JP2008255389A - ミラートロンスパッタ装置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LJIOTBMDLVHTBO-CUYJMHBOSA-N (2s)-2-amino-n-[(1r,2r)-1-cyano-2-[4-[4-(4-methylpiperazin-1-yl)sulfonylphenyl]phenyl]cyclopropyl]butanamide Chemical compound CC[C@H](N)C(=O)N[C@]1(C#N)C[C@@H]1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)N2CCN(C)CC2)C=C1 LJIOTBMDLVHTBO-CUYJMHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【構成】 真空容器内に、一対のターゲットが所定の間隔を介して対向配置され、前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石が前記各ターゲットの背面側に配置され、被処理物である基板が前記各ターゲット間の磁場空間の側方に配置されて成るミラートロンスパッタ装置において、前記各ターゲット間の磁場空間の前記各ターゲットのスパッタ面と略垂直な方向を成す周辺部の中の前記基板と対向する側の一部の磁束密度を前記周辺部の他の部分よりも低くするための磁性部材を、前記ターゲット及び磁石の前記基板と対向する側に、前記ターゲット及び磁石と対向するように配置したものである。
【選択図】 図1
Description
2 磁石
3 基板
4,14 磁性部材
5 スパッタ電源
6 不活性ガス
7 反応性ガス導入口
8 スパッタ粒子
9,19 磁場空間Hの周辺部
9a,19a 周辺部の一部
10,20 磁場空間Hの中央部分
H 両ターゲット間の磁場空間
Claims (2)
- 真空容器内に、一対のターゲットが所定の間隔を介して対向配置され、前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石が前記各ターゲットの背面側に配置され、被処理物である基板が前記各ターゲット間の磁場空間の側方に配置されて成るミラートロンスパッタ装置において、
前記各ターゲット間の磁場空間の前記各ターゲットのスパッタ面と略垂直な方向を成す周辺部の中の前記基板と対向する部分の磁束密度を前記周辺部の他の部分よりも低くするための磁性部材を、前記ターゲット及び磁石の前記基板と対向する側に、前記ターゲット及び磁石と対向するように配置した、ことを特徴とするミラートロンスパッタ装置。 - 真空容器内に、一対のターゲットが所定の間隔を介して対向配置され、前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石が、前記各ターゲットの背面側に、前記各ターゲットの外周部分に対向するように配置され、被処理物である基板が前記各ターゲット間の磁場空間の側方に配置されて成り、前記磁石により、前記各ターゲット間に、前記各ターゲットのスパッタ面と略垂直な方向を成す周辺部は磁束密度が高くその内側部分は磁束密度が低い磁場空間を形成するようにしたミラートロンスパッタ装置において、
前記各ターゲット間の磁場空間の前記周辺部の中の前記基板と対向する部分の磁束密度を前記周辺部の他の部分よりも低くするための磁性部材を、前記ターゲット及び磁石の前記基板と対向する側に、前記ターゲット及び磁石と対向するように配置した、ことを特徴とするミラートロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007096174A JP4854569B2 (ja) | 2007-04-02 | 2007-04-02 | ミラートロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007096174A JP4854569B2 (ja) | 2007-04-02 | 2007-04-02 | ミラートロンスパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008255389A true JP2008255389A (ja) | 2008-10-23 |
JP4854569B2 JP4854569B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=39979266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007096174A Active JP4854569B2 (ja) | 2007-04-02 | 2007-04-02 | ミラートロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4854569B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014162951A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Choshu Industry Co Ltd | ミラートロンスパッタ装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60182711A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性薄膜の形成方法およびその装置 |
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JP2002069632A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-08 | Canon Inc | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
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JP7114401B2 (ja) | 2018-08-21 | 2022-08-08 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
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A621 | Written request for application examination |
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