KR100476039B1 - 유도결합형 플라즈마 cvd 장치 - Google Patents

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진 장
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비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
진 장
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Abstract

본 발명은 적어도 챔버의 일부분을 이루는 유전체창으로부터의 불순물의 오염을 방지할 수 있는 유도결합형 플라즈마 화학기상증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 유도결합형 플라즈마 화학기상증착 장치는 적어도 일부분이 유전체창으로 둘러싸인 내부공간을 갖는 반응챔버로서, 상기 유전체창의 반응챔버내측의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘층을 갖는 반응챔버, 반응챔버의 내부공간으로 공정가스를 도입하는 수단; 상기 반응챔버밖의 상기 유전체창에 인접하여 놓여있는 고주파인가가 가능한 안테나; 상기 안테나에 고주파전원을 커플링하기 위한 수단; 상기 반응챔버의 내부공간에 있는 피가공물을 가열하기 위하여 설치된 스테이지; 및 상기 반응챔버의 내부공간을 배기하기 위한 배기수단으로 이루어진다. 산소를 포함하지 않는 실리콘층은 비정질 실리콘층, 질화 실리콘층, 탄화 실리콘층을 포함한다.

Description

유도결합형 플라즈마 CVD 장치
본 발명은 유도결합형 플라즈마 화학기상증착 장치를 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 챔버의 일부분을 이루는 유도체창으로의 불순물의 오염을 방지할 수 있는 유도결합형 플라즈마 화학기상증착장치에 관한 것이다.
일본국 특허 공개 공보( 특허출원 평7-60704)은 박막을 형성할 수 있는유도결합형 플라즈마 CVD 장치를 개시하고 있다. 이 공보에 기재된 종래의 유도결합형 플라즈마 CVD 장치는, 고주파인가가 가능한 링형상의 안테나, 이 안테나에 접하여 설치된 유전체창, 이 유전체창을 가지며 동시에 기밀을 유지할 수 있는 챔버, 이 챔버내부에 있는 피가공물을 가열하기 위하여 설치된 스테이지, 상기 챔버내부를 배기하기 위한 배기장치, 및 상기 챔버에 적어도 2 종류의 반응가스를 소정량 공급할 수 있는 공급장치로 이루어져 있다.
이러한 유도결합형 플라즈마 CVD 장치는 다음과 같이 작동한다. 링형상의 안테나에 고주파를 인가하면, 이 안테나에 접하여 설치된 석영재의 유전체창의 반대측, 즉 챔버의 내부에 플라즈마를 형성한다. 챔버의 내측에는 스테이지가 설치되어 있고, 이 스테이지상에 적재된 피가공물을 가열한다. 또 챔버내부는 배기장치에 의하여 배기되어 진공상태가 되고, 이 챔버내에 가스공급장치가 적어도 2종류의 반응 가스를 소정량 공급한다.
그러나, 상기 유도결합형 플라즈마 CVD장치는 유전체창이 석영재 등의 산소를 포함하는 재료로 되어 있으므로, 박막을 증착할 때, 석영재 등의 유전체창의 플라즈마에 의한 식각이 일어난다. 따라서, 석영재의 유전체창으로부터 산소 및 불순물이 유입되어 챔버에서 형성되는 박막의 물성에 악영향을 미치는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에 있어서는 가스공급수단의 가스주입구가 진공반응챔버의 중앙부에 설치되어 있지 않고, 그의 측면부에 설치되어 있으므로, 가스의 주입이 대면적에 균일하게 이루어지지 않아 고밀도의 균일한 플라즈마를 형성할 수 없는 문제점이 있었다.
위에서 논한 바에 비추어 본 발명의 목적은 유도결합형 플라즈마 CVD 장치의 유전체창으로부터의 산소 및 불순물의 유입을 차단함으로써, 우수한 막특성(film characteristics)을 갖는 박막을 제조할 수 있는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치를 제공하는 데 있다.
상기의 목적은 유도결합형 플라즈마 CVD 장치의 반응챔버의 적어도 일부분을 이루는 유전체창의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘을 증착함으로써, 달성된다.
유도결합형 플라즈마 CVD 장치는 적어도 일부분이 유전체창(dielectric shield)으로 둘러싸인 내부공간을 갖는 반응챔버로서, 상기 유전체창의 반응챔버내측의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘층을 갖는 반응챔버; 반응챔버의 내부공간으로 공정가스를 도입하는 수단; 상기 반응챔버밖의 상기 유전체창에 인접하여 놓여있는 고주파인가가 가능한 안테나; 상기 안테나에 고주파전원을 커플링하기 위한 수단; 상기 반응챔버의 내부공간에 있는 피가공물을 가열하기 위하여 설치된 스테이지; 상기 반응챔버의 내부공간을 배기하기 위한 배기수단으로 이루어진다. 상기 산소를 포함하지 않는 실리콘층은 비정질 실리콘층, 질화 실리콘층, 또는 탄화 실리콘층인 것이 바람직하다. 상기 공정가스 도입 수단은 상기 반응챔버에 적어도 2 종류의 반응가스를 소정량 공급가능한 것이다. 또한, 바람직하게는 1011~1012㎝-3의 플라즈마 밀도를 얻기 위하여 안테나는 나선형상으로 이루어진다.
이 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에 의하여, 광감도, 전기전도도, 활성화에너지, 광학적 밴드갭과 같은 전기적 및 광학적 특성이 우수하고 균일한 비정질 실리콘막을 얻을 수 있으며, 전기전도도, 항복 전압, 전류 밀도과 같은 박막의 특성이 우수하고 균일한 질화 실리콘막을 얻을 수 있고, 또는 결정립의 크기가 미세하고 균일한 실리콘박막을 얻을 수 있다. 더구나, 전계 효과 이동도, 문턱 전압과 같은 전기적 특성이 우수하고 균일한 비정질 실리콘막을 포함하는 박막 트랜지스터를 얻을 수 있으므로, 고품위의 TFT-LCD을 제조할 수 있다.
[실시 예]
이하, 첨부도면에 의거하여 본 발명의 양호한 실시예를 구체적으로 설명한다.
도1은 본 발명에 의거하여 제조한 유도결합형 플라즈마 CVD 장치10을 나타낸다. 이 플라즈마 CVD장치10는 진공반응챔버11를 포함한다. 이 진공반응챔버11는 원통형 측판 12, 상판 13 및 바닥판14으로 이루어진다. 진공반응챔버11는 밀폐상태를 유지하기 위하여 원통형 측판12과 상판13, 원통형 측판12과 바닥판14사이에 각각 O-링 실(0-ring sea1s)15A, 15B가 설치되어 있다.
상판13은 유전제창(dielectric shield)으로서, 석영재로 형성되어 있다. 유전체창13은 석영재이외에, 전파를 통과시키지만 적외선을 투과시키지 않는 Al2O3와 같은 세라믹 절연재로 이루어질 수도 있다.
본 실시예에서는 진공반응챔버11내에서 선택된 박막을 증착할 때, 유전체창13이 식각되어 산소 또는 불순물이 진공반응챔버11로 유입되는 것을 방지하기 위하여 유전체창13의 진공반응챔버11내측의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘층16을 갖는다. 산소를 포함하지 않는 실리콘층16은 비정질 실리콘층으로 이루어지며, 비정질 실리콘층은 약 1000Å의 두께를 갖는다. 비정질 실리콘층이외에 질화 실리콘층, 또는 탄화 실리콘층을 사용할 수도 있다. 이것이 본 실시예의 중요한 특징을 이루는 것이다.
유전체창13의 상면에는 RF 전력을 인가할 수 있는 안테나17가 설치되어 있다. 안테나는 대면적 적용이 용이하고 우수한 균일성 및 단순한 형태를 나타내는 스파이럴형상이 바람직하다. 본 실시예에서는 도2A 및 도2B에 도시된 바와 같이, 1011~1012 ㎝-3의 플라즈마 밀도를 얻기 위하여 2 종류의 스파이럴형상 안테나중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 도면중, 참조번호 17a. 17a' 는 RF 전력이 인가되는 단자를 나타내고, 17b는 코일이다.
안테나17는 또한 매칭박스(matching box)18에 접속되어 있으며 매칭박스18는 RF전원19에 접속되어 있다.
바닥판14은 그의 중앙부를 관통하여 스테이지20가 설치되어 있으며, 이 스테이지20의 위면에는 피가공물, 예를 들면 유리기판21이 놓여진다. 바닥판14의 일측에는 배기라인22이 설치되어 있다. 스테이지20는 바닥판14와 전기적으로 절연되어 있어야 한다. 스테이지20는 플라즈마 증착을 위하여 필요한 냉각 및 가열능을 갖도록 설계되어 있다.
또한, 반응가스는 진공반응챔버11내로 하나이상의 가스공급관에 의하여 공급되며, 본 실시예에서는 도면에 2 개의 가스공급관24,25을 나타낸다. 또한, 2 종류이상의 반응가스를 공급하기 위하여 다수개의 가스저장탱크23가 가스공급관24A, 25A과 연결되어 있다.
가스공급관24, 25은, 반응가스를 대면적에 균일하게 공급하기 위하여 진공반응챔버11의 중앙부에 위치하도록 형성된 링형상부24A, 25A을 포함한다. 또한 링형상부24A, 25A의 둘레에는 각각 일정한 간격으로 다수의 노즐구멍24B, 25B가 형성되어 있다.
증착시, RF전력이 스파이럴 안테나에 인가되고, 미리 선택된 반응가스가 가스저장탱크23로부터 가스공급관24, 25에 공급된다. 가스공급관에 공급된 가스는 링형상부24A, 25A에 형성된 다수의 노즐구멍24B, 25B을 통하여 챔버내로 공급되면, 공급된 가스들은 균일하고 높은 밀도 예를 들면 1011~1012㎝3의 피이크 이온 밀도(peak ion density)의 유도결합형 플라즈마를 형성하게 된다.
증착(deposition)
1. 비정질실리콘 박막의 증착
진공챔버내의 스테이지상에 기판을 지지시킨다. 기판이 진공하에 지지된 상태에서 SiH4 의 가스를 진공챔버내에 설치된 가스공급수단의 가스주입구를 통하여 가스를 챔버내에 공급한다. 본 실시예에서는 SiH4을 사용하였다. SiH4이외에, Si2H6. SiH2Cl2/H2 등을 실리콘 소오스 가스로 사용할 수 있다. 이 때, SiH4 의 가스의 유량은 0.5 SCCM이고, 가스 압력은 70 mTorr이었다. 상기 챔버에 인접한 스파이럴 안테나에 40W의 RF전력을 인가하여 챔버내에 유도결합형 플라즈마를 발생시킨다. 기판의 온도를 250℃로 상승시킨다. 이어서, 기판상에 비정질실리콘 박막을 증착시킨다.
2. 질화 실리콘박막의 증착
진공챔버내의 스테이지상에 기판을 지지시킨다. 기판이 진공하에 지지된 상태에서 진공챔버내에 설치된 가스공급수단의 가스주입구를 통하여 SiH4/NH3/He 의 가스를 챔버내에 공급한다. 이 때, 가스유량은 SiH4 0.5∼2 SCCM, NH3 10∼60 SCCM, He 10∼100 SCCM이고, SiH4/NH3의 유량비는 1:10∼1:30 이며, 전체 가스 압력은 500∼800 mTorr이었다. 상기 챔버에 인접한 스파이럴 안테나에 10∼120 W의 RF전력을 인가하여 챔버내에 유도결합형 플라즈마를 발생시킨다. 기판의 온도를 200∼300℃의 온도로 상승시킨다. 이어서. 기판상에 질화 실리콘 박막을 증착시킨다.
3. 미세 결정립박막의 증착
진공챔버내의 스테이지상에 기판을 지지시킨다. 기판이 진공하에 지지된 상태에서 진공챔버내에 설치된 가스공급수단의 가스주입구를 통하여 SiH4H2/He의 가스를 챔버내에 공급한다. 이 때, 가스유량은 SiH4 0.5∼2 SCCM, H2 5∼100 SCCM, He 10∼100 SCCM이고, SiH4H2의 유량비는 1:10∼1:50 이며, 전체 가스 압력은 200∼500 mTorr이었다. 상기 챔버에 인접한 스파이럴 안테나에 10∼120 W의 RF전력을 인가하여 챔버내에 유도결합형 플라즈마를 발생시킨다. 기판의 온도를 200∼300℃의 온도로 상승시킨다. 이어서, 기판상에 미세 결정질 실리콘 박막을 증착시킨다.
이하, 본 실시예에 따른 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에 의하여 제조된 여러 가지의 박막의 박특성을 살펴보고자한다.
도3은 본 실시예에 의하여 제조된 비정질실리콘박막의 FT-IR 특성(Fourier transform infrared characteristics)을 나타내었다. 여기서는 단결정 실리콘 웨이퍼위에 증착된 비정질 실리콘박막을 BOMEN 100
Figure pat00010
(보멘(Bomen)사에서 제작된 미첼손 엠비(Michelson MB) 시리즈의 스펙트로스코프 모델명) FT-IR 스펙트로스코프(Fourier transform infrared spectroscope) 를 사용하여 적외선영역에서의 투과도를 측정하였다. 적외선영역에서의 스펙트럼결과로부터, 파수(wave number) 2000 cm-1에서 Si-H 본드(Si-H bond)의 스트레치 모드(stretch mode)가 나타난 것을 알 수 있고, 파수 610 ㎝1 에서는 Si-H 본드(Si-H bond)의 벤드 모드(bend mode)가 나타난 것을 알 수 있다. 따라서. 본 실시예에 의하여 형성된 비정질 실리콘 박막은 전형적인 비정질 실리콘박막이다. 본 실시예에 따라 제조된 비정질 실리콘 박막에서는 Si-H2 본드(bond)가 발견되지 않았으며, Si-Hn(n=1, 2) 본드(bond)로부터 계산되어진 박막내의 수소함유량은 14 at. %로 밝혀졌다.
도4는 본 실시예에 따라 제작된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 제조된 비정질 실리콘 박막의 전기전도도 특성을 나타낸 그래프이다. 여기서는 Corning7059
Figure pat00011
(Corning 사에서 제작한 유리의 상품명)의 유리기판위에 증착된 박막에 열증착방법(thermal deposition method)으로 알루미늄을 코플레너 전극 형태(coplanar electrode shape)로 증착하여, 유도결합형 플라즈마 CVD 장치의 스테이지위에 부착한 후, Keithley electrometer 617
Figure pat00012
과 Keithley multimeter 195A
Figure pat00013
를 사용하여 온도에 따른 전기전도도를 측정하였다. 측정된 결과로부터 계산된 상온에서의 암전기전도도(dark conductivity)는 4.3×10-12 Ω-1cm-1이었고, AM-1 조건(100 mW/㎠로 광을 비춰주는 조건)에서 측정한 결과로부터 계산된 광전기전도도(photoconductivity)는 1.4×10-5 Ω-1cm-1이 었다. 또한 활성화에너지(activation energy)는 1.05 eV이었다. 따라서, 본 실시예에 따라 증착한 비정질 실리콘박막의 광감도(photosensitivity)는 3×106 이므로, 이 비정질 실리콘재료가 우수한 물성을 나타내고 있다는 것을 알 수 있다(Y. Kishi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 31, 12, 1992 참고).
도5는 본 실시예에 따른 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 제조된 비정질 실리콘 박막의 광학적 밴드갭( optical band gap)을 나타내는 그래프이다. 코닝(Corning)7059
Figure pat00014
의 유리기판위에 증착된 박막을 적외선/가시광선 스펙트로포토미터(UV/VIS spectrophotometer)(Varian 사의 CARY17D
Figure pat00015
와 Simadzu 사의 UV-3101PC
Figure pat00016
의 결합체)를 이용하여 광흡수계수(α)(optical absorption coefficient)를 측정하였다. 측정된 광흡수계수를 이용하여 광학적 밴드갭을 하기식(G. D. Cody et al., Sol. Cells, 2, 227, 1980 참고)에 의하여 얻었다.
(α h ι)1/2=B(E-Eg opt)
여기서, B는 밴드의 기울기를 나타내는 상수, hι는 입사된 광의 광자에너지, α는 광흡수계수, 및 Eg opt는 광학적 밴드 갭을 나타낸다.
도5에 도시된 바와 같이, 광학적 밴드갭은 1.78 eV이며, 이것으로부터 본 실시예의 비정질 실리콘박막은 전형적인 비정질 실리콘박막임을 알 수 있다.
도6은 본 실시예에 따른 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 H2/SiH4 비율에 따라 증착된 미세결정질 실리콘 박막의 라만 산란(Ramm scattering)으로부터 얻은 결정화도(結晶化度;Degree of crystallization)와 전폭반치(前幅半傾, Full-Width at Half Maximum [FWHM])을 나타낸 그래프이다. Corning7059
Figure pat00017
의 유리기판위에 증착된 미세결정질 실리콘 박막을 라만 스펙트로스코피(Ramm spectroscopy)를 사용하여 결정화도 및 전폭반치를 구하였다(H. Kakinuma et al., Jpn. J. Appl. Pliyrs. 70. 7374, 1991 참고). 또한, 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 미세 결정질의 크기를 측정하였다. 측정결과. 미세 결정질의 크기는 200Å~400Å이고, 결정화도는 도6에 도시된 바와 70%~73%임을 알 수 있었다. 이 값들은 전형적인 미세 결정립의 크기가 30Å~200Å이고. 결정화도는 수%에서 70%인 점을 고려할 때(K. Nomoto et al., JPn. J. Appl. Phys. 29, L1372, 1990 참고), 본 실시예의 미세 결정립 실리콘 박막은 우수한 박막임을 알 수 있다.
도7은 실시예에 의하여 제조된 비정질실리콘박막의 FT-IR 특성(Fourier transform infrared characteristics)을 나타내었다. 여기서는 전기전도도가 큰 단결정 실리콘 웨이퍼위에 증착된 질화 실리콘 박막을 BOMEN 100
Figure pat00018
FT-IR 스펙트로스코프(Fourier transform infrared spectroscope ) 를 사용하여 적외선영역에서의 투과도를 측정하였다. 적외선영역에서의 스펙트럼결과로부터, 파수(wave number) 3340cm-1에서 N-H 본드(N-H bond)의 스트레치 모드(stretch mode)가 나타난 것을 알수 있고, 파수 1150 cm-1 에서는 N-H 본드(Si-H bond)의 벤드 모드(bend mode)가 나타난 것을 알 수 있다. 또한, 파수(wave number) 840 cm-1에서 Si-N 본드(Si-N bond)가 나타난 것을 알 수 있다.
따라서, 본 실시예에 의하여 형성된 질화 실리콘 박막은 전형적인 질화 실리콘박막임을 알 수 있다.
도8는 본 실시예에 따라 제작된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 제조된 질화 실리콘 박막의전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다. 여기서는 비저항이 10∼15 Ωcm 인 p 형의 실리콘 웨이퍼위에 두께 1000Å의 질화 실리콘박막을 증착한 후, 열증착방법으로 진공에서 직경 1mm의 알루미늄을 형성하여, MIS구조체를 제작하였다. Keithley elertrometer 617
Figure pat00019
를 사용하여 이 구조체의 전류-전압 특성을 측정하였다. 이 측정결과, 도8에 도시된 바와 같이, 항복 전압은 7 MV이고. 전류밀도는 1 MV/cm에서 약 1010 A㎠ 임을 알 수 있었다.
본 실시예에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 유도결합형 플라즈마 CVD 장치는, 유도체창의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘층이 형성되어 있으며, 가스 공급수단에 연결된 링형상부가 챔버의 중앙부에 위치하도록 설치되어 있고, 또한 링형상부의 둘레에는 일정한 간격을 두고 가스주입구가 다수 형성되어 있으므로, 고밀도의 균일한 플라즈마를 챔버내부에서 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 광감도, 전기전도도, 활성화에너지, 광학적 밴드갭과 같은 박막의 특성이 우수하고 균일한 비정질 실리콘막을 얻을 수 있으며, 항복 전압, 전류 밀도과 같은 박막의 특성이 우수하고 균일한 질화 실리콘막을 얻을 수 있고, 또는 결정립의 크기가 미세하고 균일한 실리콘박막을 얻을 수 있다. 더구나, 전계 효과 이동도, 문턱 전압과 같은 전기적 특성이 우수하고 균일한 비정질 실리콘막을 포함하는 박막 트랜지스터를 얻을 수 있으므로, 고품위의 TFT-LCD을 제조할 수 있다.
한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
도1은 본 발명의 유도결합형 플라즈마 CVD 장치의 실시예를 나타내는 설명도이다.
도2A는 도1의 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에 사용되는 안테나의 구조를 나타내는 개략도이다.
도2B는 도1의 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에 사용되는 안테나의 구조를 나타내는 개략도이다.
도3은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 비정질 실리콘 박막의 FR-IR 특성을 나타내는 그래프이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 비정질 실리콘 박막의 전기전도도 특성을 나타내는 그래프이다.
도5는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 비정질 실리콘 박막의 광학적 밴드갭 특성을 나타내는 그래프이다.
도6는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 미세 결정질 실리콘 박막의 결정화도 및 라만 피크의 전폭반치(FWHM)를 나타내는 그래프이다.
도7는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 질화 실리콘 박막의 FR-IR 특성을 나타내는 그래프이다.
도8는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 유도결합형 플라즈마 CVD 장치에서 증착된 질화 실리콘 박막의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 유도결합형 플라즈마 CVD 장치 11: 진공반응 챔버
12: 원통형측판 13: 상판
14: 저판 16: 실리콘 층
20: 스테이지 21: 피가공물
24A, 25A: 링 형상부

Claims (8)

  1. 적어도 일부분이 유전체창(dielectric shield)으로 둘러싸인 내부공간을 갖는 진공반응챔버로서, 상기 유전체창의 반응챔버내측의 표면에 산소를 포함하지 않는 실리콘층을 갖는 진공반응챔버; 상기 반응챔버의 내부공간으로 반응가스를 도입하는 수단; 상기 반응챔버밖의 상기 유전체창에 인접하여 놓여있는, RF 전력이 인가될 수 있는 안테나; 상기 안테나 RF 전원을 커플링하기 위한 수단상기 반응챔버의 내부공간에 있는 피가공물을 가열하기 위하여 설치된 스테이지; 및 상기 반응챔버의 내부공간을 배기하기 위한 배기수단으로 이루어진 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 산소를 포함하지 않는 실리콘층은 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  3. 제 1 항에 있어서 상기 산소를 포함하지 않는 실리콘층은 질화 실리콘층인 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 산소를 포함하지 않는 실리콘층은 탄화 실리콘층인 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 공정가스 공급 수단은 상기 반응챔버에 적어도 2종류의 반응가스를 소정량 공급하며, 또한 상기 공급수단은 상기 챔버의 중앙부에 위치하는 링형상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 공정가스 공급수단의 링형상부는 그의 둘레에 일정한 간격으로 다수의 노즐구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 안테나는 나선형상(spiral shape)인 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 안테나는 나선형상(spiral shape)인 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 CVD 장치.
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