KR930005111A - 마그네트론 플라즈마 처리장치 - Google Patents

마그네트론 플라즈마 처리장치 Download PDF

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KR930005111A
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magnetron plasma
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도시히사 노자와
게이지 호리오까
이사히로 하세가와
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이노우에 아끼라
도꾜 일렉트론 리미티드
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치를 도시하는 단면도,
제3도는 제2도의 장치의 자계발생부를 도시하는 사시도, 제4도는 제2도의 장치내에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 반송하는 상태를 도시하는 단면도.

Claims (8)

  1. 처리실과, 처리실내에 서로 대향하여 평행으로 설치된 한쌍의 전극과, 이들 전극의 사이에 이들과 평행으로 피처리체를 유지하는 유지수단과, 상기 한 쌍의 전극간에 처리가스를 공급하는 공급수단과, 상기 전극간의 부분에 전계를 형성하고 처리가스의 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성수단과, 상기 전극간의 부분에 자계를 형성하는 자계형성수단을 구비하고, 상기 자계발생수단은 상기 처리실의 외측에 상기 전극간의 부분을 끼우도록 설치된 한 쌍의 영구자석(41)을 갖고, 한쪽의 영구자석(41)에서 다른쪽의 영구자석(41)으로 상기 전극간의 부분에 전극에 대하여 대략 평행의 자계를 형성하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  2. 제l항에 있어서, 상기 자계형성수단은 상기 한 쌍의 영구자석(41)를 지지하고, 상기 전극간의 부분에 있어서 전극에 대하여 대략 평행으로 자계 이외의 누설자계를 억제하는 요크(42)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자계형성수단은 상기 한 쌍의 영구자석(41)을 상기 전극간의 부분의 주위에 따라 회전시키는 회전수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극중 적어도 한쪽을 전극의 면에 대하여 수직방향으로 이동시키는 이동수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 처리실은 상부와 하부로 구성되고, 기밀 상태를 유지한 상태에서 상부가 상하로 이동가능하며, 상기 이동 수단은 상기 상부전극(11) 및 상기 처리실의 상부를 이동시키는 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 이동수단은 하부전극(12)을 이동시키는 이동기구를 갖고, 상기 처리실에는 상기 이동기구에 의해 사이 하부전극(12)이 하강된 위치에 대응하는 위치에 피처리체의 반출 입구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 처리실은 그 상면에 상기 한 쌍의 전극의 사이의 부분을 위요하도록 환상의 홈(33)이 형성되어 있고, 상기 한 쌍의 영구자석(41)이 그 홈(33)에 설치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 수평자계가 부여되는 위치와 처리실외의 위치와의 사이에서 상기 피처리체를 반송하는 반송수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920014931A 1991-08-20 1992-08-19 마그네트론 플라즈마 처리장치 KR930005111A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160038808A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5718795A (en) * 1995-08-21 1998-02-17 Applied Materials, Inc. Radial magnetic field enhancement for plasma processing
TWI234417B (en) * 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
US20030042227A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for tailoring an etch profile
BRPI0710265A2 (pt) * 2006-06-08 2011-08-09 Canon Kk toner
US7972469B2 (en) * 2007-04-22 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
US20100000684A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
JP5603433B2 (ja) * 2010-12-28 2014-10-08 キヤノンアネルバ株式会社 カーボン膜の製造方法及びプラズマcvd方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4422896A (en) * 1982-01-26 1983-12-27 Materials Research Corporation Magnetically enhanced plasma process and apparatus
JPS5927212A (ja) 1982-08-06 1984-02-13 Hitachi Cable Ltd 水底に布設されたケ−ブルの着地状態調査装置
JPS59144133A (ja) * 1983-02-07 1984-08-18 Hitachi Ltd プラズマドライ処理装置
JPS6058794A (ja) 1983-09-09 1985-04-04 Nec Corp 電話交換装置
DE3580953D1 (de) * 1984-08-31 1991-01-31 Anelva Corp Entladungsvorrichtung.
US4631106A (en) * 1984-09-19 1986-12-23 Hitachi, Ltd. Plasma processor
JPS61187336A (ja) * 1985-02-15 1986-08-21 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置とエッチング方法
US4842707A (en) * 1986-06-23 1989-06-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dry process apparatus
JPS6348952A (ja) 1986-08-18 1988-03-01 Toshiba Corp イメ−ジセンサ
JPH0834205B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-29 株式会社東芝 ドライエツチング装置
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160038808A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 플라즈마 처리 장치

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