CN103794461A - 一种等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅中的一种或其中的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米到90欧姆/厘米。
Description
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
随着科学技术的发展，人们生产生活水平的不断提高，人类对电子产品的精细度的要求日益增加，但是电子产品的制造过程中还存在一些问题或缺陷，例如目前在对半导体器件等的制造过程中，通常使用电容耦合式的等离子体处理装置产生气体的等离子体与晶圆表面进行反应，实现对晶圆进行相应工艺，但是在实践制造过程中发现，采用现有的等离子体处理装置处理后晶圆的均匀度不能满足工艺要求，迫切需要一种具有较长使用寿命的电池。
发明内容
本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：
真空处理腔室；
第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于45MHz，第二射频源频率小于25MHz；
非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；
第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；
其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅中的一种或其中的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米到90欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应。
另外，所述等离子处理装置为等离子体刻蚀设备或等离子增强型化学气相沉积设备。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于48MHz，第二射频源频率小于24MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应，所述等离子处理装置为等离子体刻蚀设备。
实施例2
该等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于52MHz，第二射频源频率小于21MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为锗，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为90欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应，所述等离子处理装置为等离子增强型化学气相沉积设备。
实施例3
该等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于55MHz，第二射频源频率小于18MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为碳化硅，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为80欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应，所述等离子处理装置为等离子体刻蚀设备。
实施例4
该等离子体处理装置，其包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于60MHz，第二射频源频率小于15MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为85欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应，所述等离子处理装置为等离子增强型化学气相沉积设备。
Claims (2)
1.一种等离子体处理装置，其包括：
真空处理腔室；
第一电极，位于所述真空处理腔室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于45MHz，第二射频源频率小于25MHz；
非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；
第二电极，位于真空处理腔内的与第一电极相对设置的位置；
其中所述非电介质材料层的材质为半导体材质或金属，所述半导体材质为硅、锗、锗硅、碳化硅中的一种或其中的组合，所述非电介质材料层位于所述第一电极的表面上，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米到90欧姆/厘米，所述放置待处理晶圆的平台包括：静电吸盘，与所述第一电极的形成有所述非电介质材料层的一侧的表面相对设置，所述静电吸盘用于放置待处理晶圆，所述静电吸盘的远离所述等离子体一侧的形状和大小与所述非电介质材料层的大小和形状对应。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其为等离子体刻蚀设备或等离子增强型化学气相沉积设备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310630699.5A CN103794461A (zh) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 一种等离子体处理装置 |
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|---|---|---|---|
| CN201310630699.5A CN103794461A (zh) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 一种等离子体处理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN103794461A true CN103794461A (zh) | 2014-05-14 |
Family
ID=50670015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201310630699.5A Pending CN103794461A (zh) | 2013-12-02 | 2013-12-02 | 一种等离子体处理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US5951773A (en) * | 1996-03-18 | 1999-09-14 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US20020023716A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Yutaka Ohmoto | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| CN102280342A (zh) * | 2011-08-19 | 2011-12-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置 |
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2013
- 2013-12-02 CN CN201310630699.5A patent/CN103794461A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951773A (en) * | 1996-03-18 | 1999-09-14 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US20020023716A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Yutaka Ohmoto | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| CN102280342A (zh) * | 2011-08-19 | 2011-12-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置 |
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