JPS62195122A - 磁気増大プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンウェハのような加工片の磁気増大プラ
ズマ方法に関する。特に本発明はプラズマ工程システム
で加工片を支持する磁気増長電極の磁界を修正する装置
と方法に関する。

〔従来の技術及び問題点〕

電気回路部品の小型化は従来大規模集積回路（ＶＬＳＩ
）用の基板として使用するシリコンウェハのような加工
物上に材料の分子層を堆積させそしてその層を除去する
工程を含む薄膜技術の改良が要望されている。材料の薄
層を除去する１つの周知のプラズマ処理技術は反応性イ
オンエツチング又はプラズマエツチングである。この方
法では電気的ガス放電又はプラズマが直流（ｄＣ）’！
圧又は低圧で通常非反応性ガスで占められた空間内の電
極間に高周波Ｃｒｔ）　ｌｌｉ圧を印加することによっ
て作られる。負の電極から発したエネルギー電子は中性
ガス原子又は分子に衝突しイオンあるいは他の反応性種
及び付随電子を作り、それによシミ極に近い領域で高導
電グロー放電を開始し維持する。このグロー放電又はプ
ラズマは暗空間又はプラズマシースで電極表面から分離
される。プラズマは本質的に等電位であるのでプラズマ
と電極間の電圧降下がプラズマシース内で発生し且つ電
界の方向は電極表面に垂直である。

その結果、プラズマ中で発生し正の電荷を運ぶイオンと
他の反応性種が反対電荷電極表面に引き付けられプラズ
マから電界ラインに平行な方向表面に主に移動する。プ
ラズマエツチング処理において、上記電極は基板支持体
として作用しイオンと他の反応性種が基板表面に達する
際に活性化するか化学反応を起し基板表面から材料を好
ましく取シ除く。

Ｗ、Ｈ，Ｃ１ａｓｓらの米国特許第４，４２２，８９６
号にはプラズマエツチング処理用の磁気増長の使用を開
示している。１つの提案装置では電極がいくつかの平面
を有するプリズム体で形成される軸の廻シに対称的に配
置された基板支持表面を構成する。

反対極性筒１及び第２の磁極片はその面から出ており角
柱状のそれぞれの端部で電極周囲に完全に伸延し、得ら
れた構造は基本的にスプール形状である。このように極
片間に伸延する磁界が基板支持面に近い電極本体の周囲
で連続的なベルトラ形成する。

以前に提案した電極の対称的角柱スプール形状は多重基
板支持面を具備しその軸の廻りを回転するために装備さ
れるのに特に適しており、それによって・々イアススｔ
４ツタリングでは各々の面が１つ又はそれ以上のスノ母
ツタリングターダットの方へ連続して向けることができ
る。角柱形状も電極の与えられたサイズ多くの基板を負
荷又は処理することかできる。

対称的な角柱電極は真空画室中央に配置されねばならな
いが基板保持装置を要するというのは基板支持面の１つ
だけ上方に面しながら水平であるからである。

多くの市販スパッタリング装置特にセラミックウェハー
上に集積回路製造に用いられる装置は平らに置かれたウ
ェハー処理用に配置される。対称的な角柱電極はそのよ
うな装置には用いられない。

更に、そのような角柱のスプール状電極によシ作られた
プラズマ領域はベルト状磁界が中央域で外側にふくれる
ので不均一になる傾向がある。これはプラズマの厚さを
電極本体の端部よシ中央域で大にするため基板面の不均
一処理になる。

米国特許出願番号０６／４６１，０２２．％許屋４．５
８１，１１８号は基板が平らにあシミ極で支えられた基
板の露出面の均一プラズマ処理を行なうように意図され
た画室内での使用に適用される磁気増大基板支持電極を
提供する。その電極は矩形平行６面体−その厚さは幅と
長さよシはぼ小さい−と該本体の一端に配置された１つ
の磁性の第１磁極と該本体の他端の反対極性の第２の磁
極を構成する２つの磁気部材とを含む。

該電極体の一面は基板支持面であシ各磁極部材は電極体
の−はいの幅の面を超えて出ておシ、それによシ磁界は
基板支持面に近い電極体の−ばいの幅ｉＣ第１及び第２
磁極間、長さ方向に伸びる・好ましくは磁極部材は本体
の面と側面端から出て各端で連続的周辺７ランジを構成
し第１磁極と第２の磁極間の磁界がベルトのような電極
体を囲む。

電極上に置かれた基板の露出面の処理の均一性を改良す
るために補助磁石手段が電極支持面に面し離されて配置
される。その補助磁石手段は電極の第１磁極部材に近く
に配置され同じ極性を有する第３の磁極部材を有する。

補助磁石の第４磁極部材は電極の第２磁極部材近くに配
置される。補助磁石の強度と配置は基板支持面に近い磁
界が偏平にされ支持面にほぼ平行に伸びる。

上記補助磁石装置を用いることによって得られた平坦化
された磁界は例えばシリコンウェハーのほとんどの面上
刃でのエツチングの均一性を改良するが１ホツトスポツ
ト”として知られるエツチングレートが他の基板上よシ
犬の領域を残していることがわかった。

”ホットスポット”領域はいわゆる支持電極のリード端
（ｌｅａｄｌｎｇ　ｅｄｇｅ）に配置され、そのリード
端は電子ドリフトの方向に関連して規定される。

磁界と電界がほぼ直角に交差する磁気増大プラズマ方式
では電子ドリフトは磁界と電界に相互に直交する方向に
一般的に伸びる外サイクロイド路に生じる。上記方式の
矩形加工物支持電極に対して電界は基板支持面に直角で
ありその磁界は電極の長さ方向の支持面に平行に伸びる
。その結果電子は一般的に電極の第１側面端から第２の
側面端へ移動する。電極の磁気及び幾何学的構造と補助
磁石によシこのリード端１ホツトスポツト”領域で反応
性イオンの集中が増大する。

本発明の主な目的は補助磁界磁石を備えたプラズマ処理
方式で加工片の全露出面上で均一処理を改良するように
磁気増大加工片支持電極の１ホツトスポット１領域内の
磁界を変えることＫある。

本発明の他の目的は真空室の内の装置との干渉を回避す
るためその真空室外に配置された磁石手段の使用によっ
て磁気増大加工物支持電極を変えることにある。

本発明の更に他の目的は磁気増大加工物支持電極の磁界
を変え該電極の最大可能領域上に均一なプラズマ処理を
得てそれにょ９所定のプラズマ処理装置で扱われる加工
物サイ）ｅを最大にすることにある。

本発明の他の目的は磁気増大加工支持電極の磁界を変え
る製造に安価で単純な変換磁石装置を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は本発明によれば真空室と、該真空室内に配
置される加工物支持電極であって第１及び第２の電極端
間に長さ、該電極の第１及び第２の側面端の間の幅、そ
の長さ幅よりも短かい厚さを有する該加工物支持電極と
、該電極の第１及び第２の端部と第１及び第２の側面端
の間の平加工物を支持する処理表面と、 前記電極のそれぞれ第１及び第２の端部に配置された第
１及び第２の磁気部材を有する主磁石手段であって該第
１の磁気部材が１つの極性の第１磁極を構成し、該第２
の磁気部材は該第１の磁極の極性と反対の極性の第２の
磁極を構成し、該第１及び第２の磁極は電極の長さ方向
で処理表面前方でその磁極間に延びる主磁界を発生させ
る主磁石手段と、 該処理表面から離れ、且つ処理面前方で主磁界を偏平に
する補助磁界を発生する主磁石手段のそれぞれ第１及び
第２磁極と反対に配置された第３及び第４の磁極を有す
る補助磁石手段と、前記真空室を排気する手段と、 前記電空室に少なくとも１つの予め選択されたガスを供
給する手段；及び 該処理面前方、磁界内で前記ガスのイオン化粒子のプラ
ズマを発生させるのに十分な電極に電気エネルギーを供
給する手段であって該磁気手段の極性□が、前記プラズ
マ内の電子ドリフトが該電極の第１端からその第２端の
方へ一般的に発生するように予め決められている電気エ
ネルギー供給手段とを含んでなる磁気増大プラズマ処理
装置において、 前記電極の第１端から離れた軸上に集中する曲げられた
磁力線を有する第３の磁界を発生させ、該第３磁界が該
電極の第１端で主磁界と補助磁界の合力に相互作用し、
この領域でプラズマ全安定化するために作用する転換磁
石手段を 含んでなる磁気増大プラズマ処理装置によって解決され
る。

〔実施例〕

第１図〜第３図に関していえばプラズマ処理装置１０は
上部シール板１３と底シール板１４で閉鎖された端部解
放シェル１２を有する気密室１１を含む。第１図は矩形
箱として実線で示された素子の図をわずかだけ妨害する
ように概略的に破線で気密室１１を示し、以下詳細に説
明する。

更に、どの図も？ルトとナツトのようなりランプ手段や
気密室に必要な気密性を与えるのに必要な０−リングの
ような従来のシールを示していない。

底板のポンプアウト開口１５は真空ポンプ１６につなが
る。酸素のような少なくとも１つの反応性ガスをアルゴ
ンのような不活性ガスと共にそれぞれのソース１７と１
８からそれぞれのバルブ１９と２０及び入口２１全通し
てその・気密、・室に導入してもよく磁気増長加工物（
又は基板）支持電極２２は気密室に伸び装備板２３（第
１図、図示せず）と適当なファスナーとシール〔図示せ
ず〕によってシェル１２に密閉してとり付けられる。

基板支持電極２２は装備板２３に溶接するかとシ付ける
管状支持体２５（第１図図示せず）によりて運ばれる矩
形断面の電極２４を含む。

電極の上面２６は集積回路の製造に用いられた従来のセ
ラミックディスクや半導体ウニノーのような加工物基板
用の支持面として用いる。電力は供給源２８からライン
２９を経由して電極組込体２２の外側端に設けられたカ
ップリング（第１図で図示せず）に供給される。電力供
給は従来のプラズマ処理方式で用いられた市販タイプで
可能である。好ましくは電力はｄａバイアス電圧と共に
かなしでその装置に必要な規準高周波で供給される。

カップリング３０も冷却流体の流れを基板支持電極の内
部へ容れる入口及び出口接続（図示せず）を設けてもよ
い。

基板支持電極２４は銅あるいはアルミニウムのような導
電非磁性材料の電極本体３１を具備する組込体である、
その組込体３１はその長さ又は幅の大きさよシ実質的に
薄い厚さの一般的に矩形平行Ａイゾ状である。云いかえ
れば丸い側面端３２と３３を有する本形状が好ましい。

組込体３１内に第１の磁極を構成する第１の磁気体３５
と第２の磁極を構成する第２の磁気体３６間に縦方向に
伸びる少なくとも１本の棒磁石（図示せず）が配置され
る、磁気体は軟鉄のような透磁性材料からなる。各磁気
体は電極体のそれぞれの端部に配置され電極体の十分な
幅に対して少なくともその支持面２６から外に出る。好
ましくは磁気体３５と３６も前面３７と側面端３２と３
３から出ており、電極体の各端部で連続的周囲フランジ
を構成する。その結果として破線３８で示された一次磁
界は第１及び第２の磁極間の空間に縦方向に伸びベルト
やカーテンのような電極体を完全に囲む。このように電
極構造と結びついた一次磁界は電極体の露出面に近い包
囲電子トラップを構成する。この磁界の強度は１００マ
ツクスウエル／ｍ２（１００ガウス）のオーダであるが
約５０ない１，１０００マツクスウエル／ｃｒｎの範囲
でよい。

補助磁石手段３９は真空室のカバー１３に設けられる。

この補助磁石手段は第３の磁極材４１と第４の磁極材４
２を設けた少なくとも１つの長い棒磁石４０を有する。

第３及び第４の磁極材が第１の磁石手段のそれぞれの第
１及び第２の磁極材の極と並べるように配置される。す
なわち図で北（ト）極である磁極材４１は北極材３５と
並べられる。同様ＫＳ極材４２はＳ極材３６と並べられ
る。以下詳細に説明するように補助磁石手段の目的はそ
の処理面上の一次磁界に相反した〕歪めたシする第２の
ａ界を作ることにある。この歪め効果は補助磁石の磁界
ライン４３と第１の磁石の磁界ライン３８との間の相互
作用によって作られる。

ｒｆ電力を電極に適用する場合濃縮グロー放電あるいは
プラズマがベルト状磁界で構成され良電子トラップに作
られる。この放電を電極組込体の近接面を防ぐために幽
業界で周知の磁極材３５．３６を覆う絶縁物（図示せず
）によってカップ状暗空間シールド４４．４Ｂを付ける
ことが通常である。

第１図から第３図に示されたプラズマ処理装置はプラズ
マエツチングを実施するのに％に安定で磁気増大基板支
持電極を有する装置の場合磁気イオンエツチングとして
龜知られている。

磁気イオンエツチングの一般的方法は次の通ルである。

基板２７を電極２４の支持ｆｆ１２６上に載置した後、
真空ポンプ１６を作動し気密［１１を排気した。望まし
い真空レベルが気密室内の成分を排気するのに十分に長
い間保持した際、反応性ガス又は不活性ガスと反応性ガ
スの混合物をバルブ１９を通して気密室に導入し、所定
の動作圧に達する進行なった。通常０．０１ないし７Ｎ
／ｍ２（０，１ないし５０ミリトール）の範囲である。

次にＲｆ電力を基板支持電力に適用し濃密ガス放電又は
プラズマを形成し電極の周囲に伸び第１図で示される磁
気ベルトの領域に配される。グロー放電それ自身は斜線
（第２図のみに示す）内にある領域４６内で生ずる。同
じ制限放電はもしも負のｄａ電位が電極に適用されると
構成する。

プラズマ間で発生したイオンと反応性ラジカルは電界の
影響の下で動き加工物又は基板２７の露出面を保護する
。もしもイオンが電気的に不活性であるならばそれらは
基板表面から粒子をスノ量ツタ−あるいは物理的に腐食
することになる。磁気増大電極装置の電圧勾配は十分に
小さいが、特にもしも気密室内に存在するほとんどのガ
スが反応性ガスならはスノＪ？ツタリングが最小である
。反応性ラジカルが基板の表面材と化学的に反応するよ
う選択されガス成分を形成しそれによって表面材料が初
めにエッチされる。磁極片３５と３６は磁気ギャップ近
くの領域でプラズマにさらされる。

このため、磁極片のエツチングと基板の汚染を防止する
だめプラズマ内にある反応性種に不活性な材料からなる
磁極片カバー（図示せず）でそれらをカバーする必要が
ある。

プラズマ領域４６は電極電位で保持される面の方に伸び
るが達せずしかも接触しない。プラズマが存在しない空
間４７はプラズマシース領域として知られる。電極ヲｒ
ｆ電力供給に容量的に組合わされるとプラズマの整流特
性がｄｃバイアスを起し電極面とプラズマ（Ｂ、Ｎ、Ｃ
ｈａｐｍａｎによる１ガス放電方法”の例えば第５章参
照）間で現われる。

バイアスは、各ｒｆプサイクル中常に短時間を除いてプ
ラズマが電極に対し正である。このｄａバイアスはプラ
ズマシース領域内で電界を作るがそれは電極面にどこで
も直交する。プラズマ自身はほぼ電界がない。

プラズマ中のイオン形成及び反応力を用いる場合反応性
ラジカル形成の機構は負にバイアスされた電極面からの
電子の放出で開始する。これらのいわゆる−次電子はプ
ラズマシース４７内の電界でプラズマの方へ加速され、
イオン化を起す十分なエネルギーと、中性ガス原子との
衝突の際の反応種形成を与える。磁界がない場合−次電
子部が電極表面から去ル電極表面から遠い領域にブロー
放電を伸ばす。更に、電子が陽極表面に達する前に多く
の電子はガス原子と衝突せず、それによってイオン化及
び反応種発生率が限定される。

第１図と第２図で示された包囲磁界は電子軌道を変えこ
の状態を改良する。

電極面２６と基板２７の露出面から放出される電子を例
えば考えてみよう。シース電界は磁界に直角である。そ
の結果としてＥＸＢ電子ドリフト運動は第１図の面から
出て、いつも磁気ベルト内に維持されながら基板２７に
非常に近い角１柱電極の周囲で電子を回転させそれによ
ってこれらの電子によって誘導されたイオン化又は反応
種と電極面に近いプラズマ領域に閉じ込められる。

突き出た極片から放出された電子を種々の方法で閉じこ
める。ここでシース電界ラインは磁界ライン姉平行であ
シ、プラズマ域に加速后電子は磁界ラインに平行なうす
巻き状に動き続ける。この運動は電子を反対面に搬送す
る。しかしながら、反対のシース磁界に近づく際電子が
プラズマ内にはね戻され、基板表面に近くで行ったり来
たりの振動音しながら捕獲される。

このように全ての電子は閉鎖ルーフ°ＥＸＢドリフトと
前後の振動運動の組合せ動作により捕獲される。電子は
ガス原子との衝突によりて電子を磁界ラインをクロスさ
せる場合この捕獲からゆつくシ逃げ出せ、電子は最後に
暗空間シールド４４と４５に移動し次に放電から除かれ
る。

電極基板支持面２６とシールド４４と４５で規定された
面間の放射空間はプラズマペｌレト４６の厚さを主に決
める。このベルトは露出基板表面にかなシ近くで保持さ
れるが磁界ラインは極間の中央領域で凸状に曲がるかふ
くらむ。グロー放電領域の内外包囲は一般に磁界ライン
に従うので第２図からプラズマとシース磁界は中央部の
方が磁極近傍よシ実質的に厚い。

前述の米国特許出願筒０６／４６１０２２は磁気包囲の
中央領域の厚いプラズマシース磁界で起された不均一エ
ツチングの問題を解決するものである。その中に記載さ
れた補助磁石装置は端部３２に近い基板表面の領域Ａと
して示された１ホツトスポツト”以外の磁界ラインの上
記ふくれから生じる不均一性を改良する。該端部３２は
図示装置では支持電極のリード端である。というのは磁
気材の極性が部材３５に対して北（財）及び部材３６に
対して南（Ｓ）となるように選択されるからである。

この領域の１ホツトスポツト”の原因は十分に理解され
ないが主磁石と補助磁石の相互作用によって得られた電
極端部での磁界の形成は重要な７アクタである。本発明
で提案された解決は電極のリード端で主磁界と補助磁界
の合力と相互作用しく１９） この領域でプラズマを安定化するため作用する磁気変換
磁界を提供することである。

特に第１図と第３図に示すように磁気転換器４８が基板
支持電極のリード端３２に接近して配置される。第４図
と第５図に拡大して詳細に示される磁気転換器は鋼又は
他の磁性材料の矩形板５１上の平行な２列のディスク磁
石４９と５０を含む。ディスク磁石は基板支持電極のリ
ード端で磁界強さを製造し得る材料から作られる必要が
あシその強さはその領域内で磁気部材３５と３６によっ
て作られた主磁界の強さにほぼ等しい。適当な材料は１
ｎＩｃｏＲＥｘ　９６Ａ　”という名で市販されている
。

ディスク磁石４９は全ての露出面が１つの磁極（図でＮ
）をもって配置されておシ、ディスク磁石５０は全ての
露出面が反対の磁極（図でＳ）をもって配置されている
。ディスク磁石が磁力で付着する鋼板５１は磁気回路を
完成するためと磁気転換器用の装備板として使用する。

第１図と第３図によれば転換磁石組込体は電極支持表面
に垂直で該リード端３２に平行な板５１と共に配置され
る。ディスク磁石４９の列は電極支持面上に平行く配置
され、増大した１５の磁極を構成しそしてディスク磁石
５００列は電極支持面下で水平に配置され増大した６の
磁極を構成する。

好ましくは転換磁石組込体は第３図に示すように真空室
の外壁に設けられその真空室はアル建＝ウム又はステン
レス鋼のような非磁性材料からなる。転換磁石組込体は
清潔さと外観の理由で必要ならば非磁性金属又はグラス
チックケース（図示せず）Ｋ収容される。

上記のように転換磁石組込体は基板支持電極に関連して
配置される際、その磁界は５番目の極から６番目の極へ
曲線状（破線４７で図示）ｌｌＣ伸びる。この転換器磁
界は１ｓ１図第３図に示すように主磁界ライン３８を偏
向させ、電極のリード端に近くで安定した磁界領域を作
る。

標準の４インチ直径シリコンウエノ１の磁気イオンエツ
チングを改良する上記転換磁石の効果を示すため磁石組
込体を以下のように製造した。

Ａ、　　ディスク磁石４４　、４５ 材料−ＨＩＣｏＲＥＸ　９６　Ａ 直径２．５４ｃｒｎ（１インチ） 厚さ−０，９５ｍ（３１８インチ） 磁界強さ 面で−３，０００マツクスウエルム２ （３，０００ガウス） Ｂ、　　裏板　４６ 材料−鋼 最さ−１１，７５ｍ（４百インチ） 幅　−５，０８ｃｒｎ（２インチ） 厚さ−０，３２ｃｍ　（ｓインチ） 転換磁石組込体を、真空室内で平行に配置された基板支
持電極のリード端から離れて非磁性ステンレス鋼真空室
の外側に設けてリード端近くの転換磁界の強度ｅ１００
マックスウェル／ｍ２（１００ガウス）のオーダとした
。この領域の主補助磁界の合力の強度は等しかった。

二酸化シリコンの均一表面被膜を作るために熱酸化雰囲
気で調整した従来の４インチシリコンウェハを電極の支
持面に置いた。真空室排気抜工１０：１の比のＣ２Ｆ６
と０２の混合体をその真空室に供給し約０．５Ｎ／ｍ　
（３，８きリトール）の圧力にしだ。２．５　ｋＷのＲ
ｆ電電力金工１分間支持電極供給し基板表面をエツチン
グするだめプラズマ全発生させた。

上記処理に使用された２つのウェハの酸化膜の厚さは、
１つは転換磁石組込体が設置しであるもの、他はないも
ので各ウェハの面上で均等に分布された１３箇所で測定
された。転換磁石組込体なしでは酸化物厚さ測定のばら
つきは１４．３％で最も大きなばらつきは”ホットスポ
ット”域においてであった。転換磁石組込体が設置され
たものは測定のばらつきは６．６％のみであった。

このように本発明の転換磁石装置は磁気増大プラズマ処
理方式で電子ドリフトから生ずる１ホツトス？ツト”問
題に単純で安価な解決策を提供する。

他の磁気構造は比較しうる磁界金得るために工夫される
が上記組込体が特に安価で容易に製造されることが認識
されよう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る転換磁石装置を有するプラズマ処
理装置の概略斜視図であシ、第２図は第１図に示した装
置の一部断両立面図であシ、第３図は第２図の３−３線
に沿った該装置側面断面図であシ加工物支持電極に対す
る磁石手段を示し、第４図は本発明に係る転換磁石組込
体の好ましい例の平面図を示し、第５図は第４図の５−
５線に沿った転換磁石の断面図である。 １１・・・気密室、１２・・・端部解放シェル、１３・
・・上部シール板、１４・・・底シール板、１６・・・
真空ポンプ、２２・・・支持電極組込体、３９・・・補
助磁石手段、４８・・・転換磁石組込体。 以下余白 手続補正書 昭和６２年３月１３日 特許庁長官　黒　１）明　雄　殿 １、事件の表示 昭和６１年特許願第２５７１２５号 ２、発明の名称 磁気増大プラズマ処理装置 ３、補正をする者 う ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の［発明の詳細な鋭匙の欄 ６、補正の内容 発明の詳細な説明 明細書第９頁第４行「磁気増大」の後に’（ｍａｇｎｅ
ｔｉｃａｌｌｙ　ｅｎｈａｎｃｅｄ）　Ｊを挿入する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空室と、該真空室内に配置される加工物支持電極
   であって第１及び第２の電極端間に長さ、該電極の第１
   及び第２の側面端の間の幅、その長さ幅よりも短かい厚
   さを有する該加工物支持電極と、該電極の第１及び第２
   の端部と第１及び第２の側面端の間の平加工物を支持す
   る処理面と、前記電極のそれぞれ第１及び第２の端部に
   配置された第１及び第２の磁気部材を有する主磁石手段
   であって該１の磁気部材が１つの極性の第１磁極を構成
   し、該第２の磁気部材は該第１の磁極の極性と反対の極
   性の第２の磁極を構成し、該第１及び第２の磁極は電極
   の長さ方向で処理表面前方でその磁極間に延びる主磁界
   を発生させる主磁石手段と、 該処理表面から離れ、且つ処理面前方で主磁界を偏平に
   する補助磁界を発生する主磁石手段のそれぞれ第１及び
   第２磁極と反対に配置された第３及び第４の磁極を有す
   る補助磁石手段と、 前記真空室を排気する手段と、 前記真空室に少なくとも１つの予め選択されたガスを供
   給する手段；及び 該処理面前方、磁界内で前記ガスのイオン化粒子のプラ
   ズマを発生させるのに十分な電極に電気エネルギーを供
   給する手段であって該磁気手段の極性が、前記プラズマ
   内の電子ドリフトが該電極の第１端からその第２端の方
   へ一般的に発生するように予め決められている電気エネ
   ルギー供給手段とを含んでなる磁気増大プラズマ処理装
   置において、 前記電極の第１端から離れた軸上に集中する曲げられた
   磁力線を有する第３の磁界を発生させ、該第３磁界が該
   電極の第１端で主磁界と補助磁界の合力に相互作用し、
   この領域でプラズマを安定化するために作用する転換磁
   石手段を 含んでなる磁気増大プラズマ処理装置。 ２、前記第３の磁界が処理面を含む面にある特許請求の
   範囲第１項記載の装置。 ３、前記第２の磁石手段が該処理表面を含む面の第１の
   側面に配置される第１の磁気極性の伸長された第１の磁
   極手段と該処理表面を含む面の第２の側面に配置される
   第１の磁気極性と反対の第２の磁気極性の伸長された第
   ２の磁極手段を含む特許請求の範囲第１項記載の装置。