JPH0691010B2 - 非晶質薄膜の製法 - Google Patents
非晶質薄膜の製法Info
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- JPH0691010B2 JPH0691010B2 JP58001725A JP172583A JPH0691010B2 JP H0691010 B2 JPH0691010 B2 JP H0691010B2 JP 58001725 A JP58001725 A JP 58001725A JP 172583 A JP172583 A JP 172583A JP H0691010 B2 JPH0691010 B2 JP H0691010B2
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- JP
- Japan
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- film
- energy
- thin film
- rate
- gas
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は非晶質薄膜の製法に関し、特に高速製膜でかつ
電気特性の良好な非晶質シリコン（以下ａ−Siと略称す
る）薄膜の製法に関する。
電気特性の良好な非晶質シリコン（以下ａ−Siと略称す
る）薄膜の製法に関する。
ａ−Si薄膜は近年よく研究されており、太陽電池や感光
ドラムをはじめ、画像読取装置の走査回路、画像表示デ
バイスの駆動回路等への利用が考えられている。
ドラムをはじめ、画像読取装置の走査回路、画像表示デ
バイスの駆動回路等への利用が考えられている。
ａ−Si薄膜の作成は、通常、グロー放電、スパツタリン
グ、CVD（chemical vapor deposition）、フオトCVD（p
hotoinduced chemical vapor de−position）等の方法
により行なわれるが、被膜の形成速度、即ち成膜速度は
数Å/sec以下と遅いものであつた。このような成膜速度
を大にするために蒸着、イオンプレーテング等の手法も
検討されているが、この場合、光電特性に関する膜質が
不良となり、先に述べたデバイスにそのまま用いること
はできない。それ故、現在は成膜速度を犠牲にし、グロ
ー放電により成膜速度を５Å/sec以下としているのが実
情である。
グ、CVD（chemical vapor deposition）、フオトCVD（p
hotoinduced chemical vapor de−position）等の方法
により行なわれるが、被膜の形成速度、即ち成膜速度は
数Å/sec以下と遅いものであつた。このような成膜速度
を大にするために蒸着、イオンプレーテング等の手法も
検討されているが、この場合、光電特性に関する膜質が
不良となり、先に述べたデバイスにそのまま用いること
はできない。それ故、現在は成膜速度を犠牲にし、グロ
ー放電により成膜速度を５Å/sec以下としているのが実
情である。
またRFパワーを大にして光電特性を向上させることにつ
いては特開昭57−186319号公報に開示されているが、こ
の方法では多結晶シリコンの薄膜を形成するものであ
り、結晶化に必要な電力は本発明において採用されるエ
ネルギー範囲をはるかに越えて、たとえば最低でも800K
J/g−SiH4が必要である。このためエネルギー的に不利
となるばかりでなく、結晶化のためには薄膜の形成速度
を低くおさえねばならず、成膜速度の向上は到底達成で
きなかつた。
いては特開昭57−186319号公報に開示されているが、こ
の方法では多結晶シリコンの薄膜を形成するものであ
り、結晶化に必要な電力は本発明において採用されるエ
ネルギー範囲をはるかに越えて、たとえば最低でも800K
J/g−SiH4が必要である。このためエネルギー的に不利
となるばかりでなく、結晶化のためには薄膜の形成速度
を低くおさえねばならず、成膜速度の向上は到底達成で
きなかつた。
本発明者らは上記した従来法における問題を解決すべく
鋭意検討した結果、印加エネルギーと被膜の形成速度と
を制禦することにより成膜速度を向上し得ることを見出
して本発明に到達した。
鋭意検討した結果、印加エネルギーと被膜の形成速度と
を制禦することにより成膜速度を向上し得ることを見出
して本発明に到達した。
即ち、本発明は被膜形成性の気体をグロー放電により分
解して基板上に薄膜を形成する方法において、被膜の形
成速度が主として該気体の流量によつて支配される最低
エネルギー以上の分解のためのエネルギーを加え、かつ
該形成速度を大にして被膜が結晶化することを妨げるこ
とを特徴とする非晶質薄膜の製法である。
解して基板上に薄膜を形成する方法において、被膜の形
成速度が主として該気体の流量によつて支配される最低
エネルギー以上の分解のためのエネルギーを加え、かつ
該形成速度を大にして被膜が結晶化することを妨げるこ
とを特徴とする非晶質薄膜の製法である。
而して、本発明の方法による場合は、実施例記載におい
て明らかなように、例えばSinH2n+2（ｎ＝２または３）
（以下ジシランと総称する）を用いる場合において、被
膜形成性の気体をグロー放電により分解する際のエネル
ギーを適合させることにより、成膜速度10Å/secを越え
る大きい領域でも光電特性を低下することなく、成膜し
得るものである。
て明らかなように、例えばSinH2n+2（ｎ＝２または３）
（以下ジシランと総称する）を用いる場合において、被
膜形成性の気体をグロー放電により分解する際のエネル
ギーを適合させることにより、成膜速度10Å/secを越え
る大きい領域でも光電特性を低下することなく、成膜し
得るものである。
本発明において採用される被膜の形成速度が主として該
気体の流量によつて支配される最低のエネルギー以上の
分解のためのエネルギーの好ましい具体的範囲を数値と
して示す場合は、ジシラン1g当り６〜100KJ、好ましく
は10〜100KJの範囲である。而して被膜の形成速度を大
にして被膜結晶化することを防止する具体的成膜速度は
６Å/sec以上であり、好ましくは10Å/sec以上、更に好
ましくは15Å/sec以上である。
気体の流量によつて支配される最低のエネルギー以上の
分解のためのエネルギーの好ましい具体的範囲を数値と
して示す場合は、ジシラン1g当り６〜100KJ、好ましく
は10〜100KJの範囲である。而して被膜の形成速度を大
にして被膜結晶化することを防止する具体的成膜速度は
６Å/sec以上であり、好ましくは10Å/sec以上、更に好
ましくは15Å/sec以上である。
上記した被膜の形成速度が６Å/sec以下では本発明の目
的に合致せず、特に３Å/sec以下ではしばしば結晶化す
るが成膜速度が６Å/sec以上では結晶化することなく印
加されたエネルギーは光電特性を改善するために有効に
消費され、たとえばジシラン1g当り100KJのエネルギー
を印加ても結晶化することはない。
的に合致せず、特に３Å/sec以下ではしばしば結晶化す
るが成膜速度が６Å/sec以上では結晶化することなく印
加されたエネルギーは光電特性を改善するために有効に
消費され、たとえばジシラン1g当り100KJのエネルギー
を印加ても結晶化することはない。
本発明においては被膜の形成速度が被膜形成性の気体の
流量に依存する領域になるようにエネルギーを印加する
ものであり、具体的には第１図によつて示される。第１
図は平行平板型電極を有する容量結合型RFグロー放電装
置で得られたものであるが、他の装置たとえば誘導結合
型の放電装置においても同様であることは当業者の容易
に理解するところである。而して第１図において好まし
い量のエネルギー印加領域はジシラン1g当り６×103ジ
ュール（本発明では×103ジュールをKJと表わす）を越
える（ｂ）の領域である。光電特性の良否を判定する指
標としては一般に光感度（σph/σＤ）が用いられる
が、例えば太陽電池の用途においてはσph/σＤ値が大
きい程光電変換効率が改善され、少くともσph/σＤ≧1
04であることが好ましいとされている。
流量に依存する領域になるようにエネルギーを印加する
ものであり、具体的には第１図によつて示される。第１
図は平行平板型電極を有する容量結合型RFグロー放電装
置で得られたものであるが、他の装置たとえば誘導結合
型の放電装置においても同様であることは当業者の容易
に理解するところである。而して第１図において好まし
い量のエネルギー印加領域はジシラン1g当り６×103ジ
ュール（本発明では×103ジュールをKJと表わす）を越
える（ｂ）の領域である。光電特性の良否を判定する指
標としては一般に光感度（σph/σＤ）が用いられる
が、例えば太陽電池の用途においてはσph/σＤ値が大
きい程光電変換効率が改善され、少くともσph/σＤ≧1
04であることが好ましいとされている。
本発明においては、印加するエネルギーの上限値として
被膜の結晶性が生じない値が採用される。この上限値は
一義的に決定されるものではなく、先に述べたように成
膜速度に大きく影響される。成膜速度を大きくすれば、
印加できるエネルギーは大きくなるが、過度に大きくす
る場合はプラズマによつて形成する膜の損傷がはげしく
なり、光電特性の低下をひきおこす。例えば結晶化が生
じる程のエネルギーが印加されると形成された膜には損
傷が大きく、そのまゝでは実用性のないものとなり、水
素アニール等のアニーリングによつて特性を改善した後
においてはじめて実用性のある膜となる。
被膜の結晶性が生じない値が採用される。この上限値は
一義的に決定されるものではなく、先に述べたように成
膜速度に大きく影響される。成膜速度を大きくすれば、
印加できるエネルギーは大きくなるが、過度に大きくす
る場合はプラズマによつて形成する膜の損傷がはげしく
なり、光電特性の低下をひきおこす。例えば結晶化が生
じる程のエネルギーが印加されると形成された膜には損
傷が大きく、そのまゝでは実用性のないものとなり、水
素アニール等のアニーリングによつて特性を改善した後
においてはじめて実用性のある膜となる。
本発明はこのアニール工程を不要とするものであり、成
膜速度が流量依存領域になるように高エネルギーを印加
することにより、膜質を劣化することなく、高成膜速度
及び高光電特性を達成することができる。前記したエネ
ルギーの上限値を具体的に例示することは困難である
が、実験的に得られた値では10Å/secの成膜速度の時30
0KJ/g、Si2H6まではアモルフアス状態で存在することを
電子線回折により確認している。
膜速度が流量依存領域になるように高エネルギーを印加
することにより、膜質を劣化することなく、高成膜速度
及び高光電特性を達成することができる。前記したエネ
ルギーの上限値を具体的に例示することは困難である
が、実験的に得られた値では10Å/secの成膜速度の時30
0KJ/g、Si2H6まではアモルフアス状態で存在することを
電子線回折により確認している。
本発明の別の好ましい示例としては被膜形成時の圧力を
高くして１〜10Torrの範囲で行なうことであり光電特性
をさらに改善することができる。この場合の圧力を高め
ることにより光電特性が向上する理由は不明である。圧
力を高める具体的方法としては、ガス流量をかえずに真
空系へのコンダクタンスを小さくすることによつても可
能であるが、好ましくは被膜形成性ガスの流量を大にし
て行なうことである。流量を大にすることによる圧力上
昇による効果の発現は元より、従来技術で問題となつて
いた微量不純物の影響も少なくなる様であり光電特性が
良好になり、かつ再現性が向上する。
高くして１〜10Torrの範囲で行なうことであり光電特性
をさらに改善することができる。この場合の圧力を高め
ることにより光電特性が向上する理由は不明である。圧
力を高める具体的方法としては、ガス流量をかえずに真
空系へのコンダクタンスを小さくすることによつても可
能であるが、好ましくは被膜形成性ガスの流量を大にし
て行なうことである。流量を大にすることによる圧力上
昇による効果の発現は元より、従来技術で問題となつて
いた微量不純物の影響も少なくなる様であり光電特性が
良好になり、かつ再現性が向上する。
さらに本発明においては基板上に薄膜を形成する際の温
度を200〜450℃に維持して非晶質薄膜が形成されるが、
好ましい示例としては250〜400℃で被膜の形成を行なう
ことである。特に好ましい条件の組み合わせとして上記
の温度範囲中比較的低温の条件においては印加エネルギ
ーを大きくし、比較的高温の条件においては同エネルギ
ーを小さくすることである。
度を200〜450℃に維持して非晶質薄膜が形成されるが、
好ましい示例としては250〜400℃で被膜の形成を行なう
ことである。特に好ましい条件の組み合わせとして上記
の温度範囲中比較的低温の条件においては印加エネルギ
ーを大きくし、比較的高温の条件においては同エネルギ
ーを小さくすることである。
本発明において用いられる被膜形成性の気体としては、
SinH2n+2（ｎは２または３）である例えば高純度ジシラ
ンであることが望ましいが、グロー放電により得られる
ａ−Si:H薄膜の性質が似ているのでｎ＝３であるトリシ
ランが含まれていてもさしつかえない。而してジシラン
は物理的な合成方法、たとえばモノシランを無声放電す
ると一部がジシランに変化するがこれを分離して得る方
法、又は化学的な合成方法で製造されるか、そのいずれ
においても有用に使用される。しかし乍ら、太陽電池な
どを工業的に生産する点からは、安定した品質で大量に
得られる点で化学的に合成された物質が実用上便利に使
用できる。
SinH2n+2（ｎは２または３）である例えば高純度ジシラ
ンであることが望ましいが、グロー放電により得られる
ａ−Si:H薄膜の性質が似ているのでｎ＝３であるトリシ
ランが含まれていてもさしつかえない。而してジシラン
は物理的な合成方法、たとえばモノシランを無声放電す
ると一部がジシランに変化するがこれを分離して得る方
法、又は化学的な合成方法で製造されるか、そのいずれ
においても有用に使用される。しかし乍ら、太陽電池な
どを工業的に生産する点からは、安定した品質で大量に
得られる点で化学的に合成された物質が実用上便利に使
用できる。
本発明の好ましい示例としてさらに希釈ガスを用いて薄
膜を形成する例がある。この場合の希釈ガスとしては、
He、H2、Ar等の使用が好ましい。これらの希釈ガスを用
いる場合は光電特性の再現性が向上する。希釈ガスは、
おそらく微量不純物の影響を少なくし、プラズマによる
膜の損傷を緩和する役割を有していると考えられる。希
釈の役割は特に限定されないが、５〜20vol％の範囲に
あることが便利であり、前記の効果が発揮される。
膜を形成する例がある。この場合の希釈ガスとしては、
He、H2、Ar等の使用が好ましい。これらの希釈ガスを用
いる場合は光電特性の再現性が向上する。希釈ガスは、
おそらく微量不純物の影響を少なくし、プラズマによる
膜の損傷を緩和する役割を有していると考えられる。希
釈の役割は特に限定されないが、５〜20vol％の範囲に
あることが便利であり、前記の効果が発揮される。
つぎに本発明の実施態様について更に説明する。グロー
放電の可能な反応室中に基板を設置する。ついで被膜形
成性の気体を連続的に導入し、反応室内圧力を１〜10To
rrの範囲に調節し、グロー放電を開始し、非晶質薄膜を
形成する。薄膜形成中は反応室内温度は200〜450℃に維
持される。被膜形成速度は６Å/sec以上に保持するよう
に該気体の流量が調節され、該気体に印加されるエネル
ギーは該形成速度が気体の流量に主として支配される最
低のエネルギー以上になるように調節される。気体に印
加されるエネルギーは、例えば次のようにして堆算され
る。即ち、 である。
放電の可能な反応室中に基板を設置する。ついで被膜形
成性の気体を連続的に導入し、反応室内圧力を１〜10To
rrの範囲に調節し、グロー放電を開始し、非晶質薄膜を
形成する。薄膜形成中は反応室内温度は200〜450℃に維
持される。被膜形成速度は６Å/sec以上に保持するよう
に該気体の流量が調節され、該気体に印加されるエネル
ギーは該形成速度が気体の流量に主として支配される最
低のエネルギー以上になるように調節される。気体に印
加されるエネルギーは、例えば次のようにして堆算され
る。即ち、 である。
たとえばHeで希釈されたジシラン（10vol％）100cc/分
に20Wの電力を加える場合のエネルギーは、つぎのよう
になる。
に20Wの電力を加える場合のエネルギーは、つぎのよう
になる。
平均分子量＝（62.2184×0.1＋4.0026×0.9）＝9.824
（ｇ） Si2H6の重量分率は であるから エネルギーは として求められる。第１図及び第２図における横軸は上
記の如くして求めた値である。
（ｇ） Si2H6の重量分率は であるから エネルギーは として求められる。第１図及び第２図における横軸は上
記の如くして求めた値である。
また別の実施態様としては、グロー放電を実施中の反応
室へ、加熱された基板を装入して、基板上に非晶質薄膜
を作成できる。
室へ、加熱された基板を装入して、基板上に非晶質薄膜
を作成できる。
以上本発明の実施態様を無ドープの非晶質薄膜として述
べたが、PH3、AsH3、B2H6等の通常用いられるドープ剤
とともに用いてｎ型あるいはｐ型の導電型の非晶質薄膜
も作成できる。
べたが、PH3、AsH3、B2H6等の通常用いられるドープ剤
とともに用いてｎ型あるいはｐ型の導電型の非晶質薄膜
も作成できる。
上記した本発明の方法により得られる非晶質薄膜は、各
種の半導体デバイスに適用され、特にアモルフアスシリ
コン態様電池の光活性領域に用いて好適である。
種の半導体デバイスに適用され、特にアモルフアスシリ
コン態様電池の光活性領域に用いて好適である。
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１〜10 基板加熱手段、真空排気手段、ガス導入手段を設備した
平行平板電極を有するRF容量結合型反応装置中にコーニ
ング7059ガラス基板を設置し、油拡散ポンプにより、真
空排気（10-7Torr以下）しながら、該基板を300℃に加
熱した。つぎに、真空系を油回転ポンプ排気に切りか
え、Si2H6/He＝10/90の容量比からなる被膜形成性の気
体をマスフローコントローラーを通して導入し、反応室
圧力を真空バルブにより調節した。膜厚の測定は表面荒
さ計で行なつた。成膜速度は該膜厚が約5000Åになるよ
うに形成し、この被膜形成に要した時間で除した値であ
る。電気伝導度σＤは室温で測定した。光伝導率Jphは
ソーラシユミレーターによりAMI（100mW/cm2）の光を照
射して測定した。光感度として光導電率を電気伝導率
（暗導電率）で除した値を用いた。被膜形成性のガス流
量及び印加するエネルギーを変化させて得られた結果を
第１表に記した。なお被膜速度が６Å/secに満たない場
合を参考例、印加エネルギーが6KJ/gSi2H6に満たない場
合を比較例として示した。
平行平板電極を有するRF容量結合型反応装置中にコーニ
ング7059ガラス基板を設置し、油拡散ポンプにより、真
空排気（10-7Torr以下）しながら、該基板を300℃に加
熱した。つぎに、真空系を油回転ポンプ排気に切りか
え、Si2H6/He＝10/90の容量比からなる被膜形成性の気
体をマスフローコントローラーを通して導入し、反応室
圧力を真空バルブにより調節した。膜厚の測定は表面荒
さ計で行なつた。成膜速度は該膜厚が約5000Åになるよ
うに形成し、この被膜形成に要した時間で除した値であ
る。電気伝導度σＤは室温で測定した。光伝導率Jphは
ソーラシユミレーターによりAMI（100mW/cm2）の光を照
射して測定した。光感度として光導電率を電気伝導率
（暗導電率）で除した値を用いた。被膜形成性のガス流
量及び印加するエネルギーを変化させて得られた結果を
第１表に記した。なお被膜速度が６Å/secに満たない場
合を参考例、印加エネルギーが6KJ/gSi2H6に満たない場
合を比較例として示した。
実施例１〜10、参考例１〜３及び比較例１〜６から明ら
かなように、印加エネルギーが5.2KJ/g−Si2H6よりも小
さい場合は、σph/σＤが１×104よりも小さく、光電特
性が不良である。これらの実施例及び比較例において流
量92cc/min、300cc/min及び500cc/minの場合をまとめて
第１図に示した。第１図において領域（ａ）は成膜速度
が印加エネルギー及び被膜形成性の気体の流量とともに
急速に増加する領域である。領域（ｂ）は成膜速度が印
加エネルギーにほとんど関係なく、被膜形成性の気体の
流量に主として支配されて決定される領域である。
かなように、印加エネルギーが5.2KJ/g−Si2H6よりも小
さい場合は、σph/σＤが１×104よりも小さく、光電特
性が不良である。これらの実施例及び比較例において流
量92cc/min、300cc/min及び500cc/minの場合をまとめて
第１図に示した。第１図において領域（ａ）は成膜速度
が印加エネルギー及び被膜形成性の気体の流量とともに
急速に増加する領域である。領域（ｂ）は成膜速度が印
加エネルギーにほとんど関係なく、被膜形成性の気体の
流量に主として支配されて決定される領域である。
また第２図は印加エネルギーとσph/σＤの関係を示す
ものである。第１図と第２図を比較すると前述の第１図
の（ｂ）領域と第２図の（ｄ）領域とが一致することが
明らかである。即ち、被膜形成性の気体の流量に成膜速
度が主として支配されるようになるようにエネルギーを
印加することにより、光電特性が著しく改善されること
を示している。この現象は従来当業者の間で知られてい
た現象、即ち、SiH4からａ−Si薄膜を形成する時の成膜
速度を大にした場合の光電特性が減少する事実とは異な
るものである。本実施例はａ−Si薄膜を20Å/secを越え
る高速で形成しても光電特性が低下しないことを示すも
のであり、従来不可能とされていた、高速成膜によるデ
バイス作成を可能とすることを開示するものである。
ものである。第１図と第２図を比較すると前述の第１図
の（ｂ）領域と第２図の（ｄ）領域とが一致することが
明らかである。即ち、被膜形成性の気体の流量に成膜速
度が主として支配されるようになるようにエネルギーを
印加することにより、光電特性が著しく改善されること
を示している。この現象は従来当業者の間で知られてい
た現象、即ち、SiH4からａ−Si薄膜を形成する時の成膜
速度を大にした場合の光電特性が減少する事実とは異な
るものである。本実施例はａ−Si薄膜を20Å/secを越え
る高速で形成しても光電特性が低下しないことを示すも
のであり、従来不可能とされていた、高速成膜によるデ
バイス作成を可能とすることを開示するものである。
実施例11〜13 前述の実施例において基板設定温度を250℃及び385℃と
した。結果を第２表に示した。
した。結果を第２表に示した。
本実施例においては印加エネルギーを大にすることに加
えて基板温度を適当に選択するとσph/σＤの値がさら
に改善することを示している。実験結果は基板温度が低
い場合、印加エネルギーが大きい方がσph/σＤが改善
され、同温度が高い場合、印加エネルギーは相対的に低
い方が改善される傾向があつた。
えて基板温度を適当に選択するとσph/σＤの値がさら
に改善することを示している。実験結果は基板温度が低
い場合、印加エネルギーが大きい方がσph/σＤが改善
され、同温度が高い場合、印加エネルギーは相対的に低
い方が改善される傾向があつた。
第１図は本発明における被膜形成速度と印加されるエネ
ルギーとの関係を図示したものであり、第２図は印加さ
れるエネルギーと膜の光電特性との関係を図示したもの
である。
ルギーとの関係を図示したものであり、第２図は印加さ
れるエネルギーと膜の光電特性との関係を図示したもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−179151（ＪＰ，Ａ) 「信学技報」Ｖｏｌ．81，Ｎｏ．213, （1982−１−19），Ｐ．７〜９（ＣＰＭ81 〜80) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．37［８ ］，（80−10），ＰＰ．725〜727
Claims (1)
- 【請求項１】ジシランを主とする被膜形成性の気体を高
周波グロー放電により分解して、基板上にアモルファス
シリコン太陽電池に適する薄膜を形成する方法におい
て、該被膜形成性の気体を供給し、該被膜の形成速度が
主として該気体の流量によって支配される最低のエネル
ギーである、該供給されるジシラン1g当たり6kJ以上で5
0kJ以下の分解のためのエネルギーを加え、かつ該形成
速度を６Å／秒以上と大にして被膜が結晶化することと
妨げることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池
に適する非晶質薄膜の製法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58001725A JPH0691010B2 (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 非晶質薄膜の製法 |
| DE8484900396T DE3485627D1 (de) | 1983-01-11 | 1984-01-10 | Herstellungsverfahren hydrogenierter amorpher silizium-duennschicht-sonnenzellen. |
| PCT/JP1984/000001 WO1984002804A1 (en) | 1983-01-11 | 1984-01-10 | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell |
| EP84900396A EP0137043B1 (en) | 1983-01-11 | 1984-01-10 | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell |
| AU24167/84A AU565563B2 (en) | 1983-01-11 | 1984-01-10 | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58001725A JPH0691010B2 (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 非晶質薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127647A JPS59127647A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0691010B2 true JPH0691010B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=11509534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58001725A Expired - Lifetime JPH0691010B2 (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 非晶質薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691010B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644552B2 (ja) * | 1983-03-30 | 1994-06-08 | 三井東圧化学株式会社 | 非晶質薄膜の製法 |
| JP2598002B2 (ja) * | 1986-12-13 | 1997-04-09 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成方法 |
| JP2598003B2 (ja) * | 1986-12-12 | 1997-04-09 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成方法 |
| GB2311299B (en) | 1996-03-18 | 2000-03-29 | Hyundai Electronics Ind | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition technology |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665142A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of electrophotographic receptor |
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| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
| JPS5778546A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | Production of photoconductive silicon layer |
| JPS57152464A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive member |
-
1983
- 1983-01-11 JP JP58001725A patent/JPH0691010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 「信学技報」Ｖｏｌ．８１，Ｎｏ．２１３，（１９８２−１−１９），Ｐ．７〜９（ＣＰＭ８１〜８０） |
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３７［８，（８０−１０），ＰＰ．７２５〜７２７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127647A (ja) | 1984-07-23 |
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