KR930003790A - 마그네트론 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치의 개략단면도,
제2도는 제1도에 나타낸 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 설치된 캐소드 링 및 보조링을 나타내는 확대단면도,
제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 있어서, 보조링을 설치하지 않은 경우의, 웨이퍼에칭속도의 오차 측정 결과를 나타내는 그래프,
제8도는 본 발명의 제1실시예에 관한 마그네트톤 플라즈마 에칭장치에 있어서, 보조링 상면이 웨이퍼에칭면보다도 3.5cm높은 경우의, 웨이퍼에칭속도의 오차 측정결과를 나타내는 그래프,
제9도는 본 발명에 관한 보조링 형상의 다른 실시예를 나타낸 개략단면도,
제10도는 본 발명에 관한 보조링 형상의 다른 실시예를 나타낸 개략단면도.
Claims (19)
- 피처리체를 수납하는 반응실과, 상기 반응실내에 설치되어 상기 피처리체를 재치하는 제1전극과, 이 제1전극에 대향하는 제2전극을 가지며, 이들의 전극에 의하여 전계를 발생시키는 전계발생수단과, 상기 전계와 수직한 성분을 가지는 자계를 발생시키는 자계발생수단과, 상기 반응실내에 반응가스를 공급하고, 상기 전계와 자계의 작용에 의하여 마그네트론 플라즈마를 생성하는 수단과, 상기 피처리체의 둘레 테두리부를 둘러싸아 설치되며, 상기 자계에 직교하는 상기 자계의 성분을 증가시키고, 상기 둘레 테두리부에서 발생하는 플라즈마의 양을 증가시키는 수단을 포함하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플락즈마 증가수단은, 상기 피처리체의 둘레 테두리부를포위하도록 상기 제1전극상에 재치된 링을 포함하고 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 링은, 그 상면으로부터 상기 제2전극 사이에서의 거리가, 상기 제1전극상에 재치된 피처리체의 상면으로 부터 제2전극까지의 거리다도 짧게 되는 두께를 가지고 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 링은, 도전성 부재로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제4항에 있어서, 상기 링의 상면이 상기 피처리체의 상면으로부터 돌출하는 높이는 3.5mm미만인 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제4항에 있어서, 상기 링은, SiC 또는 아몰퍼스 카본으로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 링은, 절연성 부재로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 링의 상면이 상기 피처리체의 상면으로부터 돌출하는 높이는 5mm이하인 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 링은, SiO2로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 플라즈마 처리장치는, 상기 자계를 회전시키는 수단을 더욱 구비하고 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 피처리체를 수납하는 반응실과, 상기 반응실내에 설치되어 상기 피처리체를 재치하는 제1전극과, 이 제1전극에 대향하는 제2전극을 가지며, 이들의 전극에 의하여 전계를 발생시키는 전계발생수단과, 상기 전계와 수직한 성분을 가지는 자계를 발생시키는 자계발생수단과, 상기 반응실내에 반응가스를 공급하고, 상기 전계와 자계의 작용에 의하여 마그네트른 플라즈마를 생성하는 수단과, 상기 피처리체의 둘레 테두리부를 둘러싸도록, 상기 제1전극상에 재치된 링을 구비하며, 이 링은 그 상면으로부터 상기 제2전극 사이에서의 거리가, 상기 제1전극상에 재치된 피처리체의 상면으로 부터 제2전극까지의 거리보다도 짧게 되는 두께를 가지고 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 링은, 도전성 부재로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제12항에 있어서, 상기 링의 상면이 상기 피처리체의 상면으로부터 돌출하는 높이는 3.5mm미만인 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제12항에 있어서, 상기 링의 상면이 상기 피처리체의 상면으로부터 돌출하는 높이는 약 1.5mm인 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제12항에 있어서, 상기 링은, SiC 또는 아몰퍼스 카본으로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 링은, 절연성 부재로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제16항에 있어서, 상기 링의 상면이 상기 피처리체의 상면으로부터 돌출하는 논이는 5mm이하인 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제16항에 있어서, 상기 링은, SiO2로 형성되어 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 마그네트론 플라즈마 처리장치는, 상기 자계를 회전시키는 수단을 더욱 구비하고 있는 마그네트론 플라즈마 처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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