JP6735314B2 - 高周波(rf)スパッタ堆積源、堆積装置及びその組立て方法 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源(100)であって、
前記真空チャンバの壁部(102)と、
前記スパッタ堆積中に堆積されるべき材料を供給するターゲット(20)と、
RF電力を前記ターゲットに供給するためのRF電源と、
前記ターゲットを前記RF電源に接続するための電力コネクタ(222)と、
前記真空チャンバの内部から壁部を経て外部へと伸びる導体ロッド(110;310、312)とを備え、
前記導体ロッド(110;310、312)は、前記真空チャンバの内側では一つ以上の部品(140)に接続され、前記真空チャンバの外側では前記RF電源に接続されて、内部にRF電流のリターンパスを確定し、
前記一つ以上の部品は遮蔽箱(342、344、346)を備え、
前記遮蔽箱(342、344、346)と前記導体ロッド(110;310、312)との接続に関して、前記遮蔽箱(342、344、346)と前記真空チャンバの壁部(102)との間に所定のスペースを有する間隙(334)が形成されている、スパッタ堆積源。 - 前記導体ロッドは、リターンパスRF集電金属シートに接続される、請求項1に記載のスパッタ堆積源。
- 前記リターンパスRF集電金属シートは、電源金属シートに接続またはねじ留めされる、請求項2に記載のスパッタ堆積源。
- 前記導体ロッドは、前記壁部を通って突き出るように構成された追加的な部分の幅より広い幅のヘッド部を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記導体ロッドは、前記壁部への接続のために真空密閉が提供されるようなOリング用に構成された少なくとも一つの溝を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記導体ロッドのヘッド部には少なくとも一つの溝が設けられている、請求項5に記載のスパッタ堆積源。
- 前記RF電源は、前記電力コネクタ及び前記導体ロッドに整合器を経由して接続される、請求項1から6のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記電力コネクタは、接合ブリッジ及び前記接合ブリッジに接続またはねじ留めされたホットパス金属シートを更に含む、請求項1から7のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記導体ロッドは、前記壁部の内側表面を越えて、少なくとも0.8mmだけ突き出て、前記壁部の前記内側表面と前記一つ以上の部品の間に間隙が形成される、請求項1から8のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記一つ以上の部品は、少なくとも一つの遮蔽箱を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 前記導体ロッドは、前記真空チャンバの外側及び/又は前記真空チャンバの内側に少なくとも一つのねじ山を有する、請求項1から10のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
- 真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置であって、
請求項1から11のいずれか一項に記載の、前記真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源と、
前記真空チャンバと
を含む、装置。 - 前記壁部は、前記真空チャンバに接続された前記スパッタ堆積源のドアである、請求項12に記載の装置。
- 真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置を組立てる方法であって、
前記真空チャンバの壁部(102)を通って導体ロッド(110;310、312)を挿入することと、
前記真空チャンバの内側の一つ以上の部品(140)を前記導体ロッド(110;310、312)に接続することと、
前記導体ロッド(110;310、312)をRF電源に接続して、前記導体ロッドを通る確定されたRFリターンパスを生成することと
を含み、
前記一つ以上の部品(140)は遮蔽箱(342、344、346)を備え、
前記遮蔽箱(342、344、346)と前記導体ロッド(110;310、312)との接続に関して、前記遮蔽箱(342、344、346)と前記真空チャンバの壁部(102)との間に所定のスペースを有する間隙(334)が形成されている、方法。 - ターゲットに接続されている接合ブリッジにホットパス金属シートをねじ留めすることを更に含み、
前記導体ロッド(110;310、312)を前記RF電源に接続することは、
電源金属シートをリターンパスRF集電金属シートにねじ留めすることを含む、請求項14に記載の方法。
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