JPS6077428A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS6077428A JPS6077428A JP18563883A JP18563883A JPS6077428A JP S6077428 A JPS6077428 A JP S6077428A JP 18563883 A JP18563883 A JP 18563883A JP 18563883 A JP18563883 A JP 18563883A JP S6077428 A JPS6077428 A JP S6077428A
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- sputtering
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスパッタリング装置に関し、スパッタリング
により＃膜を作りたい場合、物体をスパッタリングによ
シ物理的にエツチングしたい場合。
により＃膜を作りたい場合、物体をスパッタリングによ
シ物理的にエツチングしたい場合。
あるいは化学的反応を利用してエツチングを行いたい場
合などに適用して特に効果がある。
合などに適用して特に効果がある。
ターゲットの利用率など多くの欠点があシ用途を限定し
ていた。この発明は、主磁場に対する磁場調整手段を主
磁場の近くに設定することによシ磁場の制御をさらに確
実に行い、これらの欠点を解決した装置を提供するもの
である。
ていた。この発明は、主磁場に対する磁場調整手段を主
磁場の近くに設定することによシ磁場の制御をさらに確
実に行い、これらの欠点を解決した装置を提供するもの
である。
この発明の目的は、高速度でスノ（ツタリングやエツチ
ングを行うことのできるスノくツタリング装置の提供に
ある。
ングを行うことのできるスノくツタリング装置の提供に
ある。
この発明の・池の目的は、真空装置に１１６単に取りつ
けた夛取り外した９することのできるターゲット機構を
設けたスパッタリング装置の提供にある。
けた夛取り外した９することのできるターゲット機構を
設けたスパッタリング装置の提供にある。
この発明の別の目的は、ターグ？、 ）の利用率のよい
薄膜作成用スパッタリング装置の提供にある。
薄膜作成用スパッタリング装置の提供にある。
この発明の他の目的は１分布のよい薄膜作成用スパッタ
リング装置あるいは、エツチング装置の提供にある。
リング装置あるいは、エツチング装置の提供にある。
この発明の別の目的は、ターゲットを作りやすいスパッ
タリング装置の提共にある。
タリング装置の提共にある。
この発明の他の目的は、ターゲットを材料の無駄なく作
ることのできるスノ（ツタリング装置の提供にある。
ることのできるスノ（ツタリング装置の提供にある。
この発明の別の目的は、純朋の高い薄膜を作ることので
きるスパッタリング装置の提供にある。
きるスパッタリング装置の提供にある。
この発明の他の目的は、より異方Ｉ生の高いエツチング
のできるスパッタリング装置の提供にある。
のできるスパッタリング装置の提供にある。
この発明の別の目的は、空間中でゴミの発生することの
少い薄膜作成装置するいはエツチング装置の提供にある
。
少い薄膜作成装置するいはエツチング装置の提供にある
。
次にこの発明を図面により詳しく説明する。第１図から
第４図までに示した。主として″＃、膜作成に用いる装
置における本発明の実施例において。
第４図までに示した。主として″＃、膜作成に用いる装
置における本発明の実施例において。
１０は圧力ｒＡ 整糸で、１１が真空容器、１２が所定
ガスの導入系、１３が排気口で、矢印１４の方−機構で
、２１がホルダー、２２が基板電源、２３が基板で基板
を任意の電位に設定できる。３０゜４０．６０および７
０は、総合してターゲット系で１、ある。４０は主磁場
設定手段で、＋４１＋とく４２ＹＭＡ久磁石、４３と４
４は設定された主磁場を示と５０は絶縁体、４９はねじ
、５２はターゲット７１の表面に設定された磁束４３が
連続して並べられている径路を示し、この径路にそって
プラズマが発生する。径路形状は任意に形成することが
できる。３０は磁場調整手段で、３１と３２は永久磁石
で磁束３３，３４，３５．３６などを発生するが、これ
らは主磁束４３．４４の近くに添って設けられ、基板７
１の表面７Ｇに並行な成分を増大させる役割を果す。７
０はターゲット部で。
ガスの導入系、１３が排気口で、矢印１４の方−機構で
、２１がホルダー、２２が基板電源、２３が基板で基板
を任意の電位に設定できる。３０゜４０．６０および７
０は、総合してターゲット系で１、ある。４０は主磁場
設定手段で、＋４１＋とく４２ＹＭＡ久磁石、４３と４
４は設定された主磁場を示と５０は絶縁体、４９はねじ
、５２はターゲット７１の表面に設定された磁束４３が
連続して並べられている径路を示し、この径路にそって
プラズマが発生する。径路形状は任意に形成することが
できる。３０は磁場調整手段で、３１と３２は永久磁石
で磁束３３，３４，３５．３６などを発生するが、これ
らは主磁束４３．４４の近くに添って設けられ、基板７
１の表面７Ｇに並行な成分を増大させる役割を果す。７
０はターゲット部で。
７１がターゲット、７２が水冷容器、７３が給水管、７
４が排水管である。７５はターゲットホルダーである。
４が排水管である。７５はターゲットホルダーである。
６０は直圧印加手段で、６１は高圧の直流、交流、高周
波電源などが用いられる。その選択は使用目的により行
われる。
波電源などが用いられる。その選択は使用目的により行
われる。
この装置は２通常のスパッタ装置と同様に、薄膜を作り
たい場合あるいはエツチングを行いたい場合などそれぞ
れに適したように運転される。真空容器１１の内部を所
定の圧力迄排気した後、薄膜を作りだい場合あるいは物
理的エツチングを行いたい場合には、主としてアルゴン
ガスを時には窒素などのガスを混入して用い、また化学
的エツチングを行いたい場合は、その目的に合った活性
ガスを導入したりして所定の圧力に調整する。そドア６
は磁石４１に近い一部を除いてｔｌぼ均一にスパッタリ
ングされる。スパッタリングされた物質は、基板（２３
）の表面に付着して薄膜を形成する。ターグリトの表面
にエツチングしたい物体を設置すれば、その物体はエツ
チングされる。化学的にエツチングしたい場合をよ、そ
の物体をターゲットの表面の他、シ、す板ホルダーなど
プラズマの近傍におくことで化学的エツチングを行うこ
とができる。
たい場合あるいはエツチングを行いたい場合などそれぞ
れに適したように運転される。真空容器１１の内部を所
定の圧力迄排気した後、薄膜を作りだい場合あるいは物
理的エツチングを行いたい場合には、主としてアルゴン
ガスを時には窒素などのガスを混入して用い、また化学
的エツチングを行いたい場合は、その目的に合った活性
ガスを導入したりして所定の圧力に調整する。そドア６
は磁石４１に近い一部を除いてｔｌぼ均一にスパッタリ
ングされる。スパッタリングされた物質は、基板（２３
）の表面に付着して薄膜を形成する。ターグリトの表面
にエツチングしたい物体を設置すれば、その物体はエツ
チングされる。化学的にエツチングしたい場合をよ、そ
の物体をターゲットの表面の他、シ、す板ホルダーなど
プラズマの近傍におくことで化学的エツチングを行うこ
とができる。
この装置では、主磁場が、磁場調整手段によって、ター
ゲット７６の表面に、よシ並行になるように調整されて
いるので、しかも、主磁場の至近距離から主磁場のｆｉ
ｌ！Ｊ ％を行うので、ターゲットの表面の広い領域に
わたって一様なプラズマを発生させることができまた構
造も１１訂単で使用しやすく広い用途がある。大面積に
わたって一様なプラズマケ発生させ得るようになった結
果、太′亀力を投入でき高速度でスパッタリングを行う
ことができターゲラ占４部だけでなく広い領域にわたっ
て一部にスパッタリングされるのでその利用率は怜めて
茜＜、特に高価な材料金スパツタリングさせたい場合に
は効果が大きい。また作成された膜の厚さ、特性などの
分布もよい。エツチングを行う場霧にも均一なエツチン
グで行うことができる。また、 （ｉＦｊ場の並行成分
が増大した結果、従来の装置に比較し低い圧力で放電を
行うことができるので空間でのゴミ発生が少く、エツチ
ングを行う場合には異方性が増大し、深い溝などでもサ
イドエツチングの極め１少いエツチングを行うことがで
きる。薄膜を作る場合には、純匪の商い膜を作り得る。
ゲット７６の表面に、よシ並行になるように調整されて
いるので、しかも、主磁場の至近距離から主磁場のｆｉ
ｌ！Ｊ ％を行うので、ターゲットの表面の広い領域に
わたって一様なプラズマを発生させることができまた構
造も１１訂単で使用しやすく広い用途がある。大面積に
わたって一様なプラズマケ発生させ得るようになった結
果、太′亀力を投入でき高速度でスパッタリングを行う
ことができターゲラ占４部だけでなく広い領域にわたっ
て一部にスパッタリングされるのでその利用率は怜めて
茜＜、特に高価な材料金スパツタリングさせたい場合に
は効果が大きい。また作成された膜の厚さ、特性などの
分布もよい。エツチングを行う場霧にも均一なエツチン
グで行うことができる。また、 （ｉＦｊ場の並行成分
が増大した結果、従来の装置に比較し低い圧力で放電を
行うことができるので空間でのゴミ発生が少く、エツチ
ングを行う場合には異方性が増大し、深い溝などでもサ
イドエツチングの極め１少いエツチングを行うことがで
きる。薄膜を作る場合には、純匪の商い膜を作り得る。
またターゲットは平板状でよく１％に高価な材料の場合
、拐科を無駄なく利用することができる効果がある。ま
たこのターゲット７′６ははソ一体に作シあげであるの
で、装置のどんなところにでもとりつけられる。磁場調
整用の磁石もポールピース４６に溝５３を掘って端部を
はめ込み式にしておいて、そこから内部に挿入するので
、全て外から設置できる。なお、この溝５３は設置後は
主磁場を乱さないように磁性体でうめておく。このター
ゲット系においては、ターゲット以外のところ社スバ、
・夕されない構造になっているので、薄膜作成のとき純
度の高い薄膜を形成することができる。
、拐科を無駄なく利用することができる効果がある。ま
たこのターゲット７′６ははソ一体に作シあげであるの
で、装置のどんなところにでもとりつけられる。磁場調
整用の磁石もポールピース４６に溝５３を掘って端部を
はめ込み式にしておいて、そこから内部に挿入するので
、全て外から設置できる。なお、この溝５３は設置後は
主磁場を乱さないように磁性体でうめておく。このター
ゲット系においては、ターゲット以外のところ社スバ、
・夕されない構造になっているので、薄膜作成のとき純
度の高い薄膜を形成することができる。
なお、永久磁石３７は上述とは別の調整手段であって、
磁束３８．３９を発生し磁場の調整を行うものである。
磁束３８．３９を発生し磁場の調整を行うものである。
磁石３７があれば磁石３１−や３２は不用の場合がある
し１両者を一緒に用いてもよい。磁石３７の極性を逆に
して磁石４１のＮ極のしたくない場合は、ターゲットホ
ルダー７５に溝７７を設け、これにターゲットの凸部７
８をはめこむとよい。その他この種の装置に従来用いら
れている技法を用いると更によい。
し１両者を一緒に用いてもよい。磁石３７の極性を逆に
して磁石４１のＮ極のしたくない場合は、ターゲットホ
ルダー７５に溝７７を設け、これにターゲットの凸部７
８をはめこむとよい。その他この種の装置に従来用いら
れている技法を用いると更によい。
第５図には、さらに他の実施例を示しである。
この実施例においては、主磁場を形成する磁石４１と４
２が離れた位置に置いである。この実施例では、ターゲ
ット系を一般に小形化することができる点が便利である
。符号は第１図から第４図までの実施例と同一にしであ
るので、同様に理解し得る。
２が離れた位置に置いである。この実施例では、ターゲ
ット系を一般に小形化することができる点が便利である
。符号は第１図から第４図までの実施例と同一にしであ
るので、同様に理解し得る。
第６図には、さらに別の実施例を示しである。
この実施例においては、主磁極のポールピース４６がな
く、大半の磁束は、ターゲット７１０表面７６から出て
表面７６に入る点が前記の実施例と異る。符号は第１図
から第４図までの実施例と同じものが用いであるので同
様に理解される。
く、大半の磁束は、ターゲット７１０表面７６から出て
表面７６に入る点が前記の実施例と異る。符号は第１図
から第４図までの実施例と同じものが用いであるので同
様に理解される。
以上の実施例は何ら限定的なＪ’ｆ’に味をもつもので
はなく、多数の変更が可能であることは云う迄もない。
はなく、多数の変更が可能であることは云う迄もない。
とシわけ、従来この分野で用いられている各種の技術は
本発明と組合せて利用することができる。特に当業者の
設計力により各部の形状を変更して新しい実施態様を得
ることができる。また。
本発明と組合せて利用することができる。特に当業者の
設計力により各部の形状を変更して新しい実施態様を得
ることができる。また。
例えは本願の実施例において磁石は全て永久磁石を用い
て説明したが、永久磁石の代りに電磁石を用いることが
出来るのは云う迄もない。勿論両者を共用することもで
きる。
て説明したが、永久磁石の代りに電磁石を用いることが
出来るのは云う迄もない。勿論両者を共用することもで
きる。
単純な付加装置によって大きい効果をあげる本発明が、
半導体装置等の製造に寄与するところは大きく、工業上
有益な発明と１５ことができる。
半導体装置等の製造に寄与するところは大きく、工業上
有益な発明と１５ことができる。
第１図から第４図迄はこの発明の実施例金示す図で、第
１図は総体を示す図。第２図はターゲット系を示す図。 第３図は、ターゲットと磁束の径路を示す図。第４図は
ターゲットの別の実施例を示す図。第５図は他の実施例
をターゲット系につ１２が所定ガスの導入系。ｉ ３
、１４が排気系。 ２３が基板。３０．４０．６０および７０がターゲット
系。７１がターゲット。４０が主磁場設定る手段。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 手続補正書（自発） Ｉｆｆ（和５８年１０７１４日 出願の特許願鼾発１月
の名利く スパッタリング装置 訓順正を１−る者 事件との関係 特許出願人 ４？山王命令の１ヨ（−＝Ｉ−ＩＩ召不１１ 年 月
日５ ？１１１′：ｉＥ！コＪ： リを曽力ｏ１− ル
Ｊ台Ｑ）ｌ（７）数０６補正の対象 明糸田書のり右明のＮ羊糸田な説明の４閘補正の内容 Ｌ 明細書第８頁１５行目「以上の実施例は」の前に下
記の文を挿入する。 「第７図および第８図には、エツチング用の同軸マグネ
トロン方式の装置に本発明を適用した別の実施例を示し
である。同軸マグネトロン方式においては通常陰極には
円筒を用いているが２本実施例においては立方体になっ
ていて、被エツチング体７１を乗せやすいようにしであ
る。この実施例における符号も第１図から第４図の実施
例に使用したものと同じものが使っであるが、以下の点
が異る。エツチングにおいては被エツチング体７１に入
射するイオンや化学的に活性化された気体の入射が厳密
に一定である必要がある。そのために磁場調整手段３０
がや＼異った形になっている。 ３１′および３２′は磁極である。さらに他の調整手段
８０が設けられており一層磁束４３．４４を強めている
また。ポールピースは端板の役目もはたしている。この
実施例において被エンチング体７１は特に冷却手段を持
たないように示してあに本発明を適用した実施例を示し
である。この実施例は、第７図および第８図の実施例と
同様に理解できるが、ポールピース４６を真空容器１５
の内部に入れであるので、ポールピースがスバゾｐされ
たりエツチングされたりすることが殆んどない点に特徴
がある。他の調整手段８０も真空容器１５の内部に入れ
水冷することが望ましい。調整手段３０も適度に水冷す
ることが望ましい。 また、この実施例は薄膜作成にも使用し得ること施に全
て言えることである。また図中ｂ ／ ａの比電体の流
入を無くする事ができるので、ボンバードダメージを除
く事ができる。 「Ｙ 逆に負の電圧を陰加すればイオンを流入させる事ができ
それらの度合を調整できる。」 ２ 明細書第９頁１５行目に挿入した［第７図７５１ら
・・・・・・・図である。」の文を削除しその代りに下
記文を挿入する。 「第７図および第８図は他のターゲット系の実施例を示
す図、第９図から第１１図は別の実施例を示す図で、第
１０図は第９図の上面図、第１１図は第９図の側面図で
ある。」 ３、Ｆ小１ｗ者第８枦 ｙ３−行ＥＪｒｐメ上つ実施ブ
月υ」の苅τ°′）が側乙茅７エ央τ゛了φ入（ｈ支ａ
ｒｆｆｔ＝、Ｔ＃乙の一交一とＪｌ入■９・ 「ｊ、、。 、 奥／２容シ；らア（リ ｍｚ 〕＝、
１遼］、・ノ本ミニ７ｊ７ ２ミｊえ（ｔ ）と７ｑう
ｔ４縞８ωの勘で゛救−生と灯Ｊことｔｘ“７°゛、づ
る、」 ７１１ ’１／’１ 手続補正−１凡作）ｌ” Ａ Ｉｆ ｔ、・・・・鵬ｐ
：；、、ｇ：＋ にロー゛１．上月１７１１特許庁長官
殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第１８５６３８号２、発明の名称 スパッタリング装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日刊 昭和 年 月 日５、補正によシ
増加する発明の数 ０ ６、補正の対象 Ｍ＋、ｌｔ書の発明の名称の榴。明細書の発明の名称の
欄、特許請求の範囲の徊及び発明の詳補 正 の 内
容 １、願書の発明の名称を「放電反応装置」と補正する。 ２、 間約１宵の第１頁３行目の〈発明の名称の）「ス
パッタリング装置」を「放電反応装置」と補正する。 なる圧力調整系 基板およびターゲット系よりなる放電
反応装置において、ターゲットの表面に並行な成分を持
つ主磁場を設定する手段、真空容器内に設定された前記
主磁場のターゲットの表面に並行ガ成分を増大させる磁
場調整手段および前記ターゲットに箱、圧を印加する手
段を具えたことを特徴とする放電反応装置。」 ４、明細１．０第１頁１４行目及び１４行目〜１５行目
、第２頁７行目、第３頁３行目の「スパッタリング」を
「放電反応」と補正する。 ５、 明細書、の第２頁１５行目の「あるいは」を削６
、 明細書の第３頁５行目の「スパッタリング装置」の
次に「やエツチング装置」を挿入する。 １、 事件の表示 昭和５８年 特許願 第１８５６３８号２、 発明の名
称 放電反応装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、 補正により増加する発明の数 ０６、 補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面ならびに昭和５
８年１０月１６日付の手続補正誉の補正の内容の欄。 別紙のとおり ｔ：、：１．ｊ′： ｉ、弓ｊλ補正の
内容 １、ＢＡ細書第８頁１５行目の「以上の実施例ｉｊｌの
前で、かつ 昭和５８年１０月６日付手続補正撫でこの
場所に補正した文「第７図および第８図には、・・・・
・・・・・度合を調整できる。さらに、真空容器の・・
・・・・・・片面のみで放電を起すことができる。」の
後に、下記の文を挿入する。 「第１２図および第１３図には別の実施例をボしである
。この実施例においては、基板７１の表面においてさら
に均一なプラズマを作ることができる。 この実施例において符号は第７図および第８図の実施例
と同様であるが磁場調整用永久磁石３１が。 主磁場設定用磁石４１と同程度の大きさになっており、
磁力線４３を基板７１の表面にはｙ完全に平行同様に３
２′は２３２′等と表しである）は、前述の永久磁石３
１と磁石４１を挾んで対称になるようもう一つの調整機
構が設けである。但し対称は必ずしも必要でなく盛装に
より大きさを変えてよい。」２、 別添の図面、第１２
図と第１３図を追加する。 ３ 昭和５８年１０月６日日刊続補正書の補正の内容の
第３頁７行目「第９図から第１１図は」を「第９図から
第１３図は」と補正し２．同頁９行目の「第９図の側面
図である。１をｒ第９図の側面図、第１３図は第１２図
の３−３′断面の上面図である。」と補正する。
１図は総体を示す図。第２図はターゲット系を示す図。 第３図は、ターゲットと磁束の径路を示す図。第４図は
ターゲットの別の実施例を示す図。第５図は他の実施例
をターゲット系につ１２が所定ガスの導入系。ｉ ３
、１４が排気系。 ２３が基板。３０．４０．６０および７０がターゲット
系。７１がターゲット。４０が主磁場設定る手段。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 手続補正書（自発） Ｉｆｆ（和５８年１０７１４日 出願の特許願鼾発１月
の名利く スパッタリング装置 訓順正を１−る者 事件との関係 特許出願人 ４？山王命令の１ヨ（−＝Ｉ−ＩＩ召不１１ 年 月
日５ ？１１１′：ｉＥ！コＪ： リを曽力ｏ１− ル
Ｊ台Ｑ）ｌ（７）数０６補正の対象 明糸田書のり右明のＮ羊糸田な説明の４閘補正の内容 Ｌ 明細書第８頁１５行目「以上の実施例は」の前に下
記の文を挿入する。 「第７図および第８図には、エツチング用の同軸マグネ
トロン方式の装置に本発明を適用した別の実施例を示し
である。同軸マグネトロン方式においては通常陰極には
円筒を用いているが２本実施例においては立方体になっ
ていて、被エツチング体７１を乗せやすいようにしであ
る。この実施例における符号も第１図から第４図の実施
例に使用したものと同じものが使っであるが、以下の点
が異る。エツチングにおいては被エツチング体７１に入
射するイオンや化学的に活性化された気体の入射が厳密
に一定である必要がある。そのために磁場調整手段３０
がや＼異った形になっている。 ３１′および３２′は磁極である。さらに他の調整手段
８０が設けられており一層磁束４３．４４を強めている
また。ポールピースは端板の役目もはたしている。この
実施例において被エンチング体７１は特に冷却手段を持
たないように示してあに本発明を適用した実施例を示し
である。この実施例は、第７図および第８図の実施例と
同様に理解できるが、ポールピース４６を真空容器１５
の内部に入れであるので、ポールピースがスバゾｐされ
たりエツチングされたりすることが殆んどない点に特徴
がある。他の調整手段８０も真空容器１５の内部に入れ
水冷することが望ましい。調整手段３０も適度に水冷す
ることが望ましい。 また、この実施例は薄膜作成にも使用し得ること施に全
て言えることである。また図中ｂ ／ ａの比電体の流
入を無くする事ができるので、ボンバードダメージを除
く事ができる。 「Ｙ 逆に負の電圧を陰加すればイオンを流入させる事ができ
それらの度合を調整できる。」 ２ 明細書第９頁１５行目に挿入した［第７図７５１ら
・・・・・・・図である。」の文を削除しその代りに下
記文を挿入する。 「第７図および第８図は他のターゲット系の実施例を示
す図、第９図から第１１図は別の実施例を示す図で、第
１０図は第９図の上面図、第１１図は第９図の側面図で
ある。」 ３、Ｆ小１ｗ者第８枦 ｙ３−行ＥＪｒｐメ上つ実施ブ
月υ」の苅τ°′）が側乙茅７エ央τ゛了φ入（ｈ支ａ
ｒｆｆｔ＝、Ｔ＃乙の一交一とＪｌ入■９・ 「ｊ、、。 、 奥／２容シ；らア（リ ｍｚ 〕＝、
１遼］、・ノ本ミニ７ｊ７ ２ミｊえ（ｔ ）と７ｑう
ｔ４縞８ωの勘で゛救−生と灯Ｊことｔｘ“７°゛、づ
る、」 ７１１ ’１／’１ 手続補正−１凡作）ｌ” Ａ Ｉｆ ｔ、・・・・鵬ｐ
：；、、ｇ：＋ にロー゛１．上月１７１１特許庁長官
殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第１８５６３８号２、発明の名称 スパッタリング装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日刊 昭和 年 月 日５、補正によシ
増加する発明の数 ０ ６、補正の対象 Ｍ＋、ｌｔ書の発明の名称の榴。明細書の発明の名称の
欄、特許請求の範囲の徊及び発明の詳補 正 の 内
容 １、願書の発明の名称を「放電反応装置」と補正する。 ２、 間約１宵の第１頁３行目の〈発明の名称の）「ス
パッタリング装置」を「放電反応装置」と補正する。 なる圧力調整系 基板およびターゲット系よりなる放電
反応装置において、ターゲットの表面に並行な成分を持
つ主磁場を設定する手段、真空容器内に設定された前記
主磁場のターゲットの表面に並行ガ成分を増大させる磁
場調整手段および前記ターゲットに箱、圧を印加する手
段を具えたことを特徴とする放電反応装置。」 ４、明細１．０第１頁１４行目及び１４行目〜１５行目
、第２頁７行目、第３頁３行目の「スパッタリング」を
「放電反応」と補正する。 ５、 明細書、の第２頁１５行目の「あるいは」を削６
、 明細書の第３頁５行目の「スパッタリング装置」の
次に「やエツチング装置」を挿入する。 １、 事件の表示 昭和５８年 特許願 第１８５６３８号２、 発明の名
称 放電反応装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、 補正により増加する発明の数 ０６、 補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面ならびに昭和５
８年１０月１６日付の手続補正誉の補正の内容の欄。 別紙のとおり ｔ：、：１．ｊ′： ｉ、弓ｊλ補正の
内容 １、ＢＡ細書第８頁１５行目の「以上の実施例ｉｊｌの
前で、かつ 昭和５８年１０月６日付手続補正撫でこの
場所に補正した文「第７図および第８図には、・・・・
・・・・・度合を調整できる。さらに、真空容器の・・
・・・・・・片面のみで放電を起すことができる。」の
後に、下記の文を挿入する。 「第１２図および第１３図には別の実施例をボしである
。この実施例においては、基板７１の表面においてさら
に均一なプラズマを作ることができる。 この実施例において符号は第７図および第８図の実施例
と同様であるが磁場調整用永久磁石３１が。 主磁場設定用磁石４１と同程度の大きさになっており、
磁力線４３を基板７１の表面にはｙ完全に平行同様に３
２′は２３２′等と表しである）は、前述の永久磁石３
１と磁石４１を挾んで対称になるようもう一つの調整機
構が設けである。但し対称は必ずしも必要でなく盛装に
より大きさを変えてよい。」２、 別添の図面、第１２
図と第１３図を追加する。 ３ 昭和５８年１０月６日日刊続補正書の補正の内容の
第３頁７行目「第９図から第１１図は」を「第９図から
第１３図は」と補正し２．同頁９行目の「第９図の側面
図である。１をｒ第９図の側面図、第１３図は第１２図
の３−３′断面の上面図である。」と補正する。
Claims (1)
- 真空容器、１ｙ１定ガスの導入系と排気系などよシ面に
並行な成分を待つ主磁場を設定する手段、真空容器内に
設定された前記主イＩｌｉ場のターゲットの表面に並行
な成分を増大させる磁場調整手段および前記ターゲット
に゛鎮圧を印加する手段を具えたことを特徴とするスパ
ッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18563883A JPS6077428A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18563883A JPS6077428A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077428A true JPS6077428A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16174269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18563883A Pending JPS6077428A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195122A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-08-27 | マテリアルズ リサーチ コーポレイション | 磁気増大プラズマ処理装置 |
| JPS62263637A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Ulvac Corp | マグネトロンエツチング装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690978A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-23 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for plasma etching |
| JPS57159025A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Toshiba Corp | Method and device for dry etching |
| JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18563883A patent/JPS6077428A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690978A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-23 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for plasma etching |
| JPS57159025A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Toshiba Corp | Method and device for dry etching |
| JPS58151028A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-09-08 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195122A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-08-27 | マテリアルズ リサーチ コーポレイション | 磁気増大プラズマ処理装置 |
| JPS62263637A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Ulvac Corp | マグネトロンエツチング装置 |
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