JP2007042703A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
イオンを運ぶエアフローだけでなく、カセットステージからも除電が行われる様にし、ウェーハの除電が確実に又効果的に行われる様にするものである。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器3を載置する載置部4と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段14と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れ15に関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段16とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部5を有し、該接触部は体積抵抗が1016(Ω・cm)以下である。
【選択図】 図1
イオンを運ぶエアフローだけでなく、カセットステージからも除電が行われる様にし、ウェーハの除電が確実に又効果的に行われる様にするものである。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器3を載置する載置部4と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段14と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れ15に関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段16とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部5を有し、該接触部は体積抵抗が1016(Ω・cm)以下である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に酸化膜等の薄膜を生成し、或は不純物の拡散、アニール処理等の処理を行い半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
シリコンウェーハ等の基板(以下ウェーハと称す)は、基板搬送容器(以下カセットと称す)に実装され、外部搬送装置によって基板処理装置に搬送される。
基板処理装置は、外部搬送装置との間でカセットの授受を行うカセット授受手段と、基板処理装置内部でカセットを一時保管するカセット棚と、該カセット棚と前記カセット授受手段との間でカセットを搬送するカセット搬送手段と、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するウェーハ保持具(以下ボートと称す)と、前記カセット棚の所定位置のウェーハカセットと前記ボート間でウェーハの移載を行う基板移載手段(以下ウェーハ移載機と称す)と、基板を処理する処理室を具備した処理炉と、該処理炉に前記ボートを装脱するボート昇降手段等を具備しており、外部搬送装置から搬送されたカセットのウェーハ所要の処理を行っている。
カセットに実装されたウェーハは、搬送過程の振動等により静電気で帯電することがあり、ウェーハの帯電により絶縁破壊を引起す虞れがある。この為、従来よりカセット内のウェーハについて除電が実行されている。
従来の除電、特にオープンタイプのカセットが用いられた場合について説明する。
外部搬送装置により搬送されたカセットは一旦前記カセット授受手段のカセットステージに載置される。該カセットステージの上方にはイオナイザ(除電器:イオン発生手段)が設けられ、該イオナイザで発生されたプラスイオン、マイナスイオン(以下イオン)は、エアフローによって前記カセットに運ばれ、帯電したウェーハがイオンにより中和される様になっている。
従来、前記カセットステージはカセット受けコマを有しており、前記カセットは該カセット受けコマを介して前記カセットステージに載置される様になっており、前記カセット受けコマの材質としては、カセットを傷つけない様な材料、例えば絶縁材料であるフッ素樹脂(PTFE[ポリテトラフルオロエチレン])が用いられている。
従来の基板処理装置では、ウェーハの除電が行われる状態では、カセットは前記カセット受けコマを介して前記カセットステージから電気的に浮いている状態にあり、除電はエアフローによって運ばれるイオンに頼っていた。然し乍ら、物理的な制限もあり、前記イオナイザは必ずしも適切な位置に設けられるとは限らず、該イオナイザの設置と前記カセットステージとは距離があり、イオンの一部は運ばれる途中で中和し、又、エアフローの一部がカセット以外の他の部位を流れる等除電量が変るという不具合が有った。
本発明は斯かる実情に鑑み、イオンを運ぶエアフローだけでなく、カセットステージからも除電が行われる様にし、ウェーハの除電が確実に又効果的に行われる様にするものである。
本発明は、基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が1016(Ω・cm)以下である基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が1016(Ω・cm)以下であるので、前記基板搬送容器内の基板はクリーンエアにより運ばれるイオンによって除電されると共に基板に帯電した電荷は前記接触部を介して前記載置部に流れ、基板の除電が効果的に行われるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
先ず、図1に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例について概略を説明する。
図中、1は密閉構造の筐体であり、該筐体1の前部にカセット授受手段であるカセットステージ2が設けられ、該カセットステージ2は外部搬送装置から搬送されたカセット3が載置される載置部4を有し、該載置部4はカセット受けコマ5を有し、前記カセット3は前記カセット受けコマ5を介して前記載置部4に載置される様になっている。
前記カセット受けコマ5は、合成樹脂製或は少なくともカセットの接触部が合成樹脂製となっており、該合成樹脂の性質は体積抵抗がフッ素樹脂(フッ素樹脂の体積抵抗:1017〜1019(Ω・cm))より小さいもの、好ましくは体積抵抗1016(Ω・cm)以下となっており、例えばMCナイロン、ピーク材が使用される。
尚、前記カセット受けコマ5は、前記載置部4と別部品として合成樹脂製としても、或は金属の部品に樹脂をコーティングしたものでもよく、或は前記載置部4と一体部品とし、カセットの接触部のみ樹脂コーティングしてもよい。
前記カセットステージ2の後方には、前記カセット3を収納するカセット棚6が設けられ、該カセット棚6と前記カセットステージ2との間には該カセットステージ2と前記カセット棚6との間で前記カセット3の搬送を行うカセットローダ7が設けられている。
前記筐体1の後部には処理室を有する処理炉202が設けられ、該処理炉202の下方にはボート217を前記処理炉202に対して装脱するボートエレベータ(図では省略してある)が設けられている。前記ボート217は、所定枚数、例えば150枚のウェーハを水平姿勢で多段に保持するものであり、処理室201(図2参照)内でウェーハは前記ボート217に保持された状態で処理される。
前記カセット棚6と前記ボートエレベータ(図示せず)との間には基板移載機11が設けられ、該基板移載機11は降下状態の前記ボート217と前記カセット棚6の所定位置に収納された前記カセット3との間でウェーハの移載を行う。
前記筐体1の天井面には空気取込み口13が設けられ、又前記カセットステージ2の上方にはクリーンエアユニット等のクリーンエア供給手段14が設けられ、該クリーンエア供給手段14は前記空気取込み口13から吸引した空気を清浄化して前記カセットステージ2に向けて送出し、該カセットステージ2にクリーンエア流れ15を流通させる様になっている。
前記カセットステージ2と前記クリーンエア供給手段14との間で且つ前記クリーンエア流れ15内に配置される様、イオン発生器であるイオナイザ(イオン発生手段)16が設けられ、該イオナイザ16は前記クリーンエア流れ15にイオンを発生させ、発生したイオンは前記クリーンエア流れ15と共に前記カセット3内、及び周辺を流下する様になっている。
外部搬送装置により搬送され、前記載置部4に載置された前記カセット3は、前記カセット受けコマ5を介して前記載置部4に接触しており、前記カセット受けコマ5の体積抵抗は体積抵抗1016(Ω・cm)以下と小さくなっているので、前記カセット3に収納されたウェーハに帯電した電荷が前記カセット受けコマ5を介して前記載置部4に流れる。
又、前記カセット3の内部、及び周辺をイオンを含む前記クリーンエア流れ15が流れているので、該クリーンエア流れ15内のイオンによりウェーハの帯電が中和される。従って、ウェーハに帯電した電荷は、前記カセット受けコマ5を介して前記載置部4に流れ、前記クリーンエア流れ15によって中和されるので、効果的に除電される。
次に、本発明の実施の形態に於ける、ウェーハ等の基板へのプロセス処理例としてCVD法の中の1つであるALD法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。
ALD法は、所要の成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる2種類(又はそれ以上)の原料となるガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
例えば、SiN(窒化珪素)膜形成の場合、ALD法ではDCS(SiH2 Cl2 、ジクロルシラン)とNH3 (アンモニア)を用いて300℃〜600℃の低温で高品質の成膜が可能である。又、ガス供給は、複数種類の反応ガスを1種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応ガス供給のサイクル数で制御する。(例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合、処理を20サイクル行う。)
以下、前記処理炉202について図2、図3を参照して具体的に説明する。
加熱手段であるヒータ207の内側に、基板であるウェーハ200を処理する処理室201を画成する反応管203が設けられ、該反応管203の下端開口は蓋体であるシールキャップ219により気密部材であるOリング220を介して気密に閉塞され、少なくとも、前記ヒータ207、前記反応管203、及び前記シールキャップ219により前記処理炉202を形成している。
前記シールキャップ219には石英キャップ218を介して基板保持手段である前記ボート217が立設され、前記石英キャップ218は前記ボート217を保持する保持体となっている。該ボート217はボートエレベータ(図示せず)により前記処理室201に装入される。前記ボート217にはバッチ処理される複数の前記ウェーハ200が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ207は前記処理室201に装入された前記ウェーハ200を所定の温度に加熱する。
前記処理室201へは複数種類、ここでは2種類のガスを供給する供給管としての2本のガス供給管232a,232bが設けられ、該第1のガス供給管232aからは流量制御手段である第1のマスフローコントローラ241a及び開閉弁である第1のバルブ243aを介し、更に後述する前記処理室201内に形成されたバッファ室237を介して前記処理室201に反応ガスが供給され、前記第2のガス供給管232bからは流量制御手段である第2のマスフローコントローラ241b、開閉弁である第2のバルブ243b、ガス溜め247、及び開閉弁である第3のバルブ243cを介し、更に後述するガス供給部249を介して前記処理室201に反応ガスが供給されている。前記ガス供給管232a,232b、前記マスフローコントローラ241a,241b等は処理ガス供給系230を構成する。
前記処理炉202は、ガスを排気するガス排気管231により第4のバルブ243dを介して排気手段である真空ポンプ246に接続され、真空排気される様になっている。前記第4のバルブ243dは弁を開閉して前記処理室201の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。前記ガス排気管231、前記真空ポンプ246等により排気系240が構成される。
前記反応管203の内壁と前記ウェーハ200との間に形成される円弧状の空間には、前記反応管203の下部より上部の内壁に管軸方向に沿って、ガス分散空間である前記バッファ室237が設けられており、該バッファ室237の前記ウェーハ200に対峙する壁面にはガスを供給する第1のガス供給孔248aが設けられている。該第1のガス供給孔248aは前記反応管203の中心へ向けて開口している。前記第1のガス供給孔248aは、下部から上部に亘ってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
前記バッファ室237の前記第1のガス供給孔248aが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル233が前記反応管203の下部より上部に亘り管軸に沿って配設されている。前記ノズル233には反応ガスを供給する複数の供給孔である第2のガス供給孔248bが設けられている。該第2のガス供給孔248bの開口面積は、前記バッファ室237と前記処理室201の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
前記第2のガス供給孔248bの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、各該第2のガス供給孔248bよりガスの流速の差はあるが、流量は略同量である反応ガスを噴出させる。そして該各第2のガス供給孔248bから噴出するガスを前記バッファ室237に噴出させて一旦導入し、前記反応ガスの流速差の均一化を行うこととした。
前記バッファ室237に於いて、前記各第2のガス供給孔248bより噴出した反応ガスは前記バッファ室237で各ガスの粒子速度が緩和された後、前記第1のガス供給孔248aより前記処理室201に噴出する。前記各第2のガス供給孔248bより噴出した反応ガスが、前記各第1のガス供給孔248aより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
前記バッファ室237に、細長い構造を有する第1の電極である第1の棒状電極269及び第2の電極である第2の棒状電極270が上部より下部に亘って電極を保護する保護管である電極保護管275に保護されて配設され、前記第1の棒状電極269又は前記第2の棒状電極270のいずれか一方は整合器272を介して高周波電源273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。前記第1の棒状電極269と前記第2の棒状電極270間に高周波電力が印加されることで、該第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間のプラズマ生成領域224にプラズマが生成される。
前記電極保護管275は、前記第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれを前記バッファ室237の雰囲気と隔離した状態で該バッファ室237に挿入できる構造となっている。前記電極保護管275の内部が外気(大気)と同一雰囲気であると、該電極保護管275にそれぞれ挿入された前記第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270は前記ヒータ207の加熱で酸化されてしまう。従って、前記電極保護管275の内部は窒素等の不活性ガスを充填或はパージし、酸素濃度を充分低く抑えて前記第1の棒状電極269又は前記第2の棒状電極270の酸化を防止する為の不活性ガスパージ機構が設けられる。
前記第1のガス供給孔248aの位置より、前記反応管203の内周を120°程度回った内壁に、ガス供給部249が設けられている。該ガス供給部249は、ALD法による成膜に於いて前記ウェーハ200へ複数種類のガスを1種類ずつ交互に供給する際に、前記バッファ室237とガス供給種を分担する供給部である。
前記ガス供給部249も前記バッファ室237と同様に前記ウェーハ200と隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔である第3のガス供給孔248cを有し、下部では前記第2のガス供給管232bに接続されている。
前記第3のガス供給孔248cの開口面積は前記バッファ室237と前記処理室201の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくするとよい。
前記ガス供給管232a,232b、前記電極保護管275等、前記反応管203に用いられる細管は、内径が8mm〜13mm迄の管が選択される。又前記ガス供給管232a,232b、前記電極保護管275、前記ガス排気管231が設けられる範囲は、前記反応管203の下部、円周略180°の範囲に設けられる。
前記反応管203内の中央部には前記ボート217が収納され、該ボート217は前記ボートエレベータにより前記反応管203に装脱される様になっている。又、処理の均一性を向上する為に前記ボート217を回転する為の回転手段であるボート回転機構267が設けてあり、該ボート回転機構267を駆動することにより、前記ボート217を回転する様になっている。
制御手段である制御部124は、前記第1、第2のマスフローコントローラ241a,241b、前記第1〜第4のバルブ243a,243b,243c,243d、前記ヒータ207、前記真空ポンプ246、前記ボート回転機構267、図中省略のボート昇降機構、前記高周波電源273、前記整合器272に接続されており、前記第1、第2のマスフローコントローラ241a,241bの流量調整、前記第1〜第3のバルブ243a,243b,243cの開閉動作、前記第4のバルブ243dの開閉及び圧力調整動作、前記ヒータ207の温度調節、前記真空ポンプ246の起動・停止、前記ボート回転機構267の回転速度調節、前記ボート昇降機構の昇降動作制御、前記高周波電源273の電力供給制御、前記整合器272によるインピーダンス制御が行われる。
次にALD法による成膜例について、DCS及びNH3 ガスを用いてSiN膜を成膜する例で説明する。
先ず成膜しようとする前記ウェーハ200を前記ボート217に装填し、前記処理炉202に搬入する。搬入後、次の3つのステップを順次実行する。
[ステップ1]
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3 ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを並行して流す。
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3 ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを並行して流す。
先ず前記第1のガス供給管232aに設けた前記第1のバルブ243a、及び前記ガス排気管231に設けた前記第4のバルブ243dを共に開けて、前記第1のガス供給管232aから前記第1のマスフローコントローラ243aにより流量調整されたNH3 ガスを前記ノズル233の前記第2のガス供給孔248bから前記バッファ室237へ噴出し、前記第1の棒状電極269及び前記第2の棒状電極270間に前記高周波電源273から前記整合器272を介して高周波電力を印加してNH3 をプラズマ励起し、活性種として前記処理室201に供給しつつ前記ガス排気管231から排気する。
NH3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として流す時は、前記第4のバルブ243dを適正に調整して前記処理室201内圧力を10〜100Paとする。前記第1のマスフローコントローラ241aで制御するNH3 の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3 をプラズマ励起することにより得られた活性種に前記ウェーハ200を晒す時間は2〜120秒間である。この時の前記ヒータ207の温度は前記ウェーハ200が300℃〜600℃になる様設定してある。NH3 は反応温度が高い為、上記ウェーハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流す様にしており、ウェーハ温度は設定した低い温度範囲のままで処理を行える。
NH3 をプラズマ励起することにより活性種として供給している時、前記第2のガス供給管232bの上流側の前記第2のバルブ243bを開け、下流側の前記第3のバルブ243cを閉めて、DCSも流す様にする。前記第2、第3のバルブ243b、243c間に設けた前記ガス溜め247にDCSを溜める。この時、前記処理室201内に流しているガスはNH3 をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、DCSは存在しない。従って、NH3 は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったNH3 はウェーハ200上の下地膜と表面反応する。
[ステップ2]
ステップ2では、前記第1のガス供給管232aの前記第1のバルブ243aを閉めて、NH3 の供給を止めるが、引続き前記ガス溜め247へDCSの供給を継続する。
ステップ2では、前記第1のガス供給管232aの前記第1のバルブ243aを閉めて、NH3 の供給を止めるが、引続き前記ガス溜め247へDCSの供給を継続する。
該ガス溜め247に所定圧、所定量のDCSが溜まったら上流側の前記第2のバルブ243bも閉めて、前記ガス溜め247にDCSを閉込めておく。又、前記ガス排気管231の前記第4のバルブ243dは開いたままにして前記真空ポンプ246により、前記処理室201を20Pa以下に排気し、残留NH3 を該処理室201から排除する。この時、N2 等の不活性ガスを該処理室201に供給すると、更に残留NH3 を排除する効果が高まる。
前記ガス溜め247内には、圧力が20000Pa以上になる様にDCSを溜める。該ガス溜め247と前記処理室201との間のコンダクタンスが1.5×10-3m3 /s以上になる様に装置を構成する。前記反応管203の容積とこれに対する必要な前記ガス溜め247の容積との比として考えると、前記反応管203の容積100l(リットル)の場合に於いては、100〜300ccであることが好ましく、容積比としては前記ガス溜め247は前記反応室203容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
[ステップ3]
ステップ3では、前記処理室201の排気が終わったら前記ガス排気管231の前記第4のバルブ243dを閉じて排気を止める。前記第2のガス供給管232bの下流側の前記第3のバルブ243cを開く。これにより前記ガス溜め247に溜められたDCSが前記処理室201に一気に供給される。この時前記ガス排気管231の前記第4のバルブ243dが閉じられているので、前記処理室201内の圧力は急激に上昇して約931Pa(7Torr)迄昇圧される。DCSを供給する為の時間は2〜4秒設定し、その後前記ウェーハ200を上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2〜4秒に設定し、合計6秒とした。この時のウェーハ温度はNH3 の供給時と同じく、300〜600℃である。DCSの供給により、下地膜上のNH3 とDCSとが表面反応して、前記ウェーハ200上にSiN膜が成膜される。成膜後、前記第3のバルブ243cを閉じ、前記第4のバルブ243dを開けて前記処理室201を真空排気し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。又、この時にはN2 等の不活性ガスを前記処理室201に供給すると、更に残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを前記処理室201から排除する効果が高まる。又前記第2のバルブ243bを開いて前記ガス溜め247へのDCSの供給を開始する。
ステップ3では、前記処理室201の排気が終わったら前記ガス排気管231の前記第4のバルブ243dを閉じて排気を止める。前記第2のガス供給管232bの下流側の前記第3のバルブ243cを開く。これにより前記ガス溜め247に溜められたDCSが前記処理室201に一気に供給される。この時前記ガス排気管231の前記第4のバルブ243dが閉じられているので、前記処理室201内の圧力は急激に上昇して約931Pa(7Torr)迄昇圧される。DCSを供給する為の時間は2〜4秒設定し、その後前記ウェーハ200を上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2〜4秒に設定し、合計6秒とした。この時のウェーハ温度はNH3 の供給時と同じく、300〜600℃である。DCSの供給により、下地膜上のNH3 とDCSとが表面反応して、前記ウェーハ200上にSiN膜が成膜される。成膜後、前記第3のバルブ243cを閉じ、前記第4のバルブ243dを開けて前記処理室201を真空排気し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。又、この時にはN2 等の不活性ガスを前記処理室201に供給すると、更に残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを前記処理室201から排除する効果が高まる。又前記第2のバルブ243bを開いて前記ガス溜め247へのDCSの供給を開始する。
上記ステップ1〜3を1サイクルとし、該サイクルを複数回繰返すことによりウェーハ200上に所定膜厚のSiN膜を成膜する。
ALD法では、反応ガスは下地膜表面に吸着する。該反応ガスの吸着量は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量の反応ガスを、短時間で吸着させる為には、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。本実施の形態では、前記第4のバルブ243dを閉めた上で、前記ガス溜め247内に溜めたDCSを瞬間的に供給しているので、前記処理室201内のDCSの圧力を急激に上げることができ、希望する一定量の反応ガスを瞬間的に吸着させることができる。
又、本実施の形態では、前記ガス溜め247にDCSを溜めている間に、ALD法で必要なステップであるNH3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び前記処理室201の排気をしているので、DCSを溜める為の特別なステップを必要としない。又、前記処理室201内を排気してNH3 ガスを除去してからDCSを流すので、両者は前記ウェーハ200に向かう途中で反応しない。供給されたDCSは、該ウェーハ200に吸着しているNH3 とのみ有効に反応させることができる。
1 筐体
2 カセットステージ
3 カセット
4 載置部
5 カセット受けコマ
6 カセット棚
11 基板移載機
13 空気取込み口
14 クリーンエア供給手段
15 クリーンエア流れ
16 イオナイザ
202 処理炉
217 ボート
2 カセットステージ
3 カセット
4 載置部
5 カセット受けコマ
6 カセット棚
11 基板移載機
13 空気取込み口
14 クリーンエア供給手段
15 クリーンエア流れ
16 イオナイザ
202 処理炉
217 ボート
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が1016(Ω・cm)以下であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005222459A JP2007042703A (ja) | 2005-08-01 | 2005-08-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005222459A JP2007042703A (ja) | 2005-08-01 | 2005-08-01 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007042703A true JP2007042703A (ja) | 2007-02-15 |
Family
ID=37800439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005222459A Pending JP2007042703A (ja) | 2005-08-01 | 2005-08-01 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007042703A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074484A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
-
2005
- 2005-08-01 JP JP2005222459A patent/JP2007042703A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074484A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
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