JP2008127582A - 複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、一対のマグネトロンカソード(10a及び20a、10b及び20b)を対向配置し、ターゲット10a,10b間空間に沿って、且つ少なくとも前記ターゲット10a,10bと基板Bとの間を遮るような位置に、一方のターゲット10aから他方のターゲット10bに向かう磁力線を有するような補助磁場空間を発生させてスパッタリングすることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (7)
- 間隔をおいて互いに対向するように配置される一対のターゲットと、該ターゲット表面に磁力線が弧状となるような湾曲磁場空間を発生させるために設けられる湾曲磁場発生手段と、一対のターゲット間の側方位置に配置される成膜対象となる基板とを備え、一方の湾曲磁場発生手段は、磁力線がターゲット表面の外周部から中心部に向かうように極性が設定され、他方の湾曲磁場発生手段は、磁力線がターゲット表面の中心部から外周部に向かうように極性が設定されているマグネトロンスパッタ装置であって、
前記対向するターゲット間空間に沿うような位置に補助磁場空間を発生させる補助磁場発生手段をさらに備え、該補助磁場発生手段は、補助磁場空間における磁力線が前記一方のターゲットから他方のターゲットに向かうように極性が設定されると共に、少なくとも前記ターゲット間空間と前記基板との間を遮るような位置に前記補助磁場空間を発生させるように前記一対のターゲットの周辺に配置されることを特徴とする複合型スパッタ装置。 - 前記補助磁場発生手段は、前記一対のターゲットを囲むようにその周縁に沿って配置されることを特徴とする請求項1に記載の複合型スパッタ装置。
- 前記補助磁場発生手段は、前記補助磁場空間の磁場強度がターゲットの中心部から離れるに従って強くなるように設定されることを特徴とする請求項1又は2に記載の複合型スパッタ装置。
- 前記一対のターゲットは、互いに対向する面が前記基板の被成膜面に向くように傾斜させてそれぞれ配置されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の複合型スパッタ装置。
- 前記一対のターゲットは、それぞれ180°位相がずれた交流電場を印加可能な交流電源が接続されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の複合型スパッタ装置。
- 間隔をおいて互いに対向する一対のターゲットの表面において、一方のターゲット表面には外周部から中心部に向かい、他方のターゲットの表面には中心部から外周部へ向かうよう、磁力線が弧状となるような湾曲磁場空間を発生させてスパッタリングし、該スパッタリングされたスパッタ粒子で前記一対のターゲット間の側方位置に配置される基板上の成膜面に成膜するマグネトロンスパッタ方法であって、
前記ターゲット間に形成される空間に沿って、且つ少なくとも前記ターゲット間に形成される空間と前記基板との間を遮るような位置に、一方のターゲットから他方のターゲットに磁力線が向かうような補助磁場空間を発生させてスパッタリングすることを特徴とする複合型スパッタ方法。 - 前記補助磁場空間は、前記ターゲット間に形成される空間の周囲を囲むよう、筒状に形成されることを特徴とする請求項5に記載の複合型スパッタ方法。
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