KR870003557A - 반도체 웨이퍼 면 부식 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 면 부식 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 웨이퍼 면 부식 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 부식장치의 부분 단면도.
제2도는 자석 조립품의 평면도.
제3도는 제1RF차폐의 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
14 : 웨이퍼 홀더 19 : 전기도체 20 : 접촉판
22 : 절연 30 : 캐쳐판 34 : 차폐
40 : 중심 자설 52, 54 : 환상판

Claims (9)

  1. 반도체 웨이퍼 면 부식 장치에 있어서, 실제로 대기 기체를 제거하여 진공 상태로 될 수 있는 챔버와, 상기 챔버로 아르곤 가스를 유도하는 수단과, 웨이퍼를 홀딩하고 RF전력 소스에 연결하기 위한 수단과, 웨이퍼 모서리에 아주 근접해 있고 웨이퍼 상하로 연장되어 있고, 상기 챔버내의 웨이퍼를 둘러싸고 있는 전기적 차폐와, 부식된 웨이퍼 면과 상기 챔버의 마주보는 벽 사이에 적어도 두개의 플라즈마 동심 공면링을 형성하기 위한 수단을 포함하며, 부식되는 웨이퍼 면에 아주 근접해 있는 저장 유도 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 필드내 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기적 차폐는 가스가 자유롭게 흐르도록 구멍을 갖는 얇은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  3. 제2항에 있어서, 자장 유도 수단이 일반적으로 사마리움 코발트 영구 자석의 평면 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 사마리움-코발트 자석의 배열이 중심 자석, 상기 중심 자석 주변 원내 상기 중심 자석 반대 극성의 제1자석 링과, 상기 제1링과 동심인 제2자석 링으로 배치되고, 상기 제2링은 상기 중심 자석과 동일 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  5. 반도체 웨이퍼 면 부식 장치에 있어서, 실제로 순수한 저압 아르곤의 대기에서 웨이퍼를 절연시키기 위한 수단과, 아르곤 원자를 이온화시켜, 부식된 웨이퍼 표면으로 가속화시키기에 충분할 정도로 고전압 RF장을 웨이퍼상에 유도하기 위한 수단과, 부식되는 웨이퍼 표면에 평행한 반대 면에 적어도 두 동심링 안으로 플라즈마를 형성하기 위한 자석 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 자석 수단이 일반적으로, 중심 자석으로 배열된 사마리움 코발트 자석과, 상기 중심 자석에서 사익 동심링의 내부링까지 그리고 다시 상기 내부링에서 상기 동심링의 외부까지 번갈아 나타나는 극성을 갖는 두 동심링의 평면 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  7. 반도체 웨이퍼 면 부식 장치에 있어서, 실제로 순수한 저압 아르곤 대기내에서 웨이퍼를 절연시키기 위한 수단과 아르곤 원자를 이온화시키고 이온화된 원자를 부시된 웨이퍼 표면으로 가속시키기에 충분한 정도의 고전압 RF장을 웨이퍼상에 유도하기 위한 수단과, 부식된 웨이퍼 표면에 수직 방향으로 웨이퍼의 상하로 연장되고, 웨이퍼에 아주 근접하여 웨이퍼 모서리 주변에 연장되어 접지된 전기 차폐를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF장에서의 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전기적 차폐는 가스가 자유롭게 흐르도록 구멍을 갖는 얇은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
  9. 반도체 웨이퍼 면 부식 장치에 있어서, RF전력 소스를 연결되고, 웨이퍼를 잡는 수단과, 웨이퍼 모서리에 근접해서 웨이퍼를 에워싸고, 웨이퍼 상하로 연장되고, 전기적으로 웨이퍼를 잡는 상기 수단에 반대극성이고, 가스 통과가 원활하도록 다수의 구멍을 갖게 형성된 금속 차폐와, 부식된 웨이퍼 표면에 아주 근접한 벽을 갖고, 실제로 순수한 저압 아르곤 대기내 상기 수단과 웨이퍼를 보유하는 챔버 수단과, 부식된 웨이퍼 표면에 아주 근접해 있는 상기 챔버 수단의 상기 벽 뒤에 위치한 자석 배열로서, 상기 자석이 중심 자석과 상기 중심과 동심인 자석링으로 배치되고, 상기 중심과 상기 링은 부식되는 웨이퍼 표면과 웨이퍼에 아주 근접해 있는 상기 챔버수단의 상기 벽 사이에 플라즈마의 동심링을 유지하기 위해 교대로 반대 극성을 갖는 상황에 있는 자석 배열을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 면 부식 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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