JPH1027762A - 誘導結合形プラズマｃｖｄ方法及びこれを用いて生成された非晶質シリコン薄膜，及び、窒化シリコン膜，非晶質薄膜トランジスタ - Google Patents
誘導結合形プラズマｃｖｄ方法及びこれを用いて生成された非晶質シリコン薄膜，及び、窒化シリコン膜，非晶質薄膜トランジスタInfo
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 239000010408 film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 96
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 30
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 42
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[1-(2,2-difluoroethyl)piperidin-4-yl]oxy-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound FC(CN1CCC(CC1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)F SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
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- H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
- H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光
学的バンドギャップのような薄膜の特性に優れており且
つ均一な非晶質シリコン膜を製造することのできる誘導
結合形プラズマＣＶＤ方法を提供すること。 【解決手段】 本発明の誘導結合形プラズマＣＶＤ方法
は、反応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選ばれた
薄膜を蒸着する方法であって、少なくても一部分が誘電
体窓(dielectric shield)を含み、前記誘電体窓の反応
チャンバ内側の表面に酸素を含まぬシリコン膜を有し、
且つ前記誘電体窓に隣接して置かれている高周波印加可
能なアンテナを含む真空化学蒸着チャンバを提供する段
階と、前記チャンバ内にあるステージ上に基板を位置さ
せる段階と、前記チャンバを真空化する段階と、前記チ
ャンバ内に反応ガスを供給する段階と、前記アンテナに
ＲＦ電力を印加する段階と、前記基板上に薄膜を形成す
るために前記チャンバ内に蒸着反応ガス誘導結合形プラ
ズマを形成する段階とを含むことを特徴とする。
学的バンドギャップのような薄膜の特性に優れており且
つ均一な非晶質シリコン膜を製造することのできる誘導
結合形プラズマＣＶＤ方法を提供すること。 【解決手段】 本発明の誘導結合形プラズマＣＶＤ方法
は、反応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選ばれた
薄膜を蒸着する方法であって、少なくても一部分が誘電
体窓(dielectric shield)を含み、前記誘電体窓の反応
チャンバ内側の表面に酸素を含まぬシリコン膜を有し、
且つ前記誘電体窓に隣接して置かれている高周波印加可
能なアンテナを含む真空化学蒸着チャンバを提供する段
階と、前記チャンバ内にあるステージ上に基板を位置さ
せる段階と、前記チャンバを真空化する段階と、前記チ
ャンバ内に反応ガスを供給する段階と、前記アンテナに
ＲＦ電力を印加する段階と、前記基板上に薄膜を形成す
るために前記チャンバ内に蒸着反応ガス誘導結合形プラ
ズマを形成する段階とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘導結合形プラズマ
化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法及びそれを用いて生成され
た非晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒化シリコン
薄膜、及び非晶質薄膜トランジスタに関する。
化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法及びそれを用いて生成され
た非晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒化シリコン
薄膜、及び非晶質薄膜トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、非晶質シリコン、微細結晶粒シ
リコン、及び窒化シリコン薄膜は半導体素子及び液晶表
示素子で広く用いられている。また、非晶質薄膜トラン
ジスタは液晶表示素子の画素電極駆動素子として広く用
いられている。特に、水素化された非晶質シリコントラ
ンジスタが量産性及び大面積化の側面において優れてい
るので、広く用いられている。
リコン、及び窒化シリコン薄膜は半導体素子及び液晶表
示素子で広く用いられている。また、非晶質薄膜トラン
ジスタは液晶表示素子の画素電極駆動素子として広く用
いられている。特に、水素化された非晶質シリコントラ
ンジスタが量産性及び大面積化の側面において優れてい
るので、広く用いられている。
【０００３】現在は非晶質シリコン薄膜、微細結晶質シ
リコン薄膜、窒化シリコン薄膜、及び非晶質シリコン薄
膜トランジスタを製造するために、プラズマ化学気相蒸
着法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を
使用している。しかし、この蒸着方法は１０10ｃｍ-3以
下の低いプラズマ密度によって薄膜の蒸着速度が低く、
高いガス圧力を必要とするので、ポリマ生成などの問題
が生じた。また、反応チャンバ内の放電領域内に電極物
質が存在するので、薄膜生成物が汚染して薄膜の膜特性
を低下させるという短所があった。
リコン薄膜、窒化シリコン薄膜、及び非晶質シリコン薄
膜トランジスタを製造するために、プラズマ化学気相蒸
着法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を
使用している。しかし、この蒸着方法は１０10ｃｍ-3以
下の低いプラズマ密度によって薄膜の蒸着速度が低く、
高いガス圧力を必要とするので、ポリマ生成などの問題
が生じた。また、反応チャンバ内の放電領域内に電極物
質が存在するので、薄膜生成物が汚染して薄膜の膜特性
を低下させるという短所があった。
【０００４】一方、誘導結合形プラズマは容量結合形プ
ラズマに比べてプラズマの生成効率性が高いために、高
いプラズマ密度、例えば１０11〜１０12ｃｍ-3のプラズ
マ密度を得ることができ、低い圧力、例えば０．１〜２
０ｍＴｏｒｒの圧力で放電することができると報告され
ている（refer to P．N ．Wainmanet al., J．Vac ．Sc
i.Technol.,A１３（５），２４６４，１９９５）。尚、
日本国特許公開公報に記載された特許出願平７−６０７
０４は誘導結合形プラズマＣＶＤ装置について開示して
いる。
ラズマに比べてプラズマの生成効率性が高いために、高
いプラズマ密度、例えば１０11〜１０12ｃｍ-3のプラズ
マ密度を得ることができ、低い圧力、例えば０．１〜２
０ｍＴｏｒｒの圧力で放電することができると報告され
ている（refer to P．N ．Wainmanet al., J．Vac ．Sc
i.Technol.,A１３（５），２４６４，１９９５）。尚、
日本国特許公開公報に記載された特許出願平７−６０７
０４は誘導結合形プラズマＣＶＤ装置について開示して
いる。
【０００５】しかし、電気的及び光学的物性に優れた非
晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒化シリコン薄
膜、及び非晶質薄膜トランジスタの製造方法については
提示しておらず、且つこの誘導結合形プラズマＣＶＤ装
置を使用して非晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒
化シリコン薄膜、及び非晶質トランジスタを製造する場
合には、誘電体窓が石英材などの酸素を含む材料からな
っているので、チャンバ内で薄膜を蒸着する時、石英材
などの誘電体窓のプラズマによるエッチングが生じる。
従って、石英材の誘電体窓から酸素及び不純物が流入し
てチャンバで形成される薄膜の物性に悪影響を及ぼす。
晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒化シリコン薄
膜、及び非晶質薄膜トランジスタの製造方法については
提示しておらず、且つこの誘導結合形プラズマＣＶＤ装
置を使用して非晶質シリコン、微細結晶粒シリコン、窒
化シリコン薄膜、及び非晶質トランジスタを製造する場
合には、誘電体窓が石英材などの酸素を含む材料からな
っているので、チャンバ内で薄膜を蒸着する時、石英材
などの誘電体窓のプラズマによるエッチングが生じる。
従って、石英材の誘電体窓から酸素及び不純物が流入し
てチャンバで形成される薄膜の物性に悪影響を及ぼす。
【０００６】しかも、この誘導結合形プラズマＣＶＤ装
置においては、ガス供給手段の一部ガス注入口が真空反
応チャンバの中央部に設置されておらず、チャンバの側
面部に設置されているので、チャンバに供給された反応
ガスがチャンバ内に均一に分布されないことにより、均
一な大面積の薄膜を得ることができないという短所があ
った。すなわち、反応チャンバ内に高密度の均一なプラ
ズマを生成することができないという問題点があった。
置においては、ガス供給手段の一部ガス注入口が真空反
応チャンバの中央部に設置されておらず、チャンバの側
面部に設置されているので、チャンバに供給された反応
ガスがチャンバ内に均一に分布されないことにより、均
一な大面積の薄膜を得ることができないという短所があ
った。すなわち、反応チャンバ内に高密度の均一なプラ
ズマを生成することができないという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光学的バンド
ギャップのような薄膜の特性に優れており且つ均一な非
晶質シリコン膜を製造することのできる誘導結合形プラ
ズマＣＶＤ方法を提供することにある。本発明の第２目
的は、降伏電圧、電流密度のような薄膜の特性に優れて
おり且つ均一な窒化シリコン膜を製造することのできる
誘導結合形プラズマＣＶＤ方法を提供することにある。
本発明の第３目的は、結晶粒の大きさが微細であり且つ
均一なシリコン薄膜を製造することのできる誘導結合形
プラズマＣＶＤ方法を提供することにある。本発明の第
４目的は、電界効果移動度、しきい電圧（threshold vo
ltage)のような電気的特性に優れており且つ均一な非晶
質シリコン膜を含む薄膜トランジスタを製造することの
できる誘導結合形プラズマＣＶＤ方法を提供することに
ある。
光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光学的バンド
ギャップのような薄膜の特性に優れており且つ均一な非
晶質シリコン膜を製造することのできる誘導結合形プラ
ズマＣＶＤ方法を提供することにある。本発明の第２目
的は、降伏電圧、電流密度のような薄膜の特性に優れて
おり且つ均一な窒化シリコン膜を製造することのできる
誘導結合形プラズマＣＶＤ方法を提供することにある。
本発明の第３目的は、結晶粒の大きさが微細であり且つ
均一なシリコン薄膜を製造することのできる誘導結合形
プラズマＣＶＤ方法を提供することにある。本発明の第
４目的は、電界効果移動度、しきい電圧（threshold vo
ltage)のような電気的特性に優れており且つ均一な非晶
質シリコン膜を含む薄膜トランジスタを製造することの
できる誘導結合形プラズマＣＶＤ方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は酸素を含まぬ
シリコン層が、反応チャンバの少なくとも一部分を成す
誘電体窓の表面に、蒸着されたチャンバを提供すること
により達成される。誘導結合形プラズマＣＶＤ方法は反
応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選択された薄膜
を蒸着する方法であって、まず少なくとも一部分が誘電
体窓を含み、前記誘電体窓の反応チャンバ内側の表面に
酸素を含まぬシリコン膜を有し、且つ前記誘電体窓に隣
接して置かれているＲＦ電力を印加し得るアンテナを含
む真空化学蒸着チャンバを提供する。
シリコン層が、反応チャンバの少なくとも一部分を成す
誘電体窓の表面に、蒸着されたチャンバを提供すること
により達成される。誘導結合形プラズマＣＶＤ方法は反
応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選択された薄膜
を蒸着する方法であって、まず少なくとも一部分が誘電
体窓を含み、前記誘電体窓の反応チャンバ内側の表面に
酸素を含まぬシリコン膜を有し、且つ前記誘電体窓に隣
接して置かれているＲＦ電力を印加し得るアンテナを含
む真空化学蒸着チャンバを提供する。
【０００９】ここで、誘電体窓は石英材であることが好
ましい。アンテナは均一で高密度のプラズマを形成する
ために螺旋状を成し、チャンバの誘電体窓上に均一に分
布するように配列されている。反応チャンバ内で薄膜を
蒸着する時、酸素または不純物の発生を防止するために
誘電体窓の表面に蒸着された酸素を含まぬシリコン膜は
非晶質シリコン層、窒化シリコン層、或いは炭化シリコ
ン層であることが好ましい。
ましい。アンテナは均一で高密度のプラズマを形成する
ために螺旋状を成し、チャンバの誘電体窓上に均一に分
布するように配列されている。反応チャンバ内で薄膜を
蒸着する時、酸素または不純物の発生を防止するために
誘電体窓の表面に蒸着された酸素を含まぬシリコン膜は
非晶質シリコン層、窒化シリコン層、或いは炭化シリコ
ン層であることが好ましい。
【００１０】そして、真空化学蒸着チャンバ内にあるス
テージ上に基板を位置させる。次に、チャンバを排気手
段を使用して真空化してから、チャンバ内に反応ガスを
供給する。反応チャンバに少なくとも２種類の反応ガス
を所定量供給し得るように反応ガス供給管が形成されて
いる。反応ガスを均一に分布させることのできる位置に
反応ガス供給手段の注入口が配列される。反応ガスは誘
電体、金属、及び半導体の組成物から選択された薄膜を
蒸着し得るように選択された組成を有する。
テージ上に基板を位置させる。次に、チャンバを排気手
段を使用して真空化してから、チャンバ内に反応ガスを
供給する。反応チャンバに少なくとも２種類の反応ガス
を所定量供給し得るように反応ガス供給管が形成されて
いる。反応ガスを均一に分布させることのできる位置に
反応ガス供給手段の注入口が配列される。反応ガスは誘
電体、金属、及び半導体の組成物から選択された薄膜を
蒸着し得るように選択された組成を有する。
【００１１】従って、選択された薄膜は誘電体、金属、
及び半導体薄膜を含み、好ましくは非晶質シリコン膜、
窒化シリコン膜である。誘電体窓に隣接して設置され
た、ＲＦ電力を印加し得るアンテナにＲＦ電力を印加す
る。次に、ステージ上にある基板上に選択された薄膜を
形成するために、チャンバ内に誘導結合形プラズマを形
成する。
及び半導体薄膜を含み、好ましくは非晶質シリコン膜、
窒化シリコン膜である。誘電体窓に隣接して設置され
た、ＲＦ電力を印加し得るアンテナにＲＦ電力を印加す
る。次に、ステージ上にある基板上に選択された薄膜を
形成するために、チャンバ内に誘導結合形プラズマを形
成する。
【００１２】この誘導結合形プラズマＣＶＤ方法によっ
て、光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光学的バ
ンドギャップ(optical band gap)のような電気的及び光
学的特性に優れており且つ均一な非晶質シリコン膜を得
ることができ、電気伝導度、降伏電圧、電流密度のよう
な薄膜の特性に優れており且つ均一な窒化シリコン膜を
得ることができ、結晶粒の大きさが微細であり且つ均一
なシリコン薄膜を得ることができる。しかも、電界効果
移動度、しきい電圧のような電気的特性に優れており且
つ均一な非晶質シリコン膜を含む薄膜トランジスタを得
ることができるので、高品位のＴＦＴ−ＬＣＤを製造す
ることができる。
て、光感度、電気伝導度、活性化エネルギー、光学的バ
ンドギャップ(optical band gap)のような電気的及び光
学的特性に優れており且つ均一な非晶質シリコン膜を得
ることができ、電気伝導度、降伏電圧、電流密度のよう
な薄膜の特性に優れており且つ均一な窒化シリコン膜を
得ることができ、結晶粒の大きさが微細であり且つ均一
なシリコン薄膜を得ることができる。しかも、電界効果
移動度、しきい電圧のような電気的特性に優れており且
つ均一な非晶質シリコン膜を含む薄膜トランジスタを得
ることができるので、高品位のＴＦＴ−ＬＣＤを製造す
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明に基づいて製造した
誘導結合形プラズマＣＶＤ装置１０を示す。このプラズ
マＣＶＤ装置１０は真空反応チャンバ１１を含む。この
真空反応チャンバ１１は円筒形側板１２、上板１３、及
び底板１４からなる。真空反応チャンバ１１は密閉状態
を保持するために、円筒形側板１２と上板１３との間
に、円筒形側板１２と底板１４との間にそれぞれＯ−リ
ングシール（O- ringseals）１５Ａ，１５Ｂが設置され
ている。上板１３は石英材の高周波電波の誘電体窓が形
成されている。誘電体窓１３は石英材(quartzmaterial)
の他に、電波を通過させるが赤外線を透過させないＡｌ
2 Ｏ3 のようなセラミック絶縁材(insulatingmaterial)
からなることもできる。
誘導結合形プラズマＣＶＤ装置１０を示す。このプラズ
マＣＶＤ装置１０は真空反応チャンバ１１を含む。この
真空反応チャンバ１１は円筒形側板１２、上板１３、及
び底板１４からなる。真空反応チャンバ１１は密閉状態
を保持するために、円筒形側板１２と上板１３との間
に、円筒形側板１２と底板１４との間にそれぞれＯ−リ
ングシール（O- ringseals）１５Ａ，１５Ｂが設置され
ている。上板１３は石英材の高周波電波の誘電体窓が形
成されている。誘電体窓１３は石英材(quartzmaterial)
の他に、電波を通過させるが赤外線を透過させないＡｌ
2 Ｏ3 のようなセラミック絶縁材(insulatingmaterial)
からなることもできる。
【００１４】本実施例では真空反応チャンバ１１内で選
択された薄膜を蒸着する時、誘電体窓１３がエッチング
されて酸素又は不純物が真空反応チャンバ１１内に流入
することを防止するために、誘電体窓１３の真空反応チ
ャンバ１１内側の表面に酸素を含まぬシリコン層１６を
有する。酸素を含まぬシリコン層１６は非晶質シリコン
層からなり、非晶質シリコン層は約１０００Åの厚さを
もつ。非晶質シリコン以外に窒化シリコン層或いは炭化
シリコン層を使用することもできる。これが本実施例の
重要な特性を成す。
択された薄膜を蒸着する時、誘電体窓１３がエッチング
されて酸素又は不純物が真空反応チャンバ１１内に流入
することを防止するために、誘電体窓１３の真空反応チ
ャンバ１１内側の表面に酸素を含まぬシリコン層１６を
有する。酸素を含まぬシリコン層１６は非晶質シリコン
層からなり、非晶質シリコン層は約１０００Åの厚さを
もつ。非晶質シリコン以外に窒化シリコン層或いは炭化
シリコン層を使用することもできる。これが本実施例の
重要な特性を成す。
【００１５】誘電体窓１３の上面にはＲＦ電力を印加し
得るアンテナ１７が設置されている。アンテナは大面積
適用が容易であり且つ優れた均一性及び単純な形態を呈
するスパイラル形状が好ましい(refer toH．Sugai et
al., Jpn．J ．Appl．Phys.,３３，２１８９，１９９
４，＆ Y．Horike et al., J．Vac. Sci．Technol. A１
３（３），８０１，１９９５）。本実施例では図２Ａ及
び図２Ｂに示すように、１０11〜１０12ｃｍ-3のプラズ
マ密度を得るために２種類のスパイラル形状アンテナの
うちいずれかを使用することが好ましい。
得るアンテナ１７が設置されている。アンテナは大面積
適用が容易であり且つ優れた均一性及び単純な形態を呈
するスパイラル形状が好ましい(refer toH．Sugai et
al., Jpn．J ．Appl．Phys.,３３，２１８９，１９９
４，＆ Y．Horike et al., J．Vac. Sci．Technol. A１
３（３），８０１，１９９５）。本実施例では図２Ａ及
び図２Ｂに示すように、１０11〜１０12ｃｍ-3のプラズ
マ密度を得るために２種類のスパイラル形状アンテナの
うちいずれかを使用することが好ましい。
【００１６】アンテナ１７はマッチングボックス(match
ingbox）１８に接続されており、マッチングボックス１
８はＲＦソース１９に接続されている。底板１４にはそ
の中央部を貫通してステージ２０が設けらており、この
ステージ２０の上面には被加工物、例えばガラス基板２
１が置かれる。底板１４の一側には排気ライン２２が設
けうられている。ステージ２０は底板１４と電気的に絶
縁されていなければならない。ステージ２０はプラズマ
蒸着のために必要な冷却及び加熱能をもつように設計さ
れている。
ingbox）１８に接続されており、マッチングボックス１
８はＲＦソース１９に接続されている。底板１４にはそ
の中央部を貫通してステージ２０が設けらており、この
ステージ２０の上面には被加工物、例えばガラス基板２
１が置かれる。底板１４の一側には排気ライン２２が設
けうられている。ステージ２０は底板１４と電気的に絶
縁されていなければならない。ステージ２０はプラズマ
蒸着のために必要な冷却及び加熱能をもつように設計さ
れている。
【００１７】また、反応ガス(reactant gas)は真空反応
チャンバ１１内に一つ以上のガス供給管によって供給さ
れ、本実施例では２本のガス供給管(gas supply tubes)
２４，２５を有する。尚、２種類以上の反応ガスを供給
するために多数個のガス貯蔵タンク( ａnumber of gas
storage tanks)２３がガス供給管２４，２５に連結され
ている。ガス供給管２４，２５は、反応ガスを大面積に
均一に供給するために真空反応チャンバ１１の中央部に
位置するように形成されたリング形状部２４Ａ，２５Ａ
を含む。よって、リング形状部は被加工物に反応ガスを
均一に供給し得るように配列されている。また、リング
形状部２４Ａ，２５Ａの周りにはそれぞれ一定の間隔で
多数のノズル孔２４Ｂ，２５Ｂが形成されている。次
に、反応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選ばれた
薄膜を蒸着する方法を説明する。
チャンバ１１内に一つ以上のガス供給管によって供給さ
れ、本実施例では２本のガス供給管(gas supply tubes)
２４，２５を有する。尚、２種類以上の反応ガスを供給
するために多数個のガス貯蔵タンク( ａnumber of gas
storage tanks)２３がガス供給管２４，２５に連結され
ている。ガス供給管２４，２５は、反応ガスを大面積に
均一に供給するために真空反応チャンバ１１の中央部に
位置するように形成されたリング形状部２４Ａ，２５Ａ
を含む。よって、リング形状部は被加工物に反応ガスを
均一に供給し得るように配列されている。また、リング
形状部２４Ａ，２５Ａの周りにはそれぞれ一定の間隔で
多数のノズル孔２４Ｂ，２５Ｂが形成されている。次
に、反応ガス誘導結合形プラズマから基板上に選ばれた
薄膜を蒸着する方法を説明する。
【００１８】ます、少なくても一部分が誘電体窓１３(d
ielectricshield)を含み、誘電体窓１３の反応チャンバ
１１内側の表面に酸素を含まぬシリコン膜１６を有し、
且つ誘電体窓１３に隣接して置かれている、ＲＦ電力を
印加し得るアンテナ１７を含む真空化学蒸着チャンバを
備える。アンテナ１７はスパイラル形状が高密度の均一
なプラズマを形成するために好ましい。この段階が本発
明の主な要旨に当たる。
ielectricshield)を含み、誘電体窓１３の反応チャンバ
１１内側の表面に酸素を含まぬシリコン膜１６を有し、
且つ誘電体窓１３に隣接して置かれている、ＲＦ電力を
印加し得るアンテナ１７を含む真空化学蒸着チャンバを
備える。アンテナ１７はスパイラル形状が高密度の均一
なプラズマを形成するために好ましい。この段階が本発
明の主な要旨に当たる。
【００１９】次に、チャンバ１１内にあるステージ２０
上に被加工物、例えばガラス基板２１を載せる。その
後、チャンバ１１を排気手段２２を用いて１０ー6〜１０
ー7Ｔｏｒｒの真空まで排気する。ステージ２０に電流を
供給して３００〜５００℃の温度まで加熱する。
上に被加工物、例えばガラス基板２１を載せる。その
後、チャンバ１１を排気手段２２を用いて１０ー6〜１０
ー7Ｔｏｒｒの真空まで排気する。ステージ２０に電流を
供給して３００〜５００℃の温度まで加熱する。
【００２０】真空の保持されたチャンバ内に反応ガスを
供給する。予め選ばれた反応ガスがガス貯蔵タンク２３
からガス供給管２４，２５に供給する。ガス供給管に供
給されたガスはリング形状部２４Ａ，２５Ａに形成され
た多数のノズル孔２４Ｂ、２５Ｂを通してチャンバ内に
供給される。反応ガスは誘電体、金属及び半導体組成物
から選ばれた薄膜を蒸着し得るように選択された組成を
有する。アンテナ１７にＲＦソース１９からマッチング
ボックス１８を通して電力を印加する。
供給する。予め選ばれた反応ガスがガス貯蔵タンク２３
からガス供給管２４，２５に供給する。ガス供給管に供
給されたガスはリング形状部２４Ａ，２５Ａに形成され
た多数のノズル孔２４Ｂ、２５Ｂを通してチャンバ内に
供給される。反応ガスは誘電体、金属及び半導体組成物
から選ばれた薄膜を蒸着し得るように選択された組成を
有する。アンテナ１７にＲＦソース１９からマッチング
ボックス１８を通して電力を印加する。
【００２１】基板２１上に薄膜を形成するために前記チ
ャンバ内に誘電結合形プラズマを形成する。この際、供
給されたガスは均一で高密度、例えば１０11〜１０12ｃ
ｍー3のピークイオン密度(peak ion density)の誘導結合
形プラズマを形成する。
ャンバ内に誘電結合形プラズマを形成する。この際、供
給されたガスは均一で高密度、例えば１０11〜１０12ｃ
ｍー3のピークイオン密度(peak ion density)の誘導結合
形プラズマを形成する。
【００２２】１．非晶質シリコン薄膜の蒸着。 真空チャンバ内のステージ上に被加工物を支持させる。
被加工物の真空下に支持された状態で、真空チャンバ内
に設けられたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ
4 のガスをチャンバ内に供給する。本実施例ではＳｉＨ
4 を用いた。ＳｉＨ4 以外に、Ｓｉ2 Ｈ6,ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 Ｈ 2などをシリコンソースガスとして用いることがで
きる。この時、ＳｉＨ4 のガス流量は０．５ＳＣＣＭで
あり、ガス圧力は７０ｍＴｏｒｒであった。前記チャン
バに隣接したスパイラルアンテナに４０ＷのＲＦ電力を
印加してチャンバ内に誘導結合形プラズマを発生させ
る。基板の温度を２５０℃に上昇させる。次に、被加工
物上に非晶質シリコン薄膜を蒸着させる。
被加工物の真空下に支持された状態で、真空チャンバ内
に設けられたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ
4 のガスをチャンバ内に供給する。本実施例ではＳｉＨ
4 を用いた。ＳｉＨ4 以外に、Ｓｉ2 Ｈ6,ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 Ｈ 2などをシリコンソースガスとして用いることがで
きる。この時、ＳｉＨ4 のガス流量は０．５ＳＣＣＭで
あり、ガス圧力は７０ｍＴｏｒｒであった。前記チャン
バに隣接したスパイラルアンテナに４０ＷのＲＦ電力を
印加してチャンバ内に誘導結合形プラズマを発生させ
る。基板の温度を２５０℃に上昇させる。次に、被加工
物上に非晶質シリコン薄膜を蒸着させる。
【００２３】２．窒化シリコン薄膜の蒸着 真空チャンバ内のステージ上に基板を支持させる。基板
が真空下に支持された状態で、真空チャンバ内に設けら
れたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ4 ／ＮＨ
3 ／Ｈｅのガスをチャンバ内に供給する。この時、ガス
流量はＳｉＨ4０．５〜２ＳＣＣＭ、ＮＨ3 １０〜６０
ＳＣＣＭ、Ｈｅ１０〜１００ＳＣＣＭであり、ＳｉＨ4
／ＮＨ3 の流量比（ＳｉＨ 4／ＮＨ3 flow rate ratio
）は１：１０〜１：３０で、全体ガス圧力（totalgasp
ressure）は５００〜８００ｍＴｏｒｒであった。前記
チャンバに隣接したスパイラルアンテナに１０〜１２０
ＷのＲＦ電力を印加して、チャンバ内に誘導結合形プラ
ズマを発生させる。基板の温度を２００〜３００℃に上
昇させる。次に、基板上に窒化シリコン薄膜を蒸着させ
る。
が真空下に支持された状態で、真空チャンバ内に設けら
れたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ4 ／ＮＨ
3 ／Ｈｅのガスをチャンバ内に供給する。この時、ガス
流量はＳｉＨ4０．５〜２ＳＣＣＭ、ＮＨ3 １０〜６０
ＳＣＣＭ、Ｈｅ１０〜１００ＳＣＣＭであり、ＳｉＨ4
／ＮＨ3 の流量比（ＳｉＨ 4／ＮＨ3 flow rate ratio
）は１：１０〜１：３０で、全体ガス圧力（totalgasp
ressure）は５００〜８００ｍＴｏｒｒであった。前記
チャンバに隣接したスパイラルアンテナに１０〜１２０
ＷのＲＦ電力を印加して、チャンバ内に誘導結合形プラ
ズマを発生させる。基板の温度を２００〜３００℃に上
昇させる。次に、基板上に窒化シリコン薄膜を蒸着させ
る。
【００２４】３．微細結晶粒薄膜の蒸着 真空チャンバ内のステージ上に基板を支持させる。基板
が真空下に支持された状態で、真空チャンバ内に設けら
れたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ4 ／Ｈ2
／Ｈｅのガスをチャンバ内に供給する。この時、ガス流
量はＳｉＨ4 ０．５〜２ＳＣＣＭ、Ｈ2 ５〜１００ＳＣ
ＣＭ、Ｈｅ１０〜１００ＳＣＣＭであり、ＳｉＨ4 ／Ｈ
2 の流量比( ＳｉＨ4 Ｈ 2flow rateratio）は１：１０
〜１：５０で、全体ガス圧力（total gas pressure）
は、２００〜５００ｍＴｏｒｒであった。前記チャンバ
に隣接したスパイラルアンテナに１０〜１２０ＷのＲＦ
電力を印加して、チャンバ内に誘導結合形プラズマを発
生させる。基板の温度を２００〜３００℃に上昇させ
る。次に、基板上に微細結晶粒薄膜を蒸着させる。
が真空下に支持された状態で、真空チャンバ内に設けら
れたガス供給手段のガス注入口を通してＳｉＨ4 ／Ｈ2
／Ｈｅのガスをチャンバ内に供給する。この時、ガス流
量はＳｉＨ4 ０．５〜２ＳＣＣＭ、Ｈ2 ５〜１００ＳＣ
ＣＭ、Ｈｅ１０〜１００ＳＣＣＭであり、ＳｉＨ4 ／Ｈ
2 の流量比( ＳｉＨ4 Ｈ 2flow rateratio）は１：１０
〜１：５０で、全体ガス圧力（total gas pressure）
は、２００〜５００ｍＴｏｒｒであった。前記チャンバ
に隣接したスパイラルアンテナに１０〜１２０ＷのＲＦ
電力を印加して、チャンバ内に誘導結合形プラズマを発
生させる。基板の温度を２００〜３００℃に上昇させ
る。次に、基板上に微細結晶粒薄膜を蒸着させる。
【００２５】４．非晶質シリコン薄膜トランジスタの製
造。 次に、図３Ａの構造をもつ逆スタッガード(inverted st
aggered)形非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
を説明する。まず、絶縁基板３０上にＣｒ，Ａｌなどの
金属パターンからなるゲート３１を形成する。その後、
前記構造の全表面に窒化膜からなるゲート絶縁層３２を
形成する。ここで、ゲート絶縁層の厚さは３０００Åで
あった。ゲート絶縁層の蒸着条件において、ガス流量は
ＳｉＨ4が０．５ＳＣＣＭ、ＮＨ3が２５ＳＣＣＭ、Ｈｅ
が７０ＳＣＣＭであり、基板温度は３００℃、ＲＦ電力
は４０Ｗ、ガス圧力は５８０ｍＴｏｒｒであった。
造。 次に、図３Ａの構造をもつ逆スタッガード(inverted st
aggered)形非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
を説明する。まず、絶縁基板３０上にＣｒ，Ａｌなどの
金属パターンからなるゲート３１を形成する。その後、
前記構造の全表面に窒化膜からなるゲート絶縁層３２を
形成する。ここで、ゲート絶縁層の厚さは３０００Åで
あった。ゲート絶縁層の蒸着条件において、ガス流量は
ＳｉＨ4が０．５ＳＣＣＭ、ＮＨ3が２５ＳＣＣＭ、Ｈｅ
が７０ＳＣＣＭであり、基板温度は３００℃、ＲＦ電力
は４０Ｗ、ガス圧力は５８０ｍＴｏｒｒであった。
【００２６】ゲート絶縁層３２上にチャネル或いは活性
層になる水素化された非晶質シリコン(aーＳｉ：Ｈ )パ
ターン３３を形成する。この際、非晶質シリコンパター
ン３３の蒸着条件は、ガス流量はＳｉＨ4 ０．５ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は２５０℃、ＲＦ電力は４０Ｗ、ガス圧力
は４３０ｍＴｏｒｒであった。また、水素化された非晶
質シリコンパターン３３の両側上部にはこの活性層に接
触するソース／ドレイン３５を形成し、ａ−Ｓｉ：Ｈ活
性層３３パターンとソース／ドレイン３５との間にオー
ム特性の向上のためのオーム接触層３４としてｎ形不純
物が高濃度にドープされたｎ+a−Ｓｉ：Ｈまたはｎ +μ
ｃ−Ｓｉを形成する。オーム接触層の蒸着条件は、ガス
流量はＳｉＨ4 が０. ５ＳＣＣＭ、ＰＨ３が０. ０１５
ＳＣＣＭ、Ｈｅが５０ＳＣＣＭであり、基板温度は２５
０℃、ＲＦ電力は４０Ｗ、ガス圧力は４３０ｍＴｏｒｒ
であった。
層になる水素化された非晶質シリコン(aーＳｉ：Ｈ )パ
ターン３３を形成する。この際、非晶質シリコンパター
ン３３の蒸着条件は、ガス流量はＳｉＨ4 ０．５ＳＣＣ
Ｍ、基板温度は２５０℃、ＲＦ電力は４０Ｗ、ガス圧力
は４３０ｍＴｏｒｒであった。また、水素化された非晶
質シリコンパターン３３の両側上部にはこの活性層に接
触するソース／ドレイン３５を形成し、ａ−Ｓｉ：Ｈ活
性層３３パターンとソース／ドレイン３５との間にオー
ム特性の向上のためのオーム接触層３４としてｎ形不純
物が高濃度にドープされたｎ+a−Ｓｉ：Ｈまたはｎ +μ
ｃ−Ｓｉを形成する。オーム接触層の蒸着条件は、ガス
流量はＳｉＨ4 が０. ５ＳＣＣＭ、ＰＨ３が０. ０１５
ＳＣＣＭ、Ｈｅが５０ＳＣＣＭであり、基板温度は２５
０℃、ＲＦ電力は４０Ｗ、ガス圧力は４３０ｍＴｏｒｒ
であった。
【００２７】次に、図３Ｂの構造をもつ別の逆スタッガ
ード(inverted staggered)形非晶質シリコン薄膜トラン
ジスタの製造方法を説明する。まず、絶縁基板３０上に
Ｃｒ、Ａｌなどの金属をゲート電極３１として蒸着し
後、ゲート絶縁層３２のシリコン窒化膜と活性層の水素
化された非晶質シリコン層２２を蒸着する。次に、オー
ム接触のためにn+非晶質シリコンまたはｎ+ 微細結晶質
シリコン３６を形成した後、Ａｌ／Ｃｒをソース／ドレ
イン電極３５として用いて製造する。
ード(inverted staggered)形非晶質シリコン薄膜トラン
ジスタの製造方法を説明する。まず、絶縁基板３０上に
Ｃｒ、Ａｌなどの金属をゲート電極３１として蒸着し
後、ゲート絶縁層３２のシリコン窒化膜と活性層の水素
化された非晶質シリコン層２２を蒸着する。次に、オー
ム接触のためにn+非晶質シリコンまたはｎ+ 微細結晶質
シリコン３６を形成した後、Ａｌ／Ｃｒをソース／ドレ
イン電極３５として用いて製造する。
【００２８】また、前記ゲート絶縁層３２の代わりに量
産歩留りを増加させるために、ＳｉＯ2/ＳｉＮ或いはＡ
ｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＮなどの積層構造を使用することもでき
る。通常、ａ−Ｓｉ：ＨＴＦＴで活性層３３として非晶
質シリコンを使用するが、このような非晶質シリコンの
特性がＴＦＴの特性を決定付ける。現在、このような非
晶質シリコンは大部分ＰＥＣＶＤ装備を使用して製造し
ている。以下、本実施例によって製造された非晶質シリ
コン薄膜、窒化シリコン薄膜、及び非晶質シリコン薄膜
トランジスタに対して順次電気的及び光学的物性を実験
した結果を図４〜図１５Ｂに基づいて詳細に説明する。
産歩留りを増加させるために、ＳｉＯ2/ＳｉＮ或いはＡ
ｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＮなどの積層構造を使用することもでき
る。通常、ａ−Ｓｉ：ＨＴＦＴで活性層３３として非晶
質シリコンを使用するが、このような非晶質シリコンの
特性がＴＦＴの特性を決定付ける。現在、このような非
晶質シリコンは大部分ＰＥＣＶＤ装備を使用して製造し
ている。以下、本実施例によって製造された非晶質シリ
コン薄膜、窒化シリコン薄膜、及び非晶質シリコン薄膜
トランジスタに対して順次電気的及び光学的物性を実験
した結果を図４〜図１５Ｂに基づいて詳細に説明する。
【００２９】まず、非晶質シリコン薄膜について説明す
る。図４は本実施例によって製造された非晶質シリコン
薄膜のＦＴ−ＩＲ特性（Fourier transform infrared c
haracteristics）を図３に示した。ここでは単結晶シリ
コンウェーハ上に蒸着された非晶質シリコン薄膜をＢＯ
ＭＥＮ１００ＲＦＴ−ＩＲ分光器（Fourier transform
infrared spectroscope ）を使用して赤外線領域におけ
る吸収率（Absorption Coefficient）を測定した。赤外
線領域におけるスペクトル結果から、波数２０００ｃｍ
-1ではＳｉ−Ｈボンド(bond)のストレッチモード（stre
chmode）が、波数６１０ｃｍ-1ではＳｉ−Ｈボンドのバ
ンドモードが現われたことが分かる。従って、本実施例
によって形成された非晶質シリコン薄膜は典型的な非晶
質シリコン薄膜である。本実施例によって製造された非
晶質シリコン薄膜ではＳｉ−Ｈ2 ボンドが発見されてお
らず、Ｓｉ−Ｈn (ｎ＝１，２）ボンドから計算された
薄膜内の水素含有量は１４ａｔ．％と明らかになった。
る。図４は本実施例によって製造された非晶質シリコン
薄膜のＦＴ−ＩＲ特性（Fourier transform infrared c
haracteristics）を図３に示した。ここでは単結晶シリ
コンウェーハ上に蒸着された非晶質シリコン薄膜をＢＯ
ＭＥＮ１００ＲＦＴ−ＩＲ分光器（Fourier transform
infrared spectroscope ）を使用して赤外線領域におけ
る吸収率（Absorption Coefficient）を測定した。赤外
線領域におけるスペクトル結果から、波数２０００ｃｍ
-1ではＳｉ−Ｈボンド(bond)のストレッチモード（stre
chmode）が、波数６１０ｃｍ-1ではＳｉ−Ｈボンドのバ
ンドモードが現われたことが分かる。従って、本実施例
によって形成された非晶質シリコン薄膜は典型的な非晶
質シリコン薄膜である。本実施例によって製造された非
晶質シリコン薄膜ではＳｉ−Ｈ2 ボンドが発見されてお
らず、Ｓｉ−Ｈn (ｎ＝１，２）ボンドから計算された
薄膜内の水素含有量は１４ａｔ．％と明らかになった。
【００３０】図５は本実施例によって製造された非晶質
シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。こ
こではCorning ７０５９Ｒのガラス基板上に蒸着された
薄膜に熱蒸着方法によってアルミニウムをコプレーナ電
極形態(coplanar electrodeshape ）で蒸着し、誘導結
合形プラズマＣＶＤ装置のステージ上に付着させた後、
ｋｅｉｔｈｌｅｙ electrometer ６１７Ｒとｋｅｉｔｈ
ｌｅｙmultimeter１９５ＡＲを使用して温度による電気
伝導度を測定した。測定された結果から計算された常温
における暗電気伝導度(dark conductivity）は４．３×
１０-12 Ω-1ｃｍ-1であり、測定された結果から計算さ
れたＡＭ−１条件( １００ｍＷ／ｃｍ2)における光電気
伝導度(photoconductivity )は１．４×１０-5Ω-1c ｍ
-1であった。また、電気伝導度活性化エネルギー(activ
ation energy of the electricalconductivity）は１．
０５ｅＶであった。従って、本実施例によって蒸着した
非晶質シリコン薄膜の光感度は３×１０6 なので、この
非晶質シリコン材料が優れた物性をもつことが分かる。
シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。こ
こではCorning ７０５９Ｒのガラス基板上に蒸着された
薄膜に熱蒸着方法によってアルミニウムをコプレーナ電
極形態(coplanar electrodeshape ）で蒸着し、誘導結
合形プラズマＣＶＤ装置のステージ上に付着させた後、
ｋｅｉｔｈｌｅｙ electrometer ６１７Ｒとｋｅｉｔｈ
ｌｅｙmultimeter１９５ＡＲを使用して温度による電気
伝導度を測定した。測定された結果から計算された常温
における暗電気伝導度(dark conductivity）は４．３×
１０-12 Ω-1ｃｍ-1であり、測定された結果から計算さ
れたＡＭ−１条件( １００ｍＷ／ｃｍ2)における光電気
伝導度(photoconductivity )は１．４×１０-5Ω-1c ｍ
-1であった。また、電気伝導度活性化エネルギー(activ
ation energy of the electricalconductivity）は１．
０５ｅＶであった。従って、本実施例によって蒸着した
非晶質シリコン薄膜の光感度は３×１０6 なので、この
非晶質シリコン材料が優れた物性をもつことが分かる。
【００３１】図６は本実施例による誘導結合形プラズマ
ＣＶＤ装置で製造された非晶質シリコン薄膜の光学的バ
ンドギャップを示すグラフである。Corning ７０５９Ｒ
のガラス基板上に蒸着された薄膜を赤外線／可視光線分
光測光器(spectrophotometer) を用いて光吸収係数αを
測定した。測定された光吸収係数を用いて光学的バンド
ギャップを下記の式によって得た。 （αｈν）1/2=Ｂ（Ｅ−Ｅg opt) ここで、Ｂはバンドの傾きを示す定数、ｈνは入射した
光の光子エネルギー、αは光吸収係数、及びＥg optは光
学的バンドギャップを示す。
ＣＶＤ装置で製造された非晶質シリコン薄膜の光学的バ
ンドギャップを示すグラフである。Corning ７０５９Ｒ
のガラス基板上に蒸着された薄膜を赤外線／可視光線分
光測光器(spectrophotometer) を用いて光吸収係数αを
測定した。測定された光吸収係数を用いて光学的バンド
ギャップを下記の式によって得た。 （αｈν）1/2=Ｂ（Ｅ−Ｅg opt) ここで、Ｂはバンドの傾きを示す定数、ｈνは入射した
光の光子エネルギー、αは光吸収係数、及びＥg optは光
学的バンドギャップを示す。
【００３２】図７に示すように、光学的バンドギャップ
は１．７８ｅＶであり、これから本実施例の非晶質シリ
コン薄膜は典型的な非晶質シリコン薄膜であることが分
かる。 図７は本実施例によって製造された非晶質シリ
コン薄膜の光吸収特性を示すグラフである。１．６ｅＶ
〜１．８ｅＶの光エネルギー範囲に対してバンドテール
(band tail）の傾きを表わすUrbachエネルギーＥｕは吸
収係数αを下記の式に適用することにより求められる。 α−α0eｘｐ（ｈν／Ｅｕ） ここではα0 は定数であり、ｈνは光エネルギーであ
る。また、下記の式で表示される結合状態密度Ｎｄは、 Ｎd=１．９×１０16∫αex( ｈν）ｄ（ｈν） αex= α−α0eｘｐ（ｈν／Ｅｕ) の積分因子を使用す
ることにより分かる。上記の方法から計算された非晶質
シリコン薄膜のurbach エネルギーＥｕと結合状態密度
Ｎｄはそれぞれ５８ｍｅＶ、７．４３×１０15ｃｍ-3ｅ
Ｖ-1であった。従って、本発明の実施例によって蒸着さ
れた非晶質シリコン薄膜が良質の材料であることが分か
る。
は１．７８ｅＶであり、これから本実施例の非晶質シリ
コン薄膜は典型的な非晶質シリコン薄膜であることが分
かる。 図７は本実施例によって製造された非晶質シリ
コン薄膜の光吸収特性を示すグラフである。１．６ｅＶ
〜１．８ｅＶの光エネルギー範囲に対してバンドテール
(band tail）の傾きを表わすUrbachエネルギーＥｕは吸
収係数αを下記の式に適用することにより求められる。 α−α0eｘｐ（ｈν／Ｅｕ） ここではα0 は定数であり、ｈνは光エネルギーであ
る。また、下記の式で表示される結合状態密度Ｎｄは、 Ｎd=１．９×１０16∫αex( ｈν）ｄ（ｈν） αex= α−α0eｘｐ（ｈν／Ｅｕ) の積分因子を使用す
ることにより分かる。上記の方法から計算された非晶質
シリコン薄膜のurbach エネルギーＥｕと結合状態密度
Ｎｄはそれぞれ５８ｍｅＶ、７．４３×１０15ｃｍ-3ｅ
Ｖ-1であった。従って、本発明の実施例によって蒸着さ
れた非晶質シリコン薄膜が良質の材料であることが分か
る。
【００３３】図８は本発明の実施例によって製作した装
備で蒸着されたｎ形非晶質シリコン薄膜の電気伝導度特
性を示すグラフである。ガラス基板に蒸着されたｎ形非
晶質シリコン薄膜を前記ｎ形微細結晶質シリコン薄膜の
測定方法と同一に行った。測定された結果から計算され
た常温における暗電気伝導度と電気伝導度活性化エネル
ギーはそれぞれ７×１０-3Ω-1ｃｍ-1、０．２２ｅＶで
あった。従って、本発明の実施例によって製作した装備
で蒸着されたｎ形非晶質シリコン薄膜がドーピング効率
に優れた材料であることが分かる。
備で蒸着されたｎ形非晶質シリコン薄膜の電気伝導度特
性を示すグラフである。ガラス基板に蒸着されたｎ形非
晶質シリコン薄膜を前記ｎ形微細結晶質シリコン薄膜の
測定方法と同一に行った。測定された結果から計算され
た常温における暗電気伝導度と電気伝導度活性化エネル
ギーはそれぞれ７×１０-3Ω-1ｃｍ-1、０．２２ｅＶで
あった。従って、本発明の実施例によって製作した装備
で蒸着されたｎ形非晶質シリコン薄膜がドーピング効率
に優れた材料であることが分かる。
【００３４】次に、微細結晶質シリコン薄膜について説
明する。図９は本実施例による誘導結合形プラズマＣＶ
Ｄ方法によってＨ2 ／ＳｉＨ4 が比率によって蒸着され
た微細結晶質シリコン薄膜のラマン散乱(Raman scatter
ing ）から得た結晶化度（crystallizationdegree ）と
全幅半値(Full-Width at HalfMaximum［ＦＷＨＭ］）を
示すグラフである。Corning ７０５９Ｒのガラス基板に
蒸着された微細結晶質シリコン薄膜をラマン分光器(Ram
m spectroscopy) を試用して結晶化度及び全幅半値を求
めた。また、走査電子顕微鏡ＳＥＭを使用して微細結晶
質の大きさを測定した。測定の結果、微細結晶質の大き
さは２００Å〜４００Åであり、結晶化度は図８に示す
ように７０〜７３％であることが分かった。この値か
ら、典型的な微細結晶粒の大きさは３０Å〜２００Åで
あり、結晶化度は数％〜７０％であることを考慮する時
(refer toK．Nomoto et al., Jpn. J．Appl．Phys．２
９,L１３７２ ,１９９０）、本実施例の微細結晶粒シリ
コン薄膜は優れた薄膜であることが分かる。
明する。図９は本実施例による誘導結合形プラズマＣＶ
Ｄ方法によってＨ2 ／ＳｉＨ4 が比率によって蒸着され
た微細結晶質シリコン薄膜のラマン散乱(Raman scatter
ing ）から得た結晶化度（crystallizationdegree ）と
全幅半値(Full-Width at HalfMaximum［ＦＷＨＭ］）を
示すグラフである。Corning ７０５９Ｒのガラス基板に
蒸着された微細結晶質シリコン薄膜をラマン分光器(Ram
m spectroscopy) を試用して結晶化度及び全幅半値を求
めた。また、走査電子顕微鏡ＳＥＭを使用して微細結晶
質の大きさを測定した。測定の結果、微細結晶質の大き
さは２００Å〜４００Åであり、結晶化度は図８に示す
ように７０〜７３％であることが分かった。この値か
ら、典型的な微細結晶粒の大きさは３０Å〜２００Åで
あり、結晶化度は数％〜７０％であることを考慮する時
(refer toK．Nomoto et al., Jpn. J．Appl．Phys．２
９,L１３７２ ,１９９０）、本実施例の微細結晶粒シリ
コン薄膜は優れた薄膜であることが分かる。
【００３５】図１０は本発明の実施例によって蒸着され
たｎ形微細結晶質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示す
グラフである。corning ７０５９Ｒガラス基板上に蒸着
されたｎ形微細結晶質シリコン薄膜に熱蒸着方法によっ
てアルミニウムをコプレーナ電極形態で蒸着して真空装
置のホールダ上に付着させた後、ｋｅｉｔｈｌｅｙ ele
ctrometer ６１７Ｒとｋｅｉｔｈｌｅｙmultimeter１９
５ＡＲを使用して温度による電気伝導度を測定した。測
定結果から計算された常温における暗電気伝導度と電気
伝導度活性化エネルギーはそれぞれ１７Ω-1ｃｍ-1，３
０ｍｅＶであった。従って、本実施例によって製造され
たｎ形微細結晶質シリコン材料がドーピング効率に優れ
た膜質であることが分かる。以下、窒化シリコン薄膜に
ついて説明する。
たｎ形微細結晶質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示す
グラフである。corning ７０５９Ｒガラス基板上に蒸着
されたｎ形微細結晶質シリコン薄膜に熱蒸着方法によっ
てアルミニウムをコプレーナ電極形態で蒸着して真空装
置のホールダ上に付着させた後、ｋｅｉｔｈｌｅｙ ele
ctrometer ６１７Ｒとｋｅｉｔｈｌｅｙmultimeter１９
５ＡＲを使用して温度による電気伝導度を測定した。測
定結果から計算された常温における暗電気伝導度と電気
伝導度活性化エネルギーはそれぞれ１７Ω-1ｃｍ-1，３
０ｍｅＶであった。従って、本実施例によって製造され
たｎ形微細結晶質シリコン材料がドーピング効率に優れ
た膜質であることが分かる。以下、窒化シリコン薄膜に
ついて説明する。
【００３６】図１１は実施例によって製造された窒化シ
リコン薄膜のＦＴ−ＩＲ特性を示す。ここでは電気伝導
度の大きい単結晶シリコンウェーハ上に蒸着された窒化
シリコン薄膜をＢＯＭＥＮ１００ＲＦＴ−ＩＲ分光器を
使用して赤外線領域における吸収率を測定した。赤外線
領域におけるスペクトル結果から、波数３３４０ｃｍ-1
ではＮ−Ｈボンドのストレッチモードが、波数１１５０
ｃｍ-1ではＳｉ−Ｈボンドのバンドモードが現われたこ
とが分かる。また、波数８４０ｃｍ-1でＳｉ−Ｎボンド
が現われたことが分かる。従って、本実施例によって形
成された窒化シリコン薄膜は典型的な窒化シリコン薄膜
であることが分かる。
リコン薄膜のＦＴ−ＩＲ特性を示す。ここでは電気伝導
度の大きい単結晶シリコンウェーハ上に蒸着された窒化
シリコン薄膜をＢＯＭＥＮ１００ＲＦＴ−ＩＲ分光器を
使用して赤外線領域における吸収率を測定した。赤外線
領域におけるスペクトル結果から、波数３３４０ｃｍ-1
ではＮ−Ｈボンドのストレッチモードが、波数１１５０
ｃｍ-1ではＳｉ−Ｈボンドのバンドモードが現われたこ
とが分かる。また、波数８４０ｃｍ-1でＳｉ−Ｎボンド
が現われたことが分かる。従って、本実施例によって形
成された窒化シリコン薄膜は典型的な窒化シリコン薄膜
であることが分かる。
【００３７】図１２は本実施例によって製作された誘導
結合形プラズマＣＶＤ装置で製造された窒化シリコン薄
膜の電流−電圧特性を示すグラフである。ここでは比抵
抗１０〜１５Ωｃｍのｐ形のシリコンウェーハ上に厚さ
１０００Åの窒化シリコン薄膜を蒸着した後、熱蒸着方
法によって真空で直径１ｍｍのアルミニウムを形成し
て、ＭＩＳ構造体を製作した。ｋｅｉｔｈｌｅｙelectr
ometer６１７Ｒを使用してこの構造体の電流−電圧特性
を測定した。この測定結果、図８に示すように、降伏電
圧は７ＭＶであり、電流密度は１ＭＶ／ｃｍで約１０
-10A／ｃｍ 2であることが分かった。
結合形プラズマＣＶＤ装置で製造された窒化シリコン薄
膜の電流−電圧特性を示すグラフである。ここでは比抵
抗１０〜１５Ωｃｍのｐ形のシリコンウェーハ上に厚さ
１０００Åの窒化シリコン薄膜を蒸着した後、熱蒸着方
法によって真空で直径１ｍｍのアルミニウムを形成し
て、ＭＩＳ構造体を製作した。ｋｅｉｔｈｌｅｙelectr
ometer６１７Ｒを使用してこの構造体の電流−電圧特性
を測定した。この測定結果、図８に示すように、降伏電
圧は７ＭＶであり、電流密度は１ＭＶ／ｃｍで約１０
-10A／ｃｍ 2であることが分かった。
【００３８】最後に、非晶質薄膜トランジスタについて
説明する。図１３Ａは従来の方法によって製造された非
晶質シリコン薄膜トランジスタの出力特性を示すグラフ
である。図１３Ｂは本発明の実施例によって製造された
図３Ａの構造を有する非晶質シリコン薄膜トランジスタ
のドレイン電流−ゲート電圧特性を示すグラフである。
図示したように、ＴＦＴのＷ／Ｌ（ここで、ＷはＴＦＴ
の幅、ＬはＴＦＴの長さを示す）が６０μｍ／３０μｍ
であり、ゲート電圧が２０Ｖである時、ＰＥＣＶＤで製
作したＴＦＴのドレイン電流は１．３×１０-6Ａで飽和
する反面、ＩＣＰ−ＣＶＤ装備によって製作されたＴＦ
Ｔのドレイン電流は２．０×１０-6Ａで飽和することを
示している。従って、ＩＣＰ−ＣＶＤ装備を用いて製作
したｎ+非晶質シリコン層がＴＦＴの良い接触層として
作用していることが分かり、高いドレイン電圧における
電流飽和状態、そしてゲート電圧の増加によるドレイン
電流の幅が大きいことを示している。
説明する。図１３Ａは従来の方法によって製造された非
晶質シリコン薄膜トランジスタの出力特性を示すグラフ
である。図１３Ｂは本発明の実施例によって製造された
図３Ａの構造を有する非晶質シリコン薄膜トランジスタ
のドレイン電流−ゲート電圧特性を示すグラフである。
図示したように、ＴＦＴのＷ／Ｌ（ここで、ＷはＴＦＴ
の幅、ＬはＴＦＴの長さを示す）が６０μｍ／３０μｍ
であり、ゲート電圧が２０Ｖである時、ＰＥＣＶＤで製
作したＴＦＴのドレイン電流は１．３×１０-6Ａで飽和
する反面、ＩＣＰ−ＣＶＤ装備によって製作されたＴＦ
Ｔのドレイン電流は２．０×１０-6Ａで飽和することを
示している。従って、ＩＣＰ−ＣＶＤ装備を用いて製作
したｎ+非晶質シリコン層がＴＦＴの良い接触層として
作用していることが分かり、高いドレイン電圧における
電流飽和状態、そしてゲート電圧の増加によるドレイン
電流の幅が大きいことを示している。
【００３９】図１４Ａは従来のＰＥＣＶＤによって製造
された図３Ａと同一の構造を有する非晶質シリコン薄膜
トランジスタのドレイン電流−電圧特性を示すグラフで
ある。図１４Ｂは本発明の実施例によって図３Ａの構造
で製造した非晶質シリコン薄膜トランジスタのドレイン
電流−電圧特性を示すグラフである。トランスファ曲線
に示したように、本実施例によってＩＣＰ−ＣＶＤで製
作されたａ−ＳｉＴＦＴのオフ電流が既存のＰＥＣＶＤ
によって製作された非晶質シリコンＴＦＴのそれより約
１／１０程度小さいことを示している。また、本実施例
によって製造した水素化された非晶質シリコン薄膜トラ
ンジスタのサブスレッショルドスロープ(subthresholds
lope）は約０．３６Ｖ／ｄｅｃであり、オン／オフ比率
は＞１０6 に測定された。
された図３Ａと同一の構造を有する非晶質シリコン薄膜
トランジスタのドレイン電流−電圧特性を示すグラフで
ある。図１４Ｂは本発明の実施例によって図３Ａの構造
で製造した非晶質シリコン薄膜トランジスタのドレイン
電流−電圧特性を示すグラフである。トランスファ曲線
に示したように、本実施例によってＩＣＰ−ＣＶＤで製
作されたａ−ＳｉＴＦＴのオフ電流が既存のＰＥＣＶＤ
によって製作された非晶質シリコンＴＦＴのそれより約
１／１０程度小さいことを示している。また、本実施例
によって製造した水素化された非晶質シリコン薄膜トラ
ンジスタのサブスレッショルドスロープ(subthresholds
lope）は約０．３６Ｖ／ｄｅｃであり、オン／オフ比率
は＞１０6 に測定された。
【００４０】図１５Ａは従来の方法によって製造された
非晶質薄膜トランジスタの電界効果移動度を示すグラフ
である。図１５Ｂは本実施例によって製造された非晶質
薄膜トランジスタの電界効果移動度(field effect mobi
lity）を示すグラフである。 （ＩD) 1/2= ｛μFE( Ｗ／Ｌ）Ｃi(ＶG-ＶTH) ＶD }1/2
の式から求められたしきい電圧ＶＴＨは約４３６Ｖ、電
界効果移動度( μFE）は約０．８０ｃｍ2 ／Ｖｓである
ことを示している。従って、従来のＰＥＣＶＤ装置を用
いて同一の工程で製造されたＴＦＴのしきい電圧と電界
効果移動度が約６Ｖ，０．６ｃｍ2 ／Ｖｓであることを
勘案する時（Refer to図１５Ａ）、ＩＣＰ−ＣＶＤ方法
によって製造したＴＦＴがより優れることが分かる。
非晶質薄膜トランジスタの電界効果移動度を示すグラフ
である。図１５Ｂは本実施例によって製造された非晶質
薄膜トランジスタの電界効果移動度(field effect mobi
lity）を示すグラフである。 （ＩD) 1/2= ｛μFE( Ｗ／Ｌ）Ｃi(ＶG-ＶTH) ＶD }1/2
の式から求められたしきい電圧ＶＴＨは約４３６Ｖ、電
界効果移動度( μFE）は約０．８０ｃｍ2 ／Ｖｓである
ことを示している。従って、従来のＰＥＣＶＤ装置を用
いて同一の工程で製造されたＴＦＴのしきい電圧と電界
効果移動度が約６Ｖ，０．６ｃｍ2 ／Ｖｓであることを
勘案する時（Refer to図１５Ａ）、ＩＣＰ−ＣＶＤ方法
によって製造したＴＦＴがより優れることが分かる。
【００４１】
【発明の効果】本実施例から分かるように、本発明によ
る誘導結合形プラズマＣＶＤ方法によれば、誘導体窓の
表面に酸素を含まぬシリコン層が形成されており、ガス
供給手段に連結されたリング形状部がチャンバの中央部
に位置するように設置されており、リング形状部の周り
には一定間隔をおいてガス注入口が多数形成されてお
り、且つ誘導体窓の表面に形成されたアンテナが螺旋状
を成す反応チャンバが提供されることにより、チャンバ
内部で高密度の均一なプラズマを得ることができる。
る誘導結合形プラズマＣＶＤ方法によれば、誘導体窓の
表面に酸素を含まぬシリコン層が形成されており、ガス
供給手段に連結されたリング形状部がチャンバの中央部
に位置するように設置されており、リング形状部の周り
には一定間隔をおいてガス注入口が多数形成されてお
り、且つ誘導体窓の表面に形成されたアンテナが螺旋状
を成す反応チャンバが提供されることにより、チャンバ
内部で高密度の均一なプラズマを得ることができる。
【００４２】従って、光感度、電気伝導度、活性化エネ
ルギー、光学的バンドギャップのような薄膜の特性に優
れており且つ均一な非晶質シリコン膜を得ることがで
き、降伏電圧、電流密度のような薄膜の特性に優れてお
り且つ均一な窒化シリコン膜を得ることができ、結晶粒
の大きさが微細であり且つ均一なシリコン薄膜を得るこ
とができる。しかも、電界効果移動度、しきい電圧のよ
うな電気的特性に優れており且つ均一な非晶質シリコン
膜を含む薄膜トランジスタを得ることができるので、高
品位のＴＦＴ−ＬＣＤを製造することができる。
ルギー、光学的バンドギャップのような薄膜の特性に優
れており且つ均一な非晶質シリコン膜を得ることがで
き、降伏電圧、電流密度のような薄膜の特性に優れてお
り且つ均一な窒化シリコン膜を得ることができ、結晶粒
の大きさが微細であり且つ均一なシリコン薄膜を得るこ
とができる。しかも、電界効果移動度、しきい電圧のよ
うな電気的特性に優れており且つ均一な非晶質シリコン
膜を含む薄膜トランジスタを得ることができるので、高
品位のＴＦＴ−ＬＣＤを製造することができる。
【図１】本発明の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置の実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図２】図２Ａは図１の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置
に用いられるアンテナの構造を示す概略図であり、図２
Ｂは図１の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置に用いられる
他の変形例のアンテナの構造を示す概略図である。
に用いられるアンテナの構造を示す概略図であり、図２
Ｂは図１の誘導結合形プラズマＣＶＤ装置に用いられる
他の変形例のアンテナの構造を示す概略図である。
【図３】図３Ａは本発明の実施例によって製造された逆
スタッガード(inverted staggered)形の非晶質シリコン
薄膜トランジスタの断面図であり、図３Ｂは本発明の別
の実施例によって製造された逆スタッガード形の非晶質
シリコン薄膜トランジスタの断面図である。
スタッガード(inverted staggered)形の非晶質シリコン
薄膜トランジスタの断面図であり、図３Ｂは本発明の別
の実施例によって製造された逆スタッガード形の非晶質
シリコン薄膜トランジスタの断面図である。
【図４】本発明の一実施例によって製造された非晶質シ
リコン薄膜のＦＲ−ＩＲ特性を示すグラフである。
リコン薄膜のＦＲ−ＩＲ特性を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例によって製造された非晶質シ
リコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。
リコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施例によって製造された非晶質シ
リコン薄膜の光学的バンドギャップ特性を示すグラフで
ある。
リコン薄膜の光学的バンドギャップ特性を示すグラフで
ある。
【図７】本発明の一実施例によって製造された非晶質シ
リコン薄膜の光吸収特性を示すグラフである。
リコン薄膜の光吸収特性を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施例によって製造されたｎ形非晶
質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。
質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフである。
【図９】本発明の一実施例によって製造された微細結晶
質シリコン薄膜の結晶化度及びラマンピークの全幅半値
（ＦＷＨＭ）を示すグラフである。
質シリコン薄膜の結晶化度及びラマンピークの全幅半値
（ＦＷＨＭ）を示すグラフである。
【図１０】本発明の一実施例によって製造されたｎ形微
細結晶質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフで
ある。
細結晶質シリコン薄膜の電気伝導度特性を示すグラフで
ある。
【図１１】本発明の一実施例によって製造された窒化シ
リコン薄膜のＦＲ−ＩＲ特性を示すグラフである。
リコン薄膜のＦＲ−ＩＲ特性を示すグラフである。
【図１２】本発明の一実施例によって製造された窒化シ
リコン薄膜の電流−電圧特性を示すグラフである。
リコン薄膜の電流−電圧特性を示すグラフである。
【図１３】図１３Ａは従来のＰＥＣＶＤ方法によって製
造された非晶質シリコン薄膜トランジスタの出力特性を
示すグラフであり、図１３Ｂは本発明の誘導結合形プラ
ズマＣＶＤ方法によって製造された非晶質シリコン薄膜
トランジスタの出力特性を示すグラフである。
造された非晶質シリコン薄膜トランジスタの出力特性を
示すグラフであり、図１３Ｂは本発明の誘導結合形プラ
ズマＣＶＤ方法によって製造された非晶質シリコン薄膜
トランジスタの出力特性を示すグラフである。
【図１４】図１４Ａは従来の方法によって製造された非
晶質シリコン薄膜トランジスタのドレイン電流−ゲート
電圧特性を示すグラフであり、図１４Ｂは本発明の一実
施例によって製造された非晶質シリコン薄膜トランジス
タのドレイン電流−ゲート電圧特性を示すグラフであ
る。
晶質シリコン薄膜トランジスタのドレイン電流−ゲート
電圧特性を示すグラフであり、図１４Ｂは本発明の一実
施例によって製造された非晶質シリコン薄膜トランジス
タのドレイン電流−ゲート電圧特性を示すグラフであ
る。
【図１５】図１５Ａは従来の方法によって製造された非
晶質シリコン薄膜トランジスタの電界効果移動度を示す
グラフであり、図１５Ｂは本発明の一実施例によって製
造された非晶質シリコン薄膜トランジスタの電界効果移
動度を示すグラフである。
晶質シリコン薄膜トランジスタの電界効果移動度を示す
グラフであり、図１５Ｂは本発明の一実施例によって製
造された非晶質シリコン薄膜トランジスタの電界効果移
動度を示すグラフである。
１１ 真空反応チャンバ １２ 円筒形測板 １３ 誘電体窓 １４ 底板 １６ シリコン層 １７ アンテナ １８ マッチングボックス ２０ ステージ ２２ 排気ライン ２３ ガス貯蔵タンク ２４，２５ ガス供給管 ２４Ａ，２５Ａ リング形状部 ２４Ｂ，２５Ｂ ノズル孔 ３０ 絶縁基板 ３１ ゲート ３２ ゲート絶縁層 ３３ 非晶質シリコンパターン ３５ソース／ドレイン
フロントページの続き (72)発明者 ジャン ジン 大韓民国，ソウル，ソチョーク チャムウ ォン−ドン53 ヒュンダイアパート102− 1103 (72)発明者 金 在 ▲ガク▼ 大韓民国，ソウル，東大門区 回基洞 １ 番地 慶煕大学校 物理学科内 (72)発明者 趙 世 一 大韓民国，ソウル，東大門区 回基洞 １ 番地 慶煕大学校 物理学科内
Claims (20)
- 【請求項１】 反応ガス誘導結合形プラズマから基板上
に選ばれた薄膜を蒸着する方法であり、少なくても一部
分が誘電体窓(dielectric shield)を含み、前記誘電体
窓の反応チャンバ内側の表面に酸素を含まぬシリコン膜
を有し、且つ前記誘電体窓に隣接して置かれている高周
波印加可能なアンテナを含む真空化学蒸着チャンバを提
供する段階と、前記チャンバ内にあるステージ上に基板
を位置させる段階と、前記チャンバを真空化する段階
と、前記チャンバ内に反応ガスを供給する段階と、前記
アンテナにＲＦ電力を印加する段階と、前記基板上に薄
膜を形成するために前記チャンバ内に蒸着反応ガス誘導
結合形プラズマを形成する段階とを含むことを特徴とす
る誘導結合形プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 前記誘電体窓は石英材或いはＡｌ2Ｏ3
材であることを特徴とする請求項１記載の誘導結合形プ
ラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 前記反応ガスは誘電体、金属、半導体組
成物から選ばれた薄膜を蒸着し得るように選択された組
成を有することを特徴とする請求項１記載の誘導結合形
プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項４】 前記反応ガスはシリコン薄膜を蒸着し得
るように選択された組成を有することを特徴とする請求
項１記載の誘導結合形プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項５】 前記反応ガスは窒化シリコン薄膜を蒸着
し得るように選択された組成を有することを特徴とする
請求項１記載の誘導結合形プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項６】 誘導結合形プラズマから支持基板構造体
上に形成された非晶質シリコン薄膜。 - 【請求項７】 前記非晶質シリコン薄膜は常温における
暗電気伝導度が４．３×１０-12 Ｓ／ｃｍであることを
特徴とする請求項６記載の非晶質シリコン薄膜。 - 【請求項８】前記非晶質シリコン薄膜はＡＭ−１( １０
０ｍＶ／ｃｍ2) の条件の下で光電気伝導度が１．４×
１０-5Ｓ／ｃｍであることを特徴とする請求項６記載の
非晶質シリコン薄膜。 - 【請求項９】 前記非晶質シリコン薄膜は光感度が約３
×１０6 であることを特徴とする請求項６記載の非晶質
シリコン薄膜。 - 【請求項１０】 前記非晶質シリコン薄膜は光学的バン
ドギャップが１．７８ｅＶであることを特徴とする請求
項６記載の非晶質シリコン薄膜。 - 【請求項１１】 誘導結合形プラズマから支持基板構造
体上に形成された微細結晶質シリコン薄膜であって、微
細結晶粒の大きさが２００〜３００Åであり、結晶化度
が７０〜７３％であることを特徴とする請求項７記載の
微細結晶質シリコン薄膜。 - 【請求項１２】 誘導結合形プラズマから支持基板構造
体上に形成された窒化シリコン膜。 - 【請求項１３】 前記窒化シリコン膜は降伏電圧が７Ｍ
Ｖであり、電流密度が１ＭＶ／ｃｍで１０-10 Ａ／ｃｍ
2 であることを特徴とする請求項１２記載の窒化シリコ
ン膜。 - 【請求項１４】 非晶質シリコン薄膜を含む非晶質シリ
コン薄膜トランジスタであって、前記非晶質シリコン薄
膜が誘導結合形プラズマから形成されたことを特徴とす
る非晶質薄膜トランジスタ。 - 【請求項１５】 非晶質シリコン層を含む非晶質シリコ
ン薄膜トランジスタであって、前記オーム層は誘導結合
形プラズマから形成されたｎ＋形非晶質シリコン薄膜で
あることを特徴とする非晶質薄膜トランジスタ。 - 【請求項１６】 オーミック（ohmic ） 層を含む非晶
質シリコン薄膜トランジスタであって、前記オーム層は
誘導結合形プラズマから形成されたｎ+ 形微細結晶質シ
リコン薄膜であることを特徴とする非晶質薄膜トランジ
スタ。 - 【請求項１７】 オーミック層を含む非晶質シリコン薄
膜トランジスタであって、前記オーム層は誘導結合形プ
ラズマから形成されたことを特徴とする非晶質薄膜トラ
ンジスタ。 - 【請求項１８】 誘導結合形プラズマから形成された水
素化された非晶質シリコン薄膜を含む非晶質薄膜トラン
ジスタ。 - 【請求項１９】 薄膜トランジスタのドレイン電流が
２．０×１０-6Ａで飽和することを特徴とする請求項１
８記載の非晶質薄膜トランジスタ。 - 【請求項２０】薄膜トランジスタの電界効果移動度が
０．８０ｃｍ2 ／ＶSであり、しきい電圧値が約４．６
Ｖであることを特徴とする請求項１８記載の非晶質薄膜
トランジスタ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19960007201 | 1996-03-18 | ||
| KR1996P21113 | 1996-06-13 | ||
| KR19960021113 | 1996-06-13 | ||
| KR1996P7201 | 1996-06-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027762A true JPH1027762A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=26631682
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9084597A Pending JPH1027762A (ja) | 1996-03-18 | 1997-03-18 | 誘導結合形プラズマｃｖｄ方法及びこれを用いて生成された非晶質シリコン薄膜，及び、窒化シリコン膜，非晶質薄膜トランジスタ |
| JP9084596A Pending JPH1081973A (ja) | 1996-03-18 | 1997-03-18 | 誘導結合形プラズマｃｖｄ装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9084596A Pending JPH1081973A (ja) | 1996-03-18 | 1997-03-18 | 誘導結合形プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5951773A (ja) |
| JP (2) | JPH1027762A (ja) |
| KR (2) | KR100469134B1 (ja) |
| DE (2) | DE19711267A1 (ja) |
| GB (2) | GB2311298B (ja) |
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- 1997-03-18 DE DE19711267A patent/DE19711267A1/de not_active Ceased
- 1997-03-18 KR KR1019970009217A patent/KR100476039B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-03-18 GB GB9705608A patent/GB2311298B/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-18 JP JP9084597A patent/JPH1027762A/ja active Pending
- 1997-03-18 US US08/819,871 patent/US5951773A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-18 JP JP9084596A patent/JPH1081973A/ja active Pending
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| KR100476039B1 (ko) | 2005-07-11 |
| GB2311299A (en) | 1997-09-24 |
| KR970067610A (ko) | 1997-10-13 |
| KR970065766A (ko) | 1997-10-13 |
| DE19711267A1 (de) | 1997-10-30 |
| DE19711268B4 (de) | 2004-09-16 |
| GB9705608D0 (en) | 1997-05-07 |
| GB2311298A (en) | 1997-09-24 |
| GB2311298B (en) | 1999-09-29 |
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| US6093660A (en) | 2000-07-25 |
| KR100469134B1 (ko) | 2005-09-02 |
| US6380612B1 (en) | 2002-04-30 |
| US5951773A (en) | 1999-09-14 |
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