KR20240004297A - 스퍼터 장치 - Google Patents

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KR20240004297A
KR20240004297A KR1020237034922A KR20237034922A KR20240004297A KR 20240004297 A KR20240004297 A KR 20240004297A KR 1020237034922 A KR1020237034922 A KR 1020237034922A KR 20237034922 A KR20237034922 A KR 20237034922A KR 20240004297 A KR20240004297 A KR 20240004297A
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KR
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magnetic field
target holder
holder
plasma generation
Prior art date
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KR1020237034922A
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Inventor
소이치 오가와
아키노리 에베
유스케 곤도
요시하루 가케히
가즈오 사토
시로 이쿠하라
신이치 이와사키
Original Assignee
가부시키가이샤 이엠디
오사카 리서치 인스티튜트 오브 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀러지
소이치 오가와
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Publication date
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Abstract

스퍼터 장치(10)는 제1 타겟(T1) 및 제2 타겟(T2)을, 그들의 표면이 서로 대향하도록, 각각 유지하는 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)와, 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)에 각각 유지된 제1 타겟(T1)과 제2 타겟(T2)의 사이의 영역인 플라즈마 생성 영역(R)의 측방에 마련된 기판 홀더(16)와, 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112) 각각의 배면측에 마련되고, 서로 반대의 극이 대향하도록 자석이 배치된, 각각에 유지된 제1 타겟(T1) 및 제2 타겟(T2)의 표면에 각각 제1 주자계 및 제2 주자계를 생성하는 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)와, 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)에 각각 소정의 전위를 부여하는 것에 의해 플라즈마 생성 영역(R) 내에 전계를 생성하는 전원과, 플라즈마 생성 영역(R)의, 그 플라즈마 생성 영역(R)을 사이에 두고 기판 홀더(16)와 대향하는 측방에 마련된, 그 플라즈마 생성 영역(R) 내에 고주파 전자계를 생성하는 고주파 전자계 생성부(17)와, 플라즈마 생성 영역(R) 내에 플라즈마 원료 가스를 도입하는 플라즈마 원료 가스 도입부(15)를 구비하고, 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)의, 고주파 전자계 생성부(17) 측의 단부에는 자계를 생성하는 수단이 존재하지 않는다.

Description

스퍼터 장치
본 발명은 타겟의 원료 물질을 플라즈마에 의해 스퍼터링하여, 기판 상에 퇴적시킴으로써 성막을 행하는 스퍼터 장치에 관한 것이다.
종래부터, 스퍼터 장치에 있어서의 성막 속도를 빠르게 하는 것을 목적으로 하여, 타겟의 표면 부근에 생성되는 플라즈마의 밀도를 높이기 위한 고안이 시도되고 있다. 도 10에, 그러한 종래의 스퍼터 장치의 일례로서, 특허 문헌 1에 기재된 장치의 개략 구성을 나타낸다.
도 10에 나타낸 스퍼터 장치(90)는 2장의 판 모양의 타겟(T1, T2)을, 일방의 측방에서 간격이 넓어지도록 대향시켜 배치하는 제1 타겟 홀더(911) 및 제2 타겟 홀더(912)와, 제1 타겟 홀더(911)와 제2 타겟 홀더(912)의 사이의 영역인 플라즈마 생성 영역(R)을 사이에 두고 타겟(T1) 및 타겟(T2) 각각의 반대측(제1 타겟 홀더(911) 및 제2 타겟 홀더(912) 각각의 배면측)에 각각 마련되고, 타겟(T1, T2)의 표면 부근에 자계(이 자계를 「주자계」라고 부름)를 생성하는 제1 주자계 생성부(921) 및 제2 주자계 생성부(922)와, 제1 타겟 홀더(911)와 제2 타겟 홀더(912)의 사이의 영역인 플라즈마 생성 영역(R)의 측방 중 타겟(T1)과 타겟(T2)과의 간격이 넓은 쪽에 배치된 기판 홀더(96)를 구비한다.
스퍼터 장치(90)는 추가로, 제1 보조 자계 생성부(931) 및 제2 보조 자계 생성부(932)를 구비한다. 제1 보조 자계 생성부(931)는 제1 타겟 홀더(911)의 기판 홀더(96)쪽의 단부(端部)에 마련된 제1－1 보조 자석(9311)과, 제2 타겟 홀더(912)의 기판 홀더(96)쪽의 단부에 마련된 제1－2 보조 자석(9312)으로 이루어지고, 제1－1 보조 자석(9311)으로부터 제1－2 보조 자석(9312)을 향하는 제1 보조 자계를 생성하는 것이다. 제2 보조 자계 생성부(932)는 제1 타겟 홀더(911)의 기판 홀더(96)와는 반대측의 단부에 마련된 제2－1 보조 자석(9321)과, 제2 타겟 홀더(912)의 기판 홀더(96)와는 반대측의 단부에 마련된 제2－2 보조 자석(9322)으로 이루어지고, 제2－1 보조 자석(9321)으로부터 제2－2 보조 자석(9322)을 향하는 제2 보조 자계를 생성하는 것이다.
또, 스퍼터 장치(90)는 제1 타겟 홀더(911) 및 제2 타겟 홀더(912) 각각의 측방에 그들 타겟 홀더의 사이에 끼도록 2개씩 배치된 접지 전극(98)과, 제1 타겟 홀더(911) 및 제2 타겟 홀더(912) 각각과 접지 전극(98)의 사이에 전압을 인가하는 것에 의해 플라즈마 생성 영역(R) 내에 전계를 생성하는 직류 전원(94)과, 플라즈마 생성 영역(R) 내에 플라즈마의 원료가 되는 플라즈마 원료 가스(예를 들면 Ar 가스)를 공급하는 플라즈마 원료 가스 공급부(95)를 구비한다. 여기까지 언급한 스퍼터 장치(90)의 각 구성요소는, 직류 전원(94)을 제외하고, 진공 용기(99) 내에 수용되어 있다.
이 스퍼터 장치(90)에서는, 플라즈마 원료 가스 공급부(95)로부터 플라즈마 생성 영역(R)에 공급되는 플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자가, 플라즈마 생성 영역(R) 내에 생성되는 전계 및 주자계에 의해서 양이온과 전자로 전리(電離)되는 것에 의해 플라즈마가 생성된다. 그리고, 타겟(T1, T2)의 표면에 있어서, 양이온의 궤적이 주자계에 의해서 제1 타겟 홀더(911) 및 제2 타겟 홀더(912)측으로 구부러져, 양이온이 타겟(T1, T2)의 표면에 입사되는 것에 의해, 타겟(T1, T2)이 스퍼터링된다. 이렇게 하여 생성된 스퍼터 입자는, 타겟(T1, T2)의 표면이 기판 홀더(96)측을 향하도록 경사져 있기 때문에, 주로 기판 홀더(96)측을 향해 비행(飛行)하여, 기판 홀더(96)에 유지된 기판(S)의 표면에 퇴적된다. 이것에 의해, 기판(S)의 표면에 타겟(T1, T2)의 재료로 이루어지는 막이 제작된다.
플라즈마 생성 영역(R) 내에서 생성된 양이온 및 전자는, 기판 홀더(96)측 또는 그 반대측을 향해 비행하면, 제1 보조 자계 또는 제2 보조 자계로부터 받는 로렌츠력에 의해서 플라즈마 생성 영역(R) 내로 돌아가도록 진행 방향이 구부러진다. 이것에 의해, 이 스퍼터 장치(90)에서는 양이온 및 전자가 플라즈마 생성 영역(R) 내에 갇혀, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 플라즈마 밀도를 높일 수 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2008-127582호
상기 스퍼터 장치(90)에서는, 직류 전원(94)에 의해 인가되는 전압을 높게 하는 것에 의해, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 플라즈마 밀도를 더 높일 수 있을 것이다. 그렇지만, 이 전압을 높게 하면 플라즈마 생성 영역(R) 내에 이상 방전이 발생해 버리기 때문에, 플라즈마 밀도를 높게 하기 위해서는 새로운 고안이 필요하다.
본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 플라즈마 밀도를 높일 수 있고, 그에 따라 성막 속도를 빠르게 할 수 있는 스퍼터 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 스퍼터 장치는,
a) 제1 타겟 및 제2 타겟을, 그들의 표면이 서로 대향하도록, 각각 유지하는 제1 타겟 홀더 및 제2 타겟 홀더와,
b) 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더에 각각 유지된 제1 타겟과 제2 타겟의 사이의 영역인 플라즈마 생성 영역의 일방의 측방에 마련된 기판 홀더와,
c) 상기 제1 타겟을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성 영역의 반대측, 및 상기 제2 타겟을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성 영역의 반대측에 각각 마련되고, 서로 반대의 극이 대향하도록 자석이 배치된, 그 제1 타겟 및 그 제2 타겟의 표면에 각각 제1 주자계 및 제2 주자계를 생성하는 제1 주자계 생성부 및 제2 주자계 생성부와,
d) 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더에 각각 소정의 전위를 부여하는 것에 의해 상기 플라즈마 생성 영역 내에 전계를 생성하는 전원과,
e) 상기 플라즈마 생성 영역의, 그 플라즈마 생성 영역을 사이에 두고 상기 기판 홀더와 대향하는 측방에 마련된, 그 플라즈마 생성 영역 내에 고주파 전자계를 생성하는 고주파 전자계 생성부와,
f) 상기 플라즈마 생성 영역 내에 플라즈마 원료 가스를 도입하는 플라즈마 원료 가스 도입부를 구비하고,
상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더의, 상기 고주파 전자계 생성부측의 단부에는 자계를 생성하는 수단이 존재하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치에서는, 플라즈마 원료 가스 공급부로부터 플라즈마 생성 영역에 공급되는 플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자는, 상기 전계 그리고 주자계(상기 제1 주자계 및 상기 제2 주자계)에 더하여 상기 고주파 전자계가 작용하고, 그것에 의해 전리가 촉진된다.
제1 타겟 홀더 및 제2 타겟 홀더의, 고주파 전자계 생성부측의 단부에는 자계 생성 수단이 존재하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 스퍼터 장치에는, 상기 스퍼터 장치(90)에 있어서의 제2 보조 자계 생성부(932)에 상당하는 것은 존재하지 않는다. 이것은, 그 단부에 주자계 이외의 자계가 생성되면, 고주파 전자계 생성부에서 생성되는 고주파 전자계가 흐트러져, 그 고주파 전자계에 의한 플라즈마의 생성이 방해되어 버리기 때문이다. 또, 본 발명에서는 제1 주자계 생성부 및 제2 주자계 생성부에 있어서 서로 반대의 극(N극과 S극)이 대향하도록 자석이 배치되어 있는 것에 의해, 제1 주자계 및 제2 주자계에 의해 형성되는 제1 타겟의 표면 부근 및 제2 타겟의 표면 부근의 자계가 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역 내에 가두는 작용을 가진다. 그 때문에, 제2 보조 자계 생성부(932)에 상당하는 자계 생성 수단을 마련하지 않아도, 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역 내에 가둘 수 있다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의하면, 이와 같이 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역 내에 가두면서, 고주파 전자계 생성부가 생성하는 고주파 전자계에 의해 플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자의 전리를 촉진시키는 것에 의해, 플라즈마 생성 영역 내의 플라즈마의 밀도를 높일 수 있고, 이것에 의해서 성막 속도를 빠르게 할 수 있다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치에서는, 제1 타겟과 제2 타겟은 서로의 표면이 대향하도록, 제1 타겟 홀더 및 제2 타겟 홀더에 의해서 유지되면 된다. 즉, 그들 2개의 표면은, 서로 경사져 있어도 되고, 서로 평행이어도 된다. 제1 타겟의 표면과 제2 타겟의 표면이 비평행인 경우에는, 기판 홀더는, 특허 문헌 1에 기재된 것 같이 양 타겟의 간격의 넓은 쪽의 측방에 배치한 것이 스퍼터 입자를 보다 많이 기판 홀더측으로 비래(飛來)시킬 수 있기 때문에 바람직하지만, 본 발명에서는 그것으로는 한정되지 않는다. 이와 같이 제1 타겟과 제2 타겟이 어떠한 방향으로 배치되어 있는 경우에도, 그들 타겟이 동일한 방향인 것끼리 대비하면, 고주파 전자계 생성부를 가지는 본 발명이, 고주파 전자계 생성부가 없는 종래의 구성보다도 성막 속도를 빠르게 할 수 있다.
제1 타겟 및/또는 제2 타겟은 평판 모양의 것으로는 한정되지 않는다. 예를 들면,
상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더 중 어느 일방 또는 모두가, 원통 모양 부재의 측면에 원통 모양의 타겟을 유지하는 원통 모양 부재로서 그 원통의 축을 중심으로 회전 가능한 타겟 홀더이고,
상기 제1 주자계 생성부 및 상기 제2 주자계 생성부 중 대응하는 타겟 홀더가 상기 원통 모양 타겟 홀더인 것은 상기 원통 모양 부재의 내측에 배치되어 있다
고 하는 구성을 취할 수 있다. 이러한 원통 모양 타겟 홀더를 원통의 축을 중심으로 회전시키면서 스퍼터를 행하는 것에 의해, 타겟의 전체를 균일에 가깝게 스퍼터링할 수 있어, 타겟의 이용 효율을 높일 수 있다. 또한, 전술과 같이 제1 주자계 생성부와 제2 주자계 생성부에 있어서 서로 반대의 극이 대향하도록 자석이 배치되어 있기(그 상태가 유지되기) 때문에, 원통 모양 부재의 내측에 배치되어 있는 제1 주자계 생성부 및/또는 제2 주자계 생성부가 원통 모양 부재의 회전에 따라서 회전하지 않는다.
상기 전원이 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더에 부여하는 전위는 연속적으로 인가되는 직류여도 되고, 펄스 모양으로 반복하여 인가되는 직류(직류 펄스)나 교류(고주파)여도 된다. 제1 타겟 홀더와 제2 타겟 홀더 중 일방에 부여하는 전위를(연속적인) 직류로 하고, 타방을 직류 펄스나 교류로 해도 된다.
고주파 전자계 생성부에는, 2개의 전극 사이나 1개의 전극과 접지의 사이에 고주파 전압을 인가하는 것에 의해 고주파 전자계를 생성하는 용량 결합형 안테나(용량 결합형 전극)나, 도체에 고주파 전류를 흘리는 것에 의해 고주파 전자계를 생성하는 유도 결합형 안테나 등을 이용할 수 있다. 특히, 강한 고주파 전자계를 생성해도 이상 방전이 발생하기 어려운 유도 결합형 안테나를 고주파 전자계 생성부에 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치는 추가로, 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더의, 상기 기판 홀더측의 단부에, 상기 제1 타겟 홀더와 상기 제2 타겟 홀더 중 일방의 측으로부터 타방의 측을 향하는 보조 자계를 생성하는 보조 자계 생성부(상기 스퍼터 장치(90)가 가지는 제1 보조 자계 생성부(931)에 상당)를 구비하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역 내에 가둘 수 있다. 또, 고주파 전자계측의 단부와는 달리, 플라즈마 생성 영역의 기판 홀더측의 단부에 이러한 보조 자계를 생성해도, 고주파 전자계 생성부가 생성하는 고주파 전자계에 의한 플라즈마의 생성을 방해하는 것은 아니다. 그 때문에, 기판 홀더측에 보조 자계 생성부를 구비하는 것에 의해 플라즈마 밀도를 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치에 있어서, 상기 제1 주자계 생성부 및 상기 제2 주자계 생성부 중, 일방은 1개 또는 복수 개의 영구 자석을 구비하고 그 1개 또는 복수 개의 제1 영구 자석의 일방의 극(N극 또는 S극)이 상기 플라즈마 생성 공간측을 향하고 있는 것이고, 타방은 1개 또는 복수 개의 영구 자석을 구비하고 그 1개 또는 복수 개의 제2 영구 자석의 타방의 극이 상기 플라즈마 생성 공간측을 향하고 있는 것(제1 영구 자석의 N극을 플라즈마 생성 공간측을 향하게 한 경우에는 그 타방의 극은 S극, 제1 영구 자석의 S극을 플라즈마 생성 공간측을 향하게 한 경우에는 그 타방의 극은 N극)이라고 하는 구성을 취할 수 있다. 이것에 의해, 많은 스퍼터 장치에서 이용되고 있는 마그네트론을 제1 주자계 생성부 및 제2 주자계 생성부로 했을 경우 보다도, 제1 타겟 홀더와 제2 타겟 홀더의 사이에 낀 플라즈마 생성 영역에 양이온이나 전자를 가두기 쉽게 할 수 있다. 그 때문에, 플라즈마 생성 공간 내의 플라즈마의 밀도를 보다 높일 수 있다.
본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의하면, 플라즈마 밀도를 높일 수 있고, 그것에 의해서 성막 속도를 빠르게 할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 스퍼터 장치의 제1 실시 형태를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 스퍼터 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 개략 구성도이다.
도 3은 제2 실시 형태의 스퍼터 장치가 가지는 유도 결합형 안테나(27)에 고주파 전류를 공급하기 위한 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4는 비교예의 스퍼터 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 5a는 제2 실시 형태의 스퍼터 장치에 대해, 도 2의 일점 쇄선(중심선) 상에서의 자속 밀도의 그 중심선에 수직 및 평행한 성분의 강도를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5b는 비교예의 스퍼터 장치에 대해, 도 4의 일점 쇄선(중심선) 상에서의 자속 밀도의 그 중심선에 수직 및 평행한 성분의 강도를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 제2 실시 형태 및 비교예의 스퍼터 장치에 의해 제작된 막의 예를 나타내는 사진이다.
도 7은 제2 실시 형태 및 비교예의 스퍼터 장치에 있어서의 성막 속도를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 스퍼터 장치의 제3 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 제2 실시 형태의 스퍼터 장치의 변형예를 나타내는 개략 구성도이다.
도 10은 종래의 스퍼터 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 1~도 9를 이용하여, 본 발명에 따른 스퍼터 장치의 실시 형태를 설명한다.
(1) 제1 실시 형태
(1-1) 제1 실시 형태의 스퍼터 장치의 구성
도 1에 나타낸 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)는, 제1 타겟 홀더(111)와, 제2 타겟 홀더(112)와, 기판 홀더(16)와, 제1 주자계 생성부(121)와, 제2 주자계 생성부(122)와, 보조 자계 생성부(131)와, 직류 전원(상기 전원에 상당)(14)과, 유도 결합형 안테나(고주파 전자계 생성부)(17)와, 플라즈마 원료 가스 도입부(15)와, 고주파 전원(상기 전원과는 다른 전원)(171)을 가진다. 직류 전원(14) 및 고주파 전원(171)을 제외한 각 구성요소는 진공 용기(19) 내에 수용되어 있다. 스퍼터 장치(10)의 동작시에는, 진공 용기(19) 내는 진공 펌프(도시하지 않음)에 의해 대기가 배출된다.
제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)는 모두, 판 모양의 타겟(제1 타겟 홀더(111)에 유지되는 것을 제1 타겟(T1)이라고 하고, 제2 타겟 홀더(112)에 유지되는 것을 제2 타겟(T2)이라고 함)를 유지하는 것임과 아울러, 직류 전원(14)에 의해 음의 소정값을 가지는 전위가 부여되는 전극의 기능을 가진다. 그들 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)는, 제1 타겟 홀더(111)에 유지된 제1 타겟(T1)의 표면에 대해서, 제2 타겟 홀더(112)에 유지된 제2 타겟(T2)의 표면이 경사진 방향을 향하도록 배치되어 있다.
이들 제1 타겟 홀더(111)에 유지된 제1 타겟(T1)과 제2 타겟 홀더(112)에 유지된 제2 타겟(T2)의 사이의 영역에 플라즈마가 생성되기 때문에, 이 영역을 플라즈마 생성 영역(R)이라고 부른다.
기판 홀더(16)는 플라즈마 생성 영역(R)의, 제1 타겟(T1)과 제2 타겟(T2)의 간격이 넓은 쪽(도 1에서는 플라즈마 생성 영역(R)보다도 우측)의 측방에 마련되어 있다. 기판 홀더(16)의 표면은 플라즈마 생성 영역(R)에 대향하고 있고, 그 표면에 기판(S)이 유지된다. 기판 홀더(16)의 표면의 법선(도 1 중의 일점 쇄선)과 제1 타겟 홀더(111)의 표면이 이루는 각도, 및 그 법선과 제2 타겟 홀더(112)의 표면이 이루는 각도 θ는, 본 실시 형태에서는 모두 10°(따라서, 제1 타겟 홀더(111)의 표면과 제2 타겟 홀더(112)의 표면이 이루는 각도 2θ는 20°)로 했다. 각도 θ는 10°로는 한정되지 않지만, 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)측에 있어서의 개구부가 너무 커지지 않도록, 22.5° 이하(2θ를 45° 이하)로 하는 것이 바람직하다.
제1 주자계 생성부(121)는 제1 타겟 홀더(111)의 배면(즉, 제1 타겟(T1)을 사이에 두고 플라즈마 생성 영역(R)의 반대)측에 마련되어 있고, 제1 타겟(T1)의 표면을 포함하는 플라즈마 생성 영역(R) 내에 자계를 생성하는 것이다. 마찬가지로, 제2 주자계 생성부(122)는 제2 타겟 홀더(112)의 배면(즉, 제2 타겟(T2)을 사이에 두고 플라즈마 생성 영역(R)의 반대)측에 마련되어 있고, 제2 타겟(T2)의 표면을 포함하는 플라즈마 생성 영역(R) 내에 자계를 생성하는 것이다. 본 실시 형태에서는, 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)에는, 영구 자석에 의해 제작된 마그네트론을 이용한다. 마그네트론은 종래보다 많은 스퍼터 장치에서 이용되고 있는 자계 생성 장치이다. 제1 주자계 생성부(121)에서는, 제1 타겟 홀더(111)의 중앙에 대응하는 위치에는 플라즈마 생성 영역(R)측으로 S극이 향하도록 자석을 배치하고, 제1 타겟 홀더(111)의 서로 대향하는 2개의 단부에 대응하는 위치에는 각각 플라즈마 생성 영역(R)측으로 N극이 향하도록 자석을 배치하고 있다. 제2 주자계 생성부(121)에서는, 제2 타겟 홀더(112)의 중앙에 대응하는 위치에는 플라즈마 생성 영역(R)측으로 N극이 향하도록 자석을 배치하고, 제2 타겟 홀더(112)의 서로 대향하는 2개의 단부에 대응하는 위치에는 각각 플라즈마 생성 영역(R)측으로 S극이 향하도록 자석을 배치하고 있다. 이것에 의해, 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)의 각 자석은, 플라즈마 생성 영역(R)을 사이에 두고, 서로 반대의 극이 대향하도록 배치되게 된다. 또한, 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)의 모든 자석의 극이 상기와 반대로 되도록 각 자석을 배치해도 된다.
제1 타겟 홀더(111), 제2 타겟 홀더(112), 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)에는, 그들을 냉각시키는 냉각수 공급 기구(도시하지 않음)가 배치되어 있다.
보조 자계 생성부(131)는 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)의 기판 홀더(16)쪽의 단부에 마련된 영구 자석으로서, 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)쪽의 단부에, 제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112) 중 일방의 측으로부터 타방의 측을 향하는 자계(「보조 자계」라고 부름)를 생성하는 것이다. 도 1에 나타낸 예에서는, 보조 자계 생성부(131)는 제1 타겟 홀더(111)에 마련되고 플라즈마 생성 영역(R)측으로 N극이 향하도록(제1 주자계 생성부(121)에 있어서의 양단의 자석과 동일한 방향으로) 배치된 제1 보조 자석(1311)과, 제2 타겟 홀더(112)에 마련되고 플라즈마 생성 영역(R)측으로 S극이 향하도록(제2 주자계 생성부(122)에 있어서의 양단의 자석과 동일한 방향으로) 배치된 제2 보조 자석(1312)으로 이루어진다. 또한, 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)의 각 자석을 상기의 예와 역방향으로 배치했을 경우에는, 제1 보조 자석(1311) 및 제2 보조 자석(1312)도 상기의 예와 역방향으로 배치한다.
제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)의 기판 홀더(16)와는 반대측(유도 결합형 안테나(17)측)의 단부에는, 보조 자계 생성부(131)와 마찬가지의 보조 자계 생성부는 마련되어 있지 않다.
직류 전원(14)은 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)에 병렬로 접속되어 있고, 그들 2개의 타겟 홀더에 음이 직류 전위를 연속적으로 부여하는 것이다. 이것에 의해, 제1 타겟(T1) 및 제2 타겟(T2)의 표면을 포함하는 플라즈마 생성 영역(R) 내에, 접지와의 사이의 직류 전계가 생성된다. 또한, 직류 전원(14) 대신에(고주파 전원(171)과는 다른) 직류 펄스 전원 또는 고주파 전원을 이용하여, 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)와 접지의 사이에 고주파 전압을 인가하여, 그것에 의해 플라즈마 생성 영역(R) 내에 고주파 전계를 생성해도 된다.
유도 결합형 안테나(17)는 플라즈마 생성 영역(R)의 측방으로서, 플라즈마 생성 영역(R)을 사이에 두고 기판 홀더(16)와 대향하는 위치에 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 유도 결합형 안테나(17)는 U자형의 선 모양 도체로 이루어지고, 고주파 전원(171)으로부터 공급되는 고주파 전류가 선 모양 도체를 흐르는 것에 의해, 플라즈마 생성 영역(R) 내를 포함하는 영역에 고주파 전자계를 생성하는 것이다. 고주파 전원(171)과 유도 결합형 안테나(17)의 사이에는 임피던스 정합기(172)가 마련되어 있다.
제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112) 각각의 측방에는 그들 타겟 홀더의 사이에 끼도록 2개씩, 접지된 접지 전극(18)을 배치한다. 또, 진공 용기(19)의 벽은 도전성재로 이루어지고, 접지된다.
플라즈마 원료 가스 도입부(15)는 플라즈마 생성 영역(R) 내에 플라즈마 원료 가스를 도입하는 것이다. 플라즈마 원료 가스에는 본 실시 형태에서는 Ar(아르곤) 가스 또는 Ar과 N2(질소)의 혼합 가스를 이용한다.
(1-2) 제1 실시 형태의 스퍼터 장치의 동작
이하, 스퍼터 장치(10)의 동작을 설명한다. 먼저, 제1 타겟 홀더(111)에 제1 타겟(T1)을, 제2 타겟 홀더(112)에 제2 타겟(T2)을, 기판 홀더(16)에 기판(S)을, 각각 유지시킨다. 이 상태에서 진공 용기(19) 내의 기체(대기)를 진공 펌프에 의해 외부로 배출한다. 그 후, 플라즈마 원료 가스 도입부(15)로부터 플라즈마 생성 영역(R) 내에 플라즈마 원료 가스를 공급한다.
이에 더하여, 직류 전원(14)으로 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)와 접지 전극(18) 및 진공 용기(19)의 벽(전술과 같이 접지되어 있음)의 사이에 직류 전압을 인가하는 것에 의해 플라즈마 생성 영역(R) 내에 직류 전계를 생성한다. 또, 고주파 전원(171)으로부터 유도 결합형 안테나(17)에 고주파 전류를 흘리는 것에 의해 플라즈마 생성 영역(R) 내에 고주파 전자계를 생성한다. 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)는, 플라즈마 생성 영역(R) 내에 주자계를 생성한다. 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)측의 단부 부근에는, 보조 자계 생성부(131)에 의해 보조 자계가 생성된다.
플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자는, 직류 전계, 고주파 전자계 및 주자계에 의해서 양이온과 전자로 전리된다. 이것에 의해, 플라즈마가 생성된다. 그리고, 타겟(T1, T2)의 표면에 있어서, 그들 타겟(T1, T2)에 인가된 전계(직류, 직류 펄스, 또는 고주파)에 의해서 양이온이 타겟 표면을 향해 끌어 당겨져, 양이온이 타겟(T1, T2)의 표면에 입사된다. 이것에 의해, 타겟(T1, T2)이 스퍼터링된다. 이렇게 하여 생성된 스퍼터 입자는, 타겟(T1, T2)의 표면이 기판 홀더(16)측을 향하도록 경사져 있기 때문에, 주로 기판 홀더(16)측을 향해 비행하여, 기판 홀더(16)에 유지된 기판(S)의 표면에 퇴적된다. 이것에 의해, 기판(S)의 표면에 타겟(T1, T2)의 재료로 이루어지는 막이 제작된다.
본 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에서는, 직류 전계 및 주자계에 더하여, 유도 결합형 안테나(17)에 의한 고주파 전자계가 작용하는 것에 의해, 해당 유도 결합형 안테나(17)가 없는 경우보다도 플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자의 전리를 촉진할 수 있다.
플라즈마 생성 영역(R) 내에서 생성된 양이온 및 전자 중 기판 홀더(16)측을 향해 비행한 것은, 보조 자계 생성부(131)에 의해 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)측의 단부 부근에 생성되는 보조 자계로부터 받는 로렌츠력에 의해서 플라즈마 생성 영역(R) 내로 돌아가도록 진행 방향이 구부러진다. 이것에 의해, 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역(R) 내에 가둘 수 있다. 그 때문에, 플라즈마 중의 전자나 하전 입자가 기판(S)의 표면에 비래하는 것이 억제되어, 기판(S)의 표면의 온도가 상승하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 플라즈마 생성 영역(R)의 유도 결합형 안테나(17)측의 단부 부근에는 보조 자계가 생성되지 않는다. 그러나, 양이온 및 전자 중 유도 결합형 안테나(17)측으로 비행한 것은, 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122)에 의해 형성되는 제1 타겟(T1) 및 제2 타겟(T2)의 표면 부근의 자계에 의해서 플라즈마 생성 영역(R) 내에 가둘 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에 의하면, 유도 결합형 안테나(17)에 의해 플라즈마 원료 가스의 원자 또는 분자의 전리를 촉진하면서, 보조 자계 생성부(131)에 의해 생성되는 보조 자계 및 주자계에 포함되는 제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112) 중 일방의 측으로부터 타방의 측을 향하는 자계의 성분에 의해서 양이온이나 전자를 플라즈마 생성 영역(R) 내에 가두는 것에 의해, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 플라즈마 밀도를 높일 수 있다.
본 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에 있어서, 만일, 플라즈마 생성 영역(R)의 유도 결합형 안테나(17)측의 단부에 제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112) 중 일방의 측으로부터 타방의 측을 향하는 보조 자계를 생성하면, 유도 결합형 안테나(17)가 생성하는 고주파 전자계가 흐트러져, 그 고주파 전자계에 의한 플라즈마의 생성이 방해된다. 그러면, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 플라즈마 밀도를 높일 수 없다. 그 때문에, 전술과 같이, 본 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에서는 제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112)의 유도 결합형 안테나(17)측의 단부에는 보조 자계 생성부를 마련하지 않는다.
(2) 제2 실시 형태
(2-1) 제2 실시 형태의 스퍼터 장치의 구성 및 동작
도 2에, 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)의 구성을 나타낸다. 이 스퍼터 장치(20)는 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222) 그리고 유도 결합형 안테나(27)의 구성이, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에 있어서의 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122) 그리고 유도 결합형 안테나(17)의 구성과 상이한 점을 제외하고, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)와 마찬가지의 구성을 가진다. 그 때문에, 이하에서는 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222) 그리고 유도 결합형 안테나(27)의 구성만을 설명한다.
제1 주자계 생성부(221)는 복수 개의 영구 자석을 구비하고, 그들 복수 개의 영구 자석은 모두 동일한 극(도 2에 나타낸 예에서는 N극)이 플라즈마 생성 영역(R)측을 향하고 있다. 제2 주자계 생성부(222)도 또 복수 개의 영구 자석을 구비하고, 그들 복수 개의 영구 자석은 모두 동일한 극으로서 제1 주자계 생성부(221)의 복수 개의 영구 자석과는 반대의 극(도 2에 나타낸 예에서는 S극)이 플라즈마 생성 영역(R)측을 향하고 있다. 이러한 구성에 의해, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 전체에 걸쳐, 제1 주자계 생성부(221)와 제2 주자계 생성부(222) 중 일방으로부터 타방을 향하는 주자계가 생성된다. 이러한 주자계에 의해, 기판 홀더(16)측 또는 유도 결합형 안테나(27)측을 향해 비행하는 양이온 및 전자가 그 주자계로부터 로렌츠력을 받아 진행 방향이 구부러져, 그들 양이온 및 전자를 플라즈마 생성 영역(R) 내에 가둘 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222)에도 냉각수에 의한 냉각 기구(도시하지 않음)가 배치되어 있다.
유도 결합형 안테나(27)는 동 등의 양도체의 금속판으로 이루어지는 면 모양의 안테나이다. 또한, 유도 결합형 안테나(27)에는 열팽창의 영향을 받기 어렵다고 하는 점에서, 금속 섬유 시트를 이용해도 된다. 본 실시 형태에서는, 유도 결합형 안테나(27)는 직사각형상의 형상을 가지고, 양 단변(短邊)을 따라서 장착된 막대 모양의 급전 단자 (271)을 통해서 고주파 전류가 도입된다(도 3).
제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)의 동작은, 기본적으로는 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)의 동작과 마찬가지이다. 상기와 같이 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222)가 생성하는 주자계에 의해서 양이온 및 전자를 플라즈마 생성 영역(R) 내에 가둘 수 있기 때문에, 플라즈마 생성 영역(R) 내의 플라즈마 밀도를 더 높일 수 있다.
(2-2) 제2 실시 형태 및 비교예의 스퍼터 장치에 의한 실험
다음으로, 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20), 및 도 4에 나타내는 비교예의 스퍼터 장치(80)를 이용하여 행한 실험의 결과를 나타낸다. 비교예의 스퍼터 장치(80)는, 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에 제2 보조 자계 생성부(832)를 추가 마련한 것이다. 제2 보조 자계 생성부(832)는 제1 타겟 홀더(111)의 유도 결합형 안테나(27)쪽의 단부에 마련된 영구 자석인 제2－1 보조 자석(8321)과, 제2 타겟 홀더(112)의 유도 결합형 안테나(27)쪽의 단부에 마련된 영구 자석인 제2－2 보조 자석(8322)으로 이루어진다. 제2－1 보조 자석(8321)은 플라즈마 생성 영역(R)측으로 N극이 향하도록 배치되고, 제2－2 보조 자석(8322)는 플라즈마 생성 영역(R)측으로 S극이 향하도록 배치되어 있다.
＜실험 1＞
먼저, 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)와 비교예의 스퍼터 장치(80) 각각에 대해, 기판 홀더(16)의 표면의 법선으로서 제1 타겟 홀더(111)의 표면과 제2 타겟 홀더(112)의 표면으로부터 등거리의 선인 중심선(도 2 및 도 4 중의 일점 쇄선) 상의 각 위치에 있어서의 자속 밀도의, 그 중심선에 수직인 방향의 성분(수직 성분) 및 그 중심선에 평행한 방향의 성분(평행 성분)의 강도를 측정했다. 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)의 측정 결과를 도 5a에, 비교예의 스퍼터 장치(80)의 측정 결과를 도 5b에, 각각 나타낸다. 모두, 자속 밀도의 수직 성분은 평행 성분보다도 충분히 크다. 제2 실시 형태에서는, 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)측의 단부 부근에 있어서의 자속 밀도의 수직 성분(제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112) 중 일방에 있어서의 기판 홀더(16)측의 단부로부터 타방에 있어서의 기판 홀더(16)측의 단부를 향하는 자속 밀도의 성분)이 다른 개소보다도 크고, 0.03T 이상으로 되어 있다. 그에 대해서 플라즈마 생성 영역(R)의 유도 결합형 안테나(27)측의 단부 부근에 있어서의 자속 밀도의 수직 성분(제1 타겟 홀더(111)와 제2 타겟 홀더(112) 중 일방에 있어서의 유도 결합형 안테나(27)측의 단부로부터 타방에 있어서의 유도 결합형 안테나(27)측의 단부를 향하는 자속 밀도의 성분)이 다른 개소 보다도 작고, 0.015T 이하로 되어 있다. 한편, 비교예에서는, 플라즈마 생성 영역(R)의 기판 홀더(16)측, 유도 결합형 안테나(27)측 모든 단부에 있어서, 자속 밀도의 수직 성분은 다른 개소 보다도 크고, 0.03T 이상으로 되어 있다.
＜실험 2＞
이들 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)와 비교예의 스퍼터 장치(80) 각각에 대해, 플라즈마 원료 가스로서 Ar 가스를 100sccm의 유량으로 공급하고, 압력을 0.5Pa로 한 조건하에서, 제1 타겟 홀더(111)와 접지의 사이 및 제2 타겟 홀더(112)와 접지의 사이에 각각 직류 전원(14)에 의해, ON 시간이 3마이크로초, ON 시간에 있어서의 전압이 -220V인 펄스 모양의 직류 전압을 80kHz의 반복 주파수로 인가하면서, 고주파 전원(171)으로부터 유도 결합형 안테나(27)에 고주파 전력(주파수 13.56MHz)을 공급했다. 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에서는 고주파 전력이 100~1500W의 범위 내에서 안정적으로 유도 결합 안테나에 의한 플라즈마가 생성되는 것을 확인했다. 특히 고주파 전력 1100W 이상일 때에는, 임피던스 정합기(172)에 있어서의 정합 위치의 변화로부터, 유도 결합 모드의 플라즈마가 생성되어 있는 것이 추측된다. 한편, 비교예의 스퍼터 장치(80)에서는 고주파 전력이 100~600W인 모든 범위 내에 있어서, 유도 결합형 안테나(27)에 의해서 안정적으로 플라즈마를 생성할 수 없었다. 이것은 유도 결합형 안테나(27)의 근방의 자장 구조가 본 실시 형태의 스퍼터 장치(20)와 상이한 것에 의한 영향이라고 생각할 수 있고, 유도 결합형 안테나 근방의 자장 구조의 최적화가 중요한 것을 나타내고 있다.
＜실험 3＞
다음으로, 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에 대해, Al으로 이루어지는 타겟(T1 및 T2)를 제1 타겟 홀더(111) 및 제2 타겟 홀더(112)에 장착하고, 플라즈마 원료 가스로서 Ar과 N2의 혼합 가스(N2의 함유율은 0~40%의 범위 내. 그 함유율이 0%인 것은 Ar 가스.)를 공급하면서, 실험 2와 동일 조건으로 직류 전원(14)에 의한 직류 전압의 인가를 행하고, 고주파 전원(171)으로부터 유도 결합형 안테나(27)에 2000W, 주파수 13.56MHz의 고주파 전력을 공급하는 실험을 행했다. 비교예의 스퍼터 장치(80)에 대해서도 마찬가지의 실험을 행했지만, 실험 2에 의해서 유도 결합형 안테나(27)를 이용한 유도 결합형 플라즈마가 생성되지 않은 것이 확인되었기 때문에, 유도 결합형 안테나(27)로의 고주파 전력의 공급은 행하지 않았다. 따라서, 비교예에 관해서는, 실질적으로는 유도 결합형 안테나(27)가 없는 종래의 스퍼터 장치(90)와 마찬가지이다.
이 실험에 의해서 얻어진 막의 사진을 도 6에 나타낸다. 제2 실시 형태, 비교예 모두, N2의 함유율이 0%일 때에는 은색의 막이, 그 함유율이 27% 및 40%일 때에는 투명한 막이, 각각 얻어져 있다. 은색의 막은 단체(單體)의 Al의 막이며, 투명한 막은 AlN의 막이다.
제2 실시 형태 및 비교예에 대해, 해당 실험에 있어서의 성막 속도(얻어진 막의 두께를 성막에 필요로 한 시간으로 나눈 값)를 측정한 결과를 도 7에 나타낸다. N2의 함유율이 모든 값의 경우에, 비교예보다도 제2 실시 형태의 쪽이 성막 속도가 빠른 것을 알 수 있다.
(3) 제3 실시 형태
도 8에 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)의 구성을 나타낸다. 이 스퍼터 장치(30)는 제1 타겟 홀더(311), 제2 타겟 홀더(312), 제1 주자계 생성부(321) 및 제2 주자계 생성부(322)의 구성이, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에 있어서의 제1 타겟 홀더(111), 제2 타겟 홀더(112), 제1 주자계 생성부(211) 및 제2 주자계 생성부(212)의 구성과 다르다.
제1 타겟 홀더(311)는 원통 모양 부재로 이루어진다. 도 8에서는 스퍼터 장치(30)의 전체를 그 원통 모양 부재의 축과 수직인 단면으로 나타내고 있다. 원통 모양 부재는 도 8의 지면에 수직인 방향으로 연장되어 있다. 이 원통 모양 부재의 측면의 전체 둘레에 걸쳐 타겟(T1)이 유지된다. 제1 타겟 홀더(311)는 모터(도시하지 않음)를 이용하여 상기 원통의 축을 중심으로 회전시킬 수 있다. 제2 타겟 홀더(312)도 제1 타겟 홀더(311)와 마찬가지의 구성을 가지고, 원통의 측면의 전체 둘레에 걸쳐 타겟(T2)이 유지되고, 원통의 축을 중심으로 하여 회전시킬 수 있다. 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)의 회전에 따라서, 타겟(T1 및 T2)도 회전한다. 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)는 모두 도전성 재료로 이루어지고, 직류 전원(14)에 접속된 도선과 회전시에 슬라이딩하면서 접촉하고 있다.
제1 주자계 생성부(321)는 제1 타겟 홀더(311)의 원통의 내측에 마련되어 있고, 3개의 자석이, 제1 타겟 홀더(311)와 제2 타겟 홀더(312)의 중간선(기판 홀더(16)의 표면에 수직인 선. 도 8 중의 일점 쇄선.)에 대해서 경사진 방향으로 늘어서서 배치된 것이다. 그들 3개의 자석의 자극은, 늘어선 순으로 S극, N극, S극이 원통의 외측을 향하도록 배치되어 있다. 제2 주자계 생성부(322)는 제2 타겟 홀더(312)의 원통의 내측에 마련되어 있고, 제1 주자계 생성부(321)와 상기 중간선에 관해서 대칭이 되도록 3개의 자석이 배치되어 있다. 단, 그들 제2 주자계 생성부(322)의 3개의 자석의 자극은, 대향하는 제1 주자계 생성부(321)의 3개의 자석과는 역극성으로 되어 있고, N극, S극, N극의 순으로 늘어서 있다. 또한, 이들 제1주자계 생성부(321) 및 제2 주자계 생성부(322)는 (제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)가 회전하고 있을 때도) 회전하지 않는다.
제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)의 원통의 내부에는 냉각수가 흘려져, 타겟(T1, T2), 제1 주자계 생성부(321) 및 제2 주자계 생성부(322)가 냉각된다.
제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에는 또한, 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)의 외측에 접지 전위의 쉴드판(34)이 마련되어 있다. 쉴드판(34)은 유도 결합형 안테나(17)측이 개방되어 있음과 아울러, 기판 홀더(16)에 대향하는 위치에는 개구(341)가 마련되어 있다. 또, 스퍼터 장치(30)에는, 개구(341)를 사이에 두고 서로 다른 극이 대향하도록 제1 보조 자석(3311)과 제2 보조 자석(3312)이 배치되어 이루어지는 보조 자계 생성부(331)가 마련되어 있다. 이와 같이 보조 자계 생성부(331)를 배치하는 것에 의해, 쉴드판(34)의 개구(341)에 대해서 수평 방향의 자력선이 형성되고, 제1 타겟 홀더(311)와 제2 타겟 홀더(312)의 사이에 생성된 플라즈마가 갇힌다. 그 때문에, 플라즈마 중의 전자나 하전 입자가 기판(S)의 표면에 날아 오는 것이 억제되어, 기판(S)의 표면의 온도가 상승하는 것을 억제할 수 있다.
제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)의 기판 홀더(16)와는 반대측(유도 결합형 안테나(17)측)의 단부에는, 보조 자계 생성부(331)와 마찬가지의 보조 자계 생성부는 마련되어 있지 않다. 또한, 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에는, 접지 전극(18)에 대응하는 것은 마련되어 있지 않지만, 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)의 근방에 접지 전극을 마련해도 된다
제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)의 동작은, 스퍼터 처리 중에 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)를 회전시키는 점을 제외하고, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)의 동작과 마찬가지이다. 이와 같이 제1 타겟 홀더(311) 및 제2 타겟 홀더(312)를 회전시키는 것에 의해, 그것들에 유지된 타겟(T1 및 T2)의 전체를 균일하게 스퍼터링할 수 있다.
(4) 변형예
본 발명은 상기 실시 형태로는 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다.
예를 들면, 제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10) 및 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에 있어서, U자형의 유도 결합형 안테나(17) 대신에, 제2 실시 형태에서 이용한 금속판이나 금속 섬유성의 면 모양의 유도 결합형 안테나(27)를 이용해도 된다. 또, 유도 결합형 안테나는 U자형 및 면 모양의 것으로는 한정되지 않고, 선 모양 도체를 복수 회 권회(卷回)한 코일이나 그 외의 유도 결합형 안테나를 이용해도 된다.
고주파 전자계 생성부로서, 유도 결합형 안테나 대신에 용량 결합형 안테나(전극)를 이용해도 된다. 단, 용량 결합형 안테나보다도 유도 결합형 안테나의 쪽이, 강한 고주파 전자계를 생성해도 이상 방전이 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다.
제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10)에 있어서, 마그네트론인 제1 주자계 생성부(121) 및 제2 주자계 생성부(122) 대신에, 제2 실시 형태에서 이용한 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222)를 이용해도 된다. 또, 각 실시 형태에 있어서의 제1 주자계 생성부 및 제2 주자계 생성부는 상기의 예로는 한정되지 않고, 다양한 자계 생성 수단을 이용할 수 있다.
제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에서 이용한 제1 주자계 생성부(221) 및 제2 주자계 생성부(222), 그리고 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에서 이용한 제1 주자계 생성부(321) 및 제2 주자계 생성부(322)에서는, 각각 복수 개의 영구 자석을 이용했지만, 그들 주자계 생성부 중 일방 또는 양방에 있어서 영구 자석을 1개만 이용해도 된다.
보조 자계 생성부(131)는 본 발명에 있어서 필수가 아니고, 도 9에 예시하는 스퍼터 장치(20A)와 같이 생략해도 된다. 또한, 도 9에서는 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)로부터 보조 자계 생성부(131)를 생략한 예를 나타냈지만, 제1 실시 형태나 제3 실시 형태 등의 그 외의 구성에 있어서 보조 자계 생성부를 생략해도 된다.
제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10) 및 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에서는 2개의 평판 모양의 타겟이 서로 비평행이 되도록 2개의 타겟 홀더를 배치했지만, 그것들을 서로 평행하게 배치해도 된다. 또, 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에서는 2개의 원통 모양의 타겟의 축이 서로 평행이 되도록 2개의 타겟 홀더를 배치했지만, 그것들을 서로 비평행하게 배치해도 된다.
제1 실시 형태의 스퍼터 장치(10) 및 제2 실시 형태의 스퍼터 장치(20)에서는 2개의 평판 모양의 타겟을, 제3 실시 형태의 스퍼터 장치(30)에서는 2개의 원통 모양의 타겟을, 각각 이용했지만, 2개의 타겟 중 일방을 평판 모양, 타방을 원통 모양으로 해도 된다.
10, 20, 20A, 30, 80, 90…스퍼터 장치
111, 311, 911…제1 타겟 홀더
112, 312, 912…제2 타겟 홀더
121, 221, 321, 921…제1 주자계 생성부
122, 222, 322, 922…제2 주자계 생성부
131, 331…보조 자계 생성부
1311, 3311…제1 보조 자석
1312, 3312…제2 보조 자석
14, 94…직류 전원
15, 95…플라즈마 원료 가스 도입부
16, 96…기판 홀더
17, 27…유도 결합형 안테나
171…고주파 전원
172…임피던스 정합기
18, 98…접지 전극
19, 99…진공 용기
271…급전 단자
832, 932…제2 보조 자계 생성부
8321, 9321…제2－1 보조 자석
8322, 9322…제2－2 보조 자석
931…제1 보조 자계 생성부
9311…제1－1 보조 자석
9312…제1－2 보조 자석
R…플라즈마 생성 영역
S…기판
T1…제1 타겟
T2…제2 타겟

Claims (8)

  1. a) 제1 타겟 및 제2 타겟을, 그들의 표면이 서로 대향하도록, 각각 유지하는 제1 타겟 홀더 및 제2 타겟 홀더와,
    b) 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더에 각각 유지된 제1 타겟과 제2 타겟의 사이의 영역인 플라즈마 생성 영역의 일방의 측방에 마련된 기판 홀더와,
    c) 상기 제1 타겟을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성 영역의 반대측, 및 상기 제2 타겟을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성 영역의 반대측에 각각 마련되고, 서로 반대의 극이 대향하도록 자석이 배치된, 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟의 표면에 각각 제1 주자계 및 제2 주자계를 생성하는 제1 주자계 생성부 및 제2 주자계 생성부와,
    d) 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더에 각각 소정의 전위를 부여하는 것에 의해 상기 플라즈마 생성 영역 내에 전계를 생성하는 전원과,
    e) 상기 플라즈마 생성 영역의, 상기 플라즈마 생성 영역을 사이에 두고 상기 기판 홀더와 대향하는 측방에 마련된, 상기 플라즈마 생성 영역 내에 고주파 전자계를 생성하는 고주파 전자계 생성부와,
    f) 상기 플라즈마 생성 영역 내에 플라즈마 원료 가스를 도입하는 플라즈마 원료 가스 도입부를 구비하고,
    상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더의, 상기 고주파 전자계 생성부측의 단부에는 자계를 생성하는 수단이 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더가, 상기 제1 타겟 및 제2 타겟을, 그들의 표면이 서로 경사져서 대향하도록, 각각 유지하는 것인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판 홀더가, 상기 플라즈마 생성 영역의, 간격이 넓은 쪽의 측방에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더 중 어느 일방 또는 모두가, 원통 모양 부재의 측면에 원통 모양의 타겟을 유지하는 원통 모양 부재로서 상기 원통의 축을 중심으로 회전 가능한 타겟 홀더이고,
    상기 제1 주자계 생성부 및 상기 제2 주자계 생성부 중 대응하는 타겟 홀더가 상기 원통 모양 타겟 홀더인 것은 상기 원통 모양 부재의 내측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로, 상기 제1 타겟 홀더 및 상기 제2 타겟 홀더의, 상기 기판 홀더측의 단부에, 상기 제1 타겟 홀더와 상기 제2 타겟 홀더 중 일방의 측으로부터 타방의 측을 향하는 보조 자계를 생성하는 보조 자계 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 전자계 생성부가 유도 결합형 고주파 안테나인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 주자계 생성부 및 상기 제2 주자계 생성부 중, 일방은 1개 또는 복수 개의 영구 자석을 구비하고 상기 1개 또는 복수 개의 제1 영구 자석의 일방의 극이 상기 플라즈마 생성 공간측을 향하고 있는 것이고, 타방은 1개 또는 복수 개의 영구 자석을 구비하고 상기 1개 또는 복수 개의 제2 영구 자석의 타방의 극이 상기 플라즈마 생성 공간측을 향하고 있는 것인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 타겟 홀더와 상기 2 타겟 홀더 중 일방에 있어서의 상기 기판 홀더측의 단부로부터 타방에 있어서의 상기 기판 홀더측의 단부를 향하는 자속 밀도의 성분의 크기가 0.3T 이상이고,
    상기 제1 타겟 홀더와 상기 2 타겟 홀더 중 일방에 있어서의 상기 고주파 전자계 생성부측의 단부로부터 타방에 있어서의 상기 고주파 전자계 생성부측의 단부를 향하는 자속 밀도의 성분의 크기가 0.015T 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01298154A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Kikuo Tominaga 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置
JPH07238371A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Canon Inc プラズマ増強スパッタリング装置
US6689253B1 (en) * 2001-06-15 2004-02-10 Seagate Technology Llc Facing target assembly and sputter deposition apparatus
KR101097329B1 (ko) * 2010-01-11 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치
JP2018053272A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 成膜装置
US10580627B2 (en) * 2018-04-26 2020-03-03 Keihin Ramtech Co., Ltd. Sputtering cathode, sputtering cathode assembly, and sputtering apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008127582A (ja) 2006-11-16 2008-06-05 Osaka Vacuum Ltd 複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法

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