収納される移載棚 123が設けられている。また、カセットステージ 114の 上方には予備カセット棚 107が設けられ、予備的にカセット 110を保管するように構 成されている。
[0057] カセットステージ 114とカセット棚 105との間には、カセット搬送装置 (基板収容器搬 送装置） 118が設置されている。カセット搬送装置 118は、カセット 110を保持したま ま昇降可能なカセットエレベータ (基板収容器昇降機構） 118aと搬送機構としての力 セット搬送機構 (基板収容器搬送機構） 118bとで構成されており、カセットエレべ一 タ 118aとカセット搬送機構 118bとの連続動作により、カセットステージ 114、カセット 棚 105、予備カセット棚 107との間で、カセット 110を搬送するように構成されている。
[0058] カセット棚 105の後方には、ウェハ移載機構 (基板移載機構） 125が設置されてお り、ウェハ移載機構 125は、ウェハ 200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ 移載装置 (基板移載装置） 125aおよびウェハ移載装置 125aを昇降させるためのゥ ェハ移載装置エレベータ (基板移載装置昇降機構) 125bとで構成されている。ゥェ ハ移載装置エレベータ 125bは、耐圧筐体 111の右側端部に設置されている。これら 、ウェハ移載装置エレベータ 125bおよびウェハ移載装置 125aの連続動作により、 ウェハ移載装置 125aのツイ一ザ (基板保持体） 125cをウェハ 200の載置部として、 ボート (基板保持具) 217に対してウェハ 200を装填 (チャージング)および脱装 (ディ スチャージング)するように構成されて 、る。
[0059] 筐体 111の後部上方には、処理炉 202が設けられて 、る。処理炉 202の下端部は 、炉ロシャツタ (炉ロ開閉機構） 147により開閉されるように構成されている。処理炉 2 02の下方にはボート 217を処理炉 202に昇降させる昇降機構としてのボートエレべ ータ (基板保持具昇降機構） 115が設けられ、ボートエレベータ 115の昇降台に連結 された連結具としてのアーム 128には蓋体としてのシールキャップ 219が水平に据え 付けられており、シールキャップ 219はボート 217を垂直に支持し、処理炉 202の下 端部を閉塞可能なように構成されている。
[0060] ボート 217は複数本の保持部材を備えており、複数枚 (例えば、 50枚〜 150枚程 度）のウェハ 200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平 に保持するように構成されて 、る。
[0061] 図 7に示されているように、カセット棚 105の上方には、清浄ィ匕した雰囲気であるタリ ーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット 13 4aが設けられておりクリーンエア 133を前記筐体 111の内部に流通させるように構成 されている。
[0062] また、図 7に模式的に示されているように、ウェハ移載装置エレベータ 125bおよび ボートエレベータ 115側と反対側である筐体 111の左側端部には、クリーンエアを供 給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット 134bが設置 されており、クリーンユニット 134bから吹き出されたクリーンエアは、ウェハ移載装置 1 25a、ボート 217を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体 111の 外部に排気されるようになって 、る。
[0063] 次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
図 7に示されて 、るように、カセット 110がカセットステージ 114に供給されるに先立 つて、カセット搬入搬出口 112がフロントシャツタ 113によって開放される。その後、力 セット 110はカセット搬入搬出口 112力ら搬入され、カセットステージ 114の上にゥェ ノ、 200が垂直姿勢であって、カセット 110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように 載置される。その後、カセット 110は、カセットステージ 114によって、カセット 110内 のウェハ 200が水平姿勢となり、カセット 110のウェハ出し入れ口が筐体後方を向け るように、筐体後方に右周り縦方向 90° 回転させられる。
[0064] 次に、カセット 110は、カセット棚 105ないし予備カセット棚 107の指定された棚位 置へカセット搬送装置 118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管 された後、カセット棚 105ないし予備カセット棚 107からカセット搬送装置 118によつ て移載棚 123に移載されるか、もしくは直接移載棚 123に搬送される。
[0065] カセット 110が移載棚 123に移載されると、ウエノ、 200はカセット 110からウェハ移 載装置 125aのツイ一ザ 125cによってウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、 移載室 124の後方にあるボート 217に装填 (チャージング)される。ボート 217にゥェ ノ、 200を受け渡したウェハ移載装置 125aはカセット 110に戻り、次のウェハ 110をボ ート 217に装填する。
[0066] 予め指定された枚数のウェハ 200がボート 217に装填されると、炉ロシャツタ 147 によって閉じられていた処理炉 202の下端部力 炉ロシャツタ 147によって、開放さ れる。続いて、ウエノ、 200群を保持したボート 217はシールキャップ 219がボートエレ ベータ 115によって上昇されることにより、処理炉 202内へ搬入（ローデイング）されて 行く。
[0067] ローデイング後は、処理炉 202にてウェハ 200に任意の処理が実施される。
処理後は、上述の逆の手順で、ウェハ 200およびカセット 110は筐体 111の外部へ 払出される。
[0068] 以上、本発明の好ま U、実施例を説明したが、本発明の好ま 、実施例によれば、 石英から成る反応管によって区画され、基板を処理する空間を提供する処理空間 と、
前記反応管の内壁に設けられ、前記処理空間と区画されるバッファ空間と、 前記バッファ空間の内側に設けられる電極であって、前記第 1の処理ガスをプラズ マ励起する際に使用され、高周波電圧が印加される前記電極と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記電極、加熱部材、ガス供給部材および排出部材を制御する制御部 材であって、前記基板に所望の膜を生成する際は、プラズマを生成させかつ前記処 理空間を第 1の温度に加熱するとともに、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガ スを混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返す ように制御し、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、プラズ マは生成させずに前記処理空間を前記第 1の温度より高い第 2の温度に加熱すると ともに、前記第 1と第 2の処理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前 記制御部材と、
を備え、
前記第 1の処理ガスは、前記バッファ空間を通って前記処理空間へ供給され、 前記コーティング膜は、前記バッファ空間の内壁表面にも生成される第 1の基板処 理装置が提供される。
[0069] 本発明の他の好ま 、実施例によれば、
基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記ガス供給部材と排出部材を制御する制御部材であって、前記基板に 所望の膜を生成する際は、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガスを混合させ な 、ように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返すように制御し 、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、前記第 1と第 2の処 理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前記制御部材と、
を備える第 2の基板処理装置が提供される。
[0070] 好ましくは、第 2の基板処理装置において、
前記処理空間は石英力 成る反応管によって区画され、
前記反応管の内壁には、前記処理空間と区画されるバッファ空間が設けられ、 前記第 1の処理ガスは、前記バッファ空間を通って前記処理空間へ供給され、 前記コーティング膜は、前記バッファ空間の内壁表面にも生成される第 3の基板処 理装置が提供される。
[0071] より好ましくは、第 3の基板処理装置において、
前記バッファ空間の内側には、前記第 1の処理ガスをプラズマ励起する際に使用さ れ、高周波電圧が印加される電極が設けられ、 前記基板に所望の膜を生成する際は、前記電極によりプラズマを生成させ、 前記処理空間の内壁表面に前記コーティング膜を生成する際には、前記電極にて プラズマは生成させない第 4の基板処理装置が提供される。
[0072] 更に好ましくは、第 4の基板処理装置において、
前記加熱部材は、前記基板に所望の膜を生成する際には、前記処理空間を第 1の 温度に加熱し、
前記処理空間の内壁表面に前記コーティング膜を生成する際には、前記処理空間 を前記第 1の温度より高い第 2の温度に加熱する第 5の基板処理装置が提供される。
[0073] 最も好ましくは、第 4の基板処理装置において、
前記電極は細長!/ヽ構造を有する 2本の電極から構成され、
前記基板に所望の膜を生成する際には、前記電極に 50Wの高周波電力が印加さ れる第 6の基板処理装置が提供される。
[0074] また、好ましくは、第 2の基板処理装置にぉ 、て、
前記ガス供給部材は、前記第 1と第 2の処理ガスをそれぞれ独立して供給するガス 供給系を備え、
前記基板に所望の膜を生成する際と、前記処理空間の内壁表面に前記コーティン グ膜を生成する際は、前記第 1と第 2の処理ガスは同じガス供給系から前記処理空 間へ供給される第 7の基板処理装置が提供される。
[0075] また、好ましくは、第 2の基板処理装置にぉ 、て、
前記処理空間の内壁表面への所望の膜のコーティングは、前記処理空間へタリー ユングガスを供給して行われるクリーニング処理が実行された後であって、前記基板 に所望の膜を生成する処理の前に実施される第 8の基板処理装置が提供される。
[0076] 本発明の他の好ましい実施例によれば、
基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部と、
前記処理空間に第 1の処理ガスを供給する第 1のガス供給部と、
前記処理空間に第 2の処理ガスを供給する第 2のガス供給部と、
前記処理空間の雰囲気を排出する排出部と、 少なくとも前記加熱部、第 1と第 2のガス供給部および排出部を制御する制御部と、 を備え、
前記制御部は、
前記基板が前記処理空間に収容されている際は、前記第 1の処理ガスと前記第 2 の処理ガスとが前記処理空間に共に供給されないように、前記第 1のガス供給部と前 記第 2のガス供給部とのうちいずれか一方のガス供給部力 前記第 1の処理ガス又 は前記第 2の処理ガスを供給して ヽる間は、他方のガス供給部カゝら不活性ガスを供 糸 Pし、
前記基板が前記処理空間に収容されていない際は、前記第 1のガス供給部から前 記第 1の処理ガスを、前記第 2のガス供給部から前記第 2の処理ガスを前記処理空 間に共に供給するように制御する第 9の基板処理装置が提供される。
[0077] 明細書、特許請求の範囲、図面および要約書を含む 2006年 3月 28日提出の日本 国特許出願 2006— 088192号の開示内容全体は、本国際出願で指定した指定国 、又は選択した選択国の国内法令の許す限り、そのまま引用してここに組み込まれる
[0078] 種々の典型的な実施例を示しかつ説明してきた力 本発明はそれらの実施例に限 定されない。従って、本発明の範囲は、次の請求の範囲によってのみ限定されるもの である。
産業上の利用可能性
[0079] 以上説明したように、本発明の好ましい実施例によれば、 Naによる基板の汚染を低 減できる。その結果、本発明は、 ALD法により成膜を行う基板処理装置に特に好適 に利用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 石英から成る反応管によって区画され、基板を処理する空間を提供する処理空間 と、
前記反応管の内壁に設けられ、前記処理空間と区画されるバッファ空間と、 前記バッファ空間の内側に設けられる電極であって、前記第 1の処理ガスをプラズ マ励起する際に使用され、高周波電圧が印加される前記電極と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記電極、加熱部材、ガス供給部材および排出部材を制御する制御部 材であって、前記基板に所望の膜を生成する際は、プラズマを生成させかつ前記処 理空間を第 1の温度に加熱するとともに、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガ スを混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返す ように制御し、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、プラズ マは生成させずに前記処理空間を前記第 1の温度より高い第 2の温度に加熱すると ともに、前記第 1と第 2の処理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前 記制御部材と、
を備え、
前記第 1の処理ガスは、前記バッファ空間を通って前記処理空間へ供給され、 前記コーティング膜は、前記バッファ空間の内壁表面にも生成される基板処理装置
[2] 基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部材と、
前記処理空間に少なくとも第 1と第 2の処理ガスを供給するガス供給部材と、 前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、
少なくとも前記ガス供給部材と排出部材を制御する制御部材であって、前記基板に 所望の膜を生成する際は、前記処理空間内で前記第 1と第 2の処理ガスを混合させ な 、ように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返すように制御し 、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、前記第 1と第 2の処 理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前記制御部材と、
を備える基板処理装置。
[3] 前記処理空間は石英力 成る反応管によって区画され、
前記反応管の内壁には、前記処理空間と区画されるバッファ空間が設けられ、 前記第 1の処理ガスは、前記バッファ空間を通って前記処理空間へ供給され、 前記コーティング膜は、前記バッファ空間の内壁表面にも生成される、請求の範囲 第 2項に記載の基板処理装置。
[4] 前記バッファ空間の内側には、前記第 1の処理ガスをプラズマ励起する際に使用さ れ、高周波電圧が印加される電極が設けられ、
前記基板に所望の膜を生成する際は、前記電極によりプラズマを生成させ、 前記処理空間の内壁表面に前記コーティング膜を生成する際には、前記電極にて プラズマは生成させな!/、、請求の範囲第 3項に記載の基板処理装置。
[5] 前記加熱部材は、前記基板に所望の膜を生成する際には、前記処理空間を第 1の 温度に加熱し、
前記処理空間の内壁表面に前記コーティング膜を生成する際には、前記処理空間 を前記第 1の温度より高い第 2の温度に加熱する、請求の範囲第 4項に記載の基板 処理装置。
[6] 前記電極は細長!ヽ構造を有する 2本の電極から構成され、
前記基板に所望の膜を生成する際には、前記電極に 50Wの高周波電力が印加さ れる、請求の範囲第 4項に記載の基板処理装置。
[7] 前記ガス供給部材は、前記第 1と第 2の処理ガスをそれぞれ独立して供給するガス 供給系を備え、
前記基板に所望の膜を生成する際と、前記処理空間の内壁表面に前記コーティン グ膜を生成する際は、前記第 1と第 2の処理ガスは同じガス供給系から前記処理空 間へ供給される、請求の範囲第 2項に記載の基板処理装置。
[8] 前記処理空間の内壁表面への所望の膜のコーティングは、前記処理空間へタリー ユングガスを供給して行われるクリーニング処理が実行された後であって、前記基板 に所望の膜を生成する処理の前に実施される、請求の範囲第 2項に記載の基板処 理装置。
基板を処理する空間を提供する処理空間と、
前記処理空間を加熱する加熱部と、
前記処理空間に第 1の処理ガスを供給する第 1のガス供給部と、
前記処理空間に第 2の処理ガスを供給する第 2のガス供給部と、
前記処理空間の雰囲気を排出する排出部と、
少なくとも前記加熱部、第 1と第 2のガス供給部および排出部を制御する制御部と、 を備え、
前記制御部は、
前記基板が前記処理空間に収容されている際は、前記第 1の処理ガスと前記第 2 の処理ガスとが前記処理空間に共に供給されないように、前記第 1のガス供給部と前 記第 2のガス供給部とのうちいずれか一方のガス供給部力 前記第 1の処理ガス又 は前記第 2の処理ガスを供給して ヽる間は、他方のガス供給部カゝら不活性ガスを供 糸 Pし、
前記基板が前記処理空間に収容されていない際は、前記第 1のガス供給部から前 記第 1の処理ガスを、前記第 2のガス供給部から前記第 2の処理ガスを前記処理空 間に共に供給するように制御する基板処理装置。
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