KR940000874B1 - 성막장치 - Google Patents

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KR940000874B1
KR940000874B1 KR1019900015244A KR900015244A KR940000874B1 KR 940000874 B1 KR940000874 B1 KR 940000874B1 KR 1019900015244 A KR1019900015244 A KR 1019900015244A KR 900015244 A KR900015244 A KR 900015244A KR 940000874 B1 KR940000874 B1 KR 940000874B1
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dielectric
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히또시 다무라
다모쯔 시미즈
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가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음.

Description

성막장치
제1도는 본 발명의 제1의 실시예인 스퍼터장치의 일부 단면 측면도.
제2도는 제1도에 도시한 차폐용 부품의 확대단면 측면도.
제3도는 차폐용 부품의 확대 상면도.
제4도는 차폐용 부품의 다른 1실시예를 도시한 단면 측면도.
제5도는 상면도.
제6도는 본 발명의 제2의 실시예인 스퍼터장치의 일부 단면 측면도.
제7도는 제6도에 도시한 차폐용 부품의 확대 단면 측면도.
제8도는 차폐용 부품의 확대 상면도.
제9도는 원형 도파관의 TE11모드의 전계 분포도를 도시한 도면.
본 발명은 마이크로파를 사용한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 특히 마이크로파 전력을 플라즈마에 안정하게 공급하는데 적합한 마이크로파를 사용한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
LSI의 미세화 및 고밀도화에 따라 배선을 흐르는 전류의 밀도가 증대하여 차세대의 LSI를 실현하기 위한 문제로 되고 있다. 그 때문에, 고품질의 배선막을 형성하기 위한 연구가 실행되고 있으며, 바이어스 스퍼터법은 고품질막의 형성을 위한 유력한 방법의 하나이다. 바이어스 스퍼터법이라 함은 막을 형성하는 기판(이하, 기판이라 한다)에 이온을 조사하면서 성막하는 방법으로서, 이온조사에 의해서 막의 결정성을 제어할 수 있어 단차로의 막의 스텝 커버리지를 개선할 수 있다. 그러나, 현상태의 스퍼터장치에서는 기판에 입사시키는 이온에너지가 기판에 부여하는 바이어스전압으로 용이하게 제어할 수 있는 것에 대해서 이온의 양을 제어하는 것은 직류 또는 고주파 전력만으로 플라즈마의 발생과 타겟의 스퍼터를 동시에 실행하고 있기 때문에 곤란하다. 그래서, 제2의 에너지원으로서 마이크로파를 이용한 스퍼터 성막장치가 개발되고 있다.
마이크로파를 이용하면, 고진공 영역에서 고밀도의 플라즈마의 발생이 가능하고, 타겟으로 인가하는 직류 또는 고주파전력과 독립적으로 마이크로파 전력에 의해서 이온의 양을 제어할 수 있는 것에서 주목되고 있다.
마이크로파를 도전막의 성막에 이용한 예로서는, 종래 예를들면 일본국 특허공개공보 소화 59-47728호에 제안되어 있다.
상기 종래기술은 마이크로파를 도입하기 위한 유전체부품(이하, 윈도우재라 한다) 표면에 성막하는 금속 재료가 부착하여 마이크로파가 투과하지 않게 되므로, 장시간의 성막처리를 실행할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 도전막을 형성하는 성막장치에 있어서, 마이크로파를 도입하기 위한 유전체부품의 표면에 금속재료가 부착하는 것을 방지하고 마이크로파의 전력을 안정하게 플라즈마에 부여해서 안정한 성막처리를 가능하게 하는 성막장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 양질인 도전막을 형성하는 것이 가능한 성막장치를 실현하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 마이크로파를 사용한 성막장치에 있어서 처리실내로 마이크로파를 도입하여 처리실내를 소정의 압력으로 유지하기 위한 윈도우재의 처리실측(이하, 윈도우재 표면이라 한다)에 마이크로파의 처리실내로의 투과를 방해하는 일없이 윈도우재 표면으로의 성막재료의 부착을 방지하기 위한 차폐용 부품을 마련한 것이다.
또, 상기 차폐용 부품은 마이크로파의 처리실내로의 투과를 방해하지 않기 위한 상기 차폐용 부품 장착전의 마이크로파의 전계에 대해서 대략 수직으로 금속 또는 유전체의 어느것인가 하나로 이루어지는 판을 여러개 배치한 것이다.
또, 상기 차폐용 부품은 윈도우재 표면에 임의의 방향으로 부터 직선적으로 입사하는 성막입자를 차폐하기 위해 선단부를 상기 차폐용 부품의 장착전의 마이크로파의 전계에 대해서 소정의 각도로 경사시킨 금속 또는 유전체의 어느것인가 하나로 이루어지는 판을 여러개 배치한 것이다.
또, 상기 차폐용 부품은 윈도우재 표면의 차폐효과를 더욱 높이기 위해서 슬롯 안테나를 구비한 금속판으로 구성된 것이다.
통상의 CVD, 스퍼터등을 사용하는 성막장치에서는 처리실내가 수 mTorr~ 수십 mTorr의 압력으로 유지되어 성막처리가 실행된다. 이 압력 범위에서는 기체분자의 평균자유행정이 수 mm~ 수 cm 정도이다. 그 때문에, 성막입자의 평균자유행정도 동일한 정도이며, 윈도우재 표면으로의 성막재료의 부착을 방지하기 위해서는 윈도우재를 차폐해서 수 mm이상의 직선운동을 하는 입자가 윈도우재 표면으로 직접 도달할 수 없도록 하면 좋다.
그러나, 통상은 차폐용 부품을 윈도우재의 앞에 배치하면, 이 부품에 의해 마이크로파가 반사되어 처리실내로 마이크로파 전력을 효율좋게 공급할 수 없게 된다. 그래서, 마이크로파의 반사를 저감하기 위해서 차폐용 부품의 형상이나 배치를 연구할 필요가 있다.
일반적으로, 전계는 금속표면에 대해서 수직으로 되고, 마이크로파 전자계중에 충분히 얇은 금속판을 마이크로파의 전계에 대해서 수직으로 삽입하여도 본래의 전자계 분포에 영향을 미치지 않는다. 이 성질을 이용해서 윈도우재의 처리실측에 마이크로파의 전계에 대해서 대략 수직으로 윈도우재 표면을 차폐하도록 금속판을 배치하는 것에 의해 마이크로파의 처리실내로의 투과를 방해하는 일없이 성막재료의 윈도우재 표면으로의 부착을 방지하는 것이 가능하다.
이 차폐용 부품의 재질은 금속이 아니고 유전체이어도 좋지만, 표면에 도전성의 성막재료가 부착하므로, 금속제의 경우와 마찬가지로 마이크로파의 전계에 대해서 수직으로 배치할 필요가 있다.
통상, 마이크로파에 의한 플라즈마는 마이크로파 도입창의 처리실과 접하는 면에서 가장 고밀도로 된다. 도입창의 처리실측에 배치한 차폐용 부품의 내부나 차폐용 부품과 도입창과의 사이에 플라즈마가 발생해 버리면, 이 플라즈마에 마이크로파가 흡수되어 처리실내로 투과하는 전력이 감소한다. 그 때문에, 차폐용 부품의 내부 및 차폐용 부품과 도입창의 사이에서 플라즈마가 발생하지 않는 구조로 하는 것이 바람직하다. 마이크로파에 의해서 플라즈마가 발생하는 기구는 대략 다음과 같이 고려된다. 분위기가스의 분자는 극소량이지만, 어떤 확률로 전리하고 있으며, 발생한 전자는 마이크로파의 전계에 의해 가속된다. 분위기 가스분자의 전리에너지 이상으로 가속된 전자가 분위기 가스분자와 충돌해서 가스분자를 전리한다. 이 프로세스가 연쇄적으로 일어나면 플라즈마가 발생하게 된다. 따라서, 플라즈마의 발생을 억제하기 위해서는 전자가 너무 가속되지 않도록 하는 것이 유효하다. 그 때문에, 전계와 대략 수직으로 배치하는 판의 간격, 도입창과 차폐용 부품의 간격을 접근시켜서 가속되는 거리를 작게해서 플라즈마의 발생을 억제할 수 있다.
다음에, 상기 금속판을 마이크로파 전계에 대해서 소정의 각도로 경사시킨 경우에 대해서 설명한다.
이 경우에는 윈도우재 표면에 대해서 수직으로 입사한 성막입자도 차폐할 수 있다.
다음에, 상기의 방식과는 다른 슬롯 안테나를 사용한 예에 대해서 설명한다. 차폐용 부품에서의 마이크로파의 반사를 저감하는 다른 방법으로서 차폐용 부품을 슬롯 안테나를 구비한 슬롯판으로 구성하는 방법이 있다. 슬롯 안테나 함은 도체평판에 가는 간극(슬롯)을 뚫고, 이 슬롯에 의해서 마이크로파를 방사하는 것을 말한다. 슬롯에 의해서 도체 평판상을 흐르는 표면전류는 차단되고 슬롯에 전하가 발생한다. 이 전하가 방사원으로 되어 마이크로파가 공간으로 방사되게 된다. 그 때문에, 슬롯은 마이크로파에 의해서 흐르는 표면전류와 수직으로 마련하면 처리실측으로 효율좋게 마이크로파의 방사를 실행할 수 있어 마이크로의 반사를 저감할 수 있다. 표면전류는 마이크로파의 자계와 수직으로 흐르기 때문에 슬롯 안테나의 여진에 사용하는 기구의 전자계 분포를 알수 있는 것에 의해 효율 좋은 슬롯형상과 배치를 결정할 수 있다. 슬롯 안테나는 공동공진기나 도파관을 이용해서 여진할 수 있다. 공동공진기, 도파관내의 전자계는 형상이 원통이나 직육면체등의 기하학적으로 단순한 경우에는 논리적으로 용이하게 구할 수 있다. 공동공진기를 사용하는 것에 의해서 플라즈마 끝면에서의 반사전력을 공진기내에 축적해서 재차 플라즈마에 입사시켜서 마이크로파 전력의 유효 이용을 도모하는 효과도 있다. 마이크로파를 사용한 플라즈마 처리장치에 공동공진기와 슬롯 안테나를 사용한 예로서는 일본국 특허공개공보 소화 63-103088에 개시된 것이 있다.
슬롯판을 윈도우재의 처리실측에 2매이상 배치하고, 슬롯이 서로 중첩되지 않도록 하는 것에 의해 슬롯판 하부의 윈도우재 표면으로의 성막입자의 부착을 방지할 수 있다.
본 발명에 의해, 마이크로파를 처리실내로 도입하기 위해 불가결한 유전체 부품(윈도우재) 표면으로의 성막재료의 부착을 방지할 수 있다. 본 발명에 의해, 마이크로파를 장시간에 걸쳐서 안정하게 처리실내로 도입하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 성막장치에서는 처리실내를 고진공으로 배기한 후에 분위기가스를 도입하고, 10-3Torr~10-4Torr정도(약 10-1~10-2Pa)의 압력범위에서 마이크로파에 의해 장시간에 걸쳐서 고밀도 플라즈마를 안정하게 발생하고, 양질인 도전성막을 형성하는 것이 가능하게 된다. 즉, 저압력의 분위기 가스중에서 성막하므로, 분위기 가스중에의 분자의 평균자유행정이 길게 되고, 성막입자의 직진성이 증가하여 단차의 바닥부등으로의 막의 스텝 커버리지가 개선된다. 또, 고밀도 플라즈마를 사용해서 성막하므로, 낮은 전압에서도 타겟에 충분한 전력을 인가하는 것이 가능하게 된다. 타겟의 전압을 내리는 것에 의해, 리코일(recoil) 가스분자의 에너지도 내릴수가 있어 분위기 가스분자의 흡수가 적은 치밀한 막을 형성할 수가 있다. 여기서, 리코일 가스분자라 함은 플라즈마중의 이온이 타겟에 충돌하였을 때 중성화해서 타겟에서 반사하는 분자를 말한다.
이상, 본 발명의 성막장치를 이용하는 것에 의해, 양질인 도전성막을 성막하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 발명의 제1의 실시예인 도전막의 성막에 사용하는 바이어스 스퍼터장치를 도시한 제1도에 대해서 설명한다.
제1도에 도시한 바와 같이, 내부에 기판(1)을 갖는 처리실(2)는 도시하지 않은 진공 배기계 및 처리가스의 도입계에 의해서 소정의 압력으로 유지되어 있다. 타겟(4)의 이면에는 전자석(12)가 있고, 이 전자석에 의한 정자계이며 스퍼터전원(5)의 전력으로 생성된 플라즈마를 타겟 4면상에 봉해 넣는다. 플라즈마중의 이온은 스퍼터전원( 5)의 고전압에 의해 가속되고, 타겟(4)에 충돌해서 타겟 재료를 스퍼터하여 기판(1)상에 성막이 실행된다. 성막시에 바이어스 전원(17)에 의해 기판(1)상에 플라즈마중의 이온을 인입하고 막질의 개선을 도모한다. 타겟재로서는 LSI 배선재료로서 알루미늄이 많이 사용된다.
본 발명에 있어서 도파모드로서 원형도파관의 TM1모드 또는 TE11모드가 사용된다. 이하, 제1의 실시예에서는 TM1모드를 예로서 설명한다.
마이크로파는 마이크로파 발생원(10)으로 부터 아이솔레이터(9), 정합기(11), 방형 도파관(8)에 의해서 전송되어 모드변환기(7)에서 원형 도파관(13)의 TM1모드로 변환된다. 원형 도파관(13)내에는 마이크로파에 대해서 손실이 작은 유전체(석영등)로 형성된 부품(윈도우재(6)) 의해서 처리실(2)내를 처리에 적합한 소정의 압력으로 유지하면서 마이크로파를 처리실내로 도입한다. 윈도우재(6)에 접해서 처리실측에는 윈도우재(6) 표면에 성막재료가 부착하지 않도록 윈도우재(6) 표면을 차폐하기 위한 부품(차폐용 부품(3))을 구비하고 있다. 이것에 의해서, 윈도우재(6) 표면으로 성막재료가 부착하지 않기 때문에, 마이크로파의 전력을 안정하게 플라즈마로 공급할 수가 있다. 공급하는 마이크로파의 전력과 바이어스전원에 의해 기판에 입사하는 이온의 양이나 에너지를 제어하는 것이 가능하다. 성막중에 이온조사에 의해 에너지를 부여하는 것에 의해 막의 결정성을 제어할 수 있으므로, 막질의 개선이 한층 더 도모된다.
제2도 및 제3도는 차폐용 부품(3) 부근을 상세하게 도시한 것이다. 제2도는 제1도의 A부를 확대한 것이다. 제3도는 제1도의 A부를 B에서 본 도면이다. 제2도는 제3도의 II-II단면을 도시하고 있다. 원형도파관의 TM1모드에서는 마이크로파의 전계가 중심으로 부터 방사형상으로 도파관 벽면을 향하고 있으며, 자계는 동심형상으로 되어 있다. TM1모드의 전자계를 유지하도록 차폐용 부품(3)은 원통형상을 하고, 전계에 대해서 대략 수직으로 되도록 동심형상으로 배치한 금속판(3a)와 이 금속판(3a)를 지지하고 4개의 구멍(3b')를 형성하는 지지판(3b)로 구성되어 있다. 금속판(3a)의 선단은 임의의 방향에서 직선적으로 입사하는 성막입자를 차폐하기 위해 원추형상으로 이루어져 있다.
따라서, 타겟(4)로 부터 성막입자의 대부분이 윈도우재(6) 표면에 대해서 경사방향으로 입사하는 것을 금속판(3a)로 차폐하여 윈도우재(6)표면으로의 성막입자의 부착을 방지하고 있다. 금속판(3a)의 간격은 플라즈마가 금속판(3a)사이에서 발생하지 않도록 1~3mm로 한다. 상기 간격은 약 2mm로 하는 것이 가장 바람직하다. 또, 차폐용 부품(3)과 윈도우재(6)의 표면의 간격도 플라즈마 발생을 방지하기 위해 1~3mm로 한다. 이 간격도 2mm로 하는 것이 가장 바람직하다.
차폐용 부품(3)이 스퍼터를 받는 경우에, 차폐용 부품(3)의 재질은 막중으로의 불순물의 도입을 피하기 위해 타겟(4)와 동일한 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 스퍼터를 받는 정도가 낮은 경우에는 차폐용 부품(3)이 성 막재료로 덮여지므로, 차폐용 부품(3)의 재질은 금속이 아니고 유전체이어도 좋다. 이 경우에는 금속제의 경우와 마찬가지로 이 유전체표면을 마이크로파의 전계에 대해서 수직으로 배치할 필요가 있다. 또, 차폐용 부품(3)이 스퍼터되는 것을 극력 방지하기 위해 차폐용 부품(3)은 접지전위 또는 플로팅 전위로 하는 쪽이 좋다.
다음에, 본 발명의 제2의 실시예를 나타낸 제6도에 대해서 설명한다.
제6도에 도시한 제2의 실시예는 상기 제1도에 도시되는 제1의 실시예와 마이크로파의 모드 및 차폐용 부품 이외에는 마찬가지의 구성을 갖는다. 제6도는 마이크로파의 도파모드로서 TE11모드를 사용한 경우에 대해서 설명한다.
제6도에 도시한 바와 같이, 마이크로파는 마이크로파 발생원(10)으로 부터 아이솔레이터(11), 정합기(9), 방형 도파관(8)에 의해서 전송되어 모드 변환기(14)에서 원형 도파관의 TE11모드로 변환된다. 원형 도파관(13)내에는 마이크로파에 대해서 손실이 작은 유전체(석영등)으로 형성된 부품(윈도우재(6))에 의해서 처리 실내를 처리에 적합한 소정의 압력으로 유지하면서 마이크로파를 처리실내로 도입한다. 윈도우재( 6)에 접해서 처리실측에는 윈도우재(6)표면에 성막재료가 부착하지 않도록 윈도우재( 6)표면을 차폐하기 위한 부품(차폐용 부품(15))가 있다.
제7도 및 제8도는 차폐용 부품(15)부근을 상세하게 도시한 것으로, 제7도는 제6도의 C부 확대도, 제8도는 제6도의 C부를 D에서 본 도면이다.
제7도 및 제8도에 도시한 바와 같이, 차폐용 부품(15)는 대향하는 반월형상의 2개의 구멍(15b')를 갖는 지지부재(15b)와 금속판(15a)로 이루어지고, 이 지지부재( 15b)상에 고정되고 원호형상을 이루고 있으며 또한 선단부를 차폐용 부품의 장착전의 전계에 대해서 소정각도로 경사하도록 구성되어 있다.
이것에 대해서 도파관(13)의 TE11모드의 전계는 제9도에 점선(16)으로 나타낸 바와 같이 분포하고 있다.
그 때문에, 전계의 분포에 대해서 수직으로 금속판(15a)를 배치하여도 전계분포는 변화하지 않는다. 따라서, 차폐용 부품(15)에서의 마이크로파의 반사도 작게 억제할 수 있다. 또, 차폐용 부품(15)의 금속판(15a)의 선단부는 내측으로 구부러져 있으므로, 임의의 방향에서 직선적으로 윈도우재(6)에 입사하는 성막입자도 차폐할 수가 있다. 금속판(15a)사이, 차폐용부품(15)와 윈도우재(6)사이에서의 플라즈마의 발생을 방지하기 위해 금속판(15a)의 간격 및 차폐용 부품(15)와 윈도우재(6)의 간격을 1~3mm로 한다. 특히, 양 간격을 약 2mm로 하는 것이 가장 바람직하다.
차폐용 부품(15)가 스퍼터를 받는 경우에는 차폐용 부품(15)의 재질은 막중으로의 불순물의 혼입을 피하기 위해 타겟(4)와 동일한 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 스퍼터를 받는 정도가 낮은 경우에는 차폐용 부품(15)가 성막재료로 덮여지므로 차폐용 부품(15)의 재질은 금속이 아니고 유전체이어도 좋다. 이 경우에는 금속제의 경우와 마찬가지로 이 유전체표면을 마이크로파의 전계에 대해서 수직으로 배치할 필요가 있다. 또, 차폐용 부품(15)와 스퍼터되는 것을 극력 방지하기 위해 차폐용 부품(15)는 접지전위 또는 플로팅전위로 하는 쪽이 좋다.
다음에, 본 발명의 제3의 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 제3의 실시예는 도시하지 않지만 전체의 구성 및 동작은 제1도와 마찬가지로서, 다른 점은 차폐용 부품(3)으로서 제4도 및 제5도에 도시한 슬롯판을 사용하고 있는 것과 차폐용 부품(3)과 모드변환기(7)사이에 마이크로파를 봉해넣어서 공동공진기로서 동작하는 크기로 형성되어 있는 것이다. 즉, 모드변환기(7)과 원형도파관(13)으로 오목형 동축공진기를 구성하고 있으며, 이것에 의해서 슬롯 안테나를 여진하고 있다.
제4도, 제5도는 각각 제2도, 제3도에 대응하는 것이다. 원형도파관의 TM1모드에서는 상술한 바와 같이 반경방향의 전계와 원주방향의 자계를 갖는 전자계로 되므로, 슬롯(3d)는 동심형상으로 배치하고 있다. 이 슬롯(3d)를 갖는 슬롯판(3c)를 3매 사용해서 윈도우재(6)을 차폐하고 있다. 슬롯(3d)는 사용하는 마이크로파의 모드에 의해서 결정되는 표면전류를 차단하는 방향에 배치하면, 슬롯판(3c)상의 위치, 갯수는 임의이다. 또, 슬롯판(3c)의 매수 및 두께를 증대해서 윈도우재(6)의 차폐효과를 높일 수 있다.
이제까지 스퍼터장치에 대해서 기술해 왔지만, 마이크로파를 사용한 금속막을 형성하는 CVD 장치에도 적용할 수 있다. 특히, 바이어스 CVD 장치등에서는 피복된 기판으로 부터 바이어스전압에 의해서 깍여진 금속재료가 마이크로파 도입구의 유전체에 부착하므로, 본 발명은 유효하다. 기상(gaseous phase)중에서 금속입자를 석출하는 CVD 장치에도 기상중에서 형성된 금속입자가 마이크로파 도입구의 유전체에 부착하는 것을 방지할 수 있으므로, 본 발명은 유효하다.
본 발명에 의하면, 마이크로파를 처리실내로 도입하기 위해 불가결한 유전체부품(윈도우재)표면으로의 성막재료의 부착을 방지할 수 있다. 그 때문에, 도전막의 성막에 종래에는 곤란하였던 마이크로파를 사용할 수 있어 성막의 고품질화를 도모할 수 있다.

Claims (7)

  1. 마이크로파를 발생하기 위한 마이크로파 발생장치(10), 내부에 기판(1)을 가지며, 소정의 압력의 분위기 가스를 내부에 유지하고, 상기 마이크로파 발생장치(10)에 의해서 발생한 마이크로파를 도입해서 플라즈마를 발생하여 상기 기판(1)상에 성막을 실행하기 위한 처리실(2), 상기 처리실(2)의 상기 마이크로파를 도입하는 부분에 마련되고, 상기 처리실(2)를 상기 소정의 압력으로 유지함과 동시에 상기 마이크로파를 상기 처리실(2)로 도입하기 위한 유전체부품(6), 상기 처리실(2)내에 상기 유전체 부품(6)과 대향해서 마련되고, 상기 처리실(2)로의 상기 마이크로파의 투과를 방해하는 일없이 상기 유전체 부품(6)에 상기 플라즈마중에 존재하는 성막재료가 부착하는 것을 방지하기 위한 차폐용 부품을 포함하는 성막장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차폐용 부품은 차폐용 부품의 장착전의 마이크로파의 전자계분포를 흐뜨러지지 않도록 구성되는 성막장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 차폐용 부품은 상기 차폐용 부품의 장착전의 마이크로파의 전계에 대해서 수직으로 되도록 배치된 금속 또는 유전체의 어느것인가 하나로 이루어지는 판을 간격을 두고 배치한 성막장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 차폐용 부품은 상기 차폐용 부품의 장착전의 마이크로파의 전하에 대해서 소정의 각도로 경사지도록 배치된 금속 또는 유전체의 어느것인가 하나로 이루어지는 판과 상기 차폐용 부품의 장착전의 마이크로파의 전하에 대해서 수직으로 되도록 배치된 금속 또는 유전체의 어느것인가 하나로 이루어지는 판을 조합해서 간격을 두고 배치한 성막장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 차폐용 부품은 슬롯 안테나를 구비한 슬롯판에 의해서 구성된 성막장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차폐용 부품은 슬롯 안테나를 구비한 슬롯판에 의해서 구성되고, 상기 슬롯판과 상기 마이크로파 발생장치(10)사이에 공동공진기가 마련되는 성막장치.
  7. 마이크로파를 발생하기 위한 마이크로파 발생장치, 상기 마이크로파를 사용해서 플라즈마를 발생시켜 도전막을 형성하는 처리실, 상기 처리실내에 상기 마이크로파를 도입하고 또한 상기 처리실내를 소정의 압력으로 유지하기 위한 유전체부품, 상기 유전체부품의 상기 처리실측에 상기 처리실로의 상기 마이크로파의 투과를 방해하는 일없이 상기 유전체부품에 성막재료가 부착하는 것을 방지하기 위한 차폐용 부품을 포함하는 성막장치.
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